※ 材料的导电性能
1、 霍尔效应
电子电导的特征是具有霍尔效应。
置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两
个面之间产生电动势差，这种现象称霍尔效应。
形成的电场E
H ，称为霍尔场。表征霍尔场的物理参数称为霍尔系数，定义为：
霍尔系数R
H 有如下表达式：e
n R i H 1
±
= 表示霍尔效应的强弱。霍尔系数只与金属中自由电子密度有关 2、 金属的导电机制
只有在费密面附近能级的电子才能对导电做出贡献。
利用能带理论严格导出电导率表达式：
式中： nef 表示单位体积内实际参加传导过程的电子数；
m *为电子的有效质量，它是考虑晶体点阵对电场作用的结果。
此式不仅适用于金属，也适用于非金属。能完整地反映晶体导电的物理本质。
量子力学可以证明，当电子波在绝对零度下通过一个完整的晶体点阵时，它将不受散射而无阻碍的传播，这时
电阻为零。只有在晶体点阵完整性遭到破坏的地方，电子波才受到散射(不相干散射)，这就会产生电阻——金属产生电阻的根本原因。由于温度引起的离子运动(热振动)振幅的变化(通常用振幅的均方值表示)，以及晶体中异类原子、位错、点缺陷等都会使理想晶体点阵的周期性遭到破坏。这样，电子波在这些地方发生散射而产生电阻，降低导电性。
3、 马西森定律 （P94题11） 试说明用电阻法研究金属的晶体缺陷（冷加工或高温淬火）时威慑年电阻测量要在低温下进行。
马西森（Matthissen ）和沃格特（V ogt ）早期根据对金属固溶体中的溶质原子的浓度较小，以致于可以略去它们
之间的相互影响，把金属的电阻看成由金属的基本电阻ρL(T)和残余电阻ρʹ组成，这就是马西森定律（ Matthissen Rule ），用下式表示：
ρʹ是与杂质的浓度、电缺陷和位错有关的电阻率。 ρL(T)是与温度有关的电阻率。
4、 电阻率与温度的关系
金属的温度愈高，电阻也愈大。
若以ρ0和ρt 表示金属在0 ℃和T ℃温度下的电阻率，则电阻与温度关系为:
在t 温度下金属的电阻温度系数：
5、 电阻率与压力的关系
在流体静压压缩时，大多数金属的电阻率降低。
在流体静压下金属的电阻率可用下式计算
式中：ρ0表示在真空条件下的电阻率；p 表示压力；φ是压力系数(负值10-5~10-6 )。 正常金属（铁、钴、镍、钯、铂等），压力增大，金属电阻率下降；反常金属（碱土金属和稀土金属的大部分）
6、 缺陷对电阻率的影响：不同类型的缺陷对电阻率的影响程度不同，空位和间隙原子对剩余电阻率的影响和金属
杂质原子的影响相似。点缺陷所引起的剩余电阻率变化远比线缺陷的影响大。
7、固溶体的电阻率
形成固溶体时电阻率的变化：
当形成固溶体时，合金导电性能降低。因为在溶剂晶格中溶入溶质原于时，溶剂的晶格发生扭曲畸变，破坏了晶格势场的周期性，从而增加了电子散射几率，电阻率增高。所当然的，且原于半径差越大，固溶体电阻也越大。但是，点阵畸变不是固溶体电阻增大的唯一原因。
有序合金电阻率（会分析电阻率的变化）两个因素：
固溶体有序化合金组元化学作用加强电子结合更强导电电子数减少电阻率增加固溶体有序化离子势场更为对称电子散射几率大幅降低电阻率减小
通常，第二个因素的作用占优势，故当合金有序化时，电阻率降低。
8、晶体离子电导
离子电导是带电荷的离子载流子在电场作用下的定向运动。
离子电导分两种情况：本征电导（固有离子电导）、杂质电导。
本征电导：组成晶体点阵的基本离子由于热运动而离开晶格，形成热缺陷，这种热缺陷无论是离子或空位都可以在电场作用下成为导电的载流子，参与导电。
杂质电导：由固定相对较弱的离子运动引起的，主要是杂质离子。
一般情况下，由于杂质离子与晶格联系弱，所以，在较低温度下杂质电导表现显著，而本征电导在高温下才成为导电主要表现。
热缺陷的浓度取决于温度和缺陷的形成能。
离子导电的影响因素：
1)温度的影响：
温度以指数形式影响其电导率。随着温度从低温向高温增加，其电
