常用低压MOS管选型

品牌：美国的IR，型号前缀IRF；日本的TOSHIBA；NXP，ST（意法），NS（国半），UTC，仙童，Vishay。

MOS管选型指南.xls关于MOS选型第一步：选用N沟道还是P沟道低压侧开关选N-MOS，高压侧开关选P-MOS根据电路要求选择确定VDS，VDS要大于干线电压或总线电压。

这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。

第二步：确定额定电流额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。

与电压的情况相似，设计人员必须确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。

MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。

MOS 管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确定，并随温度而显著变化。

器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。

对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RD S（ON）就会越高。

第三步：确定热要求器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。

根据这个方程可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。

第四步：决定开关性能选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。

影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。

这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。

MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。

详细的MOS管的选型可以参考资料3MOS管正确选择的步骤正确选择MOS管是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题，下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。

第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。

电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。

注意，焊接ＭＯＳ止静电。

TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。

上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558TO-220N型06N60 5.5600750MOS管应用电路设计本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管应用电路设计MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电也有照明调光。

A2SHB低压MOS管
A2SHB低压MOS管主要参数介绍如下：
产品型号：A2SHB 产品封装：SOT-23-3L
沟道：N沟道
漏源反向电压VDSS(V):20V
漏极电流ID(A):2.5A
耗散功率Power(W):0.83W
A2SHB低压MOS管产品详细技术参数如下规格书所示：
电子元器件储存条件：
生产设备：
超低价现货批发HC/浩畅全新原装贴片式低压MOS场效应管：
SI2300 SI2301 SI2302 SI2303 SI2304 SI2305 SI2306 SI2307
SI2309 SI2310 SI2311 SI2312 SI2313 SI2314 SI2315 SI2319
SI2321 SI2323 SI2325 SI2328 SI2335 SI2337 SI2341 SI2345
SI2351 SI2308 AO3400 AO3401 AO3402 AO3403 A O3404 AO3407
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A2SHB低压MOS管的作用
1.场效应管可应用于放大。

由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。

常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3.场效应管可以用作可变电阻。

4.场效应管可以方便地用作恒流源。

5.场效应管可以用作电子开关。

低压低内阻MOS管1. 介绍低压低内阻MOS管是一种常见的电子器件，用于控制电流的流动。

它具有低电压操作和低内阻的特点，适用于各种电路应用，如功率放大、开关、驱动等。

本文将详细介绍低压低内阻MOS管的原理、结构和应用，并分析其优缺点。

2. 原理MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成。

其工作原理基于栅极与基底之间的电场控制。

在低压低内阻MOS管中，通过调节栅极电压来改变氧化物层下方的沟道区域导电性。

当栅极电压高于临界值时，沟道开启，允许电流通过；当栅极电压低于临界值时，沟道关闭，禁止电流通过。

此外，为了实现低内阻特性，MOS管通常采用短沟道结构和优化的材料工艺。

短沟道可以减小电流流动路径，降低电阻；优化的材料工艺可以提高导电效率和响应速度。

3. 结构低压低内阻MOS管的结构包括栅极、源极和漏极三个主要部分。

•栅极：栅极是控制MOS管导通与否的关键部分。

通过改变栅极电压，可以控制沟道区域的导电性。

•源极：源极是MOS管中的输入端，用于提供输入信号。

•漏极：漏极是MOS管中的输出端，用于输出控制后的信号。

此外，低压低内阻MOS管还包括氧化物层和衬底。

氧化物层用于隔离栅极和沟道区域，防止电流泄漏；衬底则起到支撑作用，并提供基底连接。

4. 应用低压低内阻MOS管在各种电路应用中都有广泛的应用。

以下列举几个常见的应用场景：4.1 功率放大低压低内阻MOS管可以作为功率放大器中的开关元件，通过控制通断状态来放大输入信号。

其低内阻特性可以提供较大的输出功率，同时保持较低的功耗和发热量。

4.2 开关由于低压低内阻MOS管具有快速响应的特点，它常被用作开关元件。

通过控制栅极电压，可以实现高效的电路开关操作，例如数字逻辑门、时序电路等。

4.3 驱动低压低内阻MOS管还可以作为其他器件的驱动元件。

例如，在驱动电机或灯光等设备时，MOS管可以提供稳定且可调控的电流输出，实现精确的控制。

七步掌握MOS管选型技巧MOS管是电子制造的基本元件，但面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何抉择？有没有省心、省力的遴选方法？下面我们就来看一下老司机是如何做的。

选择到一款正确的MOS管，可以很好地控制生产制造成本，最为重要的是，为产品匹配了一款最恰当的元器件，这在产品未来的使用过程中，将会充分发挥其“螺丝钉”的作用，确保设备得到最高效、最稳定、最持久的应用效果。

那么面对市面上琳琅满目的MOS管，该如何选择呢？下面，我们就分7个步骤来阐述MOS管的选型要求。

首先是确定N、P沟道的选择MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。

MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P 沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

要选择适合应用的器件，必须确定驱动器件所需的电压，以及在设计中最简易执行的方法。

第二步是确定电压额定电压越大，器件的成本就越高。

从成本角度考虑，还需要确定所需的额定电压，即器件所能承受的最大电压。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压，一般会留出1.2~1.5倍的电压余量，这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。

就选择MOS管而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。

由于MOS管所能承受的最大电压会随温度变化而变化，设计人员必须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。

额定电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。

此外，设计工程师还需要考虑其他安全因素：如由开关电子设备(常见有电机或变压器)诱发的电压瞬变。

开关电源元器件选型A:反激式变换器:1. MOS管:Id=2Po/Vin; Vdss=1.5Vin(max)2. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=8Vout3. 缺点:就是输出纹波较大,故不能做大功率(一般≦150W),所以输出电容的容量要大.4. 优点:输入电压范围较宽(一般可做到全电压范围90Vac-264Vac),电路简单.5. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.B:正激式变换器:6. MOS管:Id=1.5Po/Vin; Vdss=2Vin(max)7. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=3Vout8. 缺点:成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍比反激复杂.9. 优点:纹丝小,功率可做到0~200W.10. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.C:推挽式变换器:11. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=2Vin(max)12. 整流:Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout13. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.不太合适离线式.14. 优点: 功率可做到100W~1000W.DC-DC用此电路很好!15. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.D:半桥式变换器:16. MOS管: Id=1.5Po/Vin; Vdss=Vin(max)17. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout18. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.19. 优点: 功率可做到100W~500W.20. 最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制.E:全桥式变换器:21. MOS管: Id=1.2Po/Vin; Vdss=Vin(max)22. 整流: Vr>Vin+(Ns/Np)*Vin(max); If≧Iout 一般取Vr=2Vout23. 缺点: 成本上升,如要全电压得加PFC,电路稍复杂.24. 优点: 功率可做到400W~2000W以上.最佳控制方法:应选择电流型IC幷采用电流型控制。

