BZT52C10S贴片稳压二极管SOD-323

稳压二极管BZT52C参数1. 引言稳压二极管（Zener Diode）是一种特殊的PN结二极管，主要用于电源稳压和电压参考。

BZT52C是一种常见的稳压二极管型号，本文将对其参数进行详细介绍。

2. BZT52C概述BZT52C是一种表面贴装稳压二极管，采用玻璃封装。

它具有快速响应、可靠性高、功耗低等特点，广泛应用于电子设备中。

3. 参数说明3.1 额定功率额定功率是指在规定条件下，稳压二极管能够持续工作的最大功率。

对于BZT52C系列而言，其额定功率通常为0.5W。

3.2 额定电流额定电流是指在规定条件下，稳压二极管能够承受的最大电流。

对于BZT52C系列而言，其额定电流通常为200mA。

3.3 工作温度范围工作温度范围指的是稳压二极管能够正常工作的温度范围。

对于BZT52C系列而言，其工作温度范围通常为-65°C至+150°C。

3.4 稳定电压稳定电压是指稳压二极管在正向工作时，其两端的电压保持相对恒定的值。

对于BZT52C系列而言，其稳定电压通常为3.3V或5.1V。

3.5 动态电阻动态电阻是指稳压二极管在正向工作时，其两端电压变化一个单位时所引起的电流变化。

对于BZT52C系列而言，其动态电阻通常在5Ω以下。

4. BZT52C应用4.1 电源稳压由于BZT52C具有稳定的特性，可以用作电源稳压元件。

当输入电压波动时，BZT52C能够保持输出电压恒定，有效保护后续电路不受过高或过低的输入电压影响。

4.2 参考电压源由于BZT52C具有固定的稳定电压值，因此可以用作参考电压源。

通过合适的接线和外部元件配合使用，可以实现精确的参考电压输出。

4.3 限流保护BZT52C在正向工作时具有较低的电阻，可以起到限流保护的作用。

当电路中出现过流时，BZT52C会自动调整其两端的电压，从而限制电流的大小。

5. BZT52C选型建议5.1 根据稳定电压需求选择型号根据实际应用需求，选择合适的BZT52C型号。

3V至51V的稳压二极管型号与电压的对照值经常看到很多板子上稳压管，都是以美标的1N系列型号标识的，没有具体的电压值，刚才翻手册查了以下3V至51V的型号与电压的对照值，希望对大家有用稳压二极管型号对照表 <#>美标稳压二极管型号1N4727 3V01N4728 3V31N4729 3V61N4730 3V91N4731 4V31N4732 4V71N4733 5V11N4734 5V61N4735 6V21N4736 6V81N4737 7V51N4738 8V21N4739 9V11N4740 10V1N4741 11V1N4742 12V1N4743 13V1N4744 15V1N4745 16V1N4746 18V1N4747 20V1N4748 22V1N4749 24V1N4750 27V1N4751 30V1N4752 33V1N4753 36V1N4754 39V1N4755 43V1N4756 47V1N4757 51V1N4727 3V01N4728 3V31N4729 3V61N4730 3V91N4732 4V71N4733 5V11N4734 5V61N4735 6V21N4736 6V81N4737 7V51N4738 8V21N4739 9V11N4740 10V1N4741 11V1N4742 12V1N4743 13V1N4744 15V1N4745 16V1N4746 18V1N4747 20V1N4748 22V1N4749 24V1N4750 27V1N4751 30V1N4752 33V1N4753 36V1N4754 39V1N4755 43V1N4756 47V1N4757 51VDZ是稳压管的电器编号，是和1N4148和相近的，其实1N4148就是一个0.6V的稳压管，下面是稳压管上的编号对应的稳压值，有些小的稳压管也会在管体上直接标稳压电压，如5V6就是5.6V的稳压管。

