电子技术基础(专升本)阶段性作业3
总分：100分得分：96分
一、单选题
1. 共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是_______。(4分)
(A) 同相位
(B) 相位差90o
(C) 相位共为180o
(D) 不能确定
参考答案：C
您的回答：C 正确
2. 在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V、-10V、-9.3V，则这只三极管是_______。(4分)
(A) NPN 型硅管
(B) NPN 型锗管
(C) PNP 型硅管
(D) PNP 型锗管
参考答案：A
您的回答：A 正确
3. 利用集成运放构成电压放大倍数为-A的放大器，∣A∣> 0应选用_______。(4分)
(A) 反相比例运算电路
(B) 同相比例运算电路
(C) 同相求和运算电路
(D) 反相求和运算电路
参考答案：C
您的回答：C 正确
4. 集成运放工作在线性放大区，由理想工作条件得出两个重要规律是_______。(4分)
(A) U＋U－0，i＋i
－
(B) U＋U－0，i＋i－0
(C) U＋U
－
，i＋i－0
(D) U＋U－0，i
＋≠i
－
参考答案：A
您的回答：A 正确
5. 在典型的差动式直流放大器中，R
E
的作用是_______。(4分)
(A) 对差模信号构成负反馈以提高放大器的稳定性
(B) 对共模信号构成负反馈以提高抑制零点漂移的能力
(C) 对差模信号构成正反馈以提高放大器的稳定性
(D) 对共模信号构成正反馈以提高抑制零点漂移的能力
参考答案：B
您的回答：B 正确
6. 在晶体三极管放大电路中，当输入电流一定时，若静态工作点设置太低将产_______。(4分)
(A) 饱和失真
(B) 截止失真
(C) 不失真
(D) 正弦失真
参考答案：B
您的回答：B 正确
7. 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 _______。(4分)
(A) 前者反偏、后者也反偏
(B) 前者正偏、后者反偏
(C) 前者正偏、后者也正偏
(D) 前者反偏、后者正偏
参考答案：B
您的回答：B 正确
8. 直接耦合放大器级间耦合方式采用_______。(4分)
(A) 阻容耦合
(B) 变压器耦合
(C) 直接(或通过电阻)耦合
(D) 变压器耦合
参考答案：C
您的回答：C 正确
9. 共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是_______。(4分)
(A) 同相位
(B) 相位差90o
(C) 相位共为180o
(D) 不能确定
参考答案：C
您的回答：C 正确
10. 当晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管处于_______。(4分)
(A) 饱和状态
(B) 放大状态
(C) 截止状态
(D) 失真状态
参考答案：C
您的回答：C 正确
二、填空题
1. 晶体三极管三个电极分别称为___(1)___ 极、___(2)___ 极和___(3)___ 极，它们分别用字母___(4)___ 、___(5)___ 和___(6)___ 表示。(4分)
(1). 参考答案: 发射
(2). 参考答案: 基
(3). 参考答案: 集电
(4). 参考答案: e
(5). 参考答案: b
(1). 参考答案: 正向
(2). 参考答案: 反向
(3). 参考答案: 正向
(2). 参考答案: 共模输入
5. 工作在放大区的某三极管，如果当I
B 从12 μA增大到22 μA时，I
C
从1 mA变为2
mA，那么它的β约为___(15)___ 。(4分)
(2). 参考答案: 虚短
(3). 参考答案: 为零
(2). 参考答案: 放大区
(2). 参考答案: 放大器的工作状态
三、判断题
1. 在晶体三极管放大电路中，如果其他条件不变，减小Rb，容易出现截止失真。(2分)
正确错误
参考答案：错误
解题思路：
您的回答：错误正确
2. 当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将不变。 (2分)
正确错误
参考答案：错误
解题思路：
您的回答：错误正确
3. 在晶体二极管特性的正向区，晶体二极管相当于开关断开。(2分)
参考答案：错误
解题思路：
您的回答：错误正确
