硅片加工技术
1. 硅的主要性质：原子序数：14、现对原子质量：08.28、晶体结构：金刚石结构、熔点：℃1420、颜色：银白色。
2.
硅片按生产工艺分为：切割片、研磨片、化腐片和抛光片。 3.
硅片加工第一道工序：定向、滚磨开方。 4.
滚磨开方的设备：单晶切方滚磨机、带锯、线锯。 5.
硅单晶主参考面方位的确定方法：光图定向法和晶棱连线法。 6.
硅单晶定向切割可分为：多线切割和内圆切割。 7.
硅片的研磨方式有：单面研磨和双面研磨。 8.
硅片抛光的方法分为：机械抛光、化学抛光、化学机械抛光、最常用的方法是化学机械抛光。 9.
吸附分为：化学吸附和物理吸附。 10.
环境洁净度等级标准：美国联邦标准。 11.
硅片表面污染类型：有机杂质玷污、颗粒类杂质玷污和金属杂质玷污。 12.
化学试剂按纯度分为：优级纯、分析纯、化学纯。 13.
超声波清洗系统的组成：超声波电源、清洗槽和换能器。 14.
纯水制备系统的组成：预处理系统、初级处理系统和精处理系统。 15.
硅片电学参数：导电类型、电阻率、电阻率变化及电阻率条纹。 16. 硅晶体两种切割工艺比较：
内圆切割：内圆刀片、一片一片切割、刀缝m 350280μ→、品种变换简单方便、灵活，风险低、效率低、原料损耗高、硅片体型变大、加工参数一致性差。
线切割：钢丝切割线、整锭同时切割、线缝m 220180μ→、效率高、原料损耗小、硅片体型变小、加工参数一致性好、风险高。
17. 硅单晶内圆切割与多线切割的工艺过程：
内圆切割：
送清洗冲洗与去胶上机切割定向与校对粘结准备工作→→→→→。 多线切割：
送清洗冲洗去胶上机切割系统调整粘结定向准备工作→→→→→→。
18. 磨削液的作用：冷却、排渣、润滑、防锈。
19. 研磨工艺过程：
送清洗研磨设置修盘配置研磨液硅片厚度分选→→→→→。
20. 研磨前为什么要进行厚度分选？
答：经切割的硅片厚度较分散，为使研磨后的硅片厚度较一致，并且总厚度变化TTV 小，需要对切割后的硅片进行厚度分选，将厚度一致的硅片放在同盘进行研磨。
21. 硅边缘倒角的目的、形状、工艺过程。
答：硅片倒角的目的为了有效的释放内部应力、以减少后续的加工损伤；
倒角形状：圆弧形、梯形；
工艺过程：结束工作自动磨削校准调整准备工作→→→。
22. 硅片热处理的作用、范围、工艺条件、步骤。
答：
作用：
◆ 消除氧的施主效应；
◆ 释放应力；
范围：直拉非重掺硅片；
工艺条件：
◆ 温度：℃650左右；
◆ 时间：min 4030→。
步骤：结束工作出炉恒温入炉装片准备工作→→→→→。
23. 硅片化学减薄的作用与意义、方法、工艺过程
答：
作用与意义：
◆ 使硅片表面洁净；
◆ 提高抛光效率；
◆ 消除硅片内应力；
方法：酸腐蚀、碱腐蚀；
工艺过程：送检冲洗甩干化学腐蚀硅片厚度分选准备工作→→→→。
24. 抛光布垫技术要求、作用及存放。
答：
技术要求：
质地柔软；
吸水量大；
耐磨、耐化学腐蚀。
作用：存储及运输抛光液；
存放：
环境要求：
环境温度：℃2410→；
相对湿度：%50左右；
洁净等级：10000级。
平放存储；
避免过期存放而变质失效。
25. 硅片抛光方式，工艺过程。
答：
方式：碱性二氧化硅抛光；
工艺过程：结束工作取片精抛粗抛粘片厚度分选抛前准备→→→→→→。
26. 碱性二氧化硅抛光方法与原理。
答：
◆ 碱对硅的腐蚀反应；
◆ 胶粒见的吸附作用；
◆ 抛光衬垫与硅片的机械摩擦作用；
◆ 碱的络合作用。
27. 抛光速率的影响因素。
答：
抛光压力：在其他条件不变时，随着压力的提高，抛光速率也随之上升，但在实际生产中，当压力到达临界点时，若继续提高压力，抛光效率不但不会弄上升，反而会下降。 抛光温度：温度越高，化学反应速率越快，抛光速率越高；
PH 值：抛光速率与PH 值成指数函数关系，提高PH 值，可以加快硅片与抛光液的化学反应速率，提高抛光速率；
硅片晶体结构：不同型号、不同晶向及不同电阻率的硅片，其面密度及原子、结合力都不同，因此抛光过程中的化学腐蚀速率有所不同；
摩擦力：μρ=f ，μ为摩擦系数，ρ为抛光压力。
28. 抛光前为什么要进行厚度分选？
答：为了保证抛光后硅片的几何特性，需进行厚度分选，然后分档装片加工。
29. 硅片切割片、研磨片、抛光片清洗过程。
答：
切割片：结束工作甩干超声波清洗去除胶粘结剂和石墨准备过程→→→→。 研磨片：结束工作甩干超声波清洗浸泡粗洗准备工作→→→H →→F 。
抛光片：结束工作送检（二）清洗送检（一）
去蜡准备工作→→→→→。 30. 硅片检验的内容、方法、意义。
答：
内容：电学参数、结晶学参数、几何参数和表面洁净度参数；
方法：接触式和非接触式；
意义：预防，把关。
31. 硅片检验的环境条件：
答：
环境温度：℃℃523±
相对湿度：%65≤
电源：V V 10220±和V V 20380±，Z H 50交流电；
环境洁净度：10000100→级
光源：
高强度狭束光源：离光源mm 100处光照度ux l 216；
大面积散射光源：检测面上光照度为lux 630430→。
32. 当你领到一批硅片时，应如何实施研磨。
答：倒角
