静态存储器扩展实验报告

一、实验目的1. 理解存储器扩展的基本原理和方法。

2. 掌握位扩展和字扩展的技巧。

3. 利用仿真软件实现存储器扩展，并验证其功能。

二、实验环境1. 仿真软件：Logisim2. 硬件设备：电脑三、实验原理1. 存储器扩展的基本原理存储器扩展是指将多个存储器芯片组合在一起，以实现更大的存储容量或更高的数据位宽。

存储器扩展主要有两种方式：位扩展和字扩展。

（1）位扩展：当存储芯片的数据位小于CPU对数据位的要求时，可以通过位扩展方式解决。

位扩展时，将所有存储芯片的地址线、读写控制线并联后与CPU的地址线和读写控制线连接，各存储芯片的数据总线汇聚成更高位宽的数据总线与CPU的数据总线相连。

（2）字扩展：当存储芯片的存储容量不能满足CPU对存储容量的要求时，可以通过字扩展方式来扩展存储器。

字扩展时，将所有存储芯片的数据总线、读写控制线各自并联后与CPU数据总线、读写控制线相连，各存储芯片的片选信号由CPU高位多余的地址线译码产生。

2. 存储器扩展的方法（1）位扩展：选择合适的存储芯片，将多个存储芯片的数据总线并联，连接到CPU的数据总线上。

（2）字扩展：选择合适的存储芯片，将多个存储芯片的数据总线、读写控制线分别并联，连接到CPU的数据总线和读写控制线上。

同时，使用译码器产生片选信号，连接到各个存储芯片的片选端。

四、实验步骤1. 创建一个新的Logisim项目。

2. 在项目中添加以下模块：（1）存储芯片模块：选择合适的存储芯片，如RAM或ROM。

（2）译码器模块：根据存储芯片的数量和地址线的位数，选择合适的译码器。

（3）数据总线模块：根据位扩展或字扩展的要求，设置数据总线的位数。

（4）地址线模块：根据存储芯片的数量和地址线的位数，设置地址线的位数。

3. 连接各个模块：（1）将存储芯片的数据总线连接到数据总线模块。

（2）将存储芯片的地址线连接到地址线模块。

（3）将译码器的输出连接到各个存储芯片的片选端。

（4）将存储芯片的读写控制线连接到CPU的读写控制线上。

静态存储器实验报告静态存储器实验报告引言：静态存储器（Static Random Access Memory，简称SRAM）是一种常见的存储器类型，具有快速读写速度和稳定性等优点。

在本次实验中，我们将对SRAM 进行测试和分析，以评估其性能和可靠性。

实验目的：1. 了解静态存储器的基本原理和工作方式；2. 测试SRAM的读写速度和稳定性；3. 分析SRAM的性能特点和应用范围。

实验步骤：1. 准备工作：搭建SRAM测试平台，包括电源、控制电路和数据输入输出接口等；2. 读写速度测试：通过控制电路发送读写指令，并记录SRAM的读写时间；3. 稳定性测试：连续进行大量的读写操作，并观察SRAM的稳定性表现；4. 性能分析：根据测试结果，分析SRAM的读写速度、稳定性和功耗等性能指标。

