LED芯片制程工艺

LED倒装制程介绍LED倒装制程（Flip Chip Process）是一种将LED芯片倒装在基底上的制程技术，可用于生产高亮度、高可靠性和高性能的LED芯片。

这种制程技术最早是为了满足高可靠性和高亮度LED应用的需求而开发的，随着技术的不断进步，现在已广泛应用于各种LED芯片制造过程中。

在传统的LED封装制程中，芯片是面向基底发光的，而在LED倒装制程中，芯片被倒装到基底上，面向封装外部。

这种倒装的设计能够有效提高LED的性能和可靠性，主要有以下几个优点：1.热耦合效应：由于芯片底部直接与封装基底接触，LED倒装制程可以提供更好的热耦合效应。

芯片产生的热量能够更快、更有效地传导到基底上，避免了芯片因长时间高温工作而导致的性能下降和寿命缩短问题。

2.更高的亮度和更好的颜色一致性：倒装制程能够提供更均匀的电流分布，减小了电流密度差异对亮度和颜色一致性的影响。

此外，倒装制程还可以提供更大的电流承受能力，使得LED芯片在高亮度工作时能够保持较好的亮度和颜色一致性。

3.提高了封装的可靠性：倒装芯片直接与封装基底相连，不需要通过金线进行连线，减少了因金线断裂而导致的电连接故障。

同时，倒装制程还可以提供更大的焊接面积，提高焊接接触面的可靠性。

1.基底准备：首先需要准备好封装基底，通常使用金属或陶瓷作为基底材料。

基底上需要刻蚀出与LED芯片尺寸相对应的凹槽，用于倒装芯片。

2.倒装芯片：将LED芯片倒装到基底的凹槽中，并使用适量的导热胶进行固定。

芯片与基底之间需要使用导电胶进行电连接。

3.焊接：将倒装芯片和基底进行焊接，通常使用热压焊或电压焊的方式。

焊接过程中需要保持适当的温度和压力，确保焊接的可靠性和稳定性。

4.后续工艺：完成焊接后，需要进行一系列的后续工艺，如清洗、封装、测试等。

这些工艺步骤是为了确保LED倒装产品的质量和性能。

LED倒装制程是一种高度精密的制程技术，要求制程设备和工艺能够提供高度的精确性和可重复性。

Mini LED晶圆的制程包括以下步骤：
硅提炼及提纯：这是Mini LED晶圆制程的第一步。

将沙石原料放入一个温度超过两千摄氏度的并有碳源的电弧熔炉中，在高温下发生还原反应得到冶金级硅。

然后将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢反应，生成液态的硅烷，再通过蒸馏和化学还原工艺，得到高纯度的多晶硅。

单晶硅生长：这是Mini LED晶圆制程的关键步骤，采用的是直拉法。

高纯度的多晶硅放在石英坩埚中，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，温度维持在大约一千多摄氏度。

炉中的空气通常是惰性气体，使多晶硅熔化，同时又不会产生不需要的化学反应。

为了形成单晶硅，还需要控制晶体的方向，坩埚带着多晶硅熔化物在旋转，把一颗籽晶浸入其中，并且由拉制棒带着籽晶作反方向旋转，同时慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。

熔化的多晶硅会粘在籽晶的底端，按籽晶晶格排列的方向不断地生长。

晶圆制备：晶圆通常由蓝宝石材料制成，通过化学气相沉积技术进行制备。

在制备过程中，要控制好温度、气体流量等参数，以获得高质量的晶圆。

晶圆切割：制备好的晶圆需要进行切割，使之得到适当的尺寸。

切割时需要使用特殊的切割工具，通过精密切割技术来获得Mini LED晶片。

制备光电极：在这一步骤中，常常采用特殊的化学制程，通过在Mini LED晶片上形成多层薄膜结构来完成。

mini led晶圆制程摘要：I.前言- 简要介绍mini LED晶圆制程的背景和重要性II.mini LED晶圆制程的概述- 什么是mini LED晶圆制程- mini LED晶圆制程的流程和步骤III.mini LED晶圆制程的关键技术- 介绍mini LED晶圆制程中的关键技术，如芯片设计、制造工艺等IV.mini LED晶圆制程的发展现状和前景- 分析当前mini LED晶圆制程的发展现状- 探讨mini LED晶圆制程的未来发展趋势和前景正文：I.前言随着显示技术的不断发展，mini LED晶圆制程技术逐渐成为人们关注的焦点。