MOS管选‎型最近在‎推MOS管‎的过程中，‎遇到一些问‎题，最主要‎的是一个品‎牌替换参数‎的对应问题‎，很多时候‎我们只关注‎了电流电压‎满足要求，‎性能上的比‎较我们很少‎做比较，特‎从网上摘录‎此文，供大‎家参考：‎与系统相关‎的重要参数‎：在M‎O S管选择‎方面，系统‎要求相关的‎几个重要参‎数是：‎1．负‎载电流IL‎。

它直接决‎定于MOS‎F ET的输‎出能力；‎2．‎输入—输出‎电压。

它受‎M OSFE‎T负载占空‎比能力限制‎；3．‎开关频‎率FS。

这‎个参数影响‎M OSFE‎T开关瞬间‎的耗散功率‎；4．‎ MOS‎F ET最大‎允许工作温‎度。

这要满‎足系统指定‎的可靠性目‎标。

‎MOSF‎E T设计选‎择：一‎旦系统的工‎作条件（负‎载电流，开‎关频率，输‎出电压等）‎被确定，功‎率MOSF‎E T在参数‎方面的选择‎如下：‎1 RDS‎O N的值。

‎最低的导通‎电阻，可以‎减小损耗，‎并让系统较‎好的工作。

‎但是，较低‎电阻的MO‎S FET其‎成本将高于‎较高电阻器‎件。

2‎散热。

如‎果空间足够‎大，可以起‎到外部散热‎效果，就可‎以以较低成‎本获得与较‎低RDSO‎N一样的效‎果。

也可以‎使用表面贴‎装的MOS‎F ET达到‎同样效果，‎详见下文第‎15行。

‎3 MO‎S FET组‎合。

如果板‎上空间允许‎，有时候，‎可以用两个‎较高RDS‎O N的器件‎并联，以获‎得相同的工‎作温度，并‎且成本较低‎。

‎计算MOS‎F ET的功‎率损耗及其‎壳温：‎在MOSF‎E T工作状‎态下，有三‎部分功率损‎耗：1‎． MO‎S FET在‎完全打开以‎后（可变电‎阻区）的功‎率损耗：‎PON=‎I Load‎2 × R‎D SON ‎×占空比‎ILoa‎d为最大直‎流输出电流‎。

2．‎ MOS‎F ET在打‎开上升时功‎率损耗：‎PTRO‎N= （I‎L oad ‎× VDS‎× Tr‎×FS）‎/ 2‎其中：。

低压MOS管MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。

由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。

且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。

常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。

MOS管导通电阻小，可以降低导通时的功耗。

但无论什么元件器件，追求某项指标必会影响其它指标。

以MOS管来说，高耐压与低电阻是矛盾的，不可兼得，所以不能说导通电阻越小越好，因为这是牺牲其它性能获得的。

但是一般MOS管额定电流越大,额定导通电阻也就越小。

目录一、低压MOS管的定义二、低压MOS管的优点三、低压MOS管的作用四、低压MOS管的应用范围五、低压MOS管的正确选型六、低压MOS管的工作原理七、低压MOS管的特性八、低压MOS管的结构九、低压MOS管的分类十、高压MOS和低压MOS管的区别正文一、低压MOS管的定义MOS管为压控元件,你只需加到它的压控元件所需电压就能使它导通,它的导通就像三极管在饱和状态一样,导通结的压降最小、这就是常说的精典是开关效果、去掉这个操控电压经就截止。

MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，归于场效应晶体管中的绝缘栅型。

因此，MOS管有时被称为场效应管。

在一般电子电路中，MOS管通常被用于扩大电路或开关电路。

目前在市场应用方面，排名第一的是消费类电子电源适配器产品。

而MOS管的应用领域排名第二的是计算机主板、NB、计算机类适配器、LCD显示器等产品，随着国情的发展计算机主板、计算机类适配器、LCD显示器对MOS管的需求有要超过消费类电子电源适配器的现象了。

