硅片的检测
1：硅片表面光滑洁净
2：TV：220±20um 。
3：几何尺寸：
边长：125±0.5mm；对角150±0.5mm、148±0.5mm、165±0.5mm；
边长：103±0.5mm、对角：135±0.5mm；
边长：150±0.5mm、156±0.5mm、对角：203±0.5mm、200±0.5mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1mm
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.3
二、合格品
一级品：垂直度：任意两边的夹角：90°±0.5
二级品：1：表面有少许污渍、线痕。凹痕、轻微崩边。
2：220±30um ≤TV≤220±40um。
3：凹痕：硅片表面凹痕之和≤30um
4：崩边范围：崩边口不是三角形，崩边口长度≤1mm ，深度≤0.5mm 5：几何尺寸：
边长：125±0.52mm；对角150±0.52mm、148±0.52mm、165±0.52mm；
边长：103±0.52mm、对角：135±0.52mm；
边长：150±0.52mm、156±0.52mm、对角：203±0.52mm、200±0.52mm、。
同心度：任意两个弧的弦长之差≤1.5mm
垂直度：任意两边的夹角：90°±0.8
三级品：
1：表面有油污但硅片颜色不发黑，有线痕和硅洛现象。
2：220±40um ≤TV≤220±60um。
3：硅落：整张硅片边缘硅晶脱落部分硅晶脱落。
三、不合格品
严重线痕、厚薄片：TV＞220±60um。
崩边片：有缺陷但可以改￠103的硅片
气孔片：硅片中间有气孔
外形片：切方滚圆未能磨出的硅片。
倒角片（同心度）：任意两个弧的弦长之差＞1.5mm
菱形片：（垂直度）：任意两边的夹角＞90°±0.8
凹痕片：硅片两面凹痕之和＞30um
脏片：硅片表面有严重污渍且发黄发黑
尺寸偏差片：几何尺寸超过二级片的范围。
注：以上标准针对的硅片厚度为220um 。
硅片等级分类及标准（150*150）
一、优等品（Ⅰ类片）
1、物理、化学特性
①型号：P 晶向[100]±1°
②氧含量：≤1.0X1018at/cm3
③碳含量：≤5X1016 at/cm3
④勺子寿命：T=1.3—3.0us（在测试电压≥20mv下裸片的数据）
⑤电阻率：0.9—1.2、1。2—3.0 、3.0-6.0Ω/cm
⑥位错密度：≤3000个/cm
2、几何尺寸：
①边长：125*125±0.5mm
②对角：150*150±0.5mm
③同心度：任意两弧长之差≤1mm
④垂直度：任意两办的夹角90°±0.3°
⑤厚度：200±20 um，（中心点厚度≥195um，边缘四角厚度≥195um）
180±20 um，（中心点厚度≥175um，边缘四角厚度≥160um）
⑥TTV: ≤30um
⑦弯曲度：≤40um
3、表明指标：
①线痕：无可视线痕
②目视表面：无粘污、无水渍、染色、白斑、指印等
③无崩边：无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲
二、合格品（Ⅱ类片）
2、物理、化学特性
①型号：P 晶向[100]±1°
②氧含量：≤1.0X1018at/cm3
③碳含量：≤5X1016 at/cm3
④勺子寿命：T=1.3—3.0us（在测试电压≥20mv下裸片的数据）
⑤电阻率：0.5-0.8Ω/cm
⑥位错密度：≤3000个/cm
2、几何尺寸：
①边长：125*125±0.5mm
②对角：150*150±0.5mm
③同心度：任意两弧长之差≤1.5mm
④垂直度：任意两办的夹角90°±0.3°
⑤厚度：200±20 um，（中心点厚度≥195um，边缘四角厚度≥180um）
180±20 um，（中心点厚度≥175um，边缘四角厚度≥160um）
⑥TTV: ≤30um
⑦弯曲度：≤40um
3、表明指标：
①线痕：无明显线痕、触摸无凹凸感。
③崩边范围：崩边口不是“V”型，长X 深≤1X0.5mm ，无可视裂纹、边缘光滑、目视无翘曲
三、等外品（Ⅲ类片）
3、物理、化学特性
①型号：P/N 晶向[100]±3°
②氧含量：≤1.0X1018at/cm3
③碳含量：≤5X1016 at/cm3
④勺子寿命：T＜1.0us（在测试电压≥20m下裸片的数据）
⑤电阻率：≤0.5Ω/cm
⑥位错密度：＞3000个/cm
2、几何尺寸：
①边长：125*125±1.0mm
②对角：150*150±1.0mm
③同心度：任意两弧长之差≤1.5mm
④垂直度：任意两办的夹角90°±0.5°
⑤厚度：＜160um
3、表明指标：
①有明显视线痕，触摸有凹凸感
