TOSHIBA光耦TLP系列的部分光耦的应用

东芝的高速光耦可能是全世界最齐全的一条产品线了。

300K的光耦主要是6N138和6N139。

1M的光耦主要有6N135和6N136。

不过无锡海明威电子研究发现按照现在的光耦技术水平来说，1M的光耦已经不能称之为高速光耦了。

东芝现在的高速光耦以5M的产品最为丰富，当然其中包括正相输出和反相输出。

这其中最具代表性的就是TLP105和TLP108，一正一反，速度都是5M，封装也一模一样为MFSOP6。

然而再往上，似乎都是反转逻辑（反相）输出的天下了。

TLP116A和TLP118都是20M 的速度。

TLP117的速度最高，达到50M。

不过就目前看来这个速度也是全世界最高的速度了。

上次有朋友问我100M的光耦有吗？我笑笑告诉他，恐怕还在研发中。

当然有一颗光耦TLP109我们不能忽略它，这颗光耦在变频器中的应用很广泛，速度1M。

以上的光耦以6脚封装居多，当然东芝也还有许多8脚封装的光耦，速度10M，15M都有。

不过由于8脚封装的光耦用的人不多，整个市场不是很大，东芝的成本始终降不下来。

PS8101 TLP112A TLP109
PS8101，TLP112A 是采用5pin SOP封装的高速光耦合器，速率达到1 Mbps。

PS8101由Renesas生产，TLP112A和TLP109由Toshiba生产。

采用SOP封装具有较强的隔离能力，BV = 3 750 Vr.m.s.
他们允许在-0.5~15或-0.5~35V的电源电压Vcc下进行工作，并且ICCH<1uA
可提供-0.5~15或-0.5~35V的输出电压Vo,
低电平时的Vol< 0.4V
信号延迟时间tpHL/tpLH<0.8us
电流传输比CTR的范围为15%-35%
基本工作原理
其pin 6接VCC，主要为内部的光
敏二极管提供电压，当光敏二极管
受到IF驱动LED发出的红外线时，
光敏二极管产生光电流，提供给三
极管的Base级，使其导通。

当IF=L，光耦处于关闭状态，输出
VO=VCC-I*RL = H
当IF=H，光耦处于开启状态，输出
VO为PIN 5 和PIN 4间的管压降
VOL<0.4 V= L
基于其高的传输速率，和SOP的小体积封装，他们广泛应用在各类产品中，比如：电源，开关电源，逆变器，工业控制器的I / O接口，工业通信，高速A / D和D / A转换器，交流电动机驱动，可编程控制器，IPM驱动。

应用实例
在RS-485的接口电路中，为了防止上位机和下位机的之间互相的干扰，采用光电隔离器件是一种简单而有效的方法。

TLP265J，TLP266J 小贴片SOP封装双向可控硅输出光耦
关键词：双向可控硅输出光耦，SOP封装双向可控硅输出光耦
TLP265J，TLP266J是东芝新推出的2款4pin SO6封装的双向可控硅输出光耦，它们的耐压能力能达到600V，它旨在取代以前采用4pin MFSOP6封装的TLP260J和TLP261J，因为MFSOP6封装的爬电距离较小，使其的隔离电压只能达到BV S=3000 Vrms，这使得东芝的这系列产品在与竞争对手的产品对比中处于劣势，因为目前SOP封装的光耦隔离电压普遍能达到BV S=3750 Vrms。

而东芝新推出的TLP265J，TLP266J也能达到这个隔离能力。

其中TLP265J是任意相位触发形式的双向可控硅输出光耦，而TLP266J则是为过零触发型的双向可控硅输出光耦。

TLP265J TLP266J
SO6封装的隔离能力相比有所上升，但却丝毫不用担心占用体积会上升，SO6与MFSOP6的脚位完全兼容，并且比它还薄0.4mm。

这些双向可控硅输出光耦可广泛应用于各类电机控制，调光，调速，以及PLC中，而任意相位触发和过零触发这两种也能满足各种调相、调功等方面的需求。

四通道晶体管输出光耦TLP521-4，LTV-847，PS2501-4
关键词：集体管输出光耦，4通道光耦
TLP521-4，LTV-847，PS2501-4均是4通道晶体管输出光耦，每个通道各自独立，因此相当于4颗普通的晶体管输出光耦，比如TLP521、PC817等等。

基于其多通道因此主要用在一些工控板，驱动板上以及PLC的I/O接口的隔离上。

优点：
这几款光耦的优点无疑就是其四通道集成封装，这对于一些多通道隔离方面的应用上是非常合适的，甚至可以从装配上相对单通道光耦能提升4倍的安装时间以及降低人工成本。

我们可以看到，下面是采用TLP521进行隔离的步进电机驱动板，需要用户到4颗TLP521，在设计时需要为各个光耦之间保留一定的间隙方便材料上板，并且需要安装4次，如果采用四通道光耦，就没必要预留间隙，从而减少PCB使用面积，并且只要安装一次就好，尤其对于工厂批量上生产来说是非常有利的。

