运算放大器的一些参数对照表,当你拿到一篇手册的时候,看这些参数就够了

常用精细运算放大器参数概览表通关工作工作每通道带宽变换速率输入失调失调漂移输入偏置共模噪声单电断电压电压电压 (25℃)克制比电压满产品型号道IQ(典型GBW(典(典型值 )(典型值 )电流 (Max.)源供封装 / 温度 (℃)描绘功Max.Min.(Max.)(Min.)(典型幅数值)(mA)型)(MHz)(V/us)(uV/℃ )(pA)电能(V)(V)(mV)(dB)值)LT1014DN4No44512-300009722Yes No PDIP-14/0~70四路精细型运放OP07CD1No36657000100No No SOIC-8/0~70精细 ,低噪声运放OP07CDR1No36657000100No No SOIC-8/0~70精细 ,低噪声运放OP07CP1No36657000100No No PDIP-8/0~70精细 ,低噪声运放OP07DP1No36651200094No No SOIC-8/0~70精细 ,低噪声运放OPA128LM1No36101359027No No SOT-8/-55~125低偏置电流OPA177GS1No36621500130No No SOIC-8/-40~85精细运放OPA2251UA2No36-2000010045Yes Out SOIC-8/-40~85低功耗 ,单电源 ,运放OPA2277PA2No364110001308No No PDIP-8/-40~85双路高精度运放OPA2277UA2No364110001308No No SOIC-8/-40~85双路高精度运放OPA2335AID2No2200110－Yes Out SOIC-8/-40~125单电源 CMOS运放OPA2336E/2502No－108040Yes Out VSSOP-8/-40~85双路微功耗 ,单电源精细运放OPA2336EA/2502No108040Yes Out VSSOP-8/-40~85双路微功耗 ,单电源精细运放OPA2350UA2No3822410765Yes In/Out SOIC-8/-40~85CMOS满幅双运放OPA2364AID2No7553108014Yes In/Out SOIC-8/-40~125高共模克制比OPA251PA1No36-2000010045Yes Out PDIP-8/-40~85低功耗 ,单电源 ,运放OPA2704UA4no124334107045in/out SOIC-8/-40~8512V, CMOS,满幅输入输出运放OPA277PA1No364110001308No No PDIP-8/-40~85高精度运放OPA277UA1No364110001308No No SOIC-8/-40~85高精度运放OPA27GP1No448880000100No No PDIP-8/-40~85超低噪声 ,精细运放OPA334AIDBVT1Y2200110－Yes Out SOP-8/-40~125零漂移 ,高精度 ,低电压 ,单电源供电 ,带关断功能OPA335AID1No2200110－Yes Out SOIC-8/-40~125单电源 CMOS运放OPA335AIDBVT1No2－200110－Yes Out SOP-5/-40~125单路零漂移精细运放OPA336U1No108040Yes Out SOIC-8/-40~85低功耗 ,单电源 ,CMOS 运放通关工作工作每通道带宽输入失调失调漂移输入偏置共模噪声单电变换速率产品型号道断电压电压IQ(典型GBW(典电压 (25℃)(典型值 )电流 (Max.)克制比电压源供满封装 / 温度 (℃)描绘功Max. Min.(典型值 )(Min.)(典型幅数值)(mA)型)(MHz)(Max.)(uV/℃ )(pA)电能(V)(V)(V/us)(dB)值) (mV)OPA340PA1No6108025Yes In/Out PDIP-8/-40~85单电源供电 ,低电压 ,满幅输入输出 CMOS 运放OPA340UA1No6108025Yes In/Out SOIC-8/-40~85单电源 ,满幅运放OPA364AIDBVT1No7531074－Yes In/Out SOP-5/-40~125, 7MHz, 90dB CMRR,低电压 ,单电源供电OPA364AIDR1No7531074－Yes In/Out SOP-5/-40~125,7MHz, 90dB CMRR,低电压 ,单电源供电OPA37GP1No4486380000100No No PDIP-8/-40~85超低噪声精细运放OPA4251UA4No36-2000010045Yes Out SOIC-14/-40~85单电源微功耗运放OPA4340UA4No56108025Yes In/Out SOIC-14/-40~85四路满幅 CMOS 运放OPA4344UA4No11108032Yes In/Out SOIC-14/-40~85四路低功耗满幅运放OPA4350UA4No3822410765Yes In/Out SOIC-14/-40~85四路高速 CMOS 运放OPA602AP1No3610435219213No No PDIP-8/-25~80高速 ,精细运放OPA606KP1No36101013353108513No No PDIP-8/-40~85宽带宽运放TLC1078CD2No16－6007068Yes No SOIC-8/0~70双路低电压微功耗精细运放TLC1078CP2No16－6007068Yes No PDIP-8/0~70双路低电压微功耗精细运放TLC2201CP1No16100858Yes Out PDIP-8/0~70低噪声 ,满电源幅度 ,精细型运放TLC2202ACD2No16100808Yes Out SOIC-14/0~70双组 ,低噪声 ,高精度满量程运放TLC2202CP2No16100808Yes Out PDIP-8/0~70双组 ,低噪声 ,高精度满量程运放TLE2037CD1No3885090000100No No SOIC-8/0~70低噪声 ,宽带TLV2211CDBVR1No101507022Yes Out SOP-5/0~70先进的 LinCMOS满电源幅度微功率运算放大器TLV2211CDBVT1No101507022Yes Out SOP-5/0~70先进的 LinCMOS满电源幅度微功率运算放大器通关工作工作断电压电压产品型号道功Max. Min.数能(V)(V) TLV2211IDBVR1No10TLV2211IDBVT1No10TLV2221CDBVR1No10TLV2221CDBVT1No10TLV2221IDBVT1No10TLV2231CDBVR1No10TLV2231CDBVT1No10TLC27M2ACD2No163每通道带宽变换速率输入失调输入偏置共模噪声单电失调漂移IQ(典型GBW(典(典型值 )电压 (25℃)电流 (Max.)克制比电压源供满封装 / 温度 (℃)描绘(典型值 )(Min.)(典型幅值)(mA)型)(MHz)(V/us)(Max.)(pA)电(uV/℃ )(dB)值)(mV)1507022Yes Out SOP-5/-40~85先进的 LinCMOS满电源幅度微功率运算放大器1507022Yes Out SOP-5/-40~85先进的 LinCMOS满电源幅度微功率运算放大器11507019Yes Out SOP-5/0~70单路满电源幅度 ,5 脚封装 ,微功耗运放11507019Yes Out SOP-5/0~70单路满电源幅度 ,5 脚封装 ,微功耗运放11507019Yes Out SOP-5/-40~85单路满电源幅度 ,5 脚封装 ,微功耗运放21506015Yes Out SOP-5/0~70单路满电源幅度21506015Yes Out SOP-5/0~70单路满电源幅度106006532Yes No SOIC-8/0~70低功耗 ,单电源 ,CMOS通用运放。