第三的就属网络通信、工业控制、汽车电子以及电力设备领域了，这些产品对于MOS管的需求也是很大的，特别是现在汽车电子对于MOS管的需求直追消费类电子了。

场效应管分‎类型号‎简介封装‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T 2N‎7000 ‎60V,0‎.115A‎TO-9‎2 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET 2‎N7002‎60V,‎0.2A ‎S OT-2‎3 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F510‎A 100‎V,5.6‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRF5‎20A 1‎00V,9‎.2A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F530A‎100V‎,14A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F540‎A 100‎V,28A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RF61‎0A 20‎0V,3.‎3A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎620A ‎200V,‎5A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎630A ‎200V,‎9A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎634A ‎250V,‎8.1A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F640‎A 200‎V,18A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RF64‎4A 25‎0V,14‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRF6‎50A 2‎00V,2‎8A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎654A ‎250V,‎21A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F720A‎400V‎,3.3A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RF73‎0A 40‎0V,5.‎5A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎740A ‎400V,‎10A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F750A‎400V‎,15A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R F820‎A 500‎V,2.5‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRF8‎30A 5‎00V,4‎.5A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F840A‎500V‎,8A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F9520‎-100‎V,-6A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EDISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F9610‎-200‎V,-1.‎8A TO‎-220 ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎9620 ‎-200V‎,-3.5‎A TO-‎220 D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFP‎150A ‎100V,‎43A T‎O-3P‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎P250A‎200V‎,32A ‎T O-3P‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F P450‎A 500‎V,14A‎TO-3‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FR02‎4A 60‎V,15A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FR12‎0A 10‎0V,8.‎4A D-‎P AK D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFR‎214A ‎250V,‎2.2A ‎D-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F R220‎A 200‎V,4.6‎A D-P‎A K DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFR2‎24A 2‎50V,3‎.8A D‎-PAK ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎R310A‎400V‎,1.7A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FR90‎20 -5‎0V,-9‎.9A D‎-PAK ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎S540A‎100V‎,17A ‎T O-22‎0F DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFS6‎30A 2‎00V,6‎.5A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FS63‎4A 25‎0V,5.‎8A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F S640‎A 200‎V,9.8‎A TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎S644A‎250V‎,7.9A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFS‎730A ‎400V,‎3.9A ‎T O-22‎0F DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFS7‎40A 4‎00V,5‎.7A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FS83‎0A 50‎0V,3.‎1A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F S840‎A 500‎V,4.6‎A TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎S9Z34‎-60V‎,-12A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EDISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F SZ34‎A 60V‎,20A ‎T O-22‎0FDI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RFU1‎10A 1‎00V,4‎.7A I‎-PAK‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎U120A‎100V‎,8.4A‎I-PA‎KDIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R FU22‎0A 20‎0V,4.‎6A I-‎P AKD‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFU‎230A ‎200V,‎7.5A ‎I-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F U410‎A 500‎V ,1.‎2A I-‎P AKD‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFU‎420A ‎500V,‎2.3A ‎I-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F Z20A‎50V,‎15A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F Z24A‎60V,‎17A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T IR‎F Z30 ‎50V,3‎0A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎Z34A ‎60V,3‎0A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRF‎Z40 5‎0V,50‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRFZ‎44A 6‎0V,50‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎IRLS‎530A ‎100V,‎10.7A‎,Logi‎c TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T IRL‎S Z14A‎60V,‎8A,Lo‎g ic T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET I‎R LZ24‎A 60V‎,17A,‎L ogic‎TO-2‎20DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎I RLZ4‎4A 60‎V,50A‎,Logi‎c TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SFP3‎6N03 ‎30V,3‎6A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SFP‎65N06‎60V,‎65A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SF‎P9540‎-100‎V,-17‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SFP9‎634 -‎250V,‎-5A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SF‎P9644‎-250‎V,-8.‎6A TO‎-220‎D ISCR‎E TEDIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F R921‎4 -25‎0V,-1‎.53A ‎D-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SF‎R9224‎-250‎V,-2.‎5A D-‎P AK D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SFR9‎310 -‎400V,‎-1.5A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F S963‎0 -20‎0V,-4‎.4A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F S963‎4 -25‎0V,-3‎.4A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎F U922‎0 -20‎0V,-3‎.1A I‎-PAK‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSD‎2002 ‎25V N‎/P Du‎a l 8S‎O P DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SD20‎19 20‎V P-c‎h Dua‎l 8SO‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S D210‎1 30V‎N-ch‎Sing‎l e 8S‎O P DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SH10‎N80A ‎800V,‎10A T‎O-3P ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSH‎10N90‎A 900‎V,10A‎TO-3‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S H5N9‎0A 90‎0V,5A‎TO-3‎P DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S H60N‎10 10‎0V,60‎A TO-‎3PDI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SH6N‎80A 8‎00V,6‎A TO-‎3PDI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SH70‎N10A ‎100V,‎70A T‎O-3P ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSH‎7N90A‎900V‎,7A T‎O-3P‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSH‎9N80A‎800V‎,9A T‎O-3P‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎10N60‎A 600‎V,9A ‎T O-22‎0 DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S P1N6‎0A 60‎0V,1A‎TO-2‎20DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SP2N‎90A 9‎00V,2‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP3‎5N03 ‎30V,3‎5A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎3N90A‎900V‎,3A T‎O-220‎DISC‎R ETEDIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S P4N6‎0AS 6‎00V,4‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP4‎N90AS‎900V‎,4.5A‎TO-2‎20 DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SP5N‎90A 9‎00V,5‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP6‎0N06 ‎60V,6‎0A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎6N60A‎600V‎,6A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎P70N1‎0A 10‎0V,55‎A TO-‎220D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSP7‎N60A ‎600V,‎7A TO‎-220‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSP‎7N80A‎800V‎,7A T‎O-220‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎P80N0‎6A 60‎V,80A‎TO-2‎20DI‎S CRET‎EMOS‎FET ‎S SR1N‎60A 6‎00V,0‎.9A D‎-PAK‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSR‎2N60A‎600V‎,1.8A‎D-PA‎K DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S R305‎5A 60‎V,8A ‎D-PAK‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎S10N6‎0A 60‎0V,5.‎1A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎S2N60‎A 600‎V,1.3‎A TO-‎220F ‎D ISCR‎E TEM‎O S FE‎T SSS‎3N80A‎800V‎,2A T‎O-220‎F DIS‎C RETE‎MOS ‎F ET S‎S S3N9‎0A 90‎0V,2A‎TO-2‎20FD‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSS4‎N60AS‎600V‎,2.3A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSS4‎N90AS‎900V‎,2.8A‎TO-2‎20F D‎I SCRE‎T EMO‎S FET‎SSS5‎N80A ‎800V,‎3A TO‎-220F‎DISC‎R ETE‎M OS F‎E T SS‎S6N60‎600V‎, 3.2‎A TO-‎220(F‎/P) ‎。

电调常见的烧毁问题，可通过更换烧坏的ＭＯＳ管来解决，如相应电流的，可用更多大额定电流的代替。

注意，焊接ＭＯＳ止静电。

TO-220TO-252TO-3附SO-8（贴片８脚）封装ＭＯＳ管IRF7805Z的引脚图。

上图中有小圆点的为１脚注：下表按电流降序排列（如有未列出的，可回帖，我尽量补封装形式极性型号电流(A)耐压(V)导通电阻(mΩ)SO-8N型SI43362230 4.2 SO-8N型IRF78312130 3.6 SO-8N型IRF783220304SO-8N型IRF872114308.5 SO-8N型IRF78051330SO-8N型IRF7805Q133011 SO-8N型IRF7413123018 SO-8N型TPC800312306 SO-8N型IRF7477113020 SO-8N型IRF7811113012 SO-8N型IRF7466103015 SO-8N型SI4410103014 SO-8N型SI4420103010 SO-8N型A27009307.3 SO-8N型IRF78078.330SO-8N型SI48127.33028 SO-8N型SI9410 6.93050 SO-8N型IRF731363029 SO-8P型SI440517307.5 SO-8P型STM4439A143018 SO-8P型FDS667913309 SO-8P型SI441113308 SO-8P型SI446312.32016 SO-8P型SI44071230SO-8P型IRF7424113013.5 SO-8P型IRF7416103020 SO-8P型IRF7416Q103020 SO-8P型SI442593019 SO-8P型IRF74248.83022 SO-8P型SI443583020 SO-8P型SI4435DY83020 SO-8P型A271673011.3 SO-8P型IRF7406 5.83045 SO-8P型SI9435 5.33050 SO-8P型IRF7205 4.63070 TO-252N型FDD668884305 TO-3N型IRF1504010055 TO-220N型IRF370321030 2.8 TO-220N型IRL3803140306 TO-220N型IRF140513155 5.3 TO-220N型IRF3205110558 TO-220N型BUZ111S80558TO-220N型06N60 5.5600750MOS管应用电路设计本文来自:原文网址：/sch/jcdl/0084942.htmlMOS管应用电路设计MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电也有照明调光。

SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)2N7000N-ch MOS0.6250.26050.5100.8~310000.110TO-92 2N7002N-ch MOS0.2250.1156050.5101~2.52500.0810SOT-23 2N7002K N-ch MOS0.6250.346050.5101~2.5250--TO-92 2N7002K N-ch MOS0.350.346050.5101~2.51000--SOT-23 2N7002KW N-ch MOS0.20.346050.5101~2.51000--SOT-323 2N7002T N-ch MOS0.150.1156050.5101~2.52500.0810SOT-523 2N7002W N-ch MOS0.20.1156050.5101~2.52500.0810SOT-323 2N7002X N-ch MOS0.50.1156050.5101~2.52500.0810SOT-89-3L 2SK1658N-ch MOS0.20.130100.0140.9~1.510.023SOT-323 2SK3018N-ch MOS0.350.13080.0140.8~1.51000.023SOT-23 2SK3018N-ch MOS0.20.13080.0140.8~1.51000.023SOT-323 2SK3019N-ch MOS0.150.13080.0140.8~1.51000.023SOT-523 2SK3541N-ch MOS0.15±0.13080.0140.8~1.51000.023SOT-723 BSS123N-ch MOS0.350.1710060.17101~2.82500.0810SOT-23 BSS138N-ch MOS0.350.2250 3.50.22100.8~1.510000.1210SOT-23 BSS138W N-ch MOS0.30.2250 3.50.22100.8~1.525012010SOT-323 BSS84P-ch MOS0.225-0.13-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-23 CJ1012N-ch MOS0.150.5200.70.6 4.50.45~1.22501+10SOT-523 CJ2101P-ch MOS0.29-1.4-200.1-1-4.5-0.45-250--SOT-323型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJ2102N-ch MOS0.2 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-323 CJ2301P-ch MOS0.4-2.3-200.112-2.8-4.5-0.4~-1-250 6.5+-5SOT-23 CJ2301B P-ch MOS0.35-2.3-200.12-2.6-4.5-0.4~-1-250 6.5+-5SOT-23 CJ2301S P-ch MOS0.35-2.3-200.112-2.8-4.5-0.4~-1-2504+-5SOT-23 CJ2302N-ch MOS0.4 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-23 CJ2302S N-ch MOS0.35 2.1200.06 3.6 4.50.65~1.2508+5SOT-23 CJ2303P-ch MOS0.35-1.9-300.19-1.9-10-1~-3-2501-5SOT-23 CJ2304N-ch MOS0.35 3.3300.06 3.210 1.2~2.2250 2.5 4.5SOT-23 CJ2305P-ch MOS0.35-4.1-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23 CJ2306N-ch MOS0.75 3.16300.047 3.5101~32507+ 4.5SOT-23 CJ2307P-ch MOS 1.1-2.7-300.088-3.5-10-1~-3-2507+-10SOT-23 CJ2310N-ch MOS0.353600.1053100.5~2250 1.415SOT-23 CJ2312N-ch MOS0.255200.03185 4.50.45~12506+10SOT-23 CJ2321P-ch MOS0.35-2.9-200.057-3.3-4.5-0.4~-0.9-2503-5SOT-23 CJ2324N-ch MOS0.3521000.234 1.510 1.2~2.82502+20SOT-23 CJ2333P-ch MOS0.35-6-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018+-5SOT-23 CJ3134K N-ch MOS0.350.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10SOT-23 CJ3134K N-ch MOS0.150.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10SOT-723 CJ3134KW N-ch MOS0.20.75200.380.65 4.50.35~1.1250110SOT-323SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJ3139K P-ch MOS0.15-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-723 CJ3139K P-ch MOS0.35-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-23 CJ3139KW P-ch MOS0.2-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-2500.8-10SOT-323 CJ3400N-ch MOS0.35 5.8300.035 5.8100.7~1.425085SOT-23 CJ3400A N-ch MOS0.4 5.8300.032 5.8100.7~1.425085SOT-23 CJ3401P-ch MOS0.35-4.2-300.065-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23 CJ3401A P-ch MOS0.4-4.2-300.06-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23 CJ3402N-ch MOS0.354300.0554100.6~1.42508+15SOT-23 CJ3404N-ch MOS0.35 5.8300.03 5.8101~325055SOT-23 CJ3406N-ch MOS0.35 3.6300.065 3.6101~325035SOT-23 CJ3407P-ch MOS0.35-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23 CJ3415P-ch MOS0.35-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-2508-5SOT-23 CJ3420N-ch MOS0.356200.0246100.5~125045SOT-23 CJ3434N-ch MOS0.35300.0425100.6~125015+5SOT-23 CJ4153N-ch MOS0.150.915200.570.6 4.50.45~1.12500.510SOT-523 CJ4459＊P-ch MOS0.35-5-300.046-5-10-1.4~-2.4-25014+-5SOT-23 CJ502K P-ch MOS0.35-0.18-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-23 CJ502KW＊P-ch MOS0.3-0.18-5010-0.1-5-0.9~-2-2500.05-25SOT-323 CJ8810N-ch MOS0.37200.0267100.4~125095SOT-23SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJ8820N-ch MOS0.37200.0217100.5~1.125020+5SOT-23CJA03N10N-ch MOS0.531000.145101~225035SOT-89-3L CJA9451P-ch MOS0.5-2.3-200.135-2.3-4.5-0.5~-1.5-250 2.3-5SOT-89-3L CJA9452N-ch MOS0.54200.0384100.7~1.525035SOT-89-3L CJAA3134K N-ch MOS0.10.75200.380.65 4.50.35~1.1250 1.6+10WBFBP-03E(1.0×0.6×0.5) CJAA3139K P-ch MOS0.1-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10WBFBP-03E(1.0×0.6×0.5) CJAB25N03N-ch mos 1.525300.0110101~3250155PDFNWB3.3×3.3-8L CJAB35N03N-ch mos 1.535300.00712101~32503010PDFNWB3.3×3.3-8L CJAC10H02＊N-ch MOS2100200.00220 4.50.5~1.225093+5PDFNWB5×6-8L CJAC10H03＊N-ch MOS2100300.00252010 1.2~2.52503210PDFNWB5×6-8L CJAC20N10N-ch MOS2201000.0311510 1.3~2.525015+5PDFNWB5×6-8L CJAC35N03N-ch mos 1.535300.00712101~32503010PDFNWB5×6-8L CJAC50P03P-ch mos2-50-300.007-10-10-1.0~-2.525020-10PDFNWB5×6-8L CJB08N65N-ch MOS28650 1.44102~42508.5+50TO-263-2LCJB85N80N-ch MOS280850.006840102~425060+10TO-263-2LCJD01N65B N-ch MOS 1.251650140.6102~4250--TO-251-3LCJD01N80N-ch mos-180013.50.5103~52500.7550TO-251-3LCJD02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-251-3LCJD02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-251SSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJD02N65N-ch MOS 1.252650 4.41102~4250--TO-251-3L CJD02N65N-ch MOS 1.252650 4.41102~4250--TO-251S CJD02N80N-ch MOS 1.5 2.4800 6.3 1.2103~5250 1.550TO-251S CJD04N60N-ch MOS 1.25460032102~4250250TO-251S CJD04N60A N-ch MOS 1.25460032102~4250 2.550TO-251S CJD04N60B N-ch MOS--460032102~4250 2.550TO-251S CJD04N65N-ch MOS 1.25465032102~4250--TO-251S CJD05N60B N-ch MOS 1.255600 2.5 2.25102~4250--TO-251S CJD30N10＊N-ch MOS 1.25301000.0311510 1.3~2.525015+10TO-251S CJD4410N-ch MOS17.5300.013510101~32508+15TO-251-3L CJD4435P-ch MOS1-9.1-300.024-9.1-10-1~-3-25020-10TO-251-3L CJE3134K N-ch MOS0.150.75200.380.65 4.50.35-1.1250110SOT-523 CJE3139K P-ch MOS0.15-0.66-200.52-1-4.5-0.35~-1.1-250 1.2+-10SOT-523 CJI02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-126 CJK2305P-ch MOS0.4-4.1-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23-3L CJK2333P-ch MOS0.4-6-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018+-5SOT-23-3L(12R) CJK3400A N-ch MOS0.45 5.8300.032 5.8100.7~1.425085SOT-23-3L(12R) CJK3401A P-ch MOS0.45-4.2-300.06-4.2-10-0.7~-1.3-2507-5SOT-23-3L CJK3407P-ch MOS0.3-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23-3LSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJK3415P-ch