作为一种新兴的显示技术，mini LED晶圆制程不仅可以提供更好的显示效果，还能够实现更低的能耗和更长的使用寿命。

因此，对mini LED晶圆制程的研究和开发具有重要的意义。

II.mini LED晶圆制程的概述mini LED晶圆制程是一种先进的显示技术，它通过在晶圆上制作大量微小的LED灯珠，形成一个阵列，从而实现图像的显示。

与传统LED显示技术相比，mini LED晶圆制程具有更高的分辨率、更快的响应速度和更低的能耗。

mini LED晶圆制程的流程和步骤主要包括：芯片设计、制造工艺、封装和测试等。

其中，芯片设计是关键，需要根据显示需求进行合理的布局和设计；制造工艺则需要通过一系列的工艺步骤，将设计好的芯片制作成实际的晶圆；封装和测试则是为了保证产品的质量和性能。

III.mini LED晶圆制程的关键技术在mini LED晶圆制程中，有很多关键技术，如芯片设计、制造工艺、封装技术等。

其中，芯片设计是关键中的关键，需要根据显示需求进行合理的布局和设计。

此外，制造工艺也是非常重要的一个环节，需要通过一系列的工艺步骤，将设计好的芯片制作成实际的晶圆。

最后，封装技术则是为了保证产品的质量和性能，需要将制作好的晶圆进行封装和测试。

IV.mini LED晶圆制程的发展现状和前景目前，mini LED晶圆制程技术已经取得了很大的进展，很多企业已经开始大量生产mini LED晶圆。

Micro LED COG常规制程1. 引言Micro LED是一种新兴的显示技术，具有高亮度、高对比度、超薄、低功耗等特点。

而COG（Chip-on-Glass）常规制程是一种常用的Micro LED制程方法。

本文将详细介绍Micro LED COG常规制程的工艺流程、关键步骤和优势。

2. 工艺流程Micro LED COG常规制程的工艺流程主要包括以下几个步骤：2.1. 衬底准备首先，需要准备一块透明玻璃衬底，作为Micro LED的基底。

衬底表面需要进行清洗和平整处理，以确保后续工艺的顺利进行。

2.2. 图案制作接下来，使用光刻技术在衬底上制作出Micro LED的图案。

光刻技术是一种将光线通过掩模进行投影，形成所需图案的方法。

通过光刻技术可以实现高精度的图案制作。

2.3. 光刻胶涂覆在图案制作完成后，需要将光刻胶涂覆在衬底上。

光刻胶是一种光敏感的材料，可以通过光刻曝光形成所需图案。

光刻胶的涂覆应该均匀且厚度适中，以保证后续步骤的正常进行。

2.4. 光刻曝光在光刻胶涂覆完成后，需要进行光刻曝光。

将掩模与衬底进行对位，然后通过曝光机将光刻胶上的图案进行曝光。

曝光后，光刻胶会发生化学反应，形成所需的图案。

2.5. 背面薄化完成光刻曝光后，需要对衬底进行背面薄化处理。

通过薄化，可以减少衬底的厚度，使Micro LED显示屏更加轻薄。

背面薄化可以使用化学腐蚀、机械抛光等方法进行。

2.6. 背面金属化背面薄化完成后，需要对背面进行金属化处理。

金属化可以提高背面的导电性，以便后续的电路连接。

常用的金属化方法包括真空蒸镀、溅射等。

2.7. 颗粒分选接下来，需要对Micro LED颗粒进行分选。

将制作好的Micro LED颗粒进行测试，筛选出亮度、颜色等参数符合要求的颗粒。

分选可以使用显微镜、光电测试仪等设备进行。

2.8. 粘合完成颗粒分选后，需要将Micro LED颗粒粘合到衬底上。

粘合可以使用粘合剂或者微压技术进行。

Si衬底LED芯片制造和封装技术引言1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来，LED制造技术的发展令人瞩目。

