模拟电路康华光第五版版第三章

电子技术基础-模拟电路 （康华光）第三章习题.doc3.1.2、解：由A B I m A ,I .m A =-=-2004可知，A B I I 、的实际方向与图中参考方向相反，即A B I I 、的实际方向都是流进三级管；c I .m A =+204说明c I 的实际方向与图中参考方向相同，即cI 的实际方向是流出三级管；c A B I =I +I 。

所以，它是NPN 型三极管；电极A 是集电极，B 是基极，C 是发射极。

c bI m A I .m Aβ===2500043.2.1、解：（a ）无放大作用。

一方面cc V 使发射结所加的反偏电压太高，管子易击穿；另一反面因b R =0，使输入信号i v 被短路。

（b ）有放大作用。

因电路的偏置正常（及发射极正偏，集电结反偏），而且交流信号能够传输。

（C ）无放大作用，因cc V 无法给PNP 三极管发射结提供偏置电压（或因b C 1隔断了基极的直流通路）。

（d ）无放大作用，因电源cc V 接反，使集电结正偏。

3.3.1、解：由图3.3.1可知，当b C i A ,i m A μ∆=∆=102，故c bi i β∆==∆200。

当C CES C CES i m A V .V ;i m A V .V∆=→≈∆=→≈10032008，，。

3.3.4、解：已知c bi i β∆==∆200，B B B E QB Q bV V I .m A R -==003C Q B Q I I m A β==6 C E Q C C C Q C V V I R V=-=13.4.5、解：（1）求C Q C E Q I V 、表达式cc B Q V I R =1cc C Q B Q V I I R ββ==1C E Q C C C QV V I R +R )=-23（ （2）求v i O A R R 、、的表达式（在交流通路图中，R 3被短路）L v beR R A =-r β2（//），i be R R //r =1，O R R ≈2（3）求C 3开路后，v i O A R R 、、的表达式（在交流通路图中，R 3被短路）L v beR +R R A =-r β23【（）//】，v A ↑i be R R //r =1不变，O R R +R ≈↑233.5.4、解：（1）求Q 点eb B Q C C b b R B Q B E QC Q E Q eeC E Q C C C QR V =V .VR R V V V I I .m A R R V V I Aβμ+-====-=212431818 c e CQ BQ （R +R ）=2.8V I =I（2）求be i r R 、be E Qi b b be e m V r ()I R R //R //[r ()R ].K ββΩ=++=++≈12262001108（3）求vs vs2A A 1、（前者是共发射极放大电路对信号源的电压放大倍数；后者是共集电极放大电路对信号源的电压放大倍数）o o i ei vs s i s be ei s o o i eivs sisbe ei sv v v R R A .v v v r ()R R R v v v +R R A .v v v r ()R R R ββββ==∙=-∙≈-+++==∙=∙≈+++1112220791081（1）（4）求O O2R R 1、o c be b b s o R R r (R //R //R )R R e//Ωβ+=+1122311。

模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。

（放大倍数、输入电阻、输出电阻）第三章二极管及其基本电路）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。

在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。

N型半导体和P型半导体。

在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。

载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。

P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。

空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。

PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。

PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。

）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线））二极管的三种模型表示方法。

（理想模型、恒压降模型、折线模型）。

（V BE=）第四章双极结型三极管及放大电路基础）BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。

（由三端的直流电压值判断各端的名称。

由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数））什么是直流负载线什么是直流工作点）共射极电路中直流工作点的分析与计算。

有关公式。

(工作点过高，输出信号顶部失真，饱和失真，工作点过低，输出信号底部被截，截止失真)。

）小信号模型中h ie和h fe含义。

）用h参数分析共射极放大电路。

（画小信号等效电路，求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。

）常用的BJT放大电路有哪些组态（共射极、共基极、共集电极）。

各种组态的特点及用途。

P147。

（共射极：兼有电压和电流放大，输入输出电阻适中，多做信号中间放大；共集电极（也称射极输出器），电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小，有较大的电流放大倍数，多做输入级，中间缓冲级和输出级；共基极：只有电压放大，没有电流放大，有电流跟随作用，高频特性较好。

第1章 数字逻辑概论1.1 复习笔记一、模拟信号与数字信号 1．模拟信号和数字信号 （1）模拟信号在时间上连续变化，幅值上也连续取值的物理量称为模拟量，表示模拟量的信号称为模拟信号，处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。