运算放大器15个常见指标介绍在运放开环使用时，加载在两个输入端之间的直流电压使得放大器直流输出电压为 0。

优劣范围：1µV 以下，属于极优秀的。

100µV 以下的属于较好的。

最大的有几十mV。

对策：1 选择 VOS远小于被测直流量的放大器，2 过运放的调零措施消除这个影响3 如果你仅关心被测信号中的交变成分，你可以在输入端和输出端增加交流耦合电路，将其消除。

如果 IB1=IB2，那么选择 R1=R2//RF，可以使电流形成的失调电压会消失。

但实际中IB1=IB2很难满足失调电压漂移（Offset Voltage Drift）定义：当温度变化（µV/°C）、时间持续（µV/MO）、供电电压（µV/V）等自变量变化时，输入失调电压会发生变化。

后果：很严重。

因为它不能被调零端调零，即便调零完成，它还会带来新的失调。

对策：第一，就是选择高稳定性，也就是上述漂移系数较小的运放。

第二，有些运放具有自归零技术，它能不断地测量失调并在处理信号过程中把当前失调电压减掉。

输入偏置电流（Input bias current， IB）定义：当输出维持在规定的电平时，两个输入端流进电流的平均值。

Ib=（Ib1+Ib2）/2优劣范围：60fA~100µA。

后果：第一，当用放大器接成跨阻放大测量外部微小电流时，过大的输入偏置电流会分掉被测电流，使测量失准。

第二，当放大器输入端通过一个电阻接地时，这个电流将在电阻上产生不期望的输入电压。

对策：为避免输入偏置电流对放大电路的影响，最主要的措施是选择 IB较小的放大器。

输入失调电流（Input offset current， IOS）定义：当输出维持在规定的电平时，两个输入端流进电流的差值。

优劣范围：20fA~100µA。

Ib=Ib1-Ib2后果：失调电流的存在，说明两个输入端客观存在的电流有差异，无法用外部电阻实现匹配抵消偏置电流的影响。

运放的指标：1、开环差模电压增益Avd：运放在没有外部反馈作用时的差模直流电压增益称为开环差模电压增益，它是决定运放电路运算精度的重要因素，定义为运放开环是的输出电压与差模输入电压之比，即：Avd＝Vod/Vid也可用分贝表示为：20×lg（Avd）＝20×lg（Vod/Vid）对于一般运放，Avd在（80～120）dB之间，高精度的运放Avd可达（120～140）dB。

