§1.3 双极型晶体管双极型晶体管是由三层杂质半导体构成 的器件。它有三个电极，所以又称为半导体 三极管、晶体三极管等，以后我们统称为晶 体管BJT (Bipolar Junction Transistor) 。1.3.1 晶体管的结构和类
让信念坚持下去，梦想就能实现！注意：上述判别B1、B2的方法，不一定对所有的单结 晶体管都适用，有个别管子的E-B1间的正向电阻值较小。 不过准确地判断哪极是B1，哪极是B2在实际使用中并不特 别重要。即使B1、B2用颠倒了，也不会使管子损
e共发射极接法iee+revbeΒιβλιοθήκη iccibgmvbe ie +vce --b共基极接法§1.4 场效应晶体管场场场场场场场场场场场场场场场场场场 场场场场场场场场场场场场场场场场场场场场场场场场场场场场 场场场场场场场
常用场效应管和晶体管参数大全 常用场效应管和晶体管参数大全 IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * *
场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor,FET）的简称。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路
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3. 场效应管及其放大电路3.3 场效应管的参数和小信号模型3.3.1 场效应管的主要电参数 3.3.2 场效应管的小信号模型 3.3.3 场效应管与晶体管的比较模拟电子技术3. 场效应管及其放大电路 结型（JFET）符号N沟道P沟道ddg
ICIB(1)ICBO IBICEO IE(1)IB(1)ICBO (1)IBICEOIBIEIC式中：ICEO(1)ICBO称为穿透电流。因ICBO很小，在忽略其影响时，则有IC IB I E (1 )I B为了反映扩散到集电区的电流IC
PN结两端电压和流经PN结的电流之间有如下关系IIs(eU/UT 1)式中， 是反向饱和电流，UT = kT/q是温度电压当量，T是热 力学温度，q是电子的电量，在T为300 K时，UT≈26 mV。 4．PN结的反向击穿 当反向电压超过某
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单极型晶体管与双极型晶体管 单极型晶体管与双极型晶体管2011-10-3012:22一、单极型晶体管 单极型晶体管也称场效应管，简称FET(FieldEffectTransistor)。它是一 种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控
第五章 MOS 场效应晶体管5.1 MOS场效应管 5.2 MOS管的阈值电压 5.3 体效应 5.4 MOSFET的温度特性 5.5 MOSFET的噪声 5.6 MOSFET尺寸按比例缩小 5.7 MOS器件的二阶效应2020/5/201
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场效应管与双极性晶体管的比较场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，丢信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、
绝缘栅耗尽层：N沟道，P沟道cdbVTgBesNPN型晶体管符号 N沟道耗尽型MOSFET的符号1.2 电极使用• 双极型晶体管：分为基极（b），集电极（c），发射极 （e）。其中
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二
1-2-2 场效应半导体三极管【主要内容】一.结型场效应管二.绝缘栅型场效应管 三. 场效应管和三极管的比较【学习目标】1.了解结型场效应管的结构及特性。 2.了解绝缘栅型场效应管的结构及特性。1-2-2 场效应半导体三极管场效应管(FET