实验结果：1. 读写速度：经过多次测试，我们得出了SRAM的平均读写速度为XX ns。

这一速度相对较快，适用于对存储器响应速度要求较高的应用场景。

2. 稳定性：在连续读写测试中，SRAM表现出了较好的稳定性，未出现数据丢失或错误的情况。

这证明了SRAM在数据存储和传输过程中的可靠性。

3. 功耗：SRAM在读写操作时会消耗一定的功耗，但相对于动态存储器（DRAM）而言，SRAM的功耗较低。

这使得SRAM在低功耗要求的电子设备中具有一定的优势。

讨论与分析：1. SRAM的优点：相对于动态存储器，SRAM具有读写速度快、稳定性高和功耗低等优点。

这使得SRAM在高性能计算机、嵌入式系统和高速缓存等领域得到广泛应用。

2. SRAM的缺点：与之相对应的是，SRAM的成本较高。

由于SRAM采用了更复杂的电路结构，导致其制造成本较高。

这使得SRAM在大容量存储器领域的应用受到一定的限制。

3. SRAM的应用范围：由于SRAM的快速读写速度和稳定性，它在高性能计算领域得到了广泛应用。

同时，由于SRAM的低功耗特性，它也适用于移动设备、物联网和嵌入式系统等低功耗要求的场景。

静态存储器扩展实验报告静态存储器扩展实验报告⼀、实验⽬的1．掌握单⽚机系统中存储器扩展的⽅法；2．掌握单⽚机内部RAM和外部RAM之间数据传送的特点。

⼆、软件、硬件环境要软件、硬件环境要求1、软件环境要求Windows XP操作系统以及Keil C51 单⽚机集成开发环境。

2、硬件环境要求电脑⼀台，TD-51单⽚机系统。

三、实验内容编写实验程序，在单⽚机内部⼀段连续RAM 空间30H～3FH 中写⼊初值00H～0FH，然后将这16 个数传送到RAM 的0000H ～000FH 中，最后再将外部RAM 的0000H～000FH 空间的内容传送到⽚内RAM 的40H～4FH 单元中。

四、实验原理存储器是⽤来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM 是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1 位信息。

只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。

因此，静态RAM⼯作稳定，不要外加刷新电路，使⽤⽅便。

但⼀般SRAM 的每⼀个触发器是由6个晶体管组成，SRAM 芯⽚的集成度不会太⾼，⽬前较常⽤的有6116（2K×8 位），6264（8K×8 位）和62256（32K×8位）。

本实验以62256为例讲述单⽚机扩展静态存储器的⽅法。

SST89E554RC 内部有1K 字节RAM，其中768 字节（00H～2FFH）扩展RAM 要通过MOVX指令进⾏间接寻址。

内部768 字节扩展RAM 与外部数据存储器在空间上重叠，这要通过AUXR 寄存器的EXTRAM 位进⾏切换，AUXR 寄存器说明如下：EXTRAM：内部/外部RAM 访问0：使⽤指令MOVX @Ri/@DPTR 访问内部扩展RAM，访问范围00H～2FFH，300H 以上的空间为外部数据存储器；1：0000H～FFFFH 为外部数据存储器。

AO：禁⽌/使能ALE0：ALE 输出固定的频率；1：ALE 仅在MOVX 或MOVC 指令期间有效。

静态存储器实验报告静态存储器实验报告引言静态存储器是计算机中重要的一部分，它用于存储和读取数据。

本实验旨在通过实际操作，深入了解静态存储器的原理和工作方式。

通过观察和分析实验结果，我们可以更好地理解计算机内存的工作原理，并且为日后的学习和研究打下基础。

实验目的本实验的主要目的是探究静态存储器的工作原理，并通过实际操作来验证理论知识。

具体的实验目标如下：1. 了解静态存储器的组成和结构；2. 掌握静态存储器的读写操作；3. 分析实验结果，深入理解静态存储器的工作原理。

实验器材与方法实验器材：1. 静态存储器芯片；2. 逻辑分析仪；3. 示波器；4. 电源供应器；5. 连接线等。

实验方法：1. 连接静态存储器芯片到逻辑分析仪和示波器上，确保信号传输的正确性；2. 使用逻辑分析仪和示波器监测存储器读写操作的时序信号；3. 进行一系列的读写操作，并记录实验数据；4. 分析实验结果，总结静态存储器的工作原理。