4. 工作在放大区的某三极管，如果当IB从12 μA增大到22 μA时，IC从1 mA变为2 mA，那么它的β约为110。(2分)
正确错误
参考答案：错误
解题思路：
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5. 差动式直流放大器抑制零点漂移的效果取决于两个晶体三极管的放大倍数。(2分) 正确错误
参考答案：错误
解题思路：
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6. 差动式直流放大器与直耦式直流放大器相比，其主要优点在于效地抑制零点漂移。(2分)
正确错误
参考答案：正确
解题思路：
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7. 当晶体三极管截止时，它的发射结必须是正向偏置，集电结必须是正向偏置。(2分) 正确错误
参考答案：错误
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8. 通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。(2分) 正确错误
参考答案：错误
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9. 稳压管的稳压区是其工作在正向导通。(2分)
正确错误
参考答案：错误
解题思路：
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10. PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。(2分)
正确错误
参考答案：错误
解题思路：
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11. 直接耦合放大器级间耦合方式采用阻容耦合。(2分)
正确错误
参考答案：错误
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12. 晶体二极管因所加反向电压大而击穿、烧毁的现象称为齐纳击穿。(2分) 正确错误
参考答案：错误
解题思路：
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第1章习题 1-1 判断题 1．电荷的定向移动形成电流。（√） 2．直流电路中，电流总是从高电位流向低电位。（√） 3．电阻的体积越大，其额定的耗散功率越大。（√） 4．电阻的额定功率越大，它消耗的电能就越大。（×） 5．电阻串联时，各电阻上消耗的功率与其电阻的阻值成反比。（×） 6．电流表必须串联在电路中应用，而电压表则必须并联在电路中应用。（√） 7．在选择电器时，电器的额定电压一定要等于电源的额定电压。（√）8．额定功率越大的电器，其消耗的电能一定多。（×） 9．电压源和电流源是同一电源的两种不同的等效模型。（√） 10．电容器和电阻器虽然结构不同，其实是同一类型的电气元件。（×）11．电容器并联总电容量增加；电容器串联总电容量减小。（√） 12．对于同一个电容器，两端的电压越高其储存的电场能量越小。（√）1-2 计算题 1 一直流电流流过导体，已知在1min内通过导体横截面的电荷量为6000C，问该电流有多大？如果在1s内通过导体横截面的电荷量为6000C，问该电流有多大？ 解：根据I=Q/t, 有 （1）I=6000C/60s=100A （2）I=6000C/1s=6000A 2 试在图1-30中标出电流、电动势、电压的实际方向，并问通过电流表A1和A2的电流是否相等？B、C、D各点的电位谁高谁低？ 图1-30 题2图 解：因为A1、A2是串联关系，流过的电流相等；电位的排序为：B＞C＞D
3 有两条长度为1km 、截面积为2mm 2的导线，一条是铝线，一条是铜线，这两条导线在常温下的电阻各为多少？要想使铝导线的电阻与铜导线的电阻相同，铝导线的截面积应增加为多大？ 解： （1）铝导线常温下的电阻： =???==--6 3610210100283.0S l R 铝铝ρ14.15Ω （2）铜导线常温下的电阻： =???==--63610 210100175.0S l R 铜铜ρ8.75Ω （3）铝导线的电阻与铜导线的电阻相同时铝导线的截面积为： 26 36m m 23.31073.810100283.0=???=--铝S 4 有两只灯泡，额定功率都为40W ，一只额定电压为36V ，另一只额定电压为12V ，两只灯泡工作时的电阻各为多少？如果将两只灯泡串联后接于48V 的电源上，哪只灯泡的电压超过了额定电压？将会有什么现象发生？ 解： （1）工作电压为36V R =U 2/P =32.4Ω （2）工作电压为12V R =U 2/P =3.8Ω （3）串联接于48V 电源上 两电阻之和为R =32.4+3.8=36.2Ω 根据串联电阻分压公式有 2.434836 4.3211=?==U R R U V U 2=48-43.2=4.8V 额定电压为36V 的灯泡过压，灯丝会烧断。 5．计算下列灯泡的电阻及额定电压下的电流，并加以比较，澄清诸如“电
