双向可控硅及其触发电路

双向可控硅及其触发电路

双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。〔过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路〕

双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下列图：

总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分

再看看BT134-600E的简介：〔飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A〕

推荐电路：

为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。在中断效劳子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

双向可控硅及其触发电路

双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）

双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：

总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流4A）

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4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

双向可控硅及其触发电路

双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）

双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：

总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分

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推荐电路：

为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

双向可控硅及其触发电路

双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机操纵系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，操纵电路简单，因此专门适合做交流无触点开关利用。双向可控硅接通的一样都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机操纵系统中的触发信号加载到可控硅的操纵极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采纳过零触发电路。（过零触发是指在电压为零或零周围的刹时接通，由于采纳过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）

双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如以下图：

总的来讲导通的条件确实是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就能够够使可控硅导通，那个电压能够是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。因为双向可控硅能够双向导通，因此没有正极负极，可是有T1、T2之分

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推荐电路：

为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引发中断。在中断效劳子程序中利用按时器累计移相时刻，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。

双向可控硅的触发方式

双向可控硅的触发方式主要有以下几种：

1. I+触发形式：阳极电压为第1阳极T1为正，第2阳极T2为负；门极电压G为正，T2为负，特性曲线在第一象限，为正触发。

2. I-触发形式：阳极电压为第1阳极T1为正，第2阳极T2为负；门极电压G为负，T2为正，特性曲线在第一象限，为负触发。

3. Ⅲ+触发形式：阳极电压为第1阳极T1为负，第2阳极T2为正；门极电压G为正，T2为负，特性曲线在第三象限，为正触发。

4. Ⅲ-触发形式：阳极电压为第1阳极T1为负，第2阳极T2为正；门极电压G为负，T2为正，特性曲线在第三象限，为负触发。

需要注意的是，双向可控硅的触发方式会受到温度和电源的影响。在应用时，应根据实际需求选择合适的触发方式。

大功率双向可控硅移相触发电路

大功率双向可控硅移相触发电路是一种电子元件，常用于交流电控制电路中。它通过控制双向可控硅的触发角，实现对交流电的移相控制，从而改变电路中电流的相位。本文将对大功率双向可控硅移相触发电路的原理、工作方式以及应用进行详细介绍。

一、原理

大功率双向可控硅移相触发电路是基于双向可控硅的特性设计而成的。双向可控硅是一种能够在正、反两个方向上都能控制的硅控制器件。它由四个PN结组成，具有双向导电特性。在交流电控制电路中，通过对双向可控硅的触发角进行控制，可以实现对交流电的移相。

二、工作方式

大功率双向可控硅移相触发电路一般由触发电路、移相电路和功率放大电路组成。触发电路用于产生触发脉冲，移相电路用于对触发脉冲进行延时和移相，而功率放大电路则用于控制双向可控硅的导通和截止。

在工作时，触发电路会根据控制信号产生相应的触发脉冲。这些触发脉冲经过移相电路的处理，通过延时和移相的方式，控制双向可控硅的触发角。当双向可控硅的触发角满足一定条件时，它将开始导电，电流开始流过。当触发角不满足条件时，双向可控硅将截止导电。

三、应用

大功率双向可控硅移相触发电路在工业控制领域有着广泛的应用。它常被用于交流电调光、交流电变频和交流电电压调节等场合。通过控制双向可控硅的触发角，可以实现对交流电的控制，从而满足不同的需求。

举个例子来说，在交流电调光中，大功率双向可控硅移相触发电路可以根据光照强度的变化，通过控制触发角的移相，实现对灯光亮度的调节。当光照强度较弱时，触发角可以被移相，使得灯光亮度增加；当光照强度较强时，触发角可以被移相，使得灯光亮度减小。通过这种方式，可以实现对灯光亮度的精确控制。

双向可控硅及其触发电路

双向可控硅是一种功率半导体器件, 也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功

率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触

点开关使用.双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器, 且连接在强电网络中, 其

触发电路的抗干扰问题很重要, 通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极.为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的

触发常采用过零触发电路。（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零

触发，因此需要正弦交流电过零检测电路)

双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：

总的来说导通的条件就是:G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系.因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、

T2之分

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LIMITING VALUES

LimitingVaIUeS in accordance With the ⅛solute Maximum Sygtelm (IEC 134)