稳压二极管bzt52c参数一、稳压二极管BZT52C的基本概念稳压二极管BZT52C是一种半导体器件，具有稳定的电压输出特性。

它主要用于电压稳压、电源保护等电子电路中，以确保电路的正常工作。

BZT52C 是该稳压二极管的型号，代表着其具有特定的电压、电流等参数。

二、稳压二极管BZT52C的参数解析1.静态参数静态参数主要包括额定电压、额定电流、功率等。

这些参数决定了稳压二极管的电压稳定性能和电流承受能力。

例如，BZT52C的额定电压为5.0V，额定电流为100mA，功率为500mW。

2.动态参数动态参数包括开关速度、输出电压纹波等。

这些参数影响稳压二极管的响应速度和输出电压的稳定性。

BZT52C的开关速度较快，能够应对高频开关电源的需求；输出电压纹波较低，有助于提高电路的性能。

3.温度特性温度特性反映了稳压二极管在不同温度下的性能变化。

BZT52C的温度范围为-55℃至150℃，在正常工作范围内，温度对稳压性能的影响较小。

三、BZT52C稳压二极管的应用领域BZT52C稳压二极管广泛应用于各类电子产品，如电源适配器、充电器、通信设备、家电控制电路等。

它可以为电路提供稳定的电压，保护电路免受电压波动的影响，保证设备的正常运行。

四、如何选择合适的BZT52C稳压二极管1.了解需求在选择BZT52C稳压二极管时，首先要了解电路的需求，包括工作电压、工作电流、稳定性要求等。

2.比较参数根据电路需求，挑选具有合适静态参数、动态参数和温度特性的BZT52C 稳压二极管。

注意比较不同品牌、不同型号的参数差异，以确保性能满足要求。

3.考虑品质与价格在满足性能要求的基础上，考虑品质和价格。

选择知名品牌、信誉良好的供应商，以确保产品质量和售后服务。

同时，合理控制成本，选用性价比高的BZT52C稳压二极管。

五、使用BZT52C稳压二极管的注意事项1.焊接时，注意焊接温度和时间，避免损坏稳压二极管。

2.安装时，确保接触良好，避免松动导致性能下降。

稳压二极管bzt52c参数（最新版）目录1.稳压二极管的概念与作用2.稳压二极管的特性3.BZT52C5V1S 型号的稳压二极管参数4.稳压二极管的使用方法与注意事项5.稳压二极管在实际应用中的优势正文一、稳压二极管的概念与作用稳压二极管，又称齐纳二极管，是一种利用 PN 结反向击穿状态工作的半导体器件。

稳压二极管的主要作用是提供稳定的电压，以保证电路中其他元件正常工作。

在电路中，稳压二极管可以作为稳压器或电压基准元件使用。

二、稳压二极管的特性稳压二极管具有以下特性：1.击穿电压：稳压二极管有一个临界反向击穿电压，当电压超过这个值时，二极管将进入击穿状态。

2.陡特性：在击穿电压范围内，稳压二极管的电压基本保持不变，即使电流变化很大。

3.温度稳定性：稳压二极管的击穿电压和陡特性受温度影响较小。

三、BZT52C5V1S 型号的稳压二极管参数BZT52C5V1S 是一款常见的稳压二极管型号，其参数如下：1.击穿电压：5V2.额定电流：50mA3.动态电阻：100MΩ4.静态电阻：500MΩ5.漏电流：小于 1nA四、稳压二极管的使用方法与注意事项1.稳压二极管应在直流电路中使用，不能直接用于交流电路。