实验过程与结果在实验过程中，我们首先将静态存储器芯片正确连接到逻辑分析仪和示波器上，以确保信号传输的正确性。

然后，我们进行了一系列的读写操作，并使用逻辑分析仪和示波器监测了存储器读写操作的时序信号。

通过分析实验结果，我们观察到了以下几点：1. 静态存储器的读写操作是基于地址信号和数据信号的传输。

读操作时，通过给定地址信号，存储器将对应地址的数据输出；写操作时，通过给定地址信号和数据信号，存储器将对应地址的数据写入。

2. 存储器的读写操作需要一定的时间，这是由存储器芯片内部的电路结构和时序要求决定的。

我们通过示波器观察到了读写操作的时序信号，包括地址信号和数据信号的传输时间。

3. 存储器的读写操作是可靠的，我们进行了多次读写操作，并观察到了一致的实验结果。

讨论与分析通过本次实验，我们深入了解了静态存储器的工作原理和操作方法。

静态存储器是计算机内存的重要组成部分，它的性能和可靠性对计算机的整体性能有着重要影响。

实验四存储器扩展实验一、实验目的1．掌握存储器扩展的基本方法及存储器接口地址的设置。

2．了解80X86微型机计算机的存储空间分配。

3．熟悉静态存储器6264的使用方法。

4．掌握存储器的读写原理。

二、实验任务1．在80X86微型计算机上扩展8K字节的RAM。

编制存储器的测试程序，从0单元开始写入数据，首先写0，然后地址每增1，数据都加1，当数据加到FFH后再从0开始，直到存储器的8K字节写满为止；每写入一个数据读出比较一次，若写入的数据与读出的数据相等，则继续；否则显示出错信息。

2．利用DEBUG调试程序中的F命令，将“FFH”填充到6264RAM中C000段的0000H～0FFFH单元中，而将“00H”填充到同一段的1000H～1FFFH单元中，再检查该段0000H～1FFFH单元的内容。

三、实验设备器材1．80X86系列微型计算机一台。

2．微机硬件实验平台。

3．存储器芯片6264及基本门电路若干。

四、实验准备1．预习存储器6264芯片的使用方法。

2．预习存储器扩展的方法，了解80X86系列微型计算机的内存空间分配。

3．设计存储器扩展的接口电路，画出连线图。

4．根据实验任务要求，编写源程序。

五、实验原理提示1．对于存储器的扩展设计，首先要确定存储器的结构和存储器芯片。

本实验扩展8KB RAM，可以采用单存储体结构；选用6264芯片。

6264芯片的管脚图如图1所示。

6264的引脚分为以下三部分：①地址线A0～A12，可访问213个存储单元②数据线D0～D7②控制线：片选信号CE、写信号WE、输出允许信号OE接着进行存储器接口电路的设计。

这也是扩展存储器设计的关键。

在80286以上微型计算机中，用户可用的内存空间为0C0000H～0DFFFFH（可查附录2内存分配表）128KB。

扩展的8KB内存可以从C0000H开始。

设地址范围为C0000H～C1FFFH，可写出地址位图如下。

A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A01 1 0 0 0 0 0高位地址译码选片低位地址直接相连那么对高位地址总线的译码，产生存储器的片选信号；低位地址直接与芯片的地址线相连，实验电路可参考框图2。

深圳大学实验报告课程名称：_____________ 微机计算机设计__________________实验项目名称：静态存储器扩展实验______________学院：_________________ 信息工程学院____________________专业：_________________ 电子信息工程____________________指导教师：____________________________________________报告人：________ 学号：2009100000班级：＜1＞班实验时间：_______ 2011.05. 05实验报告提交时间：2011. 05. 31教务处制一、实验目的1. 了解存储器扩展的方法和存储器的读/ 写。

2. 掌握CPU寸16位存储器的访问方法。

二、实验要求编写实验程序，将OOOOH H OOOFH共16个数写入SRAM的从0000H起始的一段空间中，然后通过系统命令查看该存储空间，检测写入数据是否正确。

三、实验设备PC 机一台，TD-PITE 实验装置或TD-PITC 实验装置一套。

四、实验原理1、存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1 位信息。

只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。

此，静态RAM工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。

2、本实验使用两片的62256芯片，共64K字节。

本系统采用准32位CPU具有16 位外部数据总线，即D0 D1、…、D15,地址总线为BHE^(#表示该信号低电平有效)、BLE#、A1、A2、…、A20。

存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BH四和BLE#选通。

存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。

处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BH即和BLE #同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。

深圳大学实验报告课程名称：微机原理与接口技术实验项目名称：静态存储器扩展实验学院：专业：指导教师：报告人：学号：班级：实验时间：实验报告提交时间：教务处制实验目的与要求1. 了解存储器扩展的方法和存储器的读/写。

2. 掌握CPU 对16位存储器的访问方法。

实验环境：PC 机一台，TD-PITE 实验装置或TD-PITC 实验装置一套，示波器一台。

实验内容编写实验程序，将0000H ～000FH 共16个数写入SRAM 的从0000H 起始的一段空间中，然后通过系统命令查看该存储空间，检测写入数据是否正确。

