可控硅驱动电路
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可控硅驱动电路设计
设计可控硅驱动电路,就像是给可控硅这位大力士安排个可靠的指挥官。
你想啊,可控硅这家伙力气大,但得有人告诉它什么时候该出手,怎么出手。
下面就是怎么设计这个“指挥官”的几个要点:
信号加强和安全距离:想象你手里有个小喇叭,想让远处的大个子听见指令,得先放大声音,对吧?这里也一样,得有个“声音放大器”,让微小的控制信号变得够强。
而且,为了让两边不互相影响,还得建个“隔音墙”——用光耦合器隔离开高压和低压部分。
给足动力:可控硅要动起来,得有足够的“启动能量包”。
就像跑步前吃块巧克力,驱动电路得准备好电容、电阻和一些特殊电子零件,组成一个“能量包”,一发出去,可控硅立马响应。
穿好护甲:保护措施得做到位,别让可控硅被突然的电流或电压“打懵”。
就像给它穿上防弹衣,设置好电路的“安全阀门”,确保一切都在掌控中。
找准时机:如果需要在特定时间点发动可控硅,就像射箭要瞄准,得有个精准的“计时器”和“瞄准镜”,根据电源的“心跳”(相位)来定触发的时机。
别让电路发烧:干活多了会热,驱动电路里的某些部件也一样,得设计好散热方案,就像夏天给房间装空调,保持凉爽。
和谐相处:电路设计得考虑可控硅的个性和工作的环境,就像给不同性格的人安排工作,得让它们能好好配合,不出乱子。
灵活调控:在需要调节亮度或速度的场合,比如调灯光或电机速度,就像厨师调节火候,得通过精细控制触发脉冲的时间长短,来达到想要的效果。
总之,设计可控硅驱动电路,就是既要让它听指挥,又要保证它安全、高效地工作。
就像是训练一只听话又强大的宠物,每个细节都要考虑到。
可控硅(SCR,Silicon-Controlled Rectifier)是一种常用的电力控制元件,具有开关特性。
在许多应用中,为了保护其它电路或设备不受到高压或高电流的影响,需要使用可控硅隔离驱动电路。
本文将介绍可控硅隔离驱动电路的设计原理和步骤。
一、可控硅隔离驱动电路的设计原理可控硅隔离驱动电路的设计目的是通过一个中间的隔离电路,将输入信号与可控硅之间进行隔离,以达到保护输入信号源和可控硅的目的。
其主要原理如下:1. 隔离器件:在可控硅隔离驱动电路中,常常使用光耦隔离器作为隔离器件。
光耦隔离器内部包含一个发光二极管和一个光敏三极管,通过发光二极管将输入信号转换成光信号,再由光敏三极管将光信号转换成输出信号。
2. 驱动电路:驱动电路是可控硅隔离驱动电路的核心部分,其功能是接收输入信号并产生适当的输出信号来驱动可控硅。
常见的驱动电路包括触发电路和放大电路,用于对输入信号进行处理和放大。
3. 隔离电源:为了保证隔离效果,可控硅隔离驱动电路需要使用独立的隔离电源。
隔离电源可以为光耦隔离器提供稳定的工作电压,同时与输入信号源和可控硅之间实现电气隔离。
二、可控硅隔离驱动电路的设计步骤设计可控硅隔离驱动电路需要经过以下几个步骤:1. 确定输入信号要求:首先需要明确输入信号的特性,包括电压、电流和频率等。
根据输入信号的要求,选择合适的光耦隔离器,并确定驱动电路的设计参数。
2. 选择光耦隔离器:根据输入信号的要求和可控硅的工作条件,选择适合的光耦隔离器。
常用的光耦隔离器有光电转换器、光电继电器和光电隔离放大器等,根据具体应用需求进行选择。
3. 设计驱动电路:根据输入信号的特性和可控硅的驱动要求,设计合适的驱动电路。
驱动电路通常包括触发电路和放大电路,触发电路用于检测输入信号并产生触发脉冲,放大电路则用于放大触发脉冲以驱动可控硅。
4. 确定隔离电源:根据光耦隔离器的工作电压要求,选择适当的隔离电源。
隔离电源可以采用线性稳压电源或开关电源,根据实际情况进行选择。
采用MOC3061的可控硅驱动电路图
MOC3061在热线开关中的应用电路如图2 所示, 在可控硅驱动中的实际电路如图3 所示。
图中R1 为限流电阻,使输入的L ED电流分别为15mA (MOC3061 )、10mA(MOC3062 )、5mA (MOC3063 )即可。
R1 可按下式计算:
R1=(Vcc-Vf)/Ift式中:
Vf为红外发光二极管的正向电压,一般取1.2V到1.4V.