2.稳压二极管的击穿电压应根据电路需求选择，以保证其在工作状态下具有稳定的电压。

3.稳压二极管在电路中可串联使用，以获得更高的稳定电压。

4.稳压二极管在使用过程中，应注意其最大电流和额定功率，避免超过其承受范围。

五、稳压二极管在实际应用中的优势1.结构简单：稳压二极管结构简单，制作工艺成熟，使用方便。

2.稳定性高：稳压二极管具有较高的电压和电流稳定性，可提供可靠的电压参考。

3.耐压能力强：稳压二极管具有较强的耐压能力，可保护电路免受电压波动的影响。

BZT52C2V4S-BZT52C39SZENER DIODECase : Molded plastic bodyTerminals : Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026Polarity : Polarity symbols marked on caseFEATURESMECHANICAL DATAPlanar die constructionUltra-Small surface mount packageIdeally suited for automated assembly processesSTAR SEA0.9200625-65 to +150Maximum ratings (Tamb=25C unless otherwise specified)SYMBOLSUNITS V F P d T J ,T STGV mW C/W CLimits PARAMETERR ΘJA Forward voltage (Note 2) @I F =10mA Power dissipation (Note1)Thermal resistance, Junction to ambient air (Note1)Operating and storage temperature rangeNOTES: 1.Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature. 2.Short duration test pulse used in minimize self-heating effect. 3.f=1KHz.SOD-323Dimensions in millimeters and (inches)【领先的片式无源器件整合供应商 — 南京南山半导体有限公司 】ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@ TA=25C unless otherwise specified)Note:1.Valid prvided device terminals are kept at ambient temperatrue2.Test with pluses, period=5ms,pluse width=300u s.3.f=1KHzRATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES BZT52C2V4S-BZT52C39S0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10V Z,ZENER VOLTAGE (V)FIG. 2-ZENER BREAKDOWN CHARACTERISTICSFIG. 1- POWER DERATING CURVEP d , P O W E R D I S S P A T I O N (m W )I z , Z E N E R C U R R E N T (m A )0 100 200T A, AMBIENT TEMPERATURE( C )500400300200100V z , NOMINAL ZENER VOLTAGE(V)FIG. 4-JUNCTION CAPACITANCE VS NOMINALZENER VOLTAGEV z , Z E N E R C U R R E N T (m A )0 10 20 30 40FIG. 3-ZENER BREAKDOWN CHARACTERISTICSC J , J U N C T I O N C A P A C I T A N C E (p F )0 10 100100010010See Note1V Z,ZENER VOLTAGE (V)【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】 |样品申请单模板。

Z字头-贴片稳压二极管标示时间：2009-02-12 15:33:47 来源：资料室作者：编号:3515 更新日期20110915 003424 (SMD)贴片元件参数索引1 2 3 4 5 6 7 8 9 0A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z贴片元件标示代码表示查询DuQ838电子-技术资料-电子元件-电路图-技术应用网站-基本知识-原理-维修-作用-参数-电子元器件符号表示符号实际元件生产厂结构封装类型参数及代换型号Z0 SST310 Tem F SOT23 J310 n-ch jfetZ0 PDZ2.4B Phi I SOD323 2.4V 0.4W zenerZ08 SST308 Sil F SOT23 J308 n-ch jfetZ09 SST309 Sil F SOT23 J309 n-ch jfetZ10 SST310 Sil F SOT23 J310 n-ch jfetZ1 BZX84-C4V7 Phi C SOT23 0.3W zener 4.7VZ1 SSTJ211 Sil F SOT23 J211 n-ch jfetZ1 PDZ2.7B Phi I SOD323 2.7V 0.4W zenerZ1 IMZ1A Roh DE 2SC2414 npn,2SA1037AK pnpZ1 BZV49C4V7 Zet O SOT89 1W ±5% zener 4.7VZ2 BZX84-C5V1 Phi C SOT23 0.3W zener 4.7VZ2 SSTJ212 Sil F SOT23 J212 n-ch jfetZ2 IMZ2A Roh DF 2SC2414 npn,2SA1037AK pnpZ2 PDZ3.0B Phi I SOD323 3.0V 0.4W zenerZ2 BZV49C5V1 Zet O SOT89 1W ±5% zener 5.1VZ2U FMMTA63 Zet N SOT23 MPSA63Z2V FMMTA64 Zet N SOT23 MPSA64Z3 BZX84-C5V6 Phi C SOT23 0.3W zener 5.6VZ3 PDZ3.3B Phi I SOD323 3.3V 0.4W zenerZ3 2SK1078 Tos T SOT89 n-ch 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稳压二极管BZT52C参数引言稳压二极管是一种常见的电子元件，用于稳定电压并限制电压波动。