目前国际上商品化的GaN基LED均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。

但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原因，对后期器件加工和应用带来很多不便，SiC同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势因此Si衬底GaN基LED制造技术受到业界的普遍关注。

目前日本日亚公司垄断了蓝宝石衬底上GaN基LED专利技术，美国CREE公司垄断了SiC衬底上GaN基LED专利技术。

因此，研发其他衬底上的GaN基LED生产技术成为国际上的一个热点。

1Si衬底LED芯片制造1.1技术路线在si衬底上生长GaN，制作LED蓝光芯片。

工艺流程：在si衬底上生长AlN缓冲层一生长n型GaN-生长InGaN多量子阱发光层-生长P型AlGaN层-生长p型GaN层-键合带Ag反光层并形成p型欧姆接触电极一剥离衬底并去除缓冲层一制作n型掺si层的欧姆接触电极一合金―钝化一划片一测试一包装。

1.2主要制造工艺si衬底GaN基LED芯片结构图见图1。

图1si 衬底GaN 基LED 芯片结构图从结构图中看出，si 衬底芯片为倒装薄膜结构，从下至上依次为背面Au 电极、si 基板、粘接金属、金属反射镜(P 欧姆电极)GaN 外延层、粗化表面和Au 电极。

这种结构芯片电流垂直分布，衬底热导率高，可靠性高；发光层背面为金属反射镜，表面有粗化结构，取光效率高。

1.3关键技术及创新性用Si 作GaN 发光二极管衬底，虽然使LED 的制造成本大大降低，也解决了专利垄断问题，然而与蓝宝石和SiC 相比，在Si 衬底上生长GaN 更为困难，因为这两者之间的热失配和晶格失配更大，si 与GaN 的热膨胀系数差别也将导致GaN 膜出现龟裂，晶格常数差会在GaN 外延层中造成高的位错密度；另外si 衬底LED 还可能因为si 与GaN 之问有0.5v 的异质势垒而使开启电压升高以及晶体完整性差造成P 型掺杂效率低，导致串联电阻增大，还有si 吸收可见光会降低LED 的外量子效率。

led芯片工艺流程LED芯片是一种发光二极管，其制造工艺流程主要包括：晶圆生长、蚀刻、沉积、蒸镀、微细加工、金属化、封装等多个步骤。

以下将详细介绍这些步骤。

首先是晶圆生长。

这一步骤是将纯净的原始材料，如金刚石、蓝宝石等，通过一系列物理和化学处理，制成单晶片。

其中较为常用的是金刚石衬底法和蓝宝石衬底法，通过液相生长、气相生长等方法将晶圆从无纹理的底材上生长出来。

接下来是蚀刻。

这一步骤是为了将生长出来的晶圆以所需形状分割出来。

常用的方法有湿法蚀刻和干法蚀刻，通过加入化学溶液或者加热蚀刻剂来分割晶圆。

然后是沉积。

这一步骤是为了在晶圆表面形成一层薄膜，用以增加LED的电路连接性能或者实现颜色转换。

常见的方法有化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)等。

通过在恒温、恒压、预定气氛等条件下，使得薄膜在晶圆表面沉积，形成所需的结构。

接着是蒸镀。

这一步骤是为了在晶圆上形成LED结构的关键层次，如n型电极、p型电极等。

常见的方法有物理蒸镀、电子束蒸镀等，通过在真空环境下，使得源材料在加热情况下挥发，沉积在晶圆上形成薄膜。

接下来是微细加工。

这一步骤是为了形成LED芯片的结构形状和尺寸。

常见的方法有光罩照明曝光、光刻制程等。

通过在晶圆上涂覆光敏胶，利用光罩上的图案进行曝光和显影，形成所需的结构。

然后是金属化。

这一步骤是为了增加LED芯片的电路连接性能。

常见的方法有金属蒸镀、金属化学气相沉积等。

将金属材料沉积在芯片上，形成导线等电路结构。

最后是封装。

这一步骤是将制作好的芯片进行保护和封装，以提高稳定性和可靠性。

常见的方法有环氧封装、硅胶封装等。

通过包裹芯片和引出电极，防止外部环境对芯片的影响。

总结起来，LED芯片的制造工艺流程主要包括晶圆生长、蚀刻、沉积、蒸镀、微细加工、金属化、封装等多个步骤。

每个步骤都需要精确的设备和工艺条件，以确保芯片的质量和性能。

随着技术的进步，LED芯片的工艺流程也在不断完善，以满足日益增长的市场需求和应用需求。

LED生产流程LED芯片的制造工艺流程外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石和、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。