实验原理存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM 是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1位信息。

只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。

因此，静态RAM 工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。

但一般SRAM 的每一个触发器是由6个晶体管组成，SRAM 芯片的集成度不会太高，目前较常用的有6116（2K ×8位），6264（8K ×8位）和62256（32K ×8位）。

本实验平台上选用的是62256，两片组成32K ×16位的形式，共64K 字节。

62256的外部引脚图如图4.1所1234567891020191817161514131211DAC 0832CSWR1AGND D3D2D1D0VREF RFB DGNDVCC ILE WR2XREF D4D5D6D7IOUT2IOUT1示。

本系统采用准32位CPU ，具有16位外部数据总线，即D0、D1、…、D15，地址总线为BHE ＃（＃表示该信号低电平有效）、BLE ＃、A1、A2、…、A20。

存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BHE ＃和BLE ＃选通。

存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。

处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BHE ＃和BLE ＃同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。

静态随机存储器实验实验报告一、实验目的本次静态随机存储器实验的目的在于深入了解静态随机存储器（SRAM）的工作原理、存储结构和读写操作，通过实际操作和数据观测，掌握 SRAM 的性能特点和应用方法，并培养对数字电路和存储技术的实践能力和问题解决能力。

二、实验原理静态随机存储器（SRAM）是一种随机存取存储器，它使用触发器来存储数据。

每个存储单元由六个晶体管组成，能够保持数据的状态，只要电源不断电，数据就不会丢失。

SRAM 的读写操作是通过地址线选择存储单元，然后通过数据线进行数据的读取或写入。

读操作时，被选中单元的数据通过数据线输出；写操作时，数据通过数据线输入到被选中的单元。

三、实验设备与材料1、数字电路实验箱2、静态随机存储器芯片（如 6116 等）3、示波器4、逻辑分析仪5、导线若干四、实验步骤1、连接实验电路将静态随机存储器芯片插入实验箱的相应插槽。

按照实验原理图，使用导线连接芯片的地址线、数据线、控制线与实验箱上的控制信号源和数据输入输出端口。

2、设置控制信号通过实验箱上的开关或旋钮，设置地址线的输入值，以选择要操作的存储单元。

设置读写控制信号，确定是进行读操作还是写操作。

3、进行写操作当读写控制信号为写时，通过数据输入端口输入要写入的数据。

观察实验箱上的相关指示灯或示波器，确认数据成功写入存储单元。

4、进行读操作将读写控制信号切换为读。

从数据输出端口读取存储单元中的数据，并与之前写入的数据进行对比，验证读取结果的正确性。

5、改变地址，重复读写操作更改地址线的值，选择不同的存储单元进行读写操作。

记录每次读写操作的数据，分析存储单元的地址与数据之间的对应关系。

6、使用逻辑分析仪观测信号将逻辑分析仪连接到实验电路的相关信号线上，如地址线、数据线和控制信号线。

运行逻辑分析仪，捕获读写操作过程中的信号波形，分析信号的时序和逻辑关系。

五、实验数据与结果1、记录了不同地址下写入和读取的数据，如下表所示：｜地址｜写入数据｜读取数据｜｜｜｜｜｜ 0000 ｜ 0101 ｜ 0101 ｜｜ 0001 ｜ 1010 ｜ 1010 ｜｜ 0010 ｜ 1100 ｜ 1100 ｜｜ 0011 ｜ 0011 ｜ 0011 ｜｜｜｜｜2、通过逻辑分析仪观测到的读写控制信号、地址信号和数据信号的波形图，清晰地展示了读写操作的时序关系。

静态存储器扩展实验报告记录————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：深圳大学实验报告课程名称：微机原理与接口技术实验项目名称：静态存储器扩展实验学院：信息工程学院专业：电子信息工程指导教师：周建华报告人：洪燕学号：2012130334 班级：电子3班实验时间：2014/5/21实验报告提交时间：2014/5/26教务部制一．实验目的与要求：1. 了解存储器扩展的方法和存储器的读/写。

2. 掌握CPU 对16位存储器的访问方法。

二．实验设备PC 机一台，TD-PITE 实验装置或TD-PITC 实验装置一套，示波器一台。

三．实验原理存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM 是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1位信息。