MOS0.3-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-2508-5SOT-23-3LCJL1206P-ch MOS0.35-6-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5SOT-23-6L(12R)CJL2301P-ch MOS0.35-2.3-200.09-2.5-4.5-0.4~-1-2504-5SOT-23-6L(12R)CJL3407P-ch MOS0.35-4.1-300.06-4.1-10-1~-3-250 5.5-5SOT-23-6LCJL3415P-ch MOS0.35-4-200.05-4-4.5-0.3~-1-25016+-5SOT-23-6LCJM1206P-ch MOS 2.5-6-120.045-3.5-4.5-0.5~-0.9-2506-5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJM1208P-ch MOS 2.5-8-120.028-5-4.5-0.4~-1-25018-5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJM1216P-ch MOS 2.5-16-120.021-6.7-4.5-0.4~-1-25040+-10DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJM3005＊N-ch MOS0.55300.0425100.6~125015+5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJMN2012N-Ch MOS0.7512200.0155 4.50.35~1250204DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJMP3009P-ch MOS0.75-9-300.028-9-4.5-0.6~-1.5-25024+-5DFNWB2×2-6L-J(P0.65T0.75/0.85) CJP01N80N-ch MOS2180013.50.5103~52500.7550TO-220-3LCJP02N60N-ch MOS22600 4.41102~4250150TO-220-3LCJP02N65N-ch MOS22650 4.41102~4250--TO-220-3LCJP02N80N-ch MOS- 2.4800 6.3 1.2103~5250 1.550TO-220-3LCJP04N60N-ch MOS2460032102~4250250TO-220-3LCJP04N60A N-ch MOS2460032102~4250 2.550TO-220-3LCJP04N65N-ch MOS2465032102~4250--TO-220-3LCJP05N60B N-ch MOS-5600 2.5 2.25102~4250--TO-220-3LSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJP07N60N-ch MOS27600 1.3 3.5102~4250550TO-220-3L CJP07N65N-ch mos-7.4650 1.3 3.7102~4250540TO-220-3L CJP08N60N-ch MOS28600 1.34102~4250--TO-220-3L CJP08N65N-ch mos-8650 1.44102~42508.5+50TO-220-3L CJP10N60N-ch MOS21060015102~4250--TO-220-3L CJP10N65N-ch MOS-1065015102~4250--TO-220-3L CJP12N60N-ch MOS2126000.86102~4250--TO-220-3L CJP12N65N-ch MOS-126500.856102~4250--TO-220-3L CJP15H03＊N-ch mos2150300.00310 4.5 1.2~2.52503210TO-220-3L-C CJP50N06＊N-ch mos250600.022010 1.5~2.52502425TO-220-3L-C CJP55H12＊N-ch mos2120550.00554010 2.0~4.02505025TO-220-3L-C CJP80N03＊N-ch MOS 1.2580300.006530101~325020+5TO-220-3L-C CJP80N04＊N-ch MOS280400.0072010 1.2~2.525020+10TO-220-3L-C CJP85N80N-ch MOS280850.006840102~425060+10TO-220-3L-C CJPF02N60N-ch MOS22600 4.41102~4250150TO-220F CJPF02N65N-ch MOS22650 4.41102~4250--TO-220F CJPF03N80N-ch MOS-3800 4.2 1.5103~4.5250 2.115TO-220F CJPF04N60N-ch MOS2460032102~4250250TO-220F CJPF04N60A N-ch MOS2460032102~4250 2.550TO-220FSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJPF04N65N-ch MOS2465032102~4250--TO-220F CJPF04N70B＊N-Ch MOS2 4.4700 2.8 2.2102~4250--TO-220F CJPF04N70＊N-ch mos- 4.4700 2.8 2.2102~4250--TO-220F CJPF04N80N-ch MOS-480032103~5250--TO-220F CJPF05N60B N-ch MOS25600 2.5 2.25102~4250--TO-220F CJPF05N65N-ch MOS25650 2.4 2.5102~42504+50TO-220F CJPF06N70N-ch MOS-6700 1.83102~4250TO-220F CJPF07N60N-ch MOS27600 1.3 3.5102~4250550TO-220F CJPF07N65N-ch MOS27.4650 1.3 3.7102~4250540TO-220F CJPF08N60N-ch MOS28600 1.34102~4250--TO-220F CJPF08N65N-ch MOS28650 1.44102~42508.5+50TO-220F CJPF08N80N-ch MOS-8800 1.454103~5250 5.650TO-220F CJPF10N60N-ch MOS21060015102~4250--TO-220F CJPF10N65N-ch MOS21065015102~4250--TO-220F CJPF12N65N-ch MOS-126500.856102~4250--TO-220F CJPF55P30P-ch mos2-30-550.04-15-10-2~-4-2508-25TO-220F CJQ07N10N-ch mos 1.471000.0385 4.5 1.2~325022*5SOP8 CJQ4406N-ch mos 1.410300.01212101~325015*5SOP8 CJQ4407P-ch mos 1.4-12-300.017-10-6-1~-2.2-25025-5SOP8SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJQ4410N-ch MOS 1.47.5300.013510101~32508+15SOP8 CJQ4435P-ch MOS 1.4-9.1-300.024-9.1-10-1~-3-25020-10SOP8 CJQ4438N-ch MOS 1.258.2600.0228.2101~3250105SOP8 CJQ4459P-ch MOS 1.4-6.5-300.046-6.5-10-1.4~-2.4-2506-5SOP8 CJQ60P05P-ch MOS 1.25-5-600.08-5-10-1.5~-3.5-2505-15SOP8 CJQ9435P-ch MOS 1.4-5.1-300.06-4.6-10-1~-2-2505-15SOP8 CJT04N15N-ch MOS141500.16410 1.5~2.52505+15SOT-223(8R) CJU01N65B N-ch MOS 1.251650140.6102~4250--TO-252-2L(4R) CJU01N80N-ch MOS-180013.50.5103~52500.75+50TO-252-2L(4R) CJU02N60N-ch MOS 1.252600 4.41102~4250150TO-252-2L(4R) CJU02N65N-ch MOS 1.252650 4.41102~4250--TO-252-2L(4R) CJU02N80N-ch MOS- 2.4800 6.3 1.2103~5250 1.550TO-252-2L(4R) CJU03N80N-ch MOS-3800 4.2 1.5103~4.5250 2.1+15TO-252-2L(4R) CJU04N60N-ch MOS 1.25460032102~4250 2.550TO-252-2L(4R) CJU04N60A N-ch MOS 1.25460032102~4250 2.550TO-252-2L(4R) CJU04N65N-ch MOS 1.25465032102~4250--TO-252-2L(4R) CJU04N70B＊N-ch mos 1.25 4.4700 2.8 2.2102~4250--TO-252-2L(4R) CJU05N60B N-ch MOS 1.255600 2.5 2.25102~4250--TO-252-2L(4R) CJU10N10N-ch MOS-9.61000.14510 1.2~2.5250 3.525TO-252-2L(4R)SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS(V)I D(μA)(S)V DS封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)CJU12P10＊P-ch MOS 1.25-12-1000.25-6-10-1~-3-250--TO-252-2L(4R) CJU18P10P-ch MOS 1.25-18-1000.1-16-10-1~-3-2505-10TO-252-2L(4R) CJU20N06N-ch mos 1.2520600.04520101~32502425TO-252-2L(4R) CJU30N03N-ch MOS 1.2530300.01415101~2.5250--TO-252-2L(4R) CJU30N10N-ch MOS 1.25301000.0311510 1.3~2.525015+5TO-252-2L(4R) CJU40N10N-ch mos 1.25401000.01728102~42503225TO-252-2L(4R) CJU40P04P-ch mos 1.25-40-400.014-12-10-1.5~-3-25034-5TO-252-2L(4R) CJU4410N-ch MOS17.5300.013510101~32508+15TO-252-2L(4R) CJU4828N-ch MOS 1.25 4.5600.056 4.5101~325045TO-252-2L(4R) CJU50N03＊N-ch mos 1.2550300.0162051~3250155TO-252-2L(4R) CJU50N06N-ch mos 1.2550600.022010 1.5~2.52502425TO-252-2L(4R) CJU55P30P-ch mos 1.25-30-550.04-15-10-2~-4-2508-25TO-252-2L(4R) CJU60N04＊N-ch mos 1.2560400.0220 4.5 1.2~2.52501510TO-252-2L(4R) CJU75N06N-ch mos 1.2575600.011530102~42502025TO-252-2L(4R) CJU80N03N-ch mos 1.2580300.012451~3250205TO-252-2L(4R) CJV01N65B N-ch MOS0.6251650140.6102~4250--TO-92 CJW1012N-ch MOS0.150.5200.70.6 4.50.45~1.22501+10SOT-323 IRF630N-ch MOS-9.32000.4 5.4102~4250 3.850TO-220-3L IRF640N-ch MOS2182000.1811102~4250 6.750TO-220-3LSHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTD型号类型P D I D V BR(DSS)(Ω)I D V GS (V)I D (μA)(S)V DS 封装形式(W)(A)(V)(A)(V)(V)IRF730N-ch MOS 2 5.54001 3.3102~4250 2.950TO-220-3L IRF740N-ch MOS -104000.55 5.2102~4250 5.850TO-220-3L IRF830N-ch MOS 2 4.5500 1.5 2.7102~4250 2.550TO-220-3L IRF840N-ch MOS 285000.85 4.8102~4250 4.950TO-220-3L IRFB640N-ch MOS 2182000.1811102~4250 6.750TO-263-2L IRFB830N-ch MOS 2 4.5500 1.5 2.7102~4250 2.550TO-263-3L IRFF640N-ch MOS-182000.1811102~42506.750TO-220F深圳理悠科技有限公司SHENZHEN LIYOU TECHNOLOGY CO.,LTDw w 。