目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。

MOCVD介绍：金属有机物化学气相淀积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD）， 1968年由美国洛克威尔公司提出来的一项制备化合物半导体单品薄膜的新技术。

该设备集精密机械、半导体材料、真空电子、流体力学、光学、化学、计算机多学科为一体，是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电子专用设备，主要用于GaN（氮化镓）系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯片的制造，也是光电子行业最有发展前途的专用设备之一。

LED芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。

其实外延片的生产制作过程是非常复杂的，在展完外延片后，下一步就开始对LED外延片做电极（P极，N极），接着就开始用激光机切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用钻石刀），制造成芯片后，在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，如图所示：1、主要对电压、波长、亮度进行测试，能符合正常出货标准参数的晶圆片再继续做下一步的操作，如果这九点测试不符合相关要求的晶圆片，就放在一边另外处理。

2、晶圆切割成芯片后，100%的目检（VI/VC），操作者要使用放大30倍数的显微镜下进行目测。

3、接着使用全自动分类机根据不同的电压，波长，亮度的预测参数对芯片进行全自动化挑选、测试和分类。

4、最后对LED芯片进行检查（VC）和贴标签。

LED芯片制程介绍LED（Light Emitting Diode）即发光二极管，是一种利用固体半导体材料发生辐射而产生光的半导体器件。

LED芯片制程指的是制造LED芯片所经历的工艺流程和步骤。

一、材料准备LED芯片制程的第一步是准备半导体材料。

通常使用的半导体材料是氮化镓（GaN）和化合物半导体材料，如AlGaInP和AlInGaP等。

这些材料具有较高的载流子迁移率和较高的能隙，可以提高LED芯片的效率。

二、晶圆制备晶圆是制造LED芯片的基板，其上面生长了多个薄膜层。

晶圆通常由蓝宝石、硅碳化物或蓝宝石上覆盖硅衬底制成。

制备晶圆的关键步骤包括抛光、清洗和薄膜生长。

三、薄膜生长薄膜生长是LED芯片制程的重要环节。

常用的薄膜生长方法有金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）和气相外延（VPE）等。

这些方法通过在晶圆上沉积一层层的半导体材料来构建LED元件的结构。

四、掺杂掺杂是LED芯片制程中实现n型和p型区域的关键步骤。

通过使用杂质元素（如锌、镓和硅等）将n型或p型材料掺杂进半导体晶体中，可以改变半导体的导电性质。

掺杂一般通过离子注入、热扩散或金属有机化学气相沉积等方法实现。

五、制备电极和金属层制备电极和金属层是为LED芯片提供电流和保护的步骤。

通过在芯片上部署金属电极，可以为LED提供电流输入和输出。

常用的电极材料有金、银和铝等。

此外，还要在芯片上添加金属层用于保护和反射光。

六、切割晶圆在制程的最后阶段，需要将生长好的晶圆切割成多个独立的LED芯片。

可采用切割锯或激光脉冲来实现。

切割晶圆可以根据需要得到各种尺寸和形状的LED芯片。

七、测试和分选最后，需要对切割好的LED芯片进行测试和分选。

测试可以通过电流-电压特性、发光亮度和颜色参数等来确保芯片的性能。

而分选则是根据测试结果将芯片分成不同的亮度等级和颜色等级。

总结：LED芯片制程经历了材料准备、晶圆制备、薄膜生长、掺杂、制备电极和金属层、切割晶圆以及测试和分选等多个步骤。

SMD贴片LED的生产流程1.草图设计和原料准备：首先，根据客户需求，设计人员会根据LED产品的功能、尺寸和颜色等要求进行草图设计。