这几款光耦从参数上来看是可以相互替换的，价格方面台系的会比较便宜，如果要从综合性价比上考虑，从下表我们可以看到ISOCOM的TLP521-4是性价比最高的。

型号TLP521-4(ISO) TLP521-4(东芝) LTV-847 PS2501-4
厂商ISOCOM Toshiba LITEON Renesas
价格（RMB） 1.60 (特价) 2.95 1.10 2.65。

TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired & Photo−TransistorTLP620, TLP620−2, TLP620−4Programmable ControllersAC / DC−Input ModuleTelecommunicationThe TOSHIBA TLP620, −2 and −4 consists of a photo−transistoroptically coupled to two gallium arsenide infrared emitting diodeconnected in inverse parallel.The TLP620−2 offers two isolated channels in an eight lead plastic DIP,while the TLP620−4 provides four isolated channels in a sixteen plasticDIP.· Collector−emitter voltage: 55V (min.)· Current transfer ratio: 50% (min.)Rank GB: 100% (min.)Pin Configurations (top view)TLP6201 2431 : ANODECATHODE2 : CATHODEANODE3 : EMITTER4 : COLLECTOR1, 3 : ANODECATHODE2, 4 : CATHODEANODE5, 7 : EMITTER6, 8 : COLLECTOR234561, 3, 5, 7 : ANODE, CATHODE2, 4, 6, 8 : CATHODE, ANODE9, 11, 13, 15 :EMITTER10, 12, 14, 16 : COLLECTORTOSHIBA 11−5B2Weight: 0.26 gTOSHIBA 11−10C4Weight: 0.54 gTOSHIBA 11−20A3Weight: 1.1 gUnit in mmMade In Japan Made In Thailand UL recognized E67349 *1E 152349 *1BSI approved7426, 7427*27426, 7427*2*1 UL 1577*2 BS EN60065: 1994, BS EN60950: 1992· Isolation voltage: 5000V rms (min.)· Option (D4) typeVDE approved: DIN VDE0884 / 06.92, certificate no. 68384 Maximum operating insulation voltage: 890V PK Highest permissible over voltage: 8000V PK(Note) When a VDE0884 approved type is needed,please designate the “Option(D4)”.· Creepage distance: 6.4mm (min.)Clearance: 6.4mm (min.)Insulation thickness: 0.4mm (min.)Maximum Ratings (Ta = 25°C)RatingCharacteristic SymbolTLP620TLP620-2 TLP620-4UnitForward current I F (RMS) 60 50 mAForward current derating ∆I F / °C -0.7 (Ta ≥ 39°C)-0.5 (Ta ≥ 25°C)mA / °CPulse forward current I FP 1 (100µs pulse, 100pps) APower dissipation (1 circuit) P D 100 70 mW Power dissipation derating ∆P D / °C-1.0-0.7 mW / °CL E DJunction temperature T j125 °CCollector -emitter voltage V CEO 55 VEmitter -collector voltage V ECO 7 VCollector currentI C 50 mA Collector power dissipation (1 circuit)P C 150 100 mW Collector power dissipation derating (1 circuit) (Ta ≥ 25°C) ∆P C / °C-1.5-1.0 mW / °CD e t e c t o rJunction temperature T j 125 °CStorage temperature range T stg -55~125 °COperating temperature range T opr-55~100 °CLead soldering temperature T sold 260 (10s) °C Total package power dissipation P T 250 150 mW Total package power dissipation derating (Ta ≥ 25°C, 1 circuit) ∆P T / °C-2.5-1.5 mW / °CIsolation voltageBV S 5000 (AC, 1 min., RH ≤ 60%)V rmsRecommended Operating ConditionsCharacteristic Symbol Min.Typ.Max.UnitSupply voltage V CC ― 5 24 V Forward current I F (RMS) ― 16 20 mA Collector current IC ― 110 mAOperating temperatureT opr-25― 85 °CIndividual Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitForward voltage V F I F = ±10mA 1.01.151.3 VFoward currentI FV F = ±0.7V ― 2.5 20 µA L E DCapacitance C T V = 0, f = 1MHz ― 60 ― pF Collector -emitterbreakdown voltage V (BR) CEO I C = 0.5mA55―― VEmitter -collector breakdown voltage V (BR) ECOI E = 0.1mA 7 ― ― V V CE = 24V―10100nACollector dark current I CEO V CE = 24V, Ta = 85°C ― 2 50 µA D e t e c t o rCapacitance(collector to emitter)C CEV CE = 0, f = 1MHz―10― pFCoupled Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition MIn. Typ. Max.Unit50 ― 600Current transfer ratioI C / I FI F = ±5mA, V CE = 5V Rank GB100― 600%― 60 ― Saturated CTRI C / I F (sat)IF = ±1mA, V CE = 0.4V Rank GB30 ――%I C = 2.4mA, I F = ±8mA―― 0.4― 0.2 ― Collector -emitter saturation voltageV CE (sat)I C = 0.2 mA, I F = ±1 mA Rank GB― ― 0.4 VOff -state collector current I C (off) V F = ± 0.7V, V CE = 24V ― 110 µACTR symmetryI C (ratio)I C (I F = -5mA) / I C (I F = +5mA)0.331 3 ―Isolation Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitCapacitance input tooutputC S V S = 0, f = 1MHz ― 0.8 ― pF Isolation resistanceR SV S = 500V 1×1012 1014 ― Ω AC, 1 minute5000 ― ― AC, 1 second, in oil ― 10000 ― V rms Isolation voltageBV SDC, 1 minute, in oil―10000―V dcSwitching Characteristics (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max.UnitRise time tr ― 2 ―Fall time t f ― 3 ― Turn -on time t on ― 3 ― Turn -off time t off V CC = 10V I C = 2mA R L = 100Ω― 3 ― µsTurn -on time t ON ― 2 ― Storage time t s ―15―Turn -off timet OFFR L = 1.9k Ω (Fig.1)V CC = 5V, I F = ±16mA ― 25 ―µsFig. 1 Switching time test circuitI FV CCV CECCTLP620-2 TLP620-4 I F – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e f o r w a r d c u r r e n t I F (R M S ) (m A )100-2060400 20 40 60 80 100 8020120TLP620 P C – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e c o l l e c t o r p o w e r d i s s i p a t i o n P C (m W )240-20 4016060100120080200120204080TLP620-2 TLP620-4 P C – TaAmbient temperature Ta (°C)A l l o w a b l e c o l l e c t o r p o w e r d i s s i p a t i o n P C (m W )1200-20400 40 10080602020 60 80 100 120TLP620 I FP – D RDuty cycle ratio D R A l l o w a b l e p u l s e f o r w a r d c u r r e n t I F P (m A )1 310311 3 3TLP620-2 TLP620-4 I FP – D RDuty cycle ratio D RA l l o w a b l e p u l s e f o r w a r d c u r r e n t I FP (m A )111 310 310 3100103TLP620 I F – TaAmbient temperature Ta (°C) A l l o w a b l e f o r w a r d c u r r e n t I F (R M S ) (m A )0-208040200 20 40 60 8010060100120∆V F / ∆Ta – I FForward current I F (mA)F o r w a r d v o l t a g e t e m p e r a t u r e c o e f f i c i e n t ∆V F / ∆T a (m V/ °C ) 1-2.8-2.4-2.0-1.6-1.2-0.8-0.40.10.331030I D – T aAmbient temperature Ta (°C)C o l l e c t o r d a r k c u r r e n t ID (µA )4080120160101010-10-10-10-I FP – V FPPulse forward voltage V FP (V)P u l s e f o r w a r d c u r r e n t I F P (m A )1100.40.81.21.6 2.01 2.4C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )I C – V CECollector-emitter voltage V CE (V)C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )24610I F – V FForward voltage V F (V) F o r w a r d c u r r e n tI F (m A )110.0.40.60.81.01.21.41.6I C – V CECollector-emitter voltage V CE(V)1100.40.61.4V F – I FForward voltage V F (V)F o r w a r d v o l t a g e I F (m A )-- 20.313103010011I C / I F – I FForward current I F (mA)C u r r e n t t r a n s f e r r a t i o I C / I F (%)I C – V FForward voltage V F (V)C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )110.0.0I C – I FForward current I F (mA) C o l l e c t o r c u r r e n t I C (m A )110.I C – TaAmbient temperature Ta (°C)110. C o l l e c t o r c u r r e n t I C (mA )1111R L – Switching TimeLoad resistance R L (k Ω)S w i t c h i n g t i m e (µs )V CE (sat) – TaAmbient temperature Ta (°C)C o l l e c t o r -e m i t t e r s a t u r a t i on v o l t a g e V C E (s a t ) (V )2040600.10.10· TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. Also, please keep in mind the precautions and conditions set forth in the “Handling Guide for Semiconductor Devices,” or “TOSHIBA Semiconductor Reliability Handbook” etc.. · The TOSHIBA products listed in this document are intended for usage in general electronics applications (computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances, etc.). These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause loss of human life or bodily injury (“Unintended Usage”). Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments, medical instruments, all types of safety devices, etc.. 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恒信宇电子仪表电器元件器材配套：集成电路IC、二三极管、光电藕合器、可控硅、LED电源驱动IC……
TLP785/TLP781代替TLP521/TLP421/TLP621
TLP785/TLP781是东芝TOSHIBA研发的TLP521/TLP421/TLP621升级版，并将逐步取代TLP521/TLP421/TLP621的生产。