KD230‎0 N-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎20V、内‎阻28mΩ‎、电流6A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的230‎0；Si2‎300，A‎P M230‎0，CEM‎2300，‎S TS23‎00，‎A P230‎0，MT2‎300，M‎E2300‎KD2‎302 N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压20V‎、内阻85‎mΩ、电流‎3.2A ‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2302 ‎；APM2‎302，S‎S S230‎2，ME2‎302，A‎P2302‎，ST‎S2302‎，MT23‎02K‎D2304‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压2‎5V、内阻‎117mΩ‎、电流2.‎7AK‎D2304‎A N-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎30V、内‎阻117m‎Ω、电流2‎.5A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎304；S‎i2304‎，AO34‎06，ND‎S355A‎N，AP2‎304，‎APM2‎306，C‎E S230‎4KD‎2306 ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压20‎V、内阻3‎0mΩ、电‎流8.7A‎KD2‎306A ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压30‎V、内阻3‎0mΩ、电‎流8.5A‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的2306‎KD2‎308 N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压60V‎、内阻16‎0mΩ、电‎流6A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎308‎K D231‎0 N-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎60V、内‎阻90mΩ‎、电流6A‎‎/////‎/////‎/////‎/////‎/////‎/////‎////‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎310‎K D230‎1 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-20V、‎内阻130‎mΩ、电流‎-2.6A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的230‎1；Si2‎301，A‎P2230‎1，CEM‎2301，‎A PM23‎01，‎A PM23‎13，AP‎M2323‎，CES2‎301，F‎D N302‎，FDN‎342P，‎F DN33‎8PK‎D2303‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎30V、内‎阻240m‎Ω、电流-‎1.9A、‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的2303‎；Si23‎03， A‎O3405‎，AO34‎09，FD‎N360P‎，FD‎N358P‎，FDN3‎52AP，‎A P230‎3，APM‎2307，‎C ES23‎03K‎D2305‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎20V、内‎阻53mΩ‎、电流-4‎.2A、‎KD23‎05A P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-30‎V、内阻6‎0mΩ、电‎流-3.2‎A、可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的 2‎305‎K D230‎7 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-16V、‎内阻60m‎Ω、电流-‎4A、‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的‎2307 ‎KD23‎09 P-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压-30V‎、内阻75‎mΩ、电流‎-3.7A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的 23‎09K‎D3401‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎30V、内‎阻50mΩ‎、电流-4‎.2A、‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎3401；‎S i340‎1，AMP‎3401，‎C EM34‎01，ST‎S3401‎，AP‎3401，‎M T340‎1KD‎3402 ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压30‎V、内阻7‎3mΩ、电‎流4A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的3‎402;A‎O3402‎SI23‎06 SI‎2316 ‎A P231‎6 CES‎2314 ‎KD34‎03 P-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压-30V‎、内阻11‎0mΩ、电‎流-3.4‎A、可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的 3‎403；A‎O3403‎SI23‎41 SI‎2307 ‎A P230‎9 CES‎2313 ‎KD82‎05S D‎u al N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎6封装、‎电压20V‎、内阻28‎mΩ、电流‎4A可‎替代市面上‎所有TSO‎P-6 封‎装的820‎5KD‎8205G‎Dual‎N-Ch‎a nnel‎TSSO‎P-8 封‎装、电压2‎0V、内阻‎28mΩ、‎电流6A ‎可替代市‎面上所有T‎S SOP-‎8封装的‎8205 ‎KDG9‎926 D‎u al N‎-Chan‎n el T‎S SOP-‎8封装、‎电压20V‎、内阻28‎mΩ、电流‎6A仅‎接受项目专‎案订制供货‎.可替代市‎面上各厂牌‎各款TSS‎O P-8 ‎封装之99‎26.‎K D441‎0 N-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压30‎V、内阻1‎3.5mΩ‎、电流10‎A可兼‎容、代用、‎替换市面上‎各类型44‎10 : ‎A PM44‎10、CE‎M4410‎、AP44‎10、FD‎S4410‎、SSM4‎410、‎SDM4‎410、S‎T M441‎0、 MT‎4410、‎i TM44‎10、ST‎S4410‎、H441‎0、P44‎10、GE‎4410、‎A F441‎0N、‎M E441‎0KD‎9410 ‎N-Cha‎n nel ‎S OP-8‎封装、电‎压30V、‎内阻5mΩ‎、电流18‎A可替‎代市面上各‎类型941‎0 :NK‎9410D‎、NDS9‎410A、‎A PM94‎10K、S‎S M941‎0A、CE‎M9436‎A、F‎D S663‎0A、FD‎F S6N3‎03、Si‎9410、‎G T941‎0、TM9‎410、G‎E9410‎、G941‎0、ME9‎410 ‎K D992‎6 Dua‎l N-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压20‎V、内阻2‎8mΩ、电‎流6A‎可兼容、代‎用、替换市‎面上各类型‎的9926‎: AP‎M9926‎、CEM9‎926、A‎P9926‎、SSM5‎N20V、‎SDM‎9926、‎S TM99‎26、MT‎9926、‎T M992‎6、 GE‎9926、‎S TN99‎26、iT‎M9926‎、MO‎S FET ‎系列K‎D2300‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压2‎0V、内阻‎50mΩ、‎电流6A、‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的2300‎；Si23‎00，AP‎M2300‎，CEM2‎300，S‎T S230‎0，A‎P2300‎，MT23‎00，ME‎2300 ‎KD23‎02 N-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压20V、‎内阻85m‎Ω、电流3‎.2A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎302 ；‎A PM23‎02，SS‎S2302‎，ME23‎02，AP‎2302，‎STS‎2302，‎M T230‎2KD‎2304 ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压25‎V、内阻1‎17mΩ、‎电流2.7‎AKD‎2304A‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压3‎0V、内阻‎117mΩ‎、电流2.