Ift为红外发光二极管触发电流,可按表2选择,若工作温度在25度以下,Ift应适当增加.
采用MOC3061的可控硅驱动电路
R2 是双向可控硅的门极电阻,当可控硅灵敏度较高时, 门极阻抗也很高, 并上R2 可提高抗干扰能力。
R3 是触发功率双向可控硅的限流电阻,其值由交流电网电压峰值及触发器输出端允许重复冲击电流峰值决定,可按下式选取:
外39Ω电阻和0. 01μF 电容组成浪涌吸收电路,防止浪涌电压损坏双向可控硅。
建议用该电路驱动两个反并联(背对背)的可控硅开关(元件) ,图中稳压管可选用1N4001,电阻R2和R3 可选择300Ω。
光耦可控硅驱动双向可控硅限流电阻计算光耦可控硅(OptoCoupler)是一种将输入和输出电路通过光腔隔离的器件,可用于控制输出电路的电流和电压。
双向可控硅(BilateralTriac)是一种特殊的可控硅,具有双向导通特性。
在某些应用领域中,常常需要使用光耦可控硅来驱动双向可控硅,并通过可控硅限流电阻来控制电流的大小。
为了计算光耦可控硅驱动双向可控硅限流电阻,我们需要先了解一些基本的电流计算公式和电阻的概念。
1.可控硅的控制电压和电流可控硅的触发电压和电流是决定其导通状态的重要参数。
通过合适的控制电压和电流,可以使可控硅进入导通状态。
光耦可控硅通常作为控制电路的输入端,可以通过光腔实现电气隔离。
2.双向可控硅的特性双向可控硅具有双向导通特性,也就是说可以同时导通正向和反向的电流。
在使用双向可控硅时,需要非常注意电流的控制,以避免过载或损坏电路。
3.限流电阻的作用限流电阻是用来限制电流大小的元器件。
在驱动双向可控硅时,通过调节限流电阻的阻值,可以控制电流的大小。
限流电阻的计算要基于所需的电流和电压来确定。
在具体计算光耦可控硅驱动双向可控硅限流电阻时,需要按照以下步骤进行:步骤一:确定目标电流首先,需要确定所需的电流大小。
这通常是由所控制电路的要求决定的,可以是直流电流或者交流电流。
步骤二:确定最大控制电压和最小控制电流根据光耦可控硅的规格书,确定其最大控制电压和最小控制电流。
这些参数通常由制造商在产品规格书中给出,可以作为计算的基准。
步骤三:计算控制电流电阻控制电流电阻是连接光耦可控硅和双向可控硅的电阻。
其阻值可由欧姆定律计算得出:控制电流电阻= (最大控制电压-双向可控硅的触发电压)/最小控制电流步骤四:计算限流电阻限流电阻的计算需要根据实际电路中的电流和电压进行。
以直流电流为例,限流电阻的阻值可以通过欧姆定律计算得出:限流电阻=电压/电流步骤五:校验电路参数在设计电路时,需要校验电路参数,确保光耦可控硅驱动双向可控硅限流电阻的数值在电路的允许范围内。
光耦合双向可控硅驱动器电路
光耦合双向可控硅驱动器电路
这种器件是一种单片机输出与双向可控硅之间较理想的接口器件。
它由输入和输出两部分组成,输入部分是一砷化镓发光二极管。
该二极管在5~15mA正向电流作用下发出足够强度的红外线,触发输出部分。
输出部分是一硅光敏双向可控硅,在紫外线的作用下可双向导通。
该器件为六引脚双列直插式封装,其引脚配置和内部结构见下图:
有的型号的光耦合双向开关可控硅驱动器还带有过零检测器。
以保证电压为零(接近于零)时才可触发可控硅导通。
如MOC3030/31/32(用于115V交流),MOC3040/41(用于220V交流)。
下图是过零电压触发双向可控硅驱动器MOC3040系列的典型应用电路。
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可控硅(SCR)隔离驱动电路设计引言:可控硅(SCR)是一种常见的功率电子器件,广泛应用于控制高电压和高电流负载的电路中。