TLP181可一采用TLP185进行替代
由于使用了S06封装，TLP184 和TLP185晶体管耦合器比前一代产品要轻薄，而且能在高温下正常工作(Ta = 110度最大值)。

TLP184 和TLP185分别是TLP180 and TLP181的更新产品。

能轻易用这些产品代替现在的这些型号，因为这些产品的参考衰减器尺寸与现在的MFSOP6封装型号的尺寸是一样的。

而且，由于更轻薄，这些产品能将安装高度从先前的2.8毫米，降低到2.3毫米。

因为SO6封装能确保最小的间隙和爬电距离为5毫米，而不是现有型号MFSOP6封装中的4毫米。

所以这些产品的最大允许操作隔离电压为707 Vpk，EN60747-5-2中已明确规定过。

所以，TLP184 和TLP185能更换DIP封装区域的零件(TLP781，TLP785等)。

而且，这种产品能确保内部绝缘厚度为0.4毫米，而且属于加强绝缘种类，符合国外安全标准。

因为这些产品都达到了UL、cUL、VDE及BSI等国际认证的安全标准，所以他们非常适合AC 适配器、开关电源供电及FA设备等电子应用场合。

恒信宇Emal:jsong820@。

关键词：高速光耦，20M高速光耦，推挽输出光耦
型号库存品牌封装包装
TLP116A15000 TOSHIBA SOP-5 3K/REEL TLP11812000 TOSHIBA SOP-5 3K/REEL TLP116A是东芝的一款高速光耦，数据传输速率可达 20Mb/s，采用 5 pin SOP封装。

从下面的内部原理图可以看出，TLP116A是采用推挽式输出结构，内部两个管子的开关顺序如图所示，这样有利于提高他的传输速率。

由于采用推挽式结构，因此他具有直接对外输出电流的能力，也允许外部的电流通过输入端流向GND，由上图可以看出。

当输入端输入为L时，Tr1开启，Tr2关闭，Vo输出为H，其输出电压为电源电压减去内部压降，电流向外流出。

当输入端输入为H时，Tr1关闭，Tr2开启，此时输出端与电源被Tr1隔离，Vo输出L，如果此时Vo残存有电荷，可通过Tr2快速释放掉。

因为其具有20M的高速速率，因此他可应用在一些高速通信接口中以及测量仪器中和工厂自动化设备中。

基本参数
型号TLP116A
封装5pin SOP
触发电流 Ifhl 5mA
电源电压 Vcc 6V (max)
输出电压 Vo 6V (max)
输出电流 Io 10Ma(max)
隔离电压 BVs 3750 Vrms
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光耦的作用及工作原理
光耦（Optocoupler）是一种由光电二极管和光敏三极管（又称为光敏晶体管）组成的电子元件，主要用来隔离和传递电气信号。

其作用主要有以下几点：
1. 隔离电气信号：光耦可以将输入端和输出端电气隔离开来，从而避免输入信号对输出信号的干扰。

这种隔离可以防止高电压或高电流的信号通过光耦传递到其他电路中，以保护敏感电路免受损坏。

2. 传递信号：光耦的输入端根据外部电气信号的变化，通过光电二极管产生相应的光辐射。

光耦的输出端的光敏三极管根据接收到的光辐射，产生相应的电压或电流信号。

因此，光耦可以作为信号转换器，将电气信号转换为光信号，并再次将光信号转换为电气信号。

光耦的工作原理如下：
1. 输入端电气信号传输：输入端通过电阻或其他电路连接到光电二极管的阳极。

当输入端的电压变化时，经过连接到阳极的电阻，电流也随之变化。

这使得光电二极管的电流跟随输入信号的变化而变化。

2. 光辐射：当光电二极管产生电流时，由于光电二极管中的光敏材料，会在连接到阳极与光敏三极管基极之间产生光辐射。

3. 光敏三极管的工作：光敏三极管的基极收到光辐射后会产生
电流。

光敏三极管中的光敏材料可以放大电流信号，并将其传递到输出端。

4. 输出信号传输：输出信号可以是电压信号或电流信号，可以通过连接到光敏三极管的负载电阻或其他电路中检测和使用。

总而言之，光耦的原理是通过光电二极管将输入信号转换为光信号，并通过光敏三极管将光信号转换为输出信号，实现电气信号的隔离和传递。

光耦在电气隔离、信号转换和干扰消除等方面具有广泛的应用。

TLP521-4中文资料TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。

该TLP521－2提供了两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供了4个孤立的光耦中16引脚塑料DIP封装集电极-发射极电压： 55Ｖ（最小值）经常转移的比例： 50 ％（最小）隔离电压： 2500 Vrms （最小）图1 TLP521 TLP521-2TLP521-4 光藕内部结构图及引脚图图2 TLP521-2 光电耦合器引脚排列图Absolute Maximum Ratings 绝对最大额定值(Ta = 25℃)Characteristic 参数Symbol 符号Rating 数值Unit 单位TLP521−1TLP521−2 TLP521−4LED Forward current 正向电流IF7050mAForward current derating正向电流减率ΔIF/℃−0.93(Ta≥50℃)−0.5(Ta≥25℃)mA/℃Pulse forward current 瞬间正向脉冲电流IFP1 (100μ pulse, 100pps)AReverse voltage 反向电压VR5VJunction temperature 结温Tj125℃接收侧Collector−emitter voltage 集电极发射极电压VCEO55VEmitter−collector voltage 发射极集电极电压VECO7VCollector current 集电极电流IC50mACollector power dissipation (1 circuit) 集电极功耗PC150100mWCollector power dissipation derating (1 circuit Ta ≥ 25℃) 集电极功耗减率ΔPC/℃−1.5−1.0mW/℃Junction temperature 结温Tj125℃Storage temperature range 储存温度范围Tstg−55~125℃Operating temperature range 工作温度范围−55~100℃Lead soldering temperature 无铅焊接温度Tsol260 (10 s)℃Total package power dissipation整体功耗PT250150mWTotal package power dissipation derating (Ta≥25℃) 整体功耗减率ΔPT/℃−2.5−1.5mW/℃Isolation voltage 隔离电压BVS2500(AC,1Min 最小, R.H.≤60%)Vrms注：使用连续负载很重的情况下（如高温/电流/温度/电压和重大变化等），可能会导致本产品的可靠性下降明显甚至损坏。