然后，根据设计图纸，准备生产所需的原料，包括LED芯片、LED封装材料、半导体材料等。

2.光刻制程：首先，将原料进行光刻处理，通过涂覆光刻胶在光刻掩模上，然后将掩膜与LED芯片进行对位，曝光和显影处理，形成光刻图案。

3.原片分割：接下来，使用高精度切割机对光刻图案进行分割，将芯片切割成小的矩形片。

4.金属化处理：对芯片进行金属化处理，涂覆金属还原剂并通过烘烤使其完全的干燥，将金属电极层形成在芯片上。

5.丝网印刷：在上述步骤中制作的LED芯片中，使用丝网印刷技术在其表面印刷LED封装材料，形成LED灯泡的外部外壳。

6.自动化包装：接下来，通过自动化设备将刚制作好的LED芯片进行自动粘合和焊接到PCB（Printed Circuit Board）上。

在这个过程中，LED芯片和PCB通过锡膏相连接，通过回流焊接设备来完成焊接过程。

7.质量检查：焊接完成后，需要对贴片LED进行质量检查。

这包括检查焊接质量、外观质量、颜色均匀度等。

对于不合格的产品，需要重新加工或修复。

8.驱动电路和灯光效果测试：将贴片LED与驱动电路相连，以确保正常工作。

通过灯光效果测试来判断是否满足预期的亮度、颜色和光强度等要求。

9.产品包装和存储：合格的贴片LED产品进行最终的包装和标识，以便存储和运输。

包装一般包括静电袋、塑料盒等，以保护产品的品质。

10.成品存储和出货：最后，将包装好的贴片LED产品存储在适宜的温度和湿度条件下，以确保产品质量。

然后按照客户订单进行发货，以完成整个生产流程。

总结：SMD贴片LED的生产流程主要包括草图设计和原料准备、光刻制程、原片分割、金属化处理、丝网印刷、自动化包装、质量检查、驱动电路和灯光测试、产品包装和存储以及成品存储和出货等步骤。

这些步骤的顺序和精度都对最终产品的质量和稳定性有着重要的影响。

LED倒装工艺流程分析LED（Light Emitting Diode）倒装工艺是指在LED芯片的背面倒装贴合导热基板的一种制造工艺。

倒装工艺可以提高LED芯片的散热性能，使LED灯具具有更高的光效和寿命。

以下是LED倒装工艺的主要流程：1.材料准备：LED芯片、导热胶、导热基板等材料需要提前准备好。

2.芯片背面处理：LED芯片需要经过清洗、磨砂和去膜等处理，以确保背面的平整和清洁度，以利于倒装和导热。

3.倒装机操作：将预先涂有导热胶的导热基板置于倒装机的工作台上，并进行定位。

然后将处理过的LED芯片背面面朝上放置在基板的对应位置上。

4.压力和温度控制：倒装机会施加适当的压力将LED芯片和导热胶贴合到导热基板上，并通过加热使导热胶固化。

压力和温度的控制非常重要，过高的压力或温度都可能会导致芯片损坏或背面不平整。

5.质量检验：完成倒装后的LED芯片需要进行质量检验，主要包括外观检查、电性能测试和光性能测试等。

确保倒装后的LED芯片符合规定的质量要求。

6.终检包装：合格的倒装LED芯片会进行终检，并进行包装，以保护芯片不受损。

通常采用塑料垫片和防静电袋的包装方式。

以上是LED倒装工艺的主要流程。

根据实际情况，还可以根据需要添加或调整工艺步骤。

1.散热性能好：倒装后LED芯片可以直接与导热基板接触，通过导热胶的导热性能，有效地提高LED芯片的散热性能，延长LED灯具的使用寿命。

2.光效提升：通过倒装工艺，LED芯片的背面可以减少不被光线利用的误差，光效可以得到进一步提升。

3.安装方便：倒装工艺可以减少LED灯具的体积，使其更易于安装在各种灯具内。

4.可靠性高：倒装工艺可以增加LED灯具的可靠性，减少芯片与基板之间的电连接线路的损坏和断电等问题。

然而，LED倒装工艺也存在一定的缺点，比如制程复杂、成本较高等问题。

因此，在实际应用中，需要根据实际需求和预算进行选择。

总而言之，LED倒装工艺是一种具有良好散热性能和高光效的制造工艺。

LED芯片制程资料LED（Light Emitting Diode）是一种半导体材料制成的光源，由于其高效、低能耗、长寿命等特点，在照明、电子显示、通讯等领域得到广泛应用。