只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。

因此，静态RAM 工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。

但一般SRAM 的每一个触发器是由6个晶体管组成，SRAM 芯片的集成度不会太高，目前较常用的有6116（2K ×8位）， 图4.1 62256引脚图 6264（8K ×8位）和62256（32K ×8位）。

本实验平台上选 用的是62256，两片组成32K ×16位的形式，共64K 字节。

62256的外部引脚图如图4.1所示。

本系统采用准32位CPU ，具有16位外部数据总线，即D0、D1、…、D15，地址总线为BHE ＃（＃表示该信号低电平有效）、BLE ＃、A1、A2、…、A20。

存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BHE ＃和BLE ＃选通。

存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。

处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BHE ＃和BLE ＃同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。

静态随机存储器实验报告一、实验目的本次实验旨在通过搭建静态随机存储器电路，了解其基本原理和操作流程，并掌握静态随机存储器的读写操作。

二、实验原理1. 静态随机存储器（Static Random Access Memory，简称SRAM）是一种使用触发器作为存储单元的半导体存储器。

与动态随机存储器（Dynamic Random Access Memory，简称DRAM）相比，SRAM 具有更快的读写速度和更低的功耗。

2. SRAM通常由若干个存储单元组成，每个存储单元包含一个触发器和一个选择开关。

选择开关用于控制读写操作。

3. 在SRAM中，读操作和写操作都需要先将地址信号送入地址译码器中进行译码，然后将译码结果送入选择开关中。

对于读操作，选择开关将对应地址处的数据输出到数据总线上；对于写操作，则将数据输入到对应地址处。

1. 按照电路图搭建SRAM电路，并连接上电源和示波器。

2. 将地址信号输入到地址译码器中，并将译码结果送入选择开关中。

3. 进行读操作：将读使能信号输入到选择开关中，并观察示波器上的输出波形。

可以看到，对应地址处的数据被输出到了数据总线上。

4. 进行写操作：将写使能信号输入到选择开关中，并将需要写入的数据输入到对应地址处。

再次进行读操作，可以看到读出的数据已经被更新为新写入的数据。

四、实验结果与分析1. 实验中，我们成功搭建了SRAM电路，并进行了读写操作。

2. 通过观察示波器上的波形，可以看到SRAM具有快速响应和稳定性好等特点。

3. 实验结果表明，SRAM在存储器中具有重要作用，在计算机系统中得到广泛应用。

通过本次实验，我们深入了解了SRAM的基本原理和操作流程，并掌握了其读写操作方法。

同时，也加深了对存储器在计算机系统中的重要性认识。

存储器的扩展实验总结：
一、实验目的
本次实验旨在通过实际操作，深入了解存储器的扩展原理和方法，掌握存储器扩展的基本技能，提高对计算机存储系统的认识和理解。

二、实验原理
存储器扩展主要涉及地址线的扩展和数据线的扩展。

通过增加地址线和数据线的数量，可以增加存储器的容量。

此外，还可以采用位扩展、字扩展和字位同时扩展的方法来扩展存储器。

三、实验步骤
1.准备实验材料：包括存储器芯片、地址线、数据线等。

2.搭建实验电路：将存储器芯片与地址线和数据线连接，形成完整的存储器扩展电路。

3.初始化存储器：对存储器进行初始化操作，设置初始地址和数据。

4.读取和写入数据：通过地址线和数据线，对存储器进行读取和写入操作。

5.验证结果：比较写入的数据与读取的数据，确保数据的正确性。

四、实验结果
通过实验，我们成功实现了存储器的扩展，并验证了数据的正确性。

实验结果表明，通过增加地址线和数据线的数量，可以有效地扩展存储器的容量。

五、实验总结
通过本次实验，我们深入了解了存储器的扩展原理和方法，掌握了存储器扩展的基本技能。

同时，我们也认识到在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的扩展方法，以确保存储器的容量和性能满足要求。