TLP521-4四路光耦合一、简介TLP521是可控制的光电藕合器件，光电耦合器广泛作用在电脑终端机，可控硅系统设备，测量仪器，影印机，自动售票，家用电器，如风扇，加热器等电路之间的信号传输，使之前端与负载完全隔离，目的在于增加安全性，减小电路干扰，减化电路设计。

东芝TLP521－1，－2和－4组成的砷化镓红外发光二极管耦合到光三极管。

二、引脚图T LP521－2提供两个孤立的光耦8引脚塑料封装，而TLP521－4提供4个孤立的光耦中16引脚三、原理分析1脚：正极 2脚：负极 3脚：发射极 4脚：集电极一般系统中如上图图进行光耦设计（只标明一组，其余组均按此设计）。

光耦的输入端是一个发光二极管，加电阻是为了限制电流，不加电阻容易烧毁。

加二极管（IN4148）主要为了保护光耦。

四、输入输出介绍左图为上拉电阻，此时光敏三极管构成反相放大器，即当无输入信号时，发光二极管截止，其因无电流流过不发光，故使光敏三极管因无无光照而截止，即其集电极电流Ic=0，集电极输出TD5=VCC - Ic*R2=VCC- 0*R5=VCC，此时输出TD5为高电平（VCC）。

当有输入信号时，发光二极管因流有足够电流而发光，此时光敏三极管因有光照照而饱和导通，其R2的电压降VR5=VCC，故使其集电极对地电压=0V，此时输出TD5为低电平（≈0V）。

右图为下拉电阻，即：光敏三极管的集电极接VCC，而发射极接电阻R2，R2下端接地，即构成射极跟随器形式，由发射机输出。

此时输出相位与上1、2相反，即：当无输入信号时，发光二极管截止，其因无电流流过不发光，故使光敏三极管因无无光照而截止，即其发射极电流Ie=0，故发射极对地输出电压=0V。

当有输入信号时，发光二极管因流有足够电流而发光，此时光敏三极管因有光照照而饱和导通，其R2电压=VCC，即发射极对地电压=VCC。

TLP250功率驱动模块在IRF840 MOSFET中的应用长江大学电子与信息学院陈永军翁惠辉第719研究所综合民品室李俊杰引言功率集成电路驱动模块是微电子技术和电力电子技术相结合的产物，其基本功能是使动力和信息合一，成为机和电的关键接口。

快速电力电子器件MOSFET的出现，为斩波频率的提高创造了条件，提高斩波频率可以减少低频谐波分量，降低对滤波元器件的要求，减少了体积和重量。

采用自关断器件，省去了换流回路，又可提高斩波器的频率。

直流电动机的励磁回路和电枢回路电流的自动调节常常采用功率MOSFET。

功率MOSFET是一种多子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频特性好、热稳定性优良、驱动电路简单、驱动功率小、安全工作区宽、无二次击穿问题等显著优点。

目前，功率MOSFET的指标达到耐压600V、电流70A、工作频率100kHz的水平，在开关电源、办公设备、中小功率电机调速中得到广泛的应用，使功率变换装置实现高效率和小型化。

因为主电路电压均为高电压、大电流情况，而控制单元为弱电电路，所以它们之间必须采取光电隔离措施，以提高系统抗干扰措施，可采用带光电隔离的MOSFET驱动芯片TLP250。

光耦TLP250是一种可直接驱动小功率MOSFET和IGBT的功率型光耦，由日本东芝公司生产，其最大驱动能力达1.5A。

选用TLP250光耦既保证了功率驱动电路与PWM脉宽调制电路的可靠隔离，又具备了直接驱动MOSFET的能力，使驱动电路特别简单。

TLP250的结构及驱动电路的设计功率MOSFET驱动的难点主要体现在功率器件的特性、吸收回路和栅极驱动等方面，下面首先介绍TLP250的结构和引脚使用方法，然后分别介绍以上各项。

TLP250功率器件东芝公司的专用集成功率驱动模块TLP250包含一个GaA1As光发射二极管和一个集成光探测器，是8脚双列封装，适合于IGBT或功率MOSFET栅极驱动电路。