（2）数字信号 与模拟量相对应，在一系列离散的时刻取值，取值的大小和每次的增减都是量化单位的整数倍，即时间离散、数值也离散的信号。

表示数字量的信号称为数字信号，工作于数字信号下的电子电路称为数字电路。

（3）模拟量的数字表示①对模拟信号取样，通过取样电路后变成时间离散、幅值连续的取样信号； ②对取样信号进行量化即数字化；③对得到的数字量进行编码，生成用0和1表示的数字信号。

2．数字信号的描述方法（1）二值数字逻辑和逻辑电平在数字电路中，可以用0和1组成的二进制数表示数量的大小，也可以用0和1表示两种不同的逻辑状态。

在电路中，当信号电压在3.5～5 V 范围内表示高电平；在0～1.5 V 范围内表示低电平。

以高、低电平分别表示逻辑1和0两种状态。

（2）数字波形①数字波形的两种类型非归零码：在一个时间拍内用高电平代表1，低电平代表0。

归零码：在一个时间拍内有脉冲代表1，无脉冲代表0。

②周期性和非周期性周期性数字波形常用周期T 和频率f 来描述。

脉冲波形的脉冲宽度用W t 表示，所以占空比100%t q T=⨯W③实际数字信号波形在实际的数字系统中，数字信号并不理想。

当从低电平跳变到高电平，或从高电平跳到低电平时，边沿没有那么陡峭，而要经历一个过渡过程。

图1-1为非理想脉冲波形。

图1-1 非理想脉冲波形④时序图：表示各信号之间时序关系的波形图称为时序图。

二、数制 1．十进制以10为基数的计数体制称为十进制，其计数规律为“逢十进一”。

任意十进制可表示为：()10iDii N K ∞=-∞=⨯∑式中，i K 可以是0～9中任何一个数字。

如果将上式中的10用字母R 代替，则可以得到任意进制数的表达式：()iR ii N K R ∞=-∞=⨯∑2．二进制（1）二进制的表示方法以2为基数的计数体制称为二进制，其只有0和1两个数码，计数规律为“逢二进一”。

目　录第1章　绪　论1.1　复习笔记1.2　课后习题详解1.3　名校考研真题详解第2章　运算放大器2.1　复习笔记2.2　课后习题详解2.3　名校考研真题详解第3章　二极管及其基本电路3.1　复习笔记3.2　课后习题详解3.3　名校考研真题详解第4章　双极结型三极管及放大电路基础4.1　复习笔记4.2　课后习题详解4.3　名校考研真题详解第5章　场效应管放大电路5.1　复习笔记5.2　课后习题详解5.3　名校考研真题详解第6章　模拟集成电路6.1　复习笔记6.2　课后习题详解6.3　名校考研真题详解第7章　反馈放大电路7.1　复习笔记7.2　课后习题详解7.3　名校考研真题详解第8章　功率放大电路8.1　复习笔记8.2　课后习题详解8.3　名校考研真题详解第9章　信号处理与信号产生电路9.1　复习笔记9.2　课后习题详解9.3　名校考研真题详解第10章　直流稳压电源10.1　复习笔记10.2　课后习题详解10.3　名校考研真题详解第11章　电子电路的计算机辅助分析与设计第1章　绪　论1.1　复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。

信号是信息的载体，按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类：①时间连续、数值连续信号，即模拟信号；②时间离散、数值连续信号；③时间连续、数值离散信号；④时间离散、数值离散信号，即数字信号。

二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波)，从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号，过滤掉不需要的频率信号，也可以过滤掉某些频率信号，保留其它频率信号。

幅度频谱：各频率分量的振幅随频率变化的分布。

相位频谱：各频率分量的相位随频率变化的分布。

三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路，所谓放大作用，其放大的对象是变化量，本质是实现信号的能量控制。

放大电路有以下4种类型：1．电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2．电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3．互阻放大电路电路的互阻增益为4．互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻：输入电压与输入电流的比值，即对输入为电压信号的放大电路，R i越大越好；对输入为电流信号的放大电路，R i越小越好。

第3章 多级放大电路自 测 题一、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。

（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。

（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。

（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。

（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui ，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。

解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B（5）C ，B二、选择合适答案填入空内。

（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。

A .电阻阻值有误差B .晶体管参数的分散性C .晶体管参数受温度影响D .电源电压不稳定（2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。

A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。

A .克服温漂B . 提高输入电阻C .稳定放入倍数 （4）差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ，共模信号是两个输入端信号的 。

A .差B .和C .平均值（5）用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻R e，将使电路的。

A.差模放大倍数数值增大B.抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大（6）互补输出级采用共集形式是为了使。