为了确保可控硅的可靠工作,需要设计一个有效的隔离驱动电路。
本文将介绍可控硅隔离驱动电路的设计原理和步骤,以及注意事项。
第一部分:设计原理1. 可控硅的工作原理:可控硅是一种双向导通的半导体开关,需要通过控制电压来触发其导通或关断状态。
当控制电压大于可控硅的触发电压时,可控硅将导通,反之则关断。
2. 隔离驱动电路的作用:隔离驱动电路用于将低电平的控制信号转换为高电平的触发信号,以确保可控硅能够可靠地工作。
它还提供了电气隔离,防止干扰和保护触发电路。
第二部分:设计步骤1. 确定输入和输出要求:首先确定输入信号的特性,包括电压、电流和触发方式(单相或三相)。
然后确定输出信号的特性,如触发脉冲宽度和频率。
2. 选择隔离驱动电路:根据输入和输出要求选择合适的隔离驱动电路。
常见的隔离驱动电路包括光耦隔离、变压器隔离和光纤隔离等。
根据实际情况选择最适合的隔离方法。
3. 设计控制电路:根据可控硅的触发特性设计控制电路。
控制电路通常包括一个触发脉冲发生器和一个驱动电路。
触发脉冲发生器用于产生触发脉冲,驱动电路用于放大触发脉冲并提供足够的电流驱动可控硅。
4. 进行仿真和优化:使用电子仿真软件对设计的隔离驱动电路进行仿真,并根据仿真结果进行优化。
确保设计符合预期要求,能够稳定可靠地工作。
5. 布局和布线:将隔离驱动电路的主要元件合理布局在电路板上,并进行适当的布线。
保持信号路径短、分离高低功率回路,以减小干扰和提高可靠性。
6. 调试和测试:完成电路的布局和布线后,进行调试和测试。
确保隔离驱动电路能够正常工作,并满足输入和输出要求。
第三部分:注意事项1. 选择合适的隔离方法:根据实际情况选择最适合的隔离方法,考虑到成本、可靠性和工作环境等因素。
2. 注意电气隔离:隔离驱动电路需要提供有效的电气隔离,以防止干扰和保护触发电路。
led可控硅调光驱动电源原理
LED可控硅调光驱动电源原理主要基于可控硅(Silicon Controlled Rectifier,
简称SCR)的特性。
可控硅是一种半导体器件,具有三个极:阳极(A)、阴极(C)和控
制极(G)。
在LED驱动电源中,可控硅主要用于调整输出电压以实现LED的调光功能。
可控硅调光原理如下:
1. 当控制极(G)施加正向电压时,可控硅导通,阳极(A)与阴极(C)之间的电压
差减小,从而降低了LED的亮度。
2. 调整控制极(G)的电压大小,可以改变可控硅的导通程度,进而改变LED的亮度。
3. 通过加入阻尼电阻(damping resistor)可以解决可控硅调光与LED兼容性问题。
阻尼电阻在可控硅导通和截止过程中,消耗部分能量,降低LED驱动电路的电压波动,使LED工作更加稳定。
4. 为了实现平滑的调光效果,还可以采用相位补偿电路。
相位补偿电路可以调整可控硅的导通角度,使LED驱动电源输出电压随控制极电压的变化而平滑地调整。
5. 常见的可控硅调光驱动电源设计基于AC-DC电源芯片,如MT7920等。
加入相位补
偿电路和其他相关元件,经过PCB板级实现,验证电路能正常工作。
综上所述,LED可控硅调光驱动电源原理是通过控制可控硅的导通程度,改变输出电压以
实现LED的调光。
在设计过程中,需要考虑阻尼电阻、相位补偿电路等因素,以实现稳定且平滑的调光效果。
晶闸管驱动设计原理
晶闸管,也被称为可控硅整流器,是一种半导体器件,其工作原理基于控制栅极电流来控制整个器件的导通。
当栅极电流超过一个阈值值时,晶闸管从关断状态切换到导通状态。
一旦晶闸管导通,它将保持导通状态,直到电流降至零或通过外部控制断开。