2、输入失调电压Vos常温（27摄氏度）下，当运放输入端口短路时，放大器的输出失调电压折合到输入端的等效差模输入电压值称为输入失调电压，它主要反映了输入级差分对管的失配程度，一般Vos约为（1～10）mV，高质量运放Vos在1mV以下。

3、输入失调电压温漂dVos/dT该参数是指Vos在规定工作范围内的温度系数，是衡量运放温度影响的重要指标。

一般情况下dVos/dT约为（10～30）uV/摄氏度，高质量的可做到<0.5uV/C(摄氏度)。

4、输入失调电流Ios常温下当运放输入端口开路时，为了得到零输出，必须加到运放两个输入端的直流补偿电流，称为输入失调电流Ios，它表征了差放输入级两管B不对称所造成的影响，记为Ios＝|IB1-IB2|（Vo=0时的两管基极电流）通常，Ios为（0.5～5）nA，高质量的可低于1nA。

5、输入失调电流的温漂dIos/dT它是指Ios在规定工作范围内的温度系数，也是衡量运放受温度影响的重要指标，通常约为（1～50）nA/C，高质量的约为几个pA/C。

6、输入偏置电流IB他是衡量差分对管输入电流绝对值大小的标志，当常温下（27C），输入信号为零且零输出时，用两个输入端的基极偏置电流平均值来表示。

IB太大，不仅在不同信号内阻的情况下，对静态工作点有较大影响，而且会影响温漂和运算精度，IB一般在10nA～1uA范围内；IB小，表明输入失调电流小，放大器的输入电阻高。

7、共模抑制比KCMR它是衡量输入级各参数对称程度的表志。

超强总结：25个运放参数详解（收藏）1、输入偏置电流和输入失调电流一般运放的datasheet中会列出众多的运放参数，有些易于理解，我们常关注，有些可能会被忽略了。

在接下来的一些主题里，将对每一个参数进行详细的说明和分析。

力求在原理和对应用的影响上把运放参数阐述清楚。

由于本人的水平有限，写的博文中难免有些疏漏，希望大家批评指正。

第一节要说明的是运放的输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios .众说周知，理想运放是没有输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios .的。

但每一颗实际运放都会有输入偏置电流Ib和输入失调电流Ios .我们可以用下图中的模型来说明它们的定义。

输入偏置电流Ib是由于运放两个输入极都有漏电流（我们暂且称之为漏电流）的存在。

我们可以理解为，理想运放的各个输入端都串联进了一个电流源，这两个电流源的电流值一般为不相同。

也就是说，实际的运入，会有电流流入或流出运放的输入端的（与理想运放的虚断不太一样）。

那么输入偏置电流就定义这两个电流的平均值，这个很好理解。

输入失调电流呢，就定义为两个电流的差。

说完定义，下面我们要深究一下这个电流的来源。

那我们就要看一下运入的输入级了，运放的输入级一般采用差分输入（电压反馈运放）。

采用的管子，要么是三级管bipolar，要么是场效应管FET。

如下图所示，对于bipolar,要使其工作在线性区，就要给基极提供偏置电压，或者说要有比较大的基极电流，也就是常说的，三极管是电流控制器件。

那么其偏置电流就来源于输入级的三极管的基极电流，由于工艺上很难做到两个管子的完全匹配，所以这两个管子Q1和Q2的基极电流总是有这么点差别，也就是输入的失调电流。

Bipolar输入的运放这两个值还是很可观的，也就是说是比较大的，进行电路设计时，不得不考虑的。

而对于FET输入的运放，由于其是电压控制电流器件，可以说它的栅极电流是很小很小的，一般会在fA级，但不幸的是，它的每个输入引脚都有一对ESD保护二极管。

运算放大器参数详解运算放大器（常简称为“运放”）是具有很高放大倍数的电路单元。

在实际电路中，通常结合反馈网络共同组成某种功能模块。

由于早期应用于模拟计算机中，用以实现数学运算，故得名“运算放大器”，此名称一直延续至今。

运放是一个从功能的角度命名的电路单元，可以由分立的器件实现，也可以实现在半导体芯片当中。

随着半导体技术的发展，如今绝大部分的运放是以单片的形式存在。

现今运放的种类繁多，广泛应用于几乎所有的行业当中。

直流放大电路在工业技术领域中，特别是在一些测量仪器和自动化控制系统中应用非常广泛。

如在一些自动控制系统中，首先要把被控制的非电量（如温度、转速、压力、流量、照度等）用传感器转换为电信号，再与给定量比较，得到一个微弱的偏差信号。

因为这个微弱的偏差信号的幅度和功率均不足以推动显示或者执行机构，所以需要把这个偏差信号放大到需要的程度，再去推动执行机构或送到仪表中去显示，从而达到自动控制和测量的目的。