BZT52C是一种常见的稳压二极管型号，本文将对其参数进行全面详细地介绍。

BZT52C概述BZT52C是一种低功耗表面贴装稳压二极管。

它采用了硅材料制造，具有快速响应和高稳定性的特点。

该二极管适用于各种电子设备，如电源、稳压器、逆变器等。

参数一：额定反向电压（Vr）BZT52C的额定反向电压是指二极管能够承受的最大反向电压。

对于BZT52C，其额定反向电压一般为5V。

当反向电压超过额定值时，二极管会发生击穿，可能导致损坏。

参数二：额定电流（If）BZT52C的额定电流是指二极管在正向导通时的最大电流。

对于BZT52C，其额定电流一般为200mA。

当正向电流超过额定值时，二极管可能会过热，导致损坏。

参数三：导通电压（Vf）BZT52C的导通电压是指二极管在正向导通时的电压降。

对于BZT52C，其导通电压一般为0.7V。

当正向电压超过导通电压时，二极管开始导通。

参数四：温度系数（TC）BZT52C的温度系数是指二极管在不同温度下反向电压的变化率。

对于BZT52C，其温度系数一般为-2mV/℃。

温度系数越小，二极管的稳定性越好。

参数五：封装类型BZT52C有多种封装类型可供选择，常见的封装类型有SOD-123、SOD-323、SOT-23等。

不同封装类型适用于不同的应用场景，用户可以根据自己的需求选择合适的封装类型。

参数六：工作温度范围BZT52C的工作温度范围是指二极管能够正常工作的温度范围。

对于BZT52C，其工作温度范围一般为-55℃至+150℃。

超出工作温度范围的温度可能导致二极管性能下降或损坏。

参数七：功耗BZT52C的功耗是指二极管在正常工作时消耗的功率。

功耗可以通过正向电流和导通电压计算得出。

对于BZT52C，其功耗一般较低，适用于低功耗应用。

参数八：响应时间BZT52C的响应时间是指二极管从关闭到完全导通所需的时间。

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate DiodesBAV16WS/1N4148WS FAST SWITCHING DIODEFEATURESMARKING: T6, T4Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T a =25℃Parameter SymbolLimitUnitNon-Repetitive Peak R everse V oltage V RM 100 V Peak Repetitive Peak R everse V oltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRM V RWM V R100 VRMS Reverse Voltage V R(RMS) 71 VForward Continuous Current I FM 300mA Average Rectified Output Current I O 150 mA Peak F orward S urge C urrent @t =1.0μs@t =1.0s I FSM2.0 1.0APower DissipationPd 200 mW Thermal Resistance Junction to AmbientR θJA625 ℃/WJunction T emperature T j 150 Storage T emperatureT STG -55~+150℃ Electrical Ratings @T a =25℃ParameterSymbol MinTypMaxUnit Conditions V F1 0.715V I F =1mA V F2 0.855VI F =10mA V F3 1.0 V I F =50mA Forward voltageV F4 1.25 VI F =150mAI R1 1 μA V R =75V Reverse currentI R2 25 nA V R =20V Capacitance between terminals C T2 pF V R =0V,f=1MHz Reverse r ecovery t imet rr4 ns I F =I R =10mA Irr=0.1XI R ,R L =100ΩSOD-323℃2550751001251500.010.111010051015200.81.01.2Reverse CharacteristicsAMBIENT TEMPERATURE T a ()℃1N4148WSTypical CharacteristicsF O R W A R D C U R R E N T I F (m A )REVERSE VOLTAGE V R(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes1N4448WS FAST SWITCHING DIODEFEATURES z Fast Switching Speed z Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertion z For General Purpose Switching Applications z High ConductanceMARKING: T5Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @T a =25℃Parameter SymbolLimitUnitNon-Repetitive Peak R everse V oltage V RM 100 V Peak Repetitive Peak R everse V oltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage V RRM V RWM V R75 VRMS Reverse Voltage V R(RMS) 53VForward Continuous Current I FM 500 mAAverage Rectified Output Current I O 250 mA Peak F orward S urge C urrent @t =1.0μs @t =1.0s I FSM4.0 1.5APower DissipationPd 200 mW Thermal Resistance Junction to AmbientR θJA 625 ℃/WStorage T emperature T STG -55~+150 ℃Electrical Ratings @T a =25℃ParameterSymbol MinTypMaxUnitConditionsReverse b reakdown v oltage V (BR)75 V I R =10μA V F1 0.62 0.72 VI F =5mA V F2 0.855VI F =10mA V F3 1.0 V I F =100mA Forward voltageV F4 1.25 VI F =150mAI R1 2.5 μA V R =75V Reverse currentI R2 25 nA V R =20V Capacitance between terminals C T4 pF V R =0V,f=1MHzReverse r ecovery t imet rr4 ns I F =I R =10mA0.60.81.01.21.41.60.1110100REVERSE VOLTAGE V R (V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )AMBIENT TEMPERATURE T a ()℃0.3330300F O R W A R D C U R R E N T I F (m A )1N4448WSTypical CharacteristicsJIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate Diodes1SS355 FAST SWITCHING DIODEFEATURES1) Small surface mounting type 2) High speed3) High reliability with high surge current handling capabilityMARKING: AMaximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @Ta=25℃Parameter SymbolLimitUnitNon-repetitive peak reverse voltage V RM 90 VDC blocking voltage V R 80 V Peak forword currentI FM 225 mAAverage rectified output current I O 100mA Surge current (@t=1s) I surge 500 mA Junction temperature Tj 150 ℃ Storage temperatureT STG -55~+150 ℃Electrical Ratings @T a =25℃ParameterSymbol MinTypMaxUnitConditions Forward voltage V F1.2 V I F =100mA Reverse currentI R0.1 µA V R =80VCapacitance between terminalsC T3 pF V R =0.5V,f=1MHz