TLP250的管脚如图1所示。

TOSHIBA Photocoupler GaA ℓAs IRED + Photo ICTLP350FIndustrial InverterInverter for Air ConditionerIGBT/Power MOSFET Gate Drive IH(Induction Heating)The TOSHIBA TLP350F consists of a GaA ℓAs light-emitting diode and an integrated photodetector.This unit is an 8-lead DIP package.The TLP350F is suitable for gate driving IGBTs or power MOSFETs.Absolute maximum ratings and electrical characteristics are the same as TLP350technical datasheet.• Peak output current: I O = ±2.5A (max)• Guaranteed performance over temperature: −40 to 100°C • Supply current:I CC = 2 mA (max) • Power supply voltage: V CC = 15 to 30 V • Threshold input current : I FLH = 5 mA (max) • Switching time (t pLH /t pHL ) : 500 ns (max) • Common mode transient immunity: 15 kV/μs • Isolation voltage: 3750 Vrms• UL Recognized : UL1577,File No.E67349 • Option(D4)VDE Approved : DIN EN 60747-5-2Maximum Operating Insulation Voltage : 1140V PK Highest Permissible Over Voltage : 6000V PK (Note): When an EN60747-5-2 approved type is needed, Please designate “Option(D4)”• Construction mechanical ratingTruth Table Input LED Tr1 Tr2 Output H ON ON OFF H LOFF OFF ONLUnit: mmTOSHIBA 11-10C402 Weight: 0.54 g (typ.)81: NC 2: Anode 3: Cathode 4: NC 5: GND6: V O (output)7: NC 8: V CC7 6 51234A 0.1 μF bypass capacitor must be connected between pins 8 and 5. (See Note 6)2+3−V CCV OGND(Tr1)(Tr2) I CC I O I FV F8657.62mm pitch TLP350 type 10.16mm pitch TLP350F type Creepage distance ClearanceInsulation thickness6.4 mm (min) 6.4 mm (min) 0.4 mm (min) 8.0 mm (min) 8.0 mm (min) 0.4 mm (min)Pin Configuration (top view)SchematicRESTRICTIONS ON PRODUCT USE20070701-EN •The information contained herein is subject to change without notice.•TOSHIBA is continually working to improve the quality and reliability of its products. Nevertheless, semiconductor devices in general can malfunction or fail due to their inherent electrical sensitivity and vulnerability to physical stress. It is the responsibility of the buyer, when utilizing TOSHIBA products, to comply with the standards of safety in making a safe design for the entire system, and to avoid situations in which a malfunction or failure of such TOSHIBA products could cause loss of human life, bodily injury or damage to property.In developing your designs, please ensure that TOSHIBA products are used within specified operating ranges as set forth in the most recent TOSHIBA products specifications. Also, please keep in mind the precautions and conditions set forth in the “Handling Guide for Semiconductor Devices,” or “TOSHIBA Semiconductor Reliability Handbook” etc.• The TOSHIBA products listed in this document are intended for usage in general electronics applications (computer, personal equipment, office equipment, measuring equipment, industrial robotics, domestic appliances, etc.).These TOSHIBA products are neither intended nor warranted for usage in equipment that requires extraordinarily high quality and/or reliability or a malfunction or failure of which may cause loss of human life or bodily injury (“Unintended Usage”). Unintended Usage include atomic energy control instruments, airplane or spaceship instruments, transportation instruments, traffic signal instruments, combustion control instruments, medical instruments, all types of safety devices, etc.. Unintended Usage of TOSHIBA products listed in his document shall be made at the customer’s own risk.•The products described in this document shall not be used or embedded to any downstream products of which manufacture, use and/or sale are prohibited under any applicable laws and regulations.• The information contained herein is presented only as a guide for the applications of our products. No responsibility is assumed by TOSHIBA for any infringements of patents or other rights of the third parties which may result from its use. No license is granted by implication or otherwise under any patents or other rights of TOSHIBA or the third parties.•GaAs(Gallium Arsenide) is used in this product. The dust or vapor is harmful to the human body. Do not break, cut, crush or dissolve chemically.• Please contact your sales representative for product-by-product details in this document regarding RoHS compatibility. Please use these products in this document in compliance with all applicable laws and regulations that regulate the inclusion or use of controlled substances. Toshiba assumes no liability for damage or losses occurring as a result of noncompliance with applicable laws and regulations.。

光耦的主要作用有哪些
光耦是一种将输入端和输出端通过光学耦合进行隔离的器件，通常由发光二极管（LED）和光敏二极管（光电晶体管）组成。

光耦在电子领域中有着广泛的应用，其主要作用包括信号隔离、电气隔离、信号传输和波形整形等方面。

首先，光耦的主要作用之一是信号隔离。

在电子电路中，有时需要将输入信号和输出信号进行隔离，以避免干扰和电气噪声的影响。

光耦作为一种光学隔离器件，能够有效地将输入端和输出端隔离开来，保证信号的纯净传输。

其次，光耦在电路中还常用于实现电气隔离。

在一些特殊的电路设计中，输入端和输出端之间需要有电气隔离，以确保电路的安全性和稳定性。

光耦通过光电转换的方式实现了输入端和输出端的电气隔离，可靠地保护电路的运行。

此外，光耦还可以用于信号传输。

在一些要求高信噪比和抗干扰能力的电子电路中，光耦可以将输入信号转换为光信号传输，再将光信号转换为输出信号，从而有效地传递信号并减少干扰的影响，同时提高信号的传输质量。