因为被放大的信号多数变化比较缓慢的直流信号，分析交流信号放大的放大器由于存在电容器这样的元件，不能有效地耦合这样的信号，所以也就不能实现对这样信号的放大。

能够有效地放大缓慢变化的直流信号的最常用的器件是运算放大器。

运算放大器最早被发明作为模拟信号的运算（实现加减乘除比例微分积分等）单元，是模拟电子计算机的基本组成部件，由真空电子管组成。

目前所用的运算放大器，是把多个晶体管组成的直接耦合的具有高放大倍数的电路，集成在一块微小的硅片上。

第一块集成运放电路是美国仙童（fairchild）公司发明的μA741，在60年代后期广泛流行。

直到今天μA741仍然是各大学电子工程系中讲解运放原理的典型教材。

运放如上图有两个输入端a,b和一个输出端o.也称为倒向输入端(反相输入端),非倒向输入端(同相输入端)和输出端.当电压加U-加在a端和公共端 (公共端是电压的零位,它相当于电路中的参考结点.)之间,且其实际方向从a 端指向公共端时,输出电压U实际方向则自公共端指向o端,即两者的方向正好相反.当输入电压U+加在b端和公共端之间,U与U+两者的实际方向相对公共端恰好相同.为了区别起见,a端和b 端分别用"-"和"+"号标出,但不要将它们误认为电压参考方向的正负极性.电压的正负极性应另外标出或用箭头表示.反转放大器和非反转放大器如下图：一般可将运放简单地视为：具有一个信号输出端口（Out）和同相、反相两个高阻抗输入端的高增益直接耦合电压放大单元，因此可采用运放制作同相、反相及差分放大器。

运放参数解析定义全一、单位增益带宽GB单位增益带宽定义为：运放的闭环增益为1倍条件下，将一个恒幅正弦小信号输入到运放的输入端，从运放的输出端测得闭环电压增益下降3db（或是相当于运放输入信号的0.707）所对应的信号频率。

单位增益带宽是一个很重要的指标，对于正弦小信号放大时，单位增益带宽等于输入信号频率与该频率下的最大增益的乘积，换句话说，就是当知道要处理的信号频率和信号需要的增益后，可以计算出单位增益带宽，用以选择合适的运放。

这用于小信号处理中运放选型。

二、运放的带宽是表示运放能够处理交流信号的能力对于小信号，一般用单位增益带宽表示。

单位增益带宽，也叫做增益带宽积，能够大致表示运放的处理信号频率的能力。

例如某个运放的增益带宽=1MHz，若实际闭环增益=100，则理论处理小信号的最大频率1MHz/100=10KHz。

对于大信号的带宽，即功率带宽，需要根据转换速度来计算。

对于直流信号，一般不需要考虑带宽问题，主要考虑精度问题和干扰问题。

1、运放的带宽简单来说就是用来衡量一个放大器能处理的信号的频率范围，带宽越高，能处理的信号频率越高，高频特性就越好，否则信号就容易失真，不过这是针对小信号来说的，在大信号时一般用压摆率（或者叫转换速率）来衡量。

2、比如说一个放大器的放大倍数为n倍，但并不是说对所有输入信号的放大能力都是n倍，当信号频率增大时，放大能力就会下降，当输出信号下降到原来输出的0.707倍时，也就是根号2分之一，或者叫减小了3dB，这时候信号的频率就叫做运放的带宽。

3、当输出信号幅度很小在0.1Vp-p以下时，主要考虑增益带宽积的影响。

就是Gain Bandwidth=放大倍数*信号频率。

当输出信号幅度很大时，主要考虑转换速率Sr的影响，单位是V/uS。

在这种情况下要算功率带宽，FPBW=Sr/2πVp-p。

也就是在设计电路时要同时满足增益带宽和功率带宽。

三、运放关于带宽和增益的主要指标以及定义1、开环带宽：开环带宽定义为，将一个恒幅正弦小信号输入到运放的输入端，从运放的输出端测得开环电压增益从运放的直流增益下降3db（或是相当于运放的直流增益的0.707）所对应的信号频率。