Reverse r ecovery t ime t rr4 ns I F =10mA ,V R =6V,R L =100Ω2550751001251500.010.111010051015200.81.01.2AMBIENT TEMPERATURE Ta ()℃ 1SS355Typical CharacteristicsF O R W A R D C U R R E N T I F (m A )REVERSE VOLTAGE V R(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )A,Jun,2012JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate DiodesBAS16WX HIGH-SPEED SWITCHING DIODEFEATURES z Fast Switching Speedz For General Purpose Switching Applications z High ConductanceMARKING: T4MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted )Symbol Parameter Value Unit V RM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 85VV RRM V RWM Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage 75 VV R(RMS)RMS Reverse Voltage 53 V I OForward Current100mAP D Power Dissipation 200 mW R θjA Thermal Resistance from Junction to Ambient 625 ℃/W T JJunction Temperature150℃ T stg Storage Temperature-55~+150℃ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T a =25℃ unless otherwise specified)Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max UnitReverse voltageV (BR)I R =10μA 75 VI F =1mA 0.715I F =10mA0.855I F =50mA 1 Forward voltageV FI F =150mA1.25VReverse current I R V R =75V 1 μA Total capacitance C tot V R =0V,f =1MHz 2 pFReverse recovery timet rrI F = I R =10mA, I rr =0.1×I R,R L =100Ω6 nsJIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOD-323 Plastic-Encapsulate DiodesBAS316 SWITCHING DIODEFEATURES● Very Small Plastic Package ● High Switching Speed APPLICATIONS● High-Speed Switching in e.g. Surface Mounted CircuitsMARKING: A6·MAXIMUM RATINGS ( T a =25℃ unless otherwise noted )Symbol ParameterValue Unit V RRM Peak Repetitive Reverse Voltage 85 V R DC Blocking Voltage 75 V I O Continuous Forward Current 250 mA P D Power Dissipation250 mW R θJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 500 ℃/W T j Junction Temperature 150 ℃ T stgStorage Temperature-55~+150℃ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta =25℃ unless otherwise specified)ParameterSymbol Test conditionsMin Typ Max Unit Reverse voltage V (BR) I R =100μA 100 V V R =25V 30 nA Reverse currentI RV R =75V 1 μAI F =1mA0.715 I F =10mA 0.855 I F =50mA 1 Forward voltageV FI F =150mA1.25 V Total capacitance C tot V R =0V,f=1MHz 1.5 pF Reverse recovery time t rrI F = I R =10mA, I rr =0.1×I R4nsSOD-3232550751001251500501001502002503000.00.20.40.60.81.01.220406080110100100010000Power Derating CurveP O W E R D I S S I P A T I O N P D (m W )AMBIENT TEMPERATURE T a ()℃BAS316Typical CharacteristicsF O R W A R D C U R R E N T I F (m A )FORWARD VOLTAGE V F (V)R E V E R S E C U R R E N T I R (n A )REVERSE VOLTAGE V R (V)REVERSE VOLTAGE V R(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDSOD-323 Plastic-Encapsulate DiodesBAV19WS~BAV21WS SWITCHING DIODEFEATURESz Low Reverse Currentz Surface Mount Package Ideally Suited for Automatic Insertionz Fast Switching Speedz For General Purpose Switching ApplicationsMARKING:BAV19WS: A8BAV20WS: T2BAV21WS: T3MAXIMUM RATINGS ( T a=25℃unless otherwise noted )Value Symbol ParameterBAV19WS BAV20WS BAV21WSUnit V RM Non-Repetitive Peak Reverse Voltage 120 200 250 VV RRM Peak Repetitive Reverse Voltage V RWM Working Peak Reverse Voltage 100 150 200VV R(RMS)RMS Reverse Voltage 71 106 141 VI O Average Rectified Output Current 200 mAI FSM Non-repetitive Peak Forward Surge Current @ t=8.3ms 1.7 AP D Power Dissipation 250 mWRΘJA Thermal Resistance from Junction to Ambient 500 ℃/WT j Junction Temperature 150 ℃T stg Storage Temperature -55~+150 ℃ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T a=25℃unless otherwise specified)Parameter Symbol Testconditions MinTyp Max UnitV R=100V BAV19WS0.1V R=150V BAV20WS0.1Reverse current I RV R=200V BAV21WS0.1uAI F=100mA1Forward voltage V FI F=200mA1.25VTotal capacitance C tot V R=0V,f=1MHz5 pF Reverse recovery time t rr I F= I R =30mA, I rr=0.1*I R50 ns25507510012515011010051015200.40.60.81.01.21.4Forward CharacteristicsReverse CharacteristicsAMBIENT TEMPERATURE Ta ()℃400BAV19WSTypical Characteristics303F O R W A R D C U R R E N T I F (m A )REVERSE VOLTAGE V R(V)C A P A C I T A N C E B E T W E E N T E R M I N A L S C T (p F )B,Sep,2013。