此外，我们还应注意数据的正确性和稳定性，确保存储器的可靠性和稳定性。

一、实验目的1. 了解存储器的结构及其与CPU的连接方式。

2. 掌握存储器的位扩展、字扩展和字位扩展方法。

3. 通过实际操作，加深对存储器扩展原理的理解，提高动手实践能力。

二、实验原理存储器扩展是计算机硬件设计中常见的技术，目的是为了满足系统对存储容量的需求。

存储器扩展主要分为位扩展、字扩展和字位扩展三种方式。

1. 位扩展：当存储芯片的数据位小于CPU对数据位的要求时，可以通过位扩展来解决。

位扩展是将多个存储芯片的数据总线并联，形成一个更高位宽的数据总线，与CPU的数据总线相连。

2. 字扩展：当存储芯片的存储容量不能满足CPU对存储容量的要求时，可以通过字扩展来解决。

字扩展是将多个存储芯片的数据总线、读写控制线并联，形成一个更大容量的存储器，与CPU的数据总线、读写控制线相连。

3. 字位扩展：字位扩展是位扩展和字扩展的结合，既能扩展存储容量，又能扩展数据位宽。

三、实验设备1. 实验箱2. 逻辑分析仪3. 逻辑门电路4. 实验指导书四、实验步骤1. 搭建存储器扩展电路（1）根据实验要求，选择合适的存储芯片，如SRAM、ROM等。

（2）根据存储芯片的规格，确定存储器的容量、数据位宽和地址线位数。

（3）根据存储器的容量和位宽，计算所需的存储芯片数量。

（4）搭建存储器扩展电路，包括存储芯片、地址译码器、数据线、读写控制线等。

2. 仿真实验（1）使用逻辑分析仪观察存储器扩展电路的信号波形。

（2）通过实验指导书提供的测试程序，对存储器进行读写操作。

（3）观察逻辑分析仪的信号波形，分析存储器扩展电路的工作情况。

3. 分析实验结果（1）根据实验结果，验证存储器扩展电路是否满足实验要求。

（2）分析存储器扩展电路的优缺点，提出改进措施。

五、实验结果与分析1. 实验结果通过实验，搭建了存储器扩展电路，实现了存储器的位扩展、字扩展和字位扩展。

逻辑分析仪的信号波形显示，存储器扩展电路工作正常，满足实验要求。

2. 实验分析（1）位扩展：通过位扩展，实现了存储器数据位宽的增加，满足了CPU对数据位宽的要求。

静态存储器-实验报告引言静态存储器是计算机中的一种存储器件，广泛应用于微型计算机、工控系统、控制器等领域中。

与动态存储器不同，静态存储器是由一系列逻辑门电路组成的，不需要周期性地进行刷新操作。

本实验主要介绍静态存储器的基本原理以及应用，并通过实验验证静态存储器的功能。

一、实验目的1. 掌握静态存储器的组成原理和基本功能。

2. 熟悉静态存储器的应用场景和使用方法。

3. 通过实验验证静态存储器的功能和性能。

二、实验原理静态存储器是由许多逻辑门组成的，逻辑门分为三种类型：与门、或门、反相器。

其中与门和或门分别用于输入/输出数据的选择和判断，反相器用于数据存储和输出。

将这些逻辑门组合在一起，形成了静态存储器的核心电路结构，如图1所示。

图1 静态存储器电路结构图静态存储器的基本功能是将输入的二进制数据通过逻辑电路存储，以便随时读取。

当CPU需要访问某个存储单元中的数据时，静态存储器将该单元中的数据输出给CPU，完成读取操作。

另外，通过特定的电路设计，静态存储器还可以实现数据的随机访问和写入操作等功能。

三、实验设备2. 电路板3. 电源4. 信号源5. 示波器四、实验步骤1. 将静态存储器模块插入电路板中。

2. 将电路板与电源和信号源连接。

3. 将信号源输出线连接到静态存储器的输入端，将示波器接到静态存储器的输出端。

4. 设置信号源的输出并观察静态存储器的输出波形。

6. 将示波器的观察时间延长，并调整信号源的输出幅度和频率，观察静态存储器在不同输入信号下的工作状态。

五、实验结果分析通过实验可以看出，静态存储器能够很好地记录输入信号的历史，并在需要时将数据输出。

同时，静态存储器对于不同频率和幅度的输入信号均有良好的适应性。

这说明静态存储器具有很好的稳定性和可靠性，并且适用于多种实际应用场景。

六、实验结论通过本次实验，我们成功掌握了静态存储器的组成原理及基本功能，并通过实验验证了其良好的性能和应用效果。

静态存储器作为计算机存储器中的一种重要组成部分，在现代计算机系统中得到广泛使用，在各个领域都有着广泛的应用前景。

静态存储器扩展实验报告深圳大学实验报告课程名称：微机原理与接口技术实验项目名称：静态存储器扩展实验学院：信息工程学院专业：电子信息工程指导教师：周建华报告人：洪燕学号：2012130334 班级：电子3班实验时间：2014/5/21实验报告提交时间：2014/5/26教务部制一．实验目的与要求：1. 了解存储器扩展的方法和存储器的读/写。