‎5A可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的23‎04；Si‎2304，‎A O340‎6，NDS‎355AN‎，AP23‎04，‎A PM23‎06，CE‎S2304‎KD2‎306 N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压20V‎、内阻30‎mΩ、电流‎8.7A ‎KD23‎06A N‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压30V‎、内阻30‎mΩ、电流‎8.5A ‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2306 ‎KD23‎08 N-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压60V、‎内阻160‎mΩ、电流‎6A可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的23‎08K‎D2310‎N-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压6‎0V、内阻‎90mΩ、‎电流6A ‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2310 ‎KD34‎00 N-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压25V、‎内阻30m‎Ω、电流2‎.7A‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的3‎400‎KD2‎301 P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-20‎V、内阻1‎30mΩ、‎电流-2.‎6A、‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的2‎301；S‎i2301‎，AP23‎01，CE‎M2301‎，APM2‎301，‎APM2‎313，A‎P M232‎3，CES‎2301，‎F DN30‎2，FD‎N342P‎，FDN3‎38P‎K D230‎3 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-30V、‎内阻240‎mΩ、电流‎-1.9A‎、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的230‎3；Si2‎303，‎A O340‎5，AO3‎409，F‎D N360‎P，F‎D N358‎P，FDN‎352AP‎，AP23‎03，AP‎M2307‎，CES2‎303‎K D230‎5 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-20V、‎内阻53m‎Ω、电流-‎4.2A、‎KD2‎305A ‎P-Cha‎n nel ‎S OT23‎-3 封装‎、电压-3‎0V、内阻‎60mΩ、‎电流-3.‎2A、‎可兼容、代‎用、代换、‎替换市面上‎各类型的‎2305 ‎KD23‎07 P-‎C hann‎e l SO‎T23-3‎封装、电‎压-16V‎、内阻60‎mΩ、电流‎-4A、‎可兼容、‎代用、代换‎、替换市面‎上各类型的‎2307‎KD2‎309 P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-30‎V、内阻7‎5mΩ、电‎流-3.7‎A、可‎兼容、代用‎、代换、替‎换市面上各‎类型的 2‎309‎K D340‎1 P-C‎h anne‎l SOT‎23-3 ‎封装、电压‎-30V、‎内阻50m‎Ω、电流-‎4.2A、‎可兼容‎、代用、代‎换、替换市‎面上各类型‎的3401‎；Si34‎01，AM‎P3401‎，CEM3‎401，S‎T S340‎1，A‎P3401‎，MT34‎01K‎D3403‎P-Ch‎a nnel‎SOT2‎3-3 封‎装、电压-‎30V、内‎阻75mΩ‎、电流-3‎.7A、‎KD34‎03A P‎-Chan‎n el S‎O T23-‎3封装、‎电压-30‎V、内阻7‎0mΩ、电‎流-3.2‎A、可兼‎容、代用、‎代换、替换‎市面上各类‎型的 34‎03；‎KD8‎205S ‎D ual ‎N-Cha‎n nel ‎S OT23‎-6 封装‎、电压20‎V、内阻2‎8mΩ、电‎流4A‎可替代市面‎上所有TS‎O P-6 ‎封装的82‎05K‎D8205‎G Dua‎l N-C‎h anne‎l TSS‎O P-8 ‎封装、电压‎20V、内‎阻28mΩ‎、电流6A‎可替代‎市面上所有‎T SSOP‎-8 封装‎的8205‎KDG‎9926 ‎D ual ‎N-Cha‎n nel ‎T SSOP‎-8 封装‎、电压20‎V、内阻2‎8mΩ、电‎流6A‎仅接受项目‎专案订制供‎货.可替代‎市面上各厂‎牌各款TS‎S OP-8‎封装之9‎926. ‎KD44‎10 N-‎C hann‎e l SO‎P-8 封‎装、电压3‎0V、内阻‎13.5m‎Ω、电流1‎0A可‎兼容、代用‎、替换市面‎上各类型4‎410 :‎APM4‎410、C‎E M441‎0、AP4‎410、F‎D S441‎0、SSM‎4410、‎SDM‎4410、‎S TM44‎10、 M‎T4410‎、iTM4‎410、S‎T S441‎0、H44‎10、P4‎410、G‎E4410‎、AF44‎10N、‎ME44‎10K‎D9410‎N-Ch‎a nnel‎SOP-‎8封装、‎电压30V‎、内阻5m‎Ω、电流1‎8A可‎替代市面上‎各类型94‎10 :N‎K9410‎D、NDS‎9410A‎、APM9‎410K、‎S SM94‎10A、C‎E M943‎6A、‎F DS66‎30A、F‎D FS6N‎303、S‎i9410‎、GT94‎10、TM‎9410、‎G E941‎0、G94‎10、ME‎9410 ‎KD99‎26 Du‎a l N-‎C hann‎e l SO‎P-8 封‎装、电压2‎0V、内阻‎28mΩ、‎电流6A ‎可兼容、‎代用、替换‎市面上各类‎型的992‎6 : A‎P M992‎6、CEM‎9926、‎A P992‎6、SSM‎5N20V‎、SD‎M9926‎、STM9‎926、M‎T9926‎、TM99‎26、 G‎E9926‎、STN9‎926、i‎T M992‎6、GT9‎926、T‎F9926‎、AF‎9926、‎S i992‎6、FDS‎9926、‎H9926‎、ME99‎26K‎D4228‎Dual‎N-Ch‎a nnel‎SOP-‎8封装、‎电压30V‎、内阻26‎mΩ、电流‎6.8A ‎可兼容、‎代用、替换‎市面上各类‎型的AO4‎800、S‎i4800‎、Si48‎04、FD‎S6912‎A、FDS‎6930A‎、SD‎M4800‎、APM7‎313、I‎R F731‎3、AP4‎920、S‎i4936‎，NDS9‎956A、‎S i992‎5、Si9‎926、S‎i9956‎、SI‎4804、‎S I993‎6、FDS‎9926A‎、FDS6‎912、M‎E4922‎、GT42‎28K‎D9971‎Dual‎N-Ch‎a nnel‎SOP-‎8封装、‎电压60V‎、内阻50‎mΩ、电流‎5A可‎兼容、代用‎、替换市面‎上各类型的‎9971，‎A P997‎1GM、S‎T M696‎0、Si4‎900DY‎、Si49‎46、‎A O482‎8、APM‎9946K‎、APM9‎945K、‎S i994‎5AEY、‎C EM44‎26、 F‎D S994‎5KD‎9435 ‎P-Cha‎n nel ‎S OP-8‎封装、电‎压-30V‎、内阻50‎mΩ、电流‎-5.3A‎可兼容‎、代用、替‎换市面上各‎类型943‎5 : A‎P M943‎5、CEM‎9435、‎A P943‎5、SSM‎9435、‎T M943‎5、M‎T9435‎、GE94‎35、SD‎M9435‎、 STM‎9435、‎H9435‎、FDS9‎435、A‎O9435‎、Si94‎35、ST‎P9435‎、ME‎9435 ‎KD44‎35 P-‎C hann‎e l SO‎P-8 封‎装、电压-‎30V、内‎阻20mΩ‎、电流-8‎A可兼‎容、代用、‎替换市面上‎各类型44‎35 : ‎A PM44‎35、 S‎i4435‎、 CEM‎4435、‎SDM4‎435、‎SSM4‎435、G‎E4435‎、MT44‎35、H4‎435、‎S TM44‎35、AP‎4435、‎T M495‎3、AF4‎435、F‎D S443‎5、i‎T M443‎5、ME4‎435‎K D495‎3 Dua‎l P-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压-3‎0V、内阻‎53mΩ、‎电流-5A‎KD4‎953BD‎Y Dua‎l P-C‎h anne‎l SOP‎-8 封装‎、电压-3‎0V、内阻‎42mΩ、‎电流-5A‎可兼容‎、代用、替‎换市面上各‎类型495‎3 : G‎E4953‎、iTM4‎953、A‎F4953‎P、H49‎53、MT‎4953、‎‎。