元器件封装sod323与523的区别文章标题：揭秘元器件封装SOD323与SOD523的区别一、引言在电子元器件领域，封装是一个至关重要的环节。

不同的封装类型对于元器件的性能和适用范围有着不同的影响。

今天，我们就来探讨一下SOD323和SOD523这两种常见的元器件封装类型，它们之间究竟有何区别和联系。

二、SOD323封装概述1. 什么是SOD323封装SOD323封装是一种表面贴装(SMD)封装形式，属于小尺寸的电子元器件封装之一。

它具有体积小、质量轻、高密度安装等特点，适用于PCB板贴装以及电子设备的微型化和轻量化设计。

2. SOD323封装特点SOD323封装的主要特点包括：- 尺寸小巧：适合轻薄化、小型化电子产品的设计需求。

- 适用性广泛：通常用于二极管、稳压二极管、TVS管等元器件的封装。

- 表面贴装：易于自动化生产，提高生产效率。

3. SOD323封装应用领域SOD323封装广泛应用于移动通信设备、消费类电子产品、医疗电子器件等领域，为这些领域的轻量化、微型化设计提供了可能。

三、SOD523封装概述1. SOD523封装简介SOD523封装也属于SMD封装形式，与SOD323封装相似，但尺寸略大。

它也是一种常见的小尺寸封装形式，在现代电子产品中应用广泛。

2. SOD523封装特点SOD523封装的特点包括：- 与SOD323相比，尺寸适中：在满足一定尺寸要求的情况下，其承载能力更强。

- 适用性广泛：通常用于二极管、稳压二极管、TVS管等元器件的封装，与SOD323在应用范围上有所重叠。

- 表面贴装：便于自动化组装，提高生产效率。

3. SOD523封装应用领域SOD523封装与SOD323类似，广泛应用于移动通信设备、消费类电子产品、医疗电子器件等领域，为这些领域的轻量化、微型化设计提供了可能。

四、SOD323与SOD523的区别与联系1. 尺寸区别SOD323封装的尺寸较小，适合对尺寸要求严格的设计；而SOD523封装的尺寸适中，在满足一定尺寸要求的情况下，其承载能力更强。

SOD-123贴片塑封稳压二极管SOD-123 Plastic-Encapsulate Zener Diode特征Featuresz 齐纳击穿阻抗低; Low Zener Impedancez 最大功率耗散500mW; Power Dissipation of 500mW z 高稳定性和可靠性。