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运放常见参数总结1。

输入阻抗和输出阻抗(Input Impedance And Output Impedance)一、输入阻抗输入阻抗是指一个电路输入端的等效阻抗。

在输入端上加上一个电压源U，测量输入端的电流I，则输入阻抗Rin就是U/I。

你可以把输入端想象成一个电阻的两端，这个电阻的阻值，就是输入阻抗。

输入阻抗跟一个普通的电抗元件没什么两样，它反映了对电流阻碍作用的大小。

对于电压驱动的电路，输入阻抗越大，则对电压源的负载就越轻,因而就越容易驱动,也不会对信号源有影响；而对于电流驱动型的电路，输入阻抗越小，则对电流源的负载就越轻。

因此,我们可以这样认为：如果是用电压源来驱动的，则输入阻抗越大越好;如果是用电流源来驱动的，则阻抗越小越好(注：只适合于低频电路，在高频电路中,还要考虑阻抗匹配问题。

另外如果要获取最大输出功率时，也要考虑阻抗匹配问题二、输出阻抗无论信号源或放大器还有电源，都有输出阻抗的问题。

输出阻抗就是一个信号源的内阻。

本来,对于一个理想的电压源(包括电源）,内阻应该为0,或理想电流源的阻抗应当为无穷大.输出阻抗在电路设计最特别需要注意但现实中的电压源，则不能做到这一点。

我们常用一个理想电压源串联一个电阻r的方式来等效一个实际的电压源.这个跟理想电压源串联的电阻r，就是（信号源/放大器输出/电源）的内阻了.当这个电压源给负载供电时，就会有电流I从这个负载上流过，并在这个电阻上产生I×r的电压降.这将导致电源输出电压的下降，从而限制了最大输出功率（关于为什么会限制最大输出功率，请看后面的“阻抗匹配”一问）。

运算放大器的22个主要参数都在这了！参数一：共模输入电阻（RINCM）：该参数表示运算放大器工作在线性区时，输入共模电压范围与该范围内偏置电流的变化量之比。

参数二：直流共模抑制（CMRDC）：该参数用于衡量运算放大器对作用在两个输入端的相同直流信号的抑制能力。

参数三：交流共模抑制（CMRAC）：CMRAC用于衡量运算放大器对作用在两个输入端的相同交流信号的抑制能力，是差模开环增益除以共模开环增益的函数。

参数四：增益带宽积（GBW）：增益带宽积是一个常量，定义在开环增益随频率变化的特性曲线中以-20dB/十倍频程滚降的区域。

参数五：输入偏置电流（IB）：该参数指运算放大器工作在线性区时流入输入端的平均电流。

参数六：输入偏置电流温漂（TCIB）：该参数代表输入偏置电流在温度变化时产生的变化量。

TCIB通常以pA/℃为单位表示。

参数七：输入失调电流（IOS）：该参数是指流入两个输入端的电流之差。

参数八：输入失调电流温漂（TCIOS）：该参数代表输入失调电流在温度变化时产生的变化量。

TCIOS通常以pA/℃为单位表示。

参数九：差模输入电阻（RIN）：该参数表示输入电压的变化量与相应的输入电流变化量之比，电压的变化导致电流的变化。

在一个输入端测量时，另一输入端接固定的共模电压。

参数十：输出阻抗（ZO）：该参数是指运算放大器工作在线性区时，输出端的内部等效小信号阻抗。

参数十一：输出电压摆幅（VO）：该参数是指输出信号不发生钳位的条件下能够达到的最大电压摆幅的峰-峰值，VO一般定义在特定的负载电阻和电源电压下。

参数十二：功耗（Pd）：表示器件在给定电源电压下所消耗的静态功率，Pd通常定义在空载情况下。

参数十三：电源抑制比（PSRR）：该参数用来衡量在电源电压变化时运算放大器保持其输出不变的能力，PSRR通常用电源电压变化时所导致的输入失调电压的变化量表示。

参数十四：转换速率/压摆率（SR）：该参数是指输出电压的变化量与发生这个变化所需时间之比的最大值。

从零学运放—01运算放大器的参数运放常用基本参数，如下：※输入失调电压（InputOffset Voltage）Vos※输入失调电压的温漂（OffsetVoltage Drift）Drift※输入偏执电流（InputBias Current）Ib※输入失调电流（InputOffset Current）Ios※共模电压输入范围（InputCommon-Mode Voltage Range）Vcm※输出动态范围特性（OutputCharacteristics）※压摆率（SlewRate）SR※增益带宽积（GainBandwidth Product）GBP※开环增益（Open-LoopVoltage Gain）Aol※共模信号抑制比（CommonMode Rejection）※电源纹波抑制比（SupplyVoltage Rejection）※噪声密度（NoiseDensity)实际运放参数有很多种，这里只是列出来我们通常普遍用到的参数。