A.电压放大倍数大B.不失真输出电压大C.带负载能力强解：（1）C，D （2）C （3）A （4）A，C （5）B（6）Cr=100三、电路如图PT3.3所示，所有晶体管均为硅管，β均为60，'bbΩ，静态时｜U B E Q｜≈0.7V。

第三章作业答案3.1.2（2）求74LS 门驱动74ALS 系列门电路的扇出数解：首先分别求出拉电流工作时的扇出数N OH 和灌电流工作时的扇出数N OL ,两者中的最小值就是扇出数。

从教材附录A 可查得74LS 系列门电路的输出电流参数为I OH =0.4mA,I OL =8mA ，74ALS 系列门电路的输入电流参数为I IH =0.02mA,I IL =0.1mA拉电流工作时的扇出数..0420002OH OH IH I mAN I mA===灌电流工作时的扇出数.88001OL OL IL I mAN I mA===因此，74LS 门驱动74ALS 系列门电路的扇出数N O 为20。

3.1.4已知图题3.1.4所示各MOSFET 管的∣V T ∣=2V ，忽略电阻上的压降，试确定其工作状态（导通或截止）。

解：图（a ）和（c ）为N 沟道场效应管，对于图（a ），V GS =5V>V T ,因此管子导通对于图（c ），V GS =0V<V T ,因此管子截止图（b ）和（d ）为P 沟道场效应管，对于图（b ），V GS =5V-5V=0>V T ,因此管子截止对于图（d ），V GS =0V-5V=-5V<V T ,因此管子导通3.1.7写出图题3.1.7所示电路的输出逻辑表达式.解：L AB BC D E=A A A 3.1.12试分析图题3.1.12所示的CMOS 电路，说明他们的逻辑功能。

解：从图上看，这些电路都是三态门电路，分析这类电路要先分析使能端的工作情况，然后再分析逻辑功能。

（a ）当=0时，T P2和T N2均导通，由T P1和T N1组成的反相器正常工作，；EN L A =当=1时，T P2和T N2均截止，此时无论输入端A 为高电平还是低电平，输出端均EN 为高阻态；因此该电路为低电平使能三态非门。

（b ）当=0时，或门的输出为，T P2导通，由T P1和T N1组成的反相器正常工作，EN A ；L A =当=1时，或门的输出为0,T P2和T N1均截止，此时无论输入端A 为高电平还是低EN 电平，输出端均为高阻态；因此该电路为低电平使能三态缓冲器。

第3章二极管及其基本电路一、填空题1．PN结反偏时，内电场与外电场的方向，有利于载流子的漂移运动。

【答案】相同，少数。

【解析】PN结反偏时，外电场和内电场方向相同，PN结电场强度增加，阻止多数载流子的扩散运动，同时加剧了N区和P区中少数载流子的漂移运动。

2．半导体中载流子的扩散运动是由引起的，漂移运动是由引起的。

【答案】载流子浓度梯度，电场【解析】扩散是自发的，漂移是是由外力造成的3．利用PN结的电容随外加电压变化的特性可制成变容二极管，它工作时需要加偏压。

【答案】势垒、反向【解析】PN结中电容由势垒电容和扩散电容组成，正偏时以扩散电容为主，随正向电流增加而增加；反偏时以势垒电容为主，随反向电压的增加而减小。

考虑到功耗特性，PN 结电容多采用其反偏电容。

二、判断题1．P型半导体的少数载流子是空穴。

（）【答案】×【解析】P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子。

三、选择题1．二极管正向电压从0.65V增加10％，则其正向电流的增加将（）。

A．10％B．大于l0％C．小于10％【答案】B【解析】二极管在导通后电压电流关系近似为非线性指数关系，电流变化快。

2．二极管的主要特点是具有（）。

A．电流放大作用B．单向导电性C．稳压作用【答案】B【解析】二极管正向接入时电阻趋于零，相当于短路；反向接入时电阻趋于无穷大，相3．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。

A．前者反偏，后者也反偏B．前者正偏，后者反偏C．前者正偏，后者也正偏【答案】B【解析】使晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结正向偏置且集电结反向偏置。

4．电路如图3-1，设DZ1的稳定电压为6V，D Z2的稳定电压为12V，设稳压管的正向压降为0.7V，则输出电压Uo等于（）。

图3-1A．18VB．6.7VC．12.7VD．6V【答案】B【解析】由电压源可以判断电流方向为顺时针方向，D Z1是反向接入，D Z2是正向接入。