High Stability and High Reliability 机械数据Mechanical DataSOD-123z 封装: SOD-123封装SOD-123 Small Outline Plastic Package z 极性: 色环端为负极Polarity: Color band denotes cathode end z 环氧树脂UL 易燃等级Epoxy UL: 94V-0 z安装位置: 任意Mounting Position: Any极限值和温度特性(TA = 25℃ 除非另有规定)Maximum Ratings & Thermal Characteristics (Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.) 参数 Parameters符号Symbol 数值Value 单位Unit功率消耗Power DissipationPd 500 mW正向压降Forward Voltage @IF=10mA Vf 0.9 V存储温度Storage temperature rangeTs -65-+150℃ 1) Device mounted on ceramic PCB: 7.6mm x 9.4mm x 0.87mm with pad areas 25mm²2) Short duration test pulse used to minimize self-heating effect 3)f=1KHz电特性 (TA = 25℃ 除非另有规定)Electrical Characteristics (Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified).Zener Voltage RangeMaximum Zener Impedance MaximumReverse CurrentVz@Izt IztZzt @Izt Zzk @IzkIzk IR VRTypicalTemperaturecoefficent @IZTC=mV/℃TestCurrentIZTC Device MarkingNom(V) Min(V) Max(V) mA Ω mAuA V Min Max mA BZT52B2V4 2WX 2.4 2.35 2.45 5 100 600 1.050 1.0 -3.5 0 5 BZT52B2V7 2W1 2.7 2.65 2.75 5 100 600 1.020 1.0 -3.5 0 5 BZT52B3V0 2W2 3.0 2.94 3.06 5 95 600 1.010 1.0 -3.5 0 5 BZT52B3V3 2W3 3.3 3.23 3.37 5 95 600 1.0 5 1.0 -3.5 0 5 BZT52B3V6 2W4 3.6 3.53 3.67 5 90 600 1.0 5 1.0 -3.5 0 5 BZT52B3V9 2W5 3.9 3.82 3.98 5 90 600 1.0 3 1.0 -3.5 0 5 BZT52B4V3 2W6 4.3 4.21 4.39 5 90 600 1.0 3 1.0 -3.5 05BZT52B4V7 2W7 4.7 4.61 4.79 5 80 500 1.0 3 2.0 -3.5 0.2 5 BZT52B5V1 2W8 5.1 5.00 5.20 5 60 480 1.0 2 2.0 -2.7 1.2 5 BZT52B5V6 2W9 5.6 5.49 5.71 5 40 400 1.0 1 2.0 -2.0 2.5 5 BZT52B6V2 2WA 6.2 6.08 6.32 5 10 150 1.0 3 4.0 0.4 3.7 5 BZT52B6V8 2WB 6.8 6.66 6.94 5 15 80 1.0 2 4.0 1.2 4.5 5 BZT52B7V5 2WC 7.5 7.35 7.65 5 15 80 1.0 15.0 2.5 5.3 5BZT52B8V2 2WD 8.2 8.04 8.36 5 1580 1.00.7 5.0 3.2 6.2 5 BZT52B9V1 2WE 9.1 8.929.28 5 15 100 1.00.5 6.0 3.8 7.0 5 BZT52B10 2WF 10 9.80 10.20 5 20 150 1.00.2 7.0 4.5 8.0 5 BZT52B11 2WG 11 10.78 11.22 5 20 150 1.00.1 8.0 5.4 9.0 5 BZT52B12 2WH 12 11.76 12.24 5 25 150 1.00.1 8.0 6.0 10.0 5 BZT52B13 2WI 13 12.74 13.26 5 30 170 1.00.1 8.0 7.0 11.051) 2)Zener Voltage RangeMaximum Zener Impedance MaximumReverse CurrentVz@Izt Izt Zzt @Izt Zzk @IzkIzkIR VRTypicalTemperaturecoefficent @IZTC=mV/℃TestCurrentIZTC Device MarkingNom(V) Min(V) Max(V) mA Ω mAuA V Min Max mABZT52B15 2WJ 15 14.70 15.30 5 30 200 1.00.1 10.5 9.2 13.0 5 BZT52B16 2WK 16 15.68 16.32 5 40 200 1.00.1 11.2 10.4 14.0 5 BZT52B18 2WL 18 17.64 18.36 5 45 225 1.00.1 12.6 12.4 16.0 5 BZT52B20 2WM 20 19.60 20.40 5 55 225 1.00.1 14.0 14.4 18.0 5 BZT52B22 2WN 22 21.56 22.44 5 55 250 1.00.1 15.4 16.4 20.0 5 BZT52B24 2WO 24 23.52 24.48 5 70 250 1.00.1 16.8 18.4 22.0 5 BZT52B27 2WP 27 26.46 27.54 2 80 300 0.50.1 18.9 21.4 25.3 2 BZT52B30 2WQ 30 29.40 30.60 2 80 300 0.50.1 21.0 24.4 29.4 2 BZT52B33 2WR 33 32.34 33.66 2 80 325 0.50.1 23.1 27.4 33.4 2 BZT52B36 2WS 36 35.28 36.72 2 90 350 0.50.1 25.2 30.4 37.4 2 BZT52B39 2WT 39 38.22 39.78 2 130 350 0.50.1 27.3 33.4 41.2 2 BZT52B43 2WU 43 41.16 43.84 2 100 700 1.00.1 32.0 10.0 12.0 5 BZT52B47 2WV 47 46.06 47.94 2 100 750 1.00.1 35.0 10.0 12.0 5 BZT52B51 2WW 51 49.98 52.02 2 100 750 1.00.1 38.0 10.0 12.05Breakdown characteristicsat Tj=constant (pulsed)Forward characteristicsAdmissible power dissipation versus ambient temperaturePulse thermal resistance versus pulse durationDynamic resistance versus Zener currentCapacitance versus Zener voltageDynamic resistance versus Zener current Dynamic resistance versus Zener current Thermal differential resistance versus Zener voltageDynamic resistance versus Zener voltageTemperature dependence of Zener voltage versus Zener voltageTemperature dependence of Zener voltage versus Zener voltageChange of Zener voltage versus junction temperatureChange of Zener voltage versus junction temperatureChange of Zener voltge from turn-on up to the point of thermalequilibrium versus Zener voltageSOD-123 PACKAGE OUTLINE Plastic surface mounted package焊盘设计参考Precautions: PCB DesignRecommended land dimensions for SOD-123 diode. Electrode patterns for PCBs中心距: 3.24 脚宽: 0.55 焊盘宽: 1.00 脚长: 0.50 焊盘长: 0.80 技术要求:1, 塑封体尺寸: 2.70 X 1.60 2: 未注公差为: ±0.053, 所有单位: mm。