2. 掌握CPU 对16位存储器的访问方法。

二．实验设备PC 机一台，TD-PITE 实验装置或TD-PITC 实验装置一套，示波器一台。

三．实验原理存储器是用来存储信息的部件，是计算机的重要组成部分，静态RAM 是由MOS 管组成的触发器电路，每个触发器可以存放1位信息。

只要不掉电，所储存的信息就不会丢失。

因此，静态RAM 工作稳定，不要外加刷新电路，使用方便。

但一般SRAM 的每一个触发器是由6个晶体管组成，SRAM芯片的集成度不会太高，目前较常用的有6116（2K ×8位）， 图4.1 62256引脚图 6264（8K ×8位）和62256（32K ×8位）。

本实验平台上选A14A12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND12345678910111213142827262524232221201918171615VCC WE A13A8A9A11OE A10CS D7D6D5D4D362256用的是62256，两片组成32K ×16位的形式，共64K 字节。

62256的外部引脚图如图4.1所示。

本系统采用准32位CPU ，具有16位外部数据总线，即D0、D1、…、D15，地址总线为BHE ＃（＃表示该信号低电平有效）、BLE ＃、A1、A2、…、A20。

存储器分为奇体和偶体，分别由字节允许线BHE ＃和BLE ＃选通。

存储器中，从偶地址开始存放的字称为规则字，从奇地址开始存放的字称为非规则字。

处理器访问规则字只需要一个时钟周期，BHE ＃和BLE ＃同时有效，从而同时选通存储器奇体和偶体。

大连理工大学本科实验报告课程名称：计算机组成原理实验学院（系）：软件学院专业：软件工程班级：0907英学号：200892497学生姓名：刘云伟2011年4月7 日大连理工大学实验报告学院（系）：软件学院专业：软件工程班级：0907 英姓名：刘云伟学号：200892497 实验台：21实验时间：2011.4.7 实验室：C110 成绩：指导教师签字：实验三：存储器扩展实验1.实验目的：（1）深入理解计算机内存储器的功能、组成知识；（2）深入地学懂静态存储器芯片的读写原理和用他们组成教学计算机存储器系统的方法（即字、位扩展技术），控制其运行的方式；思考并对比静态和动态存储器芯片在特性和使用场合等方面的同异之处。

2. 实验平台硬件平台：清华大学TEC-XP实验箱的MACH部分部件：HN58c65p-25两片3. 实验要求：（任务）（1）完成HN58c65p-25两片EEPROM的物理扩展；（2）完成必要的跳线设置；（3）验证RAM和EEPROM在存储上的区别（使用A命令和E命令）；（4）基于以上所学完成：从键盘上输入一个0-9的数字，将从该数字开始到F的所有数据存储到扩展之后的5000开始的EEPROM存储器单元中。

IN 81 ;判键盘上是否按了一个键SHR R0 ;即串行口是否有了输入的字符SHR R0JRNC 2000 ;未输入完则循环测试IN 80 ;接收该字符MVRD R6,FF30 ;转换为数字SUB R0,R6MVRD R2,5000 ;从5000号内在单元开始存数MVRD R1,000F ;最大的加数STRR [R2],R0 ;先把当前第一个数存至5000号单元INC R0 ;得到下一个待存数INC R2 ;得到下一个应存的地址单元号STRR [R2],R0 ;把R0的值存起来；延迟MVRD R7,0000MVRD R8,00FFMVRD R9,0000INC R9ADD R7,R9CMP R9,R8JRNZ //INC R9处CMP R0,R1 ;判是否累加完JRNZ INC R0 ;未完, 开始下一轮得数存数RET4. 体会、意见、建议实验体会，除写个人实验课程理解之外，还应对实验课时数实验仪器设备、实验讲义、实验内容安排、时间分配及教师授课方式提出意见和建议。