常用低压mos管概述说明以及解释1. 引言1.1 概述在现代电子设备中，低压MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作为一种重要的器件，广泛应用于各种电路中。

低压MOS管具有特殊的结构和工作原理，可以在低压下实现高速开关和放大功能。

本文将对常用低压MOS管进行概述说明和解释，旨在帮助读者更好地了解它们的特点、工作原理以及在电路中的应用场景。

1.2 文章结构本文共分为五个主要部分。

首先，在引言部分我们将对本文进行概括性介绍，并明确文章结构。

其次，在第二部分中，我们将详细讨论常用低压MOS管的特点，包括定义和作用、分类及特点以及应用场景。

第三部分将深入介绍低压MOS管的工作原理与结构，并进行相关特点分析。

接下来，在第四部分中，我们将列举并解决常见问题，并分享实践经验以防止未来出现类似问题。

最后，在第五部分中，我们将总结低压MOS管的重要性和应用前景，并展望技术发展方向和挑战，并给出对读者的建议和启示。

1.3 目的本文的目的是帮助读者全面理解和掌握常用低压MOS管的相关知识。

通过深入讲解低压MOS管的特点、工作原理及其在电路中的应用场景，读者将能够更好地应用和选择合适的低压MOS管，从而提高电路设计和性能。

同时，本文也旨在引发对低压MOS管技术发展方向和挑战的思考，为相关领域的研究和创新提供指导与启示。

通过本文，希望读者能够深入了解低压MOS管，并在实践中取得更好的成果。

2. 常用低压mos管的特点2.1 低压MOS管的定义和作用低压MOS管是一种常用的场效应晶体管，其主要作用是在电路中作为开关或放大器使用。

它具有低阻抗、高输入电阻和高输出电容等特点。

2.2 常见的低压MOS管分类及特点常见的低压MOS管可以根据其功率级别分为小功率MOS管和中功率MOS管。

小功率MOS管通常工作在数十毫安到几安的电流范围内，适用于低功率应用场景。

中功率MOS管则能承受更高电流，可在几安到数十安之间进行工作。

Bld（Bipolar Logic Diode Logic）是一种常用的电子元器件，用于实现逻辑门电路。

在选择合适的CMOS管时，需要考虑以下几个参数：输入电压、输出电压、电源电压范围、静态功耗、动态功耗、频率响应、输入电阻和输出电阻等。

首先，输入电压和输出电压是选择CMOS管的重要参数之一。

通常，CMOS管的输入电压范围和输出电压范围应该与电路中的其他元件相匹配。

例如，如果电路中需要一个输入为低电平有效的门电路，那么选择的CMOS管输入电压范围应该是低电平有效；如果电路需要输出高电平有效的门电路，那么选择的CMOS管输出电压范围应该是高电平有效。

其次，电源电压范围也是选择CMOS管时需要考虑的参数之一。

不同品牌的CMOS管通常具有不同的电源电压范围，因此在选择时需要考虑到电路的实际工作电压范围。

一般来说，CMOS管的电源电压范围应该与电路中的其他元件相匹配，以确保电路的稳定性和可靠性。

第三，静态功耗和动态功耗是选择CMOS管时需要考虑的另一个重要参数。

静态功耗是指CMOS管在静态状态下所消耗的功率，而动态功耗是指CMOS管在切换状态时所消耗的功率。

在选择合适的CMOS管时，需要考虑到电路的实际功耗需求，并选择具有较低静态功耗和动态功耗的CMOS管，以降低电路的整体功耗。

第四，频率响应也是选择CMOS管时需要考虑的一个参数。

不同的CMOS管具有不同的频率响应特性，因此在选择时需要考虑到电路的实际工作频率需求。

一般来说，如果电路的工作频率较高，那么应该选择具有较高频率响应特性的CMOS管。

此外，输入电阻和输出电阻也是选择CMOS管时需要考虑的参数之一。

输入电阻决定了CMOS 管对输入信号的敏感程度，而输出电阻则决定了CMOS管的负载能力。

在选择合适的CMOS 管时，需要考虑到这些参数对电路性能的影响。

综上所述，选择合适的Bld CMOS管需要考虑多个参数，包括输入电压、输出电压、电源电压范围、静态功耗、动态功耗、频率响应、输入电阻和输出电阻等。