下面是输入特性1.1、输入失调电压（InputOffset Voltage）Vos将运放的两个输入端接地，理想运放输出为零，但实际运放输出不为零。

将输出电压除以增益得到的等效输入电压称为输入失调电压。

一般定义为运放输出为零时，两个输入端之间所加的补偿电压。

该值反映了运放内部电路的对称性，对称性越好，输入失调电压越小。

高精度运放，内部补偿电路做的好,对称性好，相对来说就贵。

Vos（输入失调电压）越小，芯片价格就越贵。

那么我们是根据我们信号的特性来选择我们的运放，不一定所有的使用运放的地方都用高精度运放，要考虑到我们产品性价比，成本需要廉价。

下图是，运放的Vos参数图表:一般给出一个典型值（常温下25℃），然后给出一个全温度的范围值。

一般来说我们做设计时我们要考虑的都是最大值（Max），并且是全温度的最大值，因为我们不能保证我们的产品工作在什么温度下并且全温度下已经考虑了温漂的影响。

运算放大器主要参数有哪些?1.共模输入电阻(RINCM)该参数表示运算放大器工作在线性区时，输入共模电压范围与该范围内偏置电流的变化量之比。

2.直流共模抑制(CMRDC)该参数用于衡量运算放大器对作用在两个输入端的相同直流信号的抑制能力。

3.交流共模抑制(CMRAC)CMRAC用于衡量运算放大器对作用在两个输入端的相同交流信号的抑制能力，是差模开环增益除以共模开环增益的函数。

4.增益带宽积(GBW)增益带宽积AOL * ƒ是一个常量，定义在开环增益随频率变化的特性曲线中以-20dB/十倍频程滚降的区域。

5.输入偏置电流(IB)该参数指运算放大器工作在线性区时流入输入端的平均电流。

6.输入偏置电流温漂(TCIB)该参数代表输入偏置电流在温度变化时产生的变化量。

TCIB通常以pA/°C为单位表示。

7.输入失调电流(IOS)该参数是指流入两个输入端的电流之差。

8.输入失调电流温漂(TCIOS)该参数代表输入失调电流在温度变化时产生的变化量。

TCIOS通常以pA/°C为单位表示。

9.差模输入电阻(RIN)该参数表示输入电压的变化量与相应的输入电流变化量之比，电压的变化导致电流的变化。

在一个输入端测量时，另一输入端接固定的共模电压。

10.输出阻抗(ZO)该参数是指运算放大器工作在线性区时，输出端的内部等效小信号阻抗。

11.输出电压摆幅(VO)该参数是指输出信号不发生箝位的条件下能够达到的最大电压摆幅的峰峰值，VO一般定义在特定的负载电阻和电源电压下。

12.功耗(Pd)表示器件在给定电源电压下所消耗的静态功率，Pd通常定义在空载情况下。

13.电源抑制比(PSRR)该参数用来衡量在电源电压变化时运算放大器保持其输出不变的能力，PSRR通常用电源电压变化时所导致的输入失调电压的变化量表示。

14.转换速率/压摆率(SR)该参数是指输出电压的变化量与发生这个变化所需时间之比的最大值。

SR通常以V/&micro;s为单位表示，有时也分别表示成正向变化和负向变化。

运放基本参数一、引言运放（Operational Amplifier，简称Op Amp）是一种重要的电子器件，广泛应用于模拟电路中。

它具有高增益、宽频带、低失调电压等优良特性，常被用作信号放大、滤波、比较等电路的核心元件。

本文将介绍运放的基本参数，帮助读者更好地理解和应用运放。

二、基本参数1. 增益（Gain）运放的增益是指输出信号与输入信号之间的比值。

通常用电压增益（Voltage Gain）来表示，单位为V/V或dB。

增益越高，表示运放对输入信号的放大能力越强。

在实际应用中，我们可以根据需要选择不同增益的运放。

2. 输入偏置电压（Input Offset Voltage）输入偏置电压是指在运放输入端产生的微弱电压差。

由于制造工艺和器件结构的差异，运放的两个输入端并不完全相等，会引入输入偏置电压。

这会导致输出信号中的误差，特别是在低信号水平下更为显著。

因此，输入偏置电压越小越好。

3. 输入偏置电流（Input Bias Current）输入偏置电流是指进入运放输入端的微弱电流。

与输入偏置电压类似，输入偏置电流也会引起输出误差。

通常情况下，输入偏置电流应尽可能小，以减小对电路性能的影响。

4. 失调电流（Offset Current）失调电流是指运放两个输入端之间的差异电流。

这会导致输出信号中的偏移，尤其是在差分输入电路中更为明显。

失调电流越小，表示运放两个输入端越接近理想情况。

