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第三章 多级放大电路自 测 题一、判断下列说法是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。
（1）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（2）阻容耦合多级放大电路各级的Q 点相互独立，( )它只能放大交流信号。
( )（3）直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响，( )它只能放大直流信号。
( )（4）只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。
( ) （5）互补输出级应采用共集或共漏接法。
( )解：（1）× （2）√ √ （3）√ × （4）× （5）√二、现有基本放大电路：A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。
（1）要求输入电阻为1k Ω至2k Ω，电压放大倍数大于3000，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（2）要求输入电阻大于10M Ω，电压放大倍数大于300，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（3）要求输入电阻为100k Ω～200k Ω，电压放大倍数数值大于100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（4）要求电压放大倍数的数值大于10，输入电阻大于10M Ω，输出电阻小于100Ω，第一级应采用 ，第二级应采用 。
（5）设信号源为内阻很大的电压源，要求将输入电流转换成输出电压，且1000io ＞I U A ui &&&=，输出电阻R o ＜100，第一级应采用 ，第二级应采用 。
解：（1）A ，A （2）D ，A （3）B ，A （4）D ，B （5）C ，B三、选择合适答案填入空内。
（1）直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 。
A .电阻阻值有误差 B .晶体管参数的分散性 C .晶体管参数受温度影响 D .电源电压不稳定 （2）集成放大电路采用直接耦合方式的原因是 。
A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容（3）选用差分放大电路的原因是 。
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
UHA浪形的发生与变换电路9.1判断下列说法的正、误，在相应的括号内画表示正踊•画“X”表示错15L(1)只要满足正荻波振荡的相位条件，电路就一定能振荡.( 〉(2)正弦波振疡电路维持振荡的輛值条件是|AF|=1.( )(3)只要引人了正反锻•电路就一定能产生正弦波振荡.( )(4)只要引人了负反馈，电路就一定不能产生正戎波振荡.( )<5)正弦波振荡电賂需耍非线性环节的原因足要稳定振荡幣值.( )(6)LC正弦波振荡电路不采用通用型集成运放作为放大电路的原因是因其上限截止频率太低•< )(7)LC正弦波振荡电路一般采用分立元件组成放大电路•既作为基本放大电路又作为稳幅环节。
< >解(1〉X (2) v <3) X (4) X (5) V (6〉J (7) 79.2现有放大电路和选频网络如下，选择止确的答案填空.A.共射放大电路B.共集放大电路C.共基放大电路D.同相比例运算电路E. RC申并联网络F. LC并联网络G.石英晶体(1)制作频率为20Hz〜20kHz的音频信号发生电路，应选用___________ 作为基本放大电路、 ______ 作为选额网络•(2)制作频率为2MHz〜20MHz的接收机的本机振荡器•应选用 __________________ 戒 _______ 作为棊本放大电路、________ 作为选频网络•(3)产生频牢为800MHz〜900MHz的奇施载波侑号•应选用___________ 作为基本放大电路、 ______ 作为选频网络•(4)制作频率为20MHz且非常揚定的演试用依号源•应选用____________ 作为基本放大电路、 ______ 作为选劈网络.解(1)D・E (2) A 或C.F (3)C・F (4) GG9.3选择题（1）设放大倍数为A•反饰系数为戶.正弦波振荡电路产生自激掘荡的条件是•负反馈放大电路产生自激振荡的条件是_______________ •（2） _______________________________________ 正弦波振荡电路的主更组成部分是___ v _、 ________________________________________ 和 _____ °解（1> AF = I,A F =-I（2）放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节9.4判断图P9M所示电路是否可能产牛:正弦波振荡，简述理由。
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√）√ （2）×）× （3）√）√ （4）×）× （5）√）√ （6）×）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
略。
六、1、V2V mA 6.2μA 26V C C CC CEB C bBEBB B =-====-=R I U I I RU I b U O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以，所以W»-====-=k 4.45V μA 6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I b七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
的波形如图所示。
1.4 ui 和u o 的波形如图所示。
的波形如图所示。