华北电力大学实验报告||实验名称存储器扩展及读写实验课程名称微机原理||一、实验目的1、通过阅读并调试示例程序，完成程序设计题，熟悉静态RAM的扩展方法。

2、了解8088与存储器的连接，掌握扩展存储器的读写方法。

3、熟悉proteus的基本操作。

二、实验内容设计扩展存储器电路的硬件连接图并编制程序，将字母‘A~Z’循环存入6216扩展RAM中，然后再检查扩展存储器中的内容。

三、实验过程1、实验材料：8086、74HC04、74HC08、74HC32、74LS138、74LS373、6116。

2、源代码：CODE SEGMENTASSUME CS:CODESTART:MOV AX,8000HMOV DS,AXMOV BX,0MOV AL,41HMOV CX,100HL1:MOV [BX],ALINC ALINC BXCMP AL,5BHJNZ L2MOV AL,41HL2:LOOP L1JMP $CODE ENDSEND START3、硬件电路图二第一次搭载的硬件电路图如图二所示，图二与图一的区别之处如红框所示，在图一中，入口地址为8000h，则AL中内容可以成功写入扩展存储器内，在图二中，将入口地址改为0000h，则AL中内容不能成功写入扩展图三在图三中，AL中没有成功写入存储器中的原因有：1、我忘了将总线的引脚AD[0..15]和A[16..19]引出。

2、在设置引脚M/IO的label时，将两个需要连接的引脚分别设置成了‘M/IO’和‘M/I0’。

一时的疏忽害我查了好久的错。

图四正确结果如图四所示。

采用两片6216芯片，采用全译码法，扩展存储器地址空间范围为0000:8000H~0000:8FFFH，共4KB的内存空间。

六、实验心得三次实验完成下来，我的编程技术有较大的提升，对于微机有更深的理解。

微机原理和接口技术，涉及到了软件和硬件两个方面，这还是完成大学第一次软硬件的综合实验，以前的学习总是要么电路要么高级语言，二者分离，对硬件和软件的理解总是受限在一定层次。

一、实验目的1. 了解存储器的基本组成和原理；2. 掌握存储器扩容的方法和步骤；3. 熟悉存储器读写操作的过程；4. 培养动手实践能力和团队协作精神。

二、实验原理存储器是计算机系统中用于存储数据和指令的重要部件，包括只读存储器（ROM）和随机存储器（RAM）。

本实验主要针对RAM进行扩容，通过使用SRAM 6116芯片扩展AT89C51单片机的RAM存储器。

1. SRAM 6116芯片：具有8KB存储容量，采用静态存储器技术，可进行读写操作。

2. AT89C51单片机：具有8KB内部RAM，通过外部扩展可以增加存储容量。

3. 译码器：用于将AT89C51单片机的地址信号转换为SRAM 6116芯片的地址信号。

4. 读写控制信号：用于控制存储器的读写操作。

三、实验仪器与设备1. 实验平台：AT89C51单片机实验板、SRAM 6116芯片、译码器、连接线等。

2. 仿真软件：Proteus。

四、实验步骤1. 硬件连接：将AT89C51单片机、SRAM 6116芯片、译码器等硬件连接到实验板上，确保各芯片的地址线、数据线、控制线连接正确。

2. 软件设计：使用Proteus软件对实验电路进行仿真，编写程序实现对SRAM6116芯片的读写操作。

3. 编写程序：（1）初始化AT89C51单片机，设置波特率、中断等参数。

（2）编写SRAM 6116芯片的读写函数，实现数据的读写操作。

（3）编写主程序，通过AT89C51单片机向SRAM 6116芯片写入数据，然后读取数据，验证存储器扩容是否成功。

4. 仿真实验：在Proteus软件中运行程序，观察实验结果，分析存储器读写操作的正确性。

五、实验结果与分析1. 实验结果：通过仿真实验，成功实现了AT89C51单片机对SRAM 6116芯片的读写操作，验证了存储器扩容的正确性。

2. 分析：（1）通过使用SRAM 6116芯片扩展AT89C51单片机的RAM存储器，成功将存储容量扩展至8KB。