5. 带宽（Bandwidth）带宽是指运放能够放大信号的频率范围。

由于运放本身具有有限的增益带宽积，当输入信号的频率超过带宽时，输出信号将发生失真。

因此，根据实际应用需求选择适当的带宽是很重要的。

6. 输出阻抗（Output Impedance）输出阻抗是指运放输出端的等效电阻。

输出阻抗越小，表示运放能够提供更大的输出电流，驱动负载的能力更强。

在实际应用中，我们往往需要考虑输出阻抗与负载的匹配问题，以确保信号传输的质量。

运算放大器datasheet参数详细中文解析
前言输入失调电压V os：输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）ΔV os/ΔT：输入偏置电流输入失调电流的温度漂移（简称输入失调电流温漂）Δios/ΔT：最大共模输入电压Vcm：共模抑制比CMRR：电源电压抑制比PSRR：输出峰-峰值电压V out：输入阻抗Rin:输出阻抗Rout：开环增益Av：开环带宽：压摆率（转换速率）SR：全功率带宽：
在额定的负载时，运放的闭环增益为1倍条件下，将一个恒幅正弦大信号输入到运放的输入端，使运放输出幅度达到最大（允许一定失真）的信号频率。

这个频率受到运放转换速率的限制。

近似地，全功率带宽=转换速率/2πV op（V op是运放的峰值输出幅度）。

全功率带宽是一个很重要的指标，用于大信号处理中运放选型。

常用运费选型表
下面为从其它地方转载过来的常用运放选型表：
器件名称制造商简介
μA741 TI 单路通用运放
μA747 TI 双路通用运放
AD515A ADI 低功耗FET输入运放
AD605 ADI 低噪声,单电源,可变增益双运放
AD644 ADI 高速,注入BiFET双运放
AD648 ADI 精密的,低功耗BiFET双运放
AD704 ADI 输入微微安培电流双极性四运放
AD705 ADI 输入微微安培电流双极性运放
AD706 ADI 输入微微安培电流双极性双运放
AD707 ADI 超低漂移运放
AD708 ADI 超低偏移电压双运放
AD711 ADI 精密,低成本,高速BiFET运放。

常用运放参数大全ISO106高压，隔离缓冲放大器ISO106同ISO102性能基本相同，主要区别要以下两点：①ISO106的连续隔离电压3500；②ISO106封装为40引脚DIP组件；主要引脚定义可参看ISO102。

LF147/347四JFET输入运算放大器输入失调电压1mV（LF147）、5mV（LF347）；温度漂移10μV/℃；偏置电流50pA增益带宽4MHz；转换速率13V/μs；噪声20nV/(Hz^1/2)(1kHZ)；消耗电流7.2mA。

±22V电源（LF147）、±18V电源（LF347）；差模输入电压±38V（LF147）、±30V（LF347）；共模输入电压±19V（LF147）、±15V（LF347）；功耗500mW。

LF155/255/355JFET输入运算放大器输入失调电压1mV（LF155/355）、3mV（LF255）；温度漂移3μV/℃（LF155/355）、5μV/℃（LF255）；偏置电流30pA增益带宽GB=2.5MHz；转换速率5V/μs；噪声20nV/(Hz^1/2)(1kHZ)；消耗电流2mA。

±40V电源（LF155/255）、±30V电源（LF355）；共模输入电压±20V（LF155/255）、±16V（LF355）；输入阻抗10＾12Ω共模抑制比100dB；电压增益106dB。

LF353双JFET输入运算放大器输入失调电压5mV；温度漂移10μV/℃；偏置电流50pA；增益带宽GB=4MHz；转换速率13V/μs；噪声16nV/(Hz^1/2)(1kHZ)；消耗电流1.8mA。

±18V电源；差模输入电压±30V；共模输入电压±15V；功耗500mW。

LF411/411A低失调、低漂移、JFET输朐怂惴糯笃?br> 输入失调电压800μV（LF411）、300μV（LF411A）；温度漂移7μV/℃；偏置电流50pA；增益带宽GB=4MHz；转换速率15V/μs；噪声23nV/(Hz^1/2)(1kHZ)；消耗电流1.8mA。

集成运放数据手册中的主要参数和含义一、直流参数：1.U os---输入失调电压为了是集成运放在零输入时达到零输出，需在其输入端加一个直流补偿电压，这个直流补偿电压的大小即为输入失调电压，两者方向相反。