SYMBaL PARAMETER CONDmoNS

MIN L MAX 。

UNrT ⅛w

RePetitiVe Pe 自 k Qff —State VottageS

—5∪0 500’ —600 600r —B （M

双向可控硅的工作原理

双向可控硅（bi-directional controlled silicon）是一种电子器件，其工作原理基于硅材料的半导体特性和PN结的失效现象。双

向可控硅有两种触发模式：正向触发（Forward Triggering）和反向触发（Reverse Triggering）。

在正向触发模式下，当双向可控硅的阳极电压（Anode Voltage）为正向的直流电压时，当控制极电流（Gate Current）超过其正向触发电流（Forward Breakover Current），双向可

控硅将进入导通状态，形成一个低电阻通路。当阳极电压下降到零或负值时，双向可控硅会自动恢复到非导通（高电阻）状态，准备下一次触发。

在反向触发模式下，当双向可控硅的阳极电压为负向的直流电压时，控制极电流超过其反向触发电流（Reverse Breakover Current），双向可控硅将进入导通状态。在反向触发模式下，阳极电流的极性与控制极电流相反，因此双向可控硅可以在负向电压下导通。同样地，当阳极电压上升到零或正值时，双向可控硅会自动恢复到非导通状态。

双向可控硅的应用广泛，常见于电力电子领域，用于交流电源的控制、调光器、电动机驱动等。其可双向导通的特性使得双向可控硅成为实现双向电流控制和电能转换的理想器件。通过适当的触发信号，可以实现对双向可控硅的导通和截止控制，从而达到对电流和功率的精确控制。

双向可控硅及其触发电路【1 】

双向可控硅是一种功率半导体器件,也称双向晶闸管,在单片机掌握体系中,可作为功率驱动器件,因为双向可控硅没有反向耐压问题,掌握电路简略,是以特殊合适做交换无触点开关运用.双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器,且衔接在强电收集中,其触发电路的抗干扰问题很主要,平日都是经由过程光电耦合器将单片机掌握体系中的触发旌旗灯号加载到可控硅的掌握极.为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰,交换电路双向可控硅的触发常采取过零触发电路.（过零触发是指在电压为零或零邻近的刹时接通,因为采取过零触发,是以须要正弦交换电过零检测电路）

双向可控硅分为三象限.四象限可控硅,四象限可控硅其导通前提如下图：

总的来说导通的前提就是：G极与T1之间消失一个足够的电压时并可以或许供给足够的导通电流就可以使可控硅导通,这个电压可所以正.负,和T1.T2之间的电流偏向也没有关系.因为双向可控硅可以双领导通,所以没有正极负极,但是有

T1.T2之分

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推举电路：

为了进步效力,使触发脉冲与交换电压同步,请求每隔半个交换电的周期输出一个触发脉冲,且触发脉冲电压应大于4V ,脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器,TPL521 - 2 为光电耦合器,起隔离感化.当正弦交换电压接近零时,光电耦合器的两个发光二极管截止,三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通,产生负脉冲旌旗灯号,T1的输出端接到单片机80C51 的外部中止0 的输入引脚,以引起中止.在中止办事子程序中运用准时器累计移相时光,然

20a双向可控硅光耦触发电路

20A双向可控硅光耦触发电路是一种常见的电子电路，用于控制大电流负载的开关。双向可控硅是一种功率半导体器件，能够控制交流电路的导通和截止。光耦是一种光电耦合器件，用于隔离输入和输出电路，保护控制电路免受高电压或高电流的影响。

光耦触发电路通常由光耦、电阻、双向可控硅和其他辅助元件组成。当光耦接收到输入信号时，它会产生相应的输出信号，通过电阻和触发电路控制双向可控硅的导通和截止，从而控制负载的通断。

在设计20A双向可控硅光耦触发电路时，需要考虑输入信号的稳定性、光耦的灵敏度、双向可控硅的额定电流和电压等参数。此外，还需要注意电路的绝缘性能、抗干扰能力和热稳定性，以确保电路稳定可靠地工作。

总的来说，20A双向可控硅光耦触发电路是一种重要的电子控制电路，应用广泛，涉及到电气、电子、通信等多个领域。设计和应用时需要充分考虑电路的性能和稳定性，以确保其安全可靠地工作。

双向可控硅及其触发电路

双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功

率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触

点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其

触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的

触发常采用过零触发电路。（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零

触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）

双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图:

总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有T1、T2之分

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LIMITING VALUES

Limiting values in accordance with the/^solute Maximum System (I EC 134)

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX. UNrT

Repetitive p^ak off-state

voltages

-5UO 500'