晶闸管的驱动控制电路通常又称为触发电路,其主要作用是产生符合要求的门极触发脉冲,以保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。
其中一种常见的驱动电路设计是锯齿波同步触发电路,这种电路的移相原理是将锯齿波电压与直流控制电压UC叠加,使锯齿波可以垂直上下移动。
这样,锯齿波形斜面对应的电压值就能控制形成脉冲的晶体管开通时刻,即改变晶闸管的导通时间。
在设计晶闸管驱动电路时,首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路,以达到参数最佳配合。
同时,需要注意的是,由于晶闸管电路通常用于高功率应用,因此在设计过程中需要确保所有组件都有足够的额定值。
MOC3061驱动BT134双向可控硅By L-Team最近在做一个双向可控硅的驱动电路,特将遇到的一些问题和解决方法总结如下,希望对各位喜欢DIY的小伙伴有所帮助。
首先看看MOC3061的内部封装:(光耦驱动双向二极管,可以认为是一个小功率的双向可控硅)3、5两脚没有用,1、2两脚是低电压控制驱动电压输入,4、6脚就是驱动可控硅的了。
更多参数请小伙伴们百度pdf看看了。
再看看BT134-600E的简绍:(飞利浦公司的,双向四象限可控硅,最大电流4A)然后根据MOC3061的推荐电路图焊接电路板:此时,按原计划本来就完成了这个简单的电路图,但是第一次弄还是遇到一些问题,总结如下:1、双向可控硅是否有正负极?答:没有,因为双向可控硅可以双向导通,所以没有正极负极,但是有T1、T2之分,详解请继续看下面。
2、双向可控硅的导通条件是什么?答:双向可控硅分为三象限、四象限可控硅,我用的是四象限可控硅,其导通条件如下图:总的来说导通的条件就是:G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通,这个电压可以是正、负,和T1、T2之间的电流方向也没有关系。
3、MOC3061推荐电路图的误解:我最开始忽略了G极与T1之间的关系,将MOC3061的4、6两脚接在了G极与T1之间,电路示意图如下:(由于没有找到MOC3061,用了一个开关表示)此时无论是打开开关、和关闭开关(驱动MOC306或者不驱动MOC3061)可控硅都是导通的,即不能关闭可控硅,百般纠结和查看资料后才发现G极和T1之间的关系,安照这个电路接的话,不管J3开路时,G极的电压等于T2的电压,当交流电流过双向可控硅时,G极与T1之间总存在一个电压差,即T1与T2之间的电压差,这个电压差就导通了可控硅,所以双向可控硅虽然没有正、负极的区别,却有T1、T2的区别。
将MOC3061移动到G与T2之间后,可控硅就可以正常导通了,此处无图,不信的小伙伴可以自己仿真测试哦!4、再次解析MOC3061的推荐电路:回过头来再看看MOC3061的推荐电路,我们就可以发现双向可控硅的元件示意图上的G极是从T1引出来的,然后MOC3061放在G极与T2之间,仿佛之间我就醉了!只因为一句“双向可控硅没有正负极”而忽略了G极与T1的导通条件。
单片机驱动mos管电路
单片机(MCU)驱动MOS管电路是一种通过单片机控制MOS管工作的电路。
MOS管是一种可控硅晶体管,具有高电阻性和低功耗优势。
它可以用来控制电流和电压,并用于驱动电机、控制继电器和其他电气设备。
MCU驱动MOS管电路的工作原理是通过单片机的控制脚来控制MOS管的工作状态。
当单片机的控制脚输出高电平信号时,MOS 管就会导通,使得电流流过MOS管,驱动电机或其他设备工作。
当单片机的控制脚输出低电平信号时,MOS管就会断开,使得电流不流过MOS管,电机或其他设备停止工作。