输入失调电压一般是毫伏（mV）数量级。

采用双极型三极管作为输入级的运放，其U os为1-10mV；采用场效应管作为输入级的运放，其U os大得多；而对于高精度的集成运放，其U os的值一般很小。

2.∆U os/∆T---输入失调电压的温度系数在确定的温度变化范围内，失调电压的变化与温度的变化的比值定义为输入失调电压的温度系数。

一般集成运放的输入失调电压的温度系数为10-20μV/℃；而高精度、低漂移集成运放的温度系数在1μV/℃以下。

3.I IB----输入偏置电流当集成运放的输入电压的输入电压为零，输出电压也为零时，其两个输入端偏置电流的平均值定义为输入偏执电流。

两个输入端的偏置电流分别记为I IB+和I IB−，而I IB表示为I IB=I IB++I IB−2双极型晶体管输入的集成运放，其I IB为10nA-1μA;场效应管输入的集成运放，其I IB一般小于1nA。

4.I OS—输入失调电流当集成运放的输入电压威灵，输出电压也为零时，两个输入偏置电流的差值称为输入失调电流，即I OS=I IB+−I IB−一般来说，集成运放的偏置电流越大，其输入失调电流也越大。

输入偏置电流和输入失调电流的温度系数，分别用∆I IB/∆T和∆I OS/∆T来表示。

由于输入失调电压和输入失调电流及输入偏置电流均为温度的函数，所以产品手册中均应注明这些参数的测试温度。

另外，需要指出的是，上述各参数均与电源电压及集成运放输入端所加的共模电压值有关。

手册中的参数一般指在标准电源电压值及零共模输入电压下的测试值。

5.A Ud---差模开环直流电压增益集成运放工作在线性区时，差模电压输入以后，其输出电压变化∆U O与差模输入电压变化∆U id的比值，称为差模开环电压增益，即A ud=∆U O∆U id差模开环电压增益一般用分贝（dB）为单位，可用下式表示）（dB）A ud（dB）=20lg（∆U O∆U id实际集成运放的差模开环电压增益是频率的函数，所以手册中差模开环电压增益均指直流（或低频）开环电压增益。

运算放⼤器的性能指标⼀.直流指标(静态指标)1.输⼊失调电压（Input offset voltage）2.输⼊失调电压的温漂在实际当中，每个芯⽚的输⼊失调电压并⾮固定不变，输⼊失调电压会随温度的变化⽽漂移，这个参数相当于是对输⼊失调电压的进⼀步补充。

以上参数有些datasheet中除了会给出典型的值外，还会给出不同的输⼊失调电压下的芯⽚的分布⽐例和不同温度的会出现温漂的芯⽚的分布⽐例，⼀般都是符合正态分布的。

3.输⼊偏置电流(Input bias current)理想的运放输⼊阻抗⽆穷⼤，因此不会有电流流⼊输⼊端，⼀般情况下，CMOS和JFET的偏置电流⽐双极性的都要⼩，偏置电流⼀般⽆需考虑。

输⼊偏置电流的值应该是（Ib+ +Ib-）/2.4.输⼊失调电流(Input offset current)输⼊失调电流的值为(Ib+- Ib-)对于⼩信号的处理，运放的选择要选择偏置电流⽐较⼩的。

对于偏置电流的另外⼀种解决⽅案为在地和同相端之间接⼀格电阻，电阻的⼤⼩为Req=R1//R2.5.输⼊共模电压Vicm（Input Voltage common-mode Range）共模输⼊电压Vicm被定义为⼀个电压范围：当超过该范围时，运放停⽌⼯作。

如果输⼊的电压不在此范围之类，运放将停⽌⼯作。

对于有不同输⼊级的运放，其输⼊共模电压是不⼀样的。

由于运放向单电源低电压趋势发展，所以该参数越来越重要。

这个参数是运放选择时⾮常重要的⼀个参数，有些信号通过运放之后可能会出现削顶的情况，可能就是因为这个参数选的不好。

6.共模抑制⽐CMRR (Common-Mode Rejection)共模抑制⽐的定义：差分电压放⼤倍数与共模电压放⼤倍数之⽐（理想运放的这个值为⽆穷⼤，实际中⼀般是数万倍），为了说明差分放⼤电路抑制共模信号及放⼤查分信号的能⼒。

这个性能主要是指运放在差分输⼊的情况下,对共模⼲扰的抑制性能，⼀般⽤单位db来表⽰，这个值⼀般在80db-120db之间。