阻率的对数的斜率会发生变化，即出现拐点。注意，在分析右曲线时，拐
点并不一定是离子导电机制变化，也可能是导电载流子种类发生变化。
2)离子性质、晶体结构的影响（会判断）：
晶体熔点高，原子之间的结合力大，导电激活能高，电导率降低。
9、半导体（用能带结构理论解释n、p型半导体的区别）
特点：（p型）靠近价带顶部形成受主能级。（n型）靠近倒带底部形成施主能级。
10、超导体
超导体的两个物理特性：完全导电性、完全抗磁性。
两类超导体的基本特征：
（1）第一类超导体：Hc 和Ic 很低，由于其临界电流密度和临界磁场较低，几乎没有实用的可能性。
（2）第二类超导体：除金属元素钒、锝和铌外，第II类超导体主要包括金属化合物及其合金。
库柏（Cooper)电子对
当电子间有净的吸引作用时，费密面附近的两个电子将形成束缚的电子对的状态，它的能量比两个独立的电子的总能量低，这种电子对状态称为库柏对。
11、电阻的测量方法及应用（特点、适用范围，会选择）
A. 电桥法 测量直流电阻最常用的方法
优点：测量的准确度几乎等于标准量的准确度。
缺点：测量过程中，为获得平衡状态，需进行反复调节，测试速度慢，不能适应大量、快速测量的需要。 直流单电桥测电阻的范围在1Ω～1MΩ之间。双臂电桥（凯尔文电桥），测量直流小电阻。 B. 电位差计法 优点：测金属电阻随温度变化时 C. 直流四探针法（四电极法） 主要用于半导体材料或超导体等低电阻率的测试 D. 电阻法 测量固溶体溶解度曲线、研究合金时效、研究马氏体转变、研究疲劳和裂纹扩展、
研究有序转变、钢的回火及过冷奥氏体分解等。
※ 材料的介电性能
1、 相对介电常数 εr = C/Co 物理意义：反映了电介质材料在静电场中的极化特性
2、 电介质：通常指电阻率大于1010Ω·cm 的一类在电场中以感应而并非传导的方式呈现其电学性能的材料。
在电场作用下建立极化的物质。介电常数ε是表征电介质的最基本的参量。
3、 电介质的极化：在电场作用下，正、负束缚电荷只能在微观尺度上作相对位移，不能作定向运动。正负束缚电
荷间的相对偏移，产生感应偶极矩。在外电场作用下, 电介质内部感生偶极矩的现象，称为电介质的极化。
4、 电介质的极化机制
注意：铁电体中自发极化的产生是不需要外加电场诱导的，完全是由特殊晶体结构诱发的。
极化强度：电介质在电场作用下的极化程度用极化强度矢量P 表示，极化强度P 是电介质单位体积内的感生偶极矩，可表示为： 单位为库仑/米2 (C/m 2)
说明：(1) 真空中 P = 0 ，真空中无电介质。
(2) 导体内 P = 0 ，导体内不存在电偶极子。
(3) 电偶极子排列的有序程度反映了介质被极化的程度，排列愈有序说明极化愈烈。
介电系数是综合反映介质内部电极化行为的一个主要宏观物理量。
5、 电介质极化类型
（包括电子位移极化、）；驰豫极化（电子驰豫极化、离子驰豫极化）；取向极化；空间电荷极化。
弹性位移极化（瞬时极化）
（1） 电子位移极化：在外电场作用下，原于外围的电子轨道相对于原子核发生位移，原子中的正、负电荷
重心产生相对位移。 响应时间为10-14~10-16 S 可见光频段
（2） 离子位移极化：离子在电场作用下偏移平衡位置的移动，相当于形成一个感生偶极矩；也可以理解为
离子晶体在电场作用下离子间的键合被拉长。 响应时间为10-12~10-13 S 微波频段 注：只有当分子结构有极化时，离子的位移极化才表现的较为突出，在无极性分子中离子位移极化率很小，这时仍以电子极化为主。
驰豫（松弛）极化
概念：当材料中存在着弱联系的电子、离子和偶极子等弛豫质点时，温度造成的热运动使这些质点分布混乱，而电场使它们有序分布，平衡时建立了极化状态。这种极化具有统计性质，称为热弛豫(松弛)极化。
特点： （1）与热运动有关； （2）极化需要克服一定的势垒，因而需要消耗一定的能量。是非弹性的；
（3）不可逆； （4）带电质点热运动距离远。
V P ∆=∑μ
lim