在MCU驱动MOS管电路中, MOS管通常需要配合其他元器件使用,如电阻、电容、反相器等。
这些元器件的选择和配置对于电路的稳定性和性能有很大的影响。
此外, 在设计MCU驱动MOS管电路时,需要考虑电流、电压、功率、热效应等各种因素,以确保电路的安全性和可靠性。
同时, 在使用过程中需要注意电路的温度、电压、电流等参数的变化,及时采取措施确保电路的正常工作。
总之,MCU驱动MOS管电路是一种简单可靠的电路,能够有效控制电气设备的工作状态。
但在设计和使用过程中需要注意多种因素,确保电路的安全性和可靠性。
1 / 1。
光耦驱动可控硅原理
光耦驱动可控硅是一种广泛应用于电子设备的控制元件。
它由光耦和可控硅两部分组成。
光耦是由发光二极管和光敏三极管构成的,是一种光电转换器件。
工作时,发光二极管发出光信号,光线通过光敏三极管产生光电流。
光电流的强弱取决于发光二极管的驱动电流和外部光照强度。
可控硅是一种特殊的半导体器件,具有双向导通特性。
它能够控制电流的通断,通过施加一个控制电流脉冲来实现。
可控硅通常具有一个门极、一个主极和一个辅助极。
当控制电流脉冲施加在门极上时,可控硅导通;当控制电流脉冲断开时,可控硅截止。
光耦驱动可控硅的原理是利用光敏三极管的光电流来控制可控硅的导通和截止。
光敏三极管的光电流通过外部电路输入到可控硅的门极,当光电流大于可控硅的触发电流时,可控硅导通;当光电流小于可控硅的触发电流时,可控硅截止。
通过光耦驱动可控硅,可以实现对电路的开关控制。
例如,可以利用光耦驱动可控硅实现对加热器、电机等设备的控制。
通过改变光敏三极管的驱动电流和外部光照强度,可以实现对设备的不同控制模式,具有灵活性和可调性。
总之,光耦驱动可控硅利用光敏三极管的光电流来控制可控硅
的导通和截止,实现对电路的开关控制。
它是一种常用的控制元件,广泛应用于各种电子设备中。
简单的双向可控硅正电源驱动解决方案大家都会碰到这样一个问题——电源不好用,或者是控制不灵敏,结果电器总是时不时出点状况,心烦意乱。
这种情况,尤其是在你正要开会、做饭、或者只是看个电影的时候,特别容易让人抓狂。
可是,别担心!今天咱们就来聊一聊一个有趣又实用的东西:双向可控硅正电源驱动解决方案。
听起来有点专业?别急,慢慢跟我走,你很快就能明白,顺便还能涨点“技术小知识”。
啥是双向可控硅?哎呀,别被名字吓到。
其实就是一个能控制电流的开关,但是比普通开关聪明多了。
你说它像个“开关”,也没错,毕竟它就是用来开关电流的,只不过它有个特殊的“脑袋”,可以根据需要灵活地“开”和“关”。
它还能做到两种方向的控制,这就意味着它不仅能控制电流的流动,还能控制它的方向。
想象一下,就像是你在开车,既能前进,也能倒车,这样的开关简直是电路界的“万金油”!为什么要用双向可控硅呢?因为它解决了一个常见的问题——电源波动。
很多电器的工作是需要稳定电流的,如果电流不稳定,那就容易出故障。
这个时候,双向可控硅就能派上大用场了。
它能够实时调整电流,确保电器能够获得稳定的电力供应,避免了电压波动引起的一系列麻烦。
接下来咱们说说,双向可控硅如何在实际生活中发挥作用。
比如你家里的电烤箱,或者空调,都是需要稳定电源的。
你想,电烤箱正在烤蛋糕,突然电压不稳,蛋糕的味道就能“崩塌”了。
想象一下,原本金黄松软的蛋糕,变成了焦黑的黑暗料理。
你肯定不想看到这种场面吧!而双向可控硅能精准地控制电流,防止电压波动导致电器“出岔子”。
它就像是一位超级护卫,时刻守护着你的家用电器,帮你省去了不少麻烦。
你别看它只是一块小小的元件,它的应用可广泛得很。