ttu u OOi o /V/V1010tu O i /V53-3tu O O /V3.7-3.7L )tu OI1/V30.3tu OI2/V30.3tu OO /V3.71tu 0I /V63tu 0O1/V3tu 0O2/V3管号管号T 1 T 2 T 3 T 4 T 5 T 6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下c e c c b c 管型管型PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料材料Si Si Si Ge Ge Ge ，b BE CC BE CC --R U V U V BEI I GS)1.01mA5mA(a)(b))U LI I U b be L Lb R R RU U 123io ..R R U U 14io..R U 2i.U o.U i.U o.R L(a)(b)(c)(d)R 4R 3 L o b 22L c b1Ib 32 2[)be 4 4122be22 +b b L e e b b be sL c b b iL c iU U 2DQDSS GSD¶IIU u mA 2DO DQ I I U+BEQ4E4E4I U R I {}c4e4be4c2b b b{}2be23232be221b b b 42be2321b b 322be221]b b b ∥82)b 322be2b b42be211b b 42be231b b 2be 4b WO c W c W O)2( )2+D b b bW c WW R R b I2I1r b LOL b )2L{}{}6be57554be46454be421)1(b b b b b +R 2oCEQ CC -u AU V RC BBE BE4CC b b 2C0EBCC =I b )DS2O u u u D D Ou u()(DS4uOD D Oc23be c12eb' i00bb))()())()(f f f f f 或1C r R R C R R r r ))())(10f f f ))())(f f f 31.1 )Hf))(10f f ))(5f f f fsb s 211ttI Us bs e b'e b'i ))()16(i f f R10121 ))()(5f ，，所以＞32131 ＜＜－1R U U 1U 1U U 11U 21U 923o o 2o o o o 2o o L L o L o o L 87942L 87o o 4o o L 1L 4o o )R U U u i ↑←↑←＞＞321321321321即F，代入数据f 6f 1f1＞A+-i I(1)(2)(3)(4)A+-u O+-R RR Lu O u IA+-R R u Ou I12A+-+-R R Lu O R i I121U U U RRr U iiono....I iC R R R U U f i f o f i o i i 1))w w ，∥fod f id f o f o f fid f id od F i OO 11)(A R r A R u u -D A+-RR u Ou IffR R i整个电路的输入电阻约为（R ＋R f /A od ）。
PTER半导伸二嘏管及其基市应用电路3. 1判断下列说法的正、误，在相应的括号内蔺表示正确・画“X”衣示错谋.(1)本征半导体是指没冇博杂的纯净晶体半导体.( )(2)本征半异体温度升高后两种栽流子浓度仍然相等.( )(3)P®半导体帯正电( ),N®半导体带负电( ).(4)空间电荷区内的潦移电流址少数戏流子在内电场作用下形成的.Z )(5)二极管所加正向电压增大时，其动态电限增大.( )(6)只耍在稳圧管两端加反向电压就能起稳压作用.( )解(2) 7 (3) X.X (4> V (5)X (6) X3.2选择正确的答案填空.(1) N凤半导体是空本征半导体中捧人 ____________ » P51半导体是在本征半导体中掺人 _______ ・A.三价元索，如硼導B.四价元索，如错铮C.五价元素•如磷等(2) PN结加正向电压时.由__________ 形成电流，其耗尽层__________ I加反向电压时, 由 _______ 形成电流，其耗斥煨__________ ・A.扩散运动B.漂移运动C.变龙D.变牢(3) 当温度升高时•二极管的反向饱和电流___________ ・A.增大.B.不变C.减小(4) 硅二极管的正向导通电压比诸二极管的_____________ ，反向饱和电流比緒二极管的 _______ ・A.大B.小C.相等(5) 稳压暂工作在槍压区时，其丁•作状态为_________ .A.正向导通B.反向截止C.反向击穿解 (1) Cl A (2) Al D» B ； C (3) A (4) A» B (5> C 3.3填空(1) PN 结的导电特性定 __________ ・(2) 徃外加直流电压时，理想二极管正向导通阻抗为 _________________ ，反向截止阻抗为 ________ 。
(3) PN 结的结电容包插 __________ 电容和 _________ 电容。
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第十一章 模拟电子电路读图习 题11.1 电路如图P11.1所示，其功能是实现模拟计算，求解微分方程。
（1）求出微分方程； （2）简述电路原理。
图P 11.1解：（1）设A 1、A 3的输出电压分别为u O 1、u O 3。
由于每个集成运放均引入了负反馈，根据“虚断” 和“虚短”可得下列关系式及微分方程：0)(d d )d (1 d 1)(I 41365742O 863O O 7865623I 134O14O O 78656O3O323I 13O1=-++⋅+⋅+--=-=-+=--=⎰⎰u CR R R C R R R R R u R R R t u t u R R R R R R R u R R C R t u CR u u R RR R R u u R Ru R R u（2）当参数选择合适时，输入合适u I ，便可在输出得到模拟解u O 。
11.2图P11.2所示为反馈式稳幅电路，其功能是：当输入电压变化时，输出电压基本不变。
主要技术指标为（1）输入电压波动20％时，输出电压波动小于0.1％；（2）输入信号频率从50～2000Hz变化时，输出电压波动小于0.1％；（3）负载电阻从10kΩ变为5 kΩ时，输出电压波动小于0.1％。
要求：（1）以每个集成运放为核心器件，说明各部分电路的功能；（2）用方框图表明各部分电路之间的相互关系；（3）简述电路的工作原理。
提示：场效应管工作在可变电阻区，电路通过集成运放A3的输出控制场效应管的工作电流，来达到调整输出电压的目的。
图P11.2解：（1）A1：反相比例运算电路；A2：半波精密整流电路；A3：二阶低通滤波器；T：等效成可变电阻。
（2）图P11.2所示电路的方框图如解图P11.2所示。