常用贴片元件封装1 电阻：最为常见的有0201、0402、0805、0603、1206、1210、1812、2010、2512几类1）贴片电阻的封装与尺寸如下表：英制(mil) 公制(mm) 长(L)(mm) 宽(W)(mm) 高(t)(mm)0201 0603 0.60±0.05 0.30±0.050.23±0.050402 1005 1.00±0.10 0.50±0.100.30±0.100603 1608 1.60±0.15 0.80±0.15 0.40±0.100805 2012 2.00±0.20 1.25±0.15 0.50±0.101206 3216 3.20±0.20 1.60±0.15 0.55±0.101210 3225 3.20±0.20 2.50±0.200.55±0.101812 4832 4.50±0.20 3.20±0.200.55±0.102010 5025 5.00±0.20 2.50±0.200.55±0.102512 6432 6.40±0.20 3.20±0.20 0.55±0.102）贴片电阻的封装、功率与电压关系如下表：英制(mil)公制(mm)额定功率@ 70°C 最大工作电压(V)0201 0603 1/20W 250402 1005 1/16W 500603 1608 1/10W 500805 2012 1/8W 1501206 3216 1/4W 2001210 3225 1/3W 2001812 4832 1/2W 2002010 5025 3/4W 2002512 6432 1W 2003）贴片电阻的精度与阻值贴片电阻阻值误差精度有±1％、±2％、±5％、±10％精度，J －表示精度为5％、F－表示精度为1％。

一、二极管SOD323封装概述在电子元件中，二极管是一种基本的半导体器件，常用的封装形式之一就是SOD323。

SOD323封装是一种小型的表面贴装结构，适用于高密度的电路板布局。

它具有三个引脚，每个引脚都扮演着不同的角色，对于理解和应用SOD323封装的二极管至关重要。

二、引脚定义及功能1. 引脚1在SOD323封装中，引脚1通常用于连接二极管的阴极。

阴极是二极管的负极，当二极管工作时，阴极是电流流入的地方。

引脚1在电路板上的位置和连接方式需要特别注意，以确保二极管能够正确导通。

2. 引脚2引脚2是SOD323封装二极管的阳极。

阳极是二极管的正极，它负责接收电流并将其导向二极管的PN结。

在电路设计和布局中，引脚2的连接和位置也至关重要，以确保电路的正常工作。

3. 引脚3除了阴极和阳极之外，SOD323封装还有一个引脚3，它通常连接到二极管的 PN 结。

PN 结是二极管的核心部分，它决定了二极管的导通特性和电压降。

引脚3的连接和位置也需要特别关注，以确保二极管能够正常工作。

三、SOD323封装的应用SOD323封装的二极管广泛应用于各种电子设备和电路中。

其小巧的尺寸和表面贴装结构使得它适用于高密度的电路板布局，特别适合于手机、平板电脑、数码相机等小型电子产品。

SOD323封装的二极管也常用于电源管理、信号处理、通信系统等领域。

四、个人观点和理解SOD323封装的二极管作为一种常用的电子元件，对于电路设计和布局具有重要意义。

在实际应用中，我们需要特别注意引脚的连接和位置，以确保二极管能够正常工作。

随着电子设备追求小型化和高性能化，SOD323封装的二极管在未来的应用领域将会更加广泛。

对于SOD323封装的二极管，我们需要深入理解其引脚定义和功能，才能更好地应用和推广。

结论通过对SOD323封装二极管的引脚定义和功能进行了深入分析，我们了解了它在电路设计和布局中的重要性，以及在实际应用中需要注意的问题。