举个例子,如果你家有大功率电器,比如空调或者冰箱,这些设备对电流的需求就非常高。
如果电流不够稳定,它们的工作效率会下降,甚至损坏。
这时候,双向可控硅就能帮忙,把电流“稳稳地”调整到最合适的水平,保证设备能够持续高效工作。
双硅后级电路通常指的是在某些特定类型的电力电子设备中,尤其是可控硅(SCR,Silicon Controlled Rectifier)组成的后级驱动电路,它利用两个可控硅串联或逻辑配合的方式来实现对大电流或高电压的控制。
下面基于可控硅串连应用的场景给出一个简化原理说明:
在一个典型的串双硅后级电路中,有两个可控硅(BG1和BG2为例)串联连接。
这种配置通常是为了增强电流控制的可靠性,因为只有当两个可控硅都导通时,电路才会完全闭合,允许主回路电流通过。
工作原理概述:
1.初始状态:当没有触发信号时,两个可控硅均处于截止状态,主回路不
通,无电流通过。
2.触发启动:当控制极G接到正向触发信号后,第二个可控硅(BG2)首先
导通,它的集电极电流(ic2)开始流动,由于集电极直接连接到第一个可
控硅(BG1)的基极,因此一部分电流ib1流入BG1。
3.正反馈:由于可控硅的放大效应,ib1会被放大成为集电极电流ic1,而这
个ic1又流回BG2的基极,形成正反馈环路,使得ib2得以持续增大,进而使ic2也进一步增加。
4.饱和导通:随着正反馈的不断加强,两个可控硅的电流迅速上升至饱和状
态,整个电路完全导通,允许主回路的大电流通过。
在实际应用中,这种串双硅后级电路常见于交流调压器、电动机软启动器、逆变电源等场合,通过精确控制触发信号,实现对大功率负载的开关和调节功能。
在设计这类电路时,还需考虑保护措施、散热设计以及抑制dv/dt和di/dt对可控硅的影响等因素。
CBB规范
可控硅驱动线路
(VER: V1.0)
拟制:辉时间:2010- 4-15
批准:波时间:2010- 4-15
文件评优级别:□A优秀□B良好□C一般
1 功能介绍
本电路为可控硅门极触发电路,SCRDRV为控制信号,当SCRDRV信号为高电平时,光耦PC1导通,CN1两端为高电平,SCRDRV信号为低电平时光耦PC1截止,CN1两端为低电平。
本电路的关键在于电路的输出信号能保证可控硅可靠触发。
2 详细原理图
3 器件功能
♦限流电阻R1、R2、R3,当SCRDRV信号为高电平时,限制流过光耦PC1的原边电流,以防止PC1因过流而可能损坏;
♦光耦PC1,实现电气隔离,同时起信号传输作用;
♦开关管Q1, 通过控制Q1的开通与关断控制光耦PC1的导通与截止;
♦R6的作用是确保没有输入信号时Q1处于截止,R5的作用是限制基极电流。
♦稳压二极管Z1,电压箝位,防止可控硅门极电压过高;
♦R10,R11为限流电阻,限制流过可控硅门极的电流,并起到分压作用。
♦Q2为PNP型晶体管,起放大作用。
♦Q3,Q4为对管,推挽输出,起功率放大作用。
♦LED1为发光二极管,当光耦导通时点亮LED1,光耦截止时熄灭LED1,起指示作用。
4 参数计算
♦光耦PC1及R1,R2,R3的选取:
流过光耦副边电流为(8V-0.6V-0.3V)/4.7K=1.5mA,选型号为PS2501的光耦,其Ic=50mA,If=80mA,Vfmax=1.2V,CTR的范围为200%-400%。
R1,R2的大小应时SCRDRV信号为高电平时光耦饱和导通, R1和R2选510Ω并联,此时光耦原边电流约为(5-1.2-0.3)/255=13.8mA,R1、R2功率约等于(0.0138/2)2*510=0.02W,选1\10W的电阻,满足降额要求,R3取2K,流过R3电流约为1.2V/2K=0.6mA
♦R4,LED1的选取:
按发光管通过1mA的电流计算,若Q1的饱和压降为0.5V,LED1的正向压降为
1V,则通过LED1的电流为(5V-1V-0.5V)/R4=1mA,计算出的R4=3.5K,实际
可以使流过的电流稍微大一点,选2K的电阻。
♦Q1的选取:
由上可知当Q1饱和导通时流过Q1集电极的电流为光耦原边发光二极管电流、流过LED1电流及R3电流之和,约为17mA,可选40V/0.6A的NPN三极管4401。
♦限流电阻R10,R11的选取:
为了使所有的元件在各种可能的工作条件下均能可靠的触发,触发电路所送出的触发电压和电流,必须大于元件门极规定的触发电压VGT与触发电流IGT的最大值,并且留有足够的余量。
查数据手册知所要驱动的可控硅的VGT(min)=2V,IGT(min)=150mA,(8V-0.6V-2V)/150mA=36Ω,实际选用2个51Ω/2W的电阻并联,忽略流过R12的电流(此电流很小),此时每个电阻消耗功率为P=(0.15/2)2 *51Ω=0.29W,功率降额0.29/2=15%,满足功率降额要求。
♦Z1的选取:
Z1是可控硅门极保护器件,这里我们选取10V/5W的稳压管,防止可控硅两端电压过高,将可控硅的门极电压钳位在10V左右。
♦Q3,Q4的选取:
Q3,Q4的耐压值要高于驱动电源并留有余量,最大电流要高于最大负载电流并留有余量,由上可知,驱动电源为8V,流过负载的电流小于
(8V-0.5V)/[(51||51)]=294mA,可选60V/5A的2SC5103和2SA1952组成的推挽输出电路。
5 器件清单
序号料号名称型号数量位号
1 3-24-90-511 片状电阻;1/10W-510Ω±1%-0603 510Ω-0805
2 R1,R2
2 3-24-90-202 片状电阻;1/10W-2KΩ±1%-060
3 2KΩ 3 R3,R4,R5
3 3-24-90-472 片状电阻;1/10W-4.7kΩ±1%-0603 4.7k 3 R6,R7,R8
4 3-24-90-102 片状电阻;1/10W-1KΩ±1%-0603 1k 1 R9
5 3-24-06-510 金属膜电阻;2W-51Ω±1% 51/2W 2 R10,R11
6 3-24-99-102 片状电阻;1W-1kΩ±5%-2512 1k/1W 1 R12
7 2-15-11-501 单路光耦;CTR200-400﹪;GW4(SOP4) PS2501 1 PC1
8 3-57-02-401 贴片NPN三极管;40V/0.6A/225mW/SOT-234401 1 Q1
9 3-57-02-213 贴片PNP三极管;50V/2A//500mW/SOT-892SA1213 1 Q2
10 3-57-02-103 贴片NPN三极管;60V/5A/10W/SC-63 2SC5103 1 Q3
11 3-57-02-952 贴片PNP三极管;60V/5A/10W/SC-63 2SA1952 1 Q4
12 3-56-21-510 稳压二极管;10V/5W/DIP 10V/5W 1 Z1
13 3-08-97-471 片状电容;470p±10%-50V-0603-X7R 470p 1 C1
14 3-08-99-681 片状电容;680pF±2%-50V-0603-COG 680p 1 C2
15 3-08-01-226 电解电容;50V-22μF±20%-5*11-105℃22u/50V 1 C3
16 3-56-61-806 贴片发光二极管;0805;2.0*1.25*0.68mm;
GREEN 1 LED1
发绿
6 关键器件资料
PS2501(NEC).pdf。