最后，光耦还具有波形整形的作用。

在某些电子电路中，输入信号的波形可能不够稳定或正弦波可能被截断，这会导致电路工作不正常。

通过使用光耦，可以将输入信号转换为光信号传输，再通过光电转换器将光信号转换为稳定的输出信号，从而实现对波形的整形和调节。

总的来说，光耦作为一种重要的光学器件，在电子电路中发挥着信号隔离、电气隔离、信号传输和波形整形等多种作用，为电子设备的正常运行和信号传输提供了可靠的保障。

在各种电子应用领域中都有着广泛的应用，对于提高系统性能和保证电路稳定性具有重要意义。

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光耦是干什么用的
在电子设备和电路领域中，光耦是一种常见且重要的元件，它也被称为光电耦合器件。

光耦的作用在于将输入端的光信号转换成输出端的电信号，以实现光与电之间的隔离和耦合。

光耦通常由发光二极管（LED）和光敏三极管（光探测器）组成。

首先，光耦的主要作用是实现电气信号和光信号之间的隔离。

在一些需要隔离的电路中，比如功率控制、信号隔离、电气隔离等应用中，光耦能够有效地将输入信号转换成光信号，然后再转换为输出电信号，这样就能够达到电气隔离的效果。

光耦在这些场合中能够帮助提高电路的稳定性和安全性，避免电路之间的干扰和损坏。

其次，光耦还常用于信号的隔离和传输。

在一些需要远距离传输信号或信号隔离的场合，光耦的使用可以提供更好的解决方案。

光信号相比电信号在传输过程中受到的干扰更小，因此使用光耦能够提高信号的传输质量和稳定性。

此外，光耦还可以实现不同电路之间的信号隔离，避免干扰和噪声的影响，保证电路的正常运行。

此外，光耦还在一些特殊场合下发挥着重要作用。

比如在音频设备中，光耦可以用作光纤收发器，将音频信号转换成光信号进行传输，以避免信号损失和外界干扰。

在医疗仪器中，光耦也被广泛应用于传感器的隔离和测量，提高仪器的准确性和稳定性。

总的来说，光耦在电子领域中具有广泛的应用前景和重要意义。

综上所述，光耦作为一种重要的光电耦合器件，在电子设备和电路中具有重要的作用。

它能够实现光与电的隔离和耦合，提高电路的稳定性和安全性，应用范围广泛且多样化。

相信随着科技的不断发展，光耦将会在更多领域中发挥着重要作用，为电子产业的发展和进步做出贡献。

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TLP112A东芝小型扁平耦合器TLP112A是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。

TLP112A包含一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合到一个高速单片光电晶体管探测器。

TLP112A（P112A）特性•隔离电压：2500Vrms（最小）•转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）（R L=1.9kΩ）•兼容TTL•UL 认证：UL1577,file no.E67349TLP112A（P112A）应用•晶体管逆变器•数字逻辑隔离•线路接收器•电源控制，反馈控制•开关式电源TLP113A 概述：东芝小型扁平耦合器TLP113是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。

TLP113（包含一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合到一个高增益，高速单片光探测器。

探测器的输出为肖特基钳位晶体管，集电极开路输出。

TLP113A 特性：•输入电流阀值：IF=10mA（最大）•转换速度：10MBd（典型值）•兼容TTL / LSTTL：Vcc=5V•性能保证温度范围：0～70℃•隔离电压：2500Vrms（最小）•UL 认证：UL1577 file no.E67349TLP113A 应用：•隔离线路接收器•单/多路数据传输•计算机外设接口•微处理器系统接口•A/D,D/A转换数字隔离TLP114A东芝小型扁平耦合器TLP114A是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。

TLP114A含有一个高输出功率的砷化镓铝发光二极管，该二极管光耦合到一个高速单片光电晶体管探测器。

TLP114A 特性•隔离电压：3750Vrms（最小）•转换速率：tpHL=0.8μs,tpLH=0.8μs（最大）（RL=1.9kΩ）•兼容TTL UL•认证：UL1577,file no.E67349TLP114A 应用•数字逻辑隔离•线路接收器•电源控制，反馈控制•开关式电源•晶体管逆变器TLP115A 概述：东芝小型扁平耦合器TLP115A是一个小外型耦合器，适用于贴片安装。

TLP2301，TLP2303 低功耗中速光耦
关键词：低功耗光耦，中速光耦，RS232通信光耦
类别：现场总线，电源
TLP2301是东芝新推出的一款SOP封装晶体管输出光耦合器，相比传统的晶体管输出光耦TLP2301在晶片上进行了改善，可以在低至1mA的输入电流下进行驱动，同时保证了20k 的传输速率，并且有非常广的工作温度：-55至125°C。

TLP2303则采用达灵顿输出。

它们填补了普通晶体管输出光耦与高速光耦中间20K-100K的中速和低成本需求，因此非常合适的用在一些使用RS232通信，电源，控制设备，自动化设备等领域。

TLP2301 TLP2303
封装SOP SOP
输入电流 1 mA 0.5 mA
工作温度-55~125°C -40~125°C
速度20Kbps 100Kbps
我们知道，由于晶体管输出光耦由LED+光敏三极管组成，而工作时三极管基区存在少数载流子电荷存储的现象，因此在我们撤掉输入信号时，输出端需要相当长的一段时间才能关闭，这种状况尤其在负载电阻大的情况下尤为明显。