而LED芯片则是LED光源的核心，是LED从圆片到最终产品的重要组成部分。

本文将介绍LED芯片制程资料，包括材料、工艺流程、设备和质量控制等方面。

一、LED芯片制程材料1.1 光化学腐蚀剂光化学腐蚀剂是LED制程中不可或缺的化学物质，主要用于去除铝、铜、金属氧化物等杂质，从而提高基片的质量，增加光电转换效率。

常用的光化学腐蚀剂有氢氟酸、磷酸、一氧化氮等。

1.2 发光材料发光材料是LED芯片的关键部件，其主要作用是将电能转化成光能。

目前常用的发光材料包括氮化镓（GaN）、硅化锗（SiGe）等半导体材料，其中GaN是最常用的材料之一，因其能够提供高发光效率和长寿命等优点，逐渐成为LED制造业的主流。

1.3 输变电材料输变电材料是将电能输送到LED芯片的介质，主要包括金属线、铜银合金等导电材料和金属基板等散热材料。

这些材料必须具有良好的导电和散热性能，以确保LED芯片的正常工作。

二、LED芯片制程工艺流程LED芯片制程包括原材料准备、基片清洗、晶体生长、芯片制造、打片、电极制造、封装等环节。

2.1 基片清洗为了保证LED芯片的品质，必须先将基片进行清洗，去除表面的污垢和杂质。

清洗过程包括去除油污、酸洗、去胶等，以确保基片表面光滑均匀，有利于晶体生长和芯片制造。

2.2 晶体生长在准备好的基片上，逐渐生长出半导体材料晶体。

这一过程包括衬底降温、沉积物初始附着、稳态生长等步骤。

通过这个步骤可以为LED芯片提供高质量的基板。

2.3 芯片制造在基片上生长晶体后，通过化学腐蚀和打印等工艺制作出各种形状的LED芯片。

2.4 电极制造在LED芯片上制作正、负电极，连接到芯片中心对应的区域。

电极制造的材料和工艺对LED芯片发光效率及稳定性有很大影响，需要进行精细的调整。

LED灯生产工艺流程LED灯生产工艺流程第一部分：LED制造流程概述LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长；中游的芯片、电极制作、切割和测试分选；下游的产品封装。

上游包括单晶棒（砷化镓、磷化镓）单晶片衬底在衬底上生长外延层外延片。

成品为单晶片和外延片。

中游制程包括金属蒸镀光罩腐蚀热处理（正负电极制作）、切割测试分选。

成品为芯片。

下游封装包括固晶焊线树脂封装切脚测试分选。

成品为LED灯珠、LED贴片和组件。

第二部分：LED芯片生产工艺LED照明能够应用到高亮度领域归功于LED芯片生产技术的不断提高，包括单颗晶片的功率和亮度的提高。

LED上游生产技术是LED行业的核心技术，目前在该技术领先的国家主要有日本、美国、韩国和我国台湾。

我国大陆在LED上游生产技术的发展比较靠后。

下图为上游外延片的微结构示意图，包括正极、P型GaN、P型AlGaN、InGaN量子阱（well）、N型InGaN负极、N型AlGaN、N型GaN、P型GaN、GaN缓冲层（buffer）和蓝宝石衬底（subatrate）。

生产出高亮度LED芯片一直是世界各国全力投入研制的目标，也是LED发展的方向。

目前，利用大功率芯片生产出来的白光1WLED流明值已经达到150lm之高。

LED上游技术的发展将使LED灯具的生产成本越来越低，更显LED照明的优势。

以下以蓝光LED为例介绍其外延片生产工艺如下：首先在衬底上制作氮化鎵(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。

准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。

常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，以及GaAs、AlN、ZnO等材料。

MOCVD利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，从而在衬底表面上沉积出所需要的外延片。

LED芯片生产工艺的不断提高，将为LED照明产业的发展提供更加稳定和高效的技术支持。