-600 60&

-BOO 800

1

-J

A

I T HMS ； I TS *

可控硅触发双向可控硅

可控硅（SCR）是一种电子器件，具有双向导电性能，常用于电路中的开关和控制元件。而可控硅触发双向可控硅是一种特殊的电路配置，可以实现对可控硅的双向触发控制。本文将介绍可控硅触发双向可控硅的原理、应用和特点等相关内容。

一、双向可控硅的基本原理

双向可控硅是一种特殊的可控硅，具有双向导电性能。它由两个可控硅反向并联组成，即一个NPN型可控硅和一个PNP型可控硅。当电流从NPN型可控硅的A极流向P极时，NPN型可控硅导通；而当电流从PNP型可控硅的A极流向P极时，PNP型可控硅导通。双向可控硅的触发是通过控制电流的方向来实现的。

二、可控硅触发双向可控硅的原理

可控硅触发双向可控硅的原理是通过外部电路对可控硅进行触发控制，从而实现对双向可控硅的导通和断开控制。触发电路通常由触发器、电阻和电容等元件组成。触发器可以是脉冲发生器、定时器或其他触发器。当触发器输出一个脉冲信号时，通过电阻和电容的组合，可以形成一个延时触发脉冲。这个延时触发脉冲可以通过触发极施加到双向可控硅上，从而实现对双向可控硅的触发控制。

三、可控硅触发双向可控硅的应用

双向可控硅广泛应用于电力电子领域。它可以用于交流电控制电路

中的开关和调光控制。例如，在交流调光电路中，通过对双向可控硅进行触发控制，可以实现对交流电的调光控制。此外，双向可控硅还可以用于电机控制、电源控制和瞬态电流保护等方面。

四、可控硅触发双向可控硅的特点

1. 双向可控硅具有双向导电性能，能够实现正向和反向的导通控制。

2. 双向可控硅触发电路简单，成本低廉。

双向可控硅的工作原理

双向可控硅（SCR）是一种半导体器件，可以控制大功率电路的开关。它具有双向导通特性，可以在正负半周的任意时刻导通，因此在交流电路中得到了广泛的应用。双向可控硅的工作原理主要包括触发、导通和关断三个阶段。

首先，我们来看双向可控硅的触发阶段。当施加一个正向触发脉冲时，双向可控硅会进入导通状态。这是因为在正向触发脉冲的作用下，P-N结区域的电子和空穴被注入并扩散，形成导通通道。这个过程类似于单向可控硅的触发过程，但双向可控硅需要在两个方向上都进行触发。在双向可控硅中，P-N结区域被激活后，电流可以在两个方向上流通，因此它具有双向导通的特性。

接下来是双向可控硅的导通阶段。一旦双向可控硅被触发并进入导通状态，它将继续导通直到电流降至零点。在导通状态下，双向可控硅可以承受较大的电流和电压，因此适用于大功率电路的控制。此时，双向可控硅的导通特性使得电流可以在正负半周的任意时刻流通，从而实现了双向导通的功能。

最后是双向可控硅的关断阶段。在双向可控硅的关断过程中，

电流被减小到零并且维持在零点以上的电压下。在这个阶段，双向

可控硅将停止导通并进入关断状态。需要注意的是，双向可控硅的

关断过程相对较慢，因此在实际应用中需要考虑到这一特性。

总的来说，双向可控硅的工作原理包括触发、导通和关断三个

阶段。通过控制触发脉冲的时机和持续时间，可以实现对双向可控

硅的控制。双向可控硅具有双向导通的特性，适用于交流电路中对

电流进行控制和保护。在实际应用中，需要充分理解双向可控硅的

工作原理，并合理设计电路以实现所需的功能。

双向可控硅及其触发电路

双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）

双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：

总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，

但是有T1、T2之分

再看看BT134-600E的简介：（飞利浦公司的，双向四象限可控硅，最大电流

4A）

推荐电路：

为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发

脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us. 图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1 的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、 B 两点电压输出波形如图 2 所示。

双向可控硅及其触发电路

双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。（过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通，由于采用过零触发，因此需要正弦交流电过零检测电路）

双向可控硅分为三象限、四象限可控硅，四象限可控硅其导通条件如下图：

总的来说导通的条件就是：G极与T1之间存在一个足够的电压时并能够提供足够的导通电流就可以使可控硅导通，这个电压可以是正、负，和T1、T2之间的电流方向也没有关系。因为双向可控硅可以双向导通，所以没有正极负极，但是有

T1、T2之分

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推荐电路：

为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51

的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。