下图为在TLP185在RL=1.9KΩ的条件下测试输出端关断时间Toff =70us，并且Toff还会随着RL的增加而增加，这严重限制了它的速度。

而TLP2301在此基础上进行了晶片改善，使得负载电阻大小对它关断时间的影响大大降低，它将三极管的基极引出通过一个电阻接到GND，因此在我们撤掉输入信号时，基区电荷通过此电阻快速释放掉，因此将大大缩短关断时间，使得Toff=8us 左右，并且这还是在RL=10K Ω的情况下所测得值。

TLP250功率驱动模块在IRF840 MOSFET中的应用长江大学电子与信息学院陈永军翁惠辉第719研究所综合民品室李俊杰引言功率集成电路驱动模块是微电子技术和电力电子技术相结合的产物，其基本功能是使动力和信息合一，成为机和电的关键接口。

快速电力电子器件MOSFET的出现，为斩波频率的提高创造了条件，提高斩波频率可以减少低频谐波分量，降低对滤波元器件的要求，减少了体积和重量。

采用自关断器件，省去了换流回路，又可提高斩波器的频率。

直流电动机的励磁回路和电枢回路电流的自动调节常常采用功率MOSFET。

功率MOSFET是一种多子导电的单极型电压控制器件，具有开关速度快、高频特性好、热稳定性优良、驱动电路简单、驱动功率小、安全工作区宽、无二次击穿问题等显著优点。

目前，功率MOSFET的指标达到耐压600V、电流70A、工作频率100kHz的水平，在开关电源、办公设备、中小功率电机调速中得到广泛的应用，使功率变换装置实现高效率和小型化。

因为主电路电压均为高电压、大电流情况，而控制单元为弱电电路，所以它们之间必须采取光电隔离措施，以提高系统抗干扰措施，可采用带光电隔离的MOSFET驱动芯片TLP250。

光耦TLP250是一种可直接驱动小功率MOSFET和IGBT的功率型光耦，由日本东芝公司生产，其最大驱动能力达1.5A。

选用TLP250光耦既保证了功率驱动电路与PWM脉宽调制电路的可靠隔离，又具备了直接驱动MOSFET的能力，使驱动电路特别简单。

TLP250的结构及驱动电路的设计功率MOSFET驱动的难点主要体现在功率器件的特性、吸收回路和栅极驱动等方面，下面首先介绍TLP250的结构和引脚使用方法，然后分别介绍以上各项。

TLP250功率器件东芝公司的专用集成功率驱动模块TLP250包含一个GaA1As光发射二极管和一个集成光探测器，是8脚双列封装，适合于IGBT或功率MOSFET栅极驱动电路。

TLP250的管脚如图1所示。

tlp5702工作原理-回复TLP5702是一种光耦合器件，它通过光耦合传输信号电压来隔离输入与输出电路，保证电路之间的安全隔离。

本文将详细介绍TLP5702的工作原理，并逐步回答这个主题。

第一步：了解光耦合器件的基本原理光耦合器件是利用光的电磁波传递信息的一种器件。

它由发光二极管（LED）和光探测器（光电二极管或光敏晶体管）组成。

当输入电路的信号变化时，LED会发出相应的光信号，经过空气或光纤传输到输出电路，最终被光探测器转变为电信号，完成输入与输出电路之间的信息传递。

第二步：理解TLP5702的结构与特点TLP5702是日本东芝公司生产的一款光耦合器件，它采用类似于普通光耦合器的结构，但具有更高的隔离电压和更快的响应速度。

TLP5702的结构包括一个发光二极管与一个光敏晶体管，它们之间通过特定的封装材料隔离，以确保高电压隔离和良好的耦合效果。

第三步：TLP5702的工作原理TLP5702采用的是近红外光发射二极管和光敏晶体管组成的光耦合器件。

在工作时，输入信号电压被接入到TLP5702的LED引脚，通过LED引脚内的LED电路和外部电路形成一个闭合回路。

当电压变化时，LED电路中的电流也会随之变化。

这时，发光二极管的LED芯片将根据电流的变化情况，产生对应的光信号并发射出去。

第四步：光信号的传输与接收发射出的光信号经过空气或光纤传输到TLP5702的光敏引脚。

光信号进入光敏晶体管后，通过光敏引脚内的光敏电路和外部电路形成闭合回路。

光敏晶体管的光敏元件能够感知光信号的变化，并将其转化为对应的电信号输出到外部电路。

这样，输入信号的变化就通过光耦合的方式传输到了输出电路中。

第五步：优势与应用领域TLP5702具有很高的隔离电压和快速的响应速度，使其在许多应用场景中得到了广泛应用。

由于其工作原理采用光耦合传输信号，因此可以有效地隔离高压与低压电路，避免信号干扰和电流回路的传递。

因此，TLP5702常用于电力电子领域、医疗器械、通信设备、工业自动化等领域。