解图P 11.2（3）当参数选择合适时，若u i 幅值增大导致u O 增大，则r d s 减小，使得u O 1、u O 2减小，从而使u O 减小，趋于原来数值。
1第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。
uu ouu o图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。
（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。
（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。
（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。
画出o u 波形如图所示。
2Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为 5.5V和8.5V，正向压降都是0.5V 。
如果要得到0.5V ，3V，6V ，9V和14V几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。
解：各电路图如图所示。
(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V 。
uu(a)(b)u u u(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？3图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。
1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。
1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。
下载可编辑U HA浪形的发生与变换电路9. \判朗卜列说法的正、淇、在相竝的括峥内细**7"表卞证鹽’圖严><”左朋镇谀.(1>只豐満足正弦波扳躋的柯位杀幷*哂路就一定能撮荡.( )4｝正孫玻振荡电賂缭特旅荡的輛侑衆件是( )估)只罄引人了正反惯•电路就一定能产主止弦波振荡.< )(4｝只耍引人『负反馈，电路就一定不能产生正葱疲梅荡* c )<5)止弦波振殊临路需善非线性歼为的驗因込要稳定扳荡幟魄*( >(6> LCjE^SJta电爵不采用通用取集成运枚怜为族大电路的原冈臭囲北匕限截It频率太低.< >(7) LC正弦波振禹电略-股采用分直元件亀成Jft丸电路•既作为草車放大(U爲又作为樹幅环节.< )H (1) X <2) V <3)X <4) X (5) 7 (6) V <7)J9U 现<!放大电路和选擴冏堵如下'选丼止确的答案填空.A.共射放先电路氐共筆放大电路C共基故大电路CX同相比觥运母电路 E. RC^KK网皓 E LCffJK网给G.石襄晶体(])制作魏率为20Hz-20kH3的自频信号发生电路•应选用…柞为墨本放大电路、______ 作为选H刚给・(2)制作牍那揃2Mlb〜20MH世的挂收机的本机摄斑痔*应选用 ______________ 或____ 作为尊本放大电路,_______ 作为透牖网堵.(3)严生疑幸为阳OMH J!*900MHt的高極载渡信号*城选用__________ 柞为基本放大电略、______ 作为选髓网堵.(4)制作频牵为2CJMH T常稳宦的测试用信号应选用_ _ _ 柞为基卑楝丸电賂、_ _ _作为选卿网堺.解(1) D*E (2) A 或C,P (3) C,F U) C.G9,3选料瞇(1)设放大借数为人•反馈系数为A正弦波眼荡也賂产生自激撮務的条件是_・负反憬隸大电路产生目藏抿翡的乗件壘_ 。
第七章信号的运算和处理自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）运算电路中一般均引入负反馈。
（）（2）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）（3）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）（4）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。
（）解：（1）√（2）×（3）√（4）×二、现有电路：A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路F. 乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。
（1）欲将正弦波电压移相＋90O O，应选用。
（2）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用。
（3）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用。
（4）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用。
（5）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用。
（6）欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用。
解：（1）C （2）F （3）E （4）A （5）C （6）D 三、填空：（1）为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
（2）已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
（4）为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：（1）带阻（2）带通（3）低通（4）有源第七章题解－1四、已知图T7.4所示各电路中的集成运放均为理想运放，模拟乘法器的乘积系数k 大于零。
试分别求解各电路的运算关系。
图T 7.4 解：图（a ）所示电路为求和运算电路，图（b ）所示电路为开方运算电路。
它们的运算表达式分别为I 3142O 2O43'O 43I 12O2O1O I343421f 2I21I1f O1 )b (d 1 )1()( )a (u R kR R R u ku R R u R R u R R u t u RCu u R R R R R R R u R u R u ⋅=⋅−=−=−=−=⋅+⋅+++−=∫∥第七章题解－2习题本章习题中的集成运放均为理想运放。