浙江大学远程教育学院 《电子技术基础》课程作业 模拟电子技术基础部分 题1 在图1电路中,设V t v i ωsin 12=,试分析二极管的导电情况(假定D 均为理想二极管)。 解:题中的电路就是二极限幅电路,对电路(a), 当输入电压幅度6+≥i v V 时, 二极管导电,输出电压电压6+≤i v 时D 截止,为+6V,当输入输入电压i o v v =;对电输出电压等于电压幅度6+≤i v V 时 路(b),当输入 二极管导电,输出电压为i o v v =,输入电压6+≥i v V 时,二极管截止,输出电压为+6V ;对电路(c),就是一个双向限幅电路,当输入电压6-≤i v V 时,D 1导电、D 2截止,输出为—6V ,当输入电压8+≥i v V 时,D 2导电、D 1截止,输出电压为+8V 。 题2 电路如图2所示,分析在下述条件下各二极管的通断情况。设二极管D 的导通压降V D =0、7 V,并求出D 导通时电流I D 的大小。 (1)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R 1= 2 k Ω,R 2= 3 k Ω; (2)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R 1=R 2= 3 k Ω; (3)V CC1= 6 V,V CC2= 6 V,R 1= 3 k Ω,R 2= 2 k Ω。 图2 解:(1)求出二极管两端 的开路电压,如开路电压使二极管正偏,则二极 管导电,然后再求出流过二极管 的电流。二极管开路后流过R1与R2的电流:mA R R V V I CC CC 4.25 12 2121==++= ,则二极 管两端的开路电压V IR V V IR V CC CC 2.11122=-=-=,由于二极管两端开路电压大于0、7V ,所以二极管导电,导电后,二极管二端压降为0、7V 。此时流过二极管的 图1
电工电子技术基础_在线作业_5 交卷时间：2017-01-16 13:54:47 考试成绩100分 一、单选题 1. (5分)555集成定时器内部属于（）电路。 ? A. 模拟 ? B. 模拟和数字 ? C. 数字 ? D. 分立元件 纠错 得分：5 知识点：电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 2. (5分)74290的控制信号R9(1)、R9(2)均为高电平时，计数器的输出为（）。
? A. 0 0 0 0 ? B. 1 0 0 1 ? C. 1 1 1 1 ? D. 1 0 0 0 纠错 得分：5 知识点：电工电子技术基础展开解析 答案B 解析 3. (5分) ? A. 串联电 压负反馈 ? B. 并联电流负反馈 ? C. 串联电流负反馈 纠错 得分：5 知识点：电工电子技术基础 展开解析 某测量放大电路，欲提高输入电阻、稳定输出电流，应引入（）。
答案C 解析 4. (5分)为了提高电感性负载的功率因数，可以采用与电感性负载串联电容的办法。（） ? A. 对 ? B. 错 纠错 得分：5 知识点：电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 5. (5分)恒流源的端口电压不会随负载的变化而变化，但恒流源的端口电流却会随负载的变化而变化。（） ? A. 对 ? B. 错 纠错 得分：5
知识点：电工电子技术基础 展开解析 答案B 解析 6. (5分)可以表示为（）。 ? A. ? B. ? C. ? D. 纠错 得分：5 知识点：电工电子技术基础 展开解析 答案D 解析 7. (5分)555集成定时器内部3个电阻的作用是（）。 ? A. 加压 ? B. 充电
【理论测验】 一、单项选择题： 1．不属于对助焊剂的要求的是（C ） A、常温下必须稳定，熔点应低于焊料 B、在焊接过程中具有较高的活化性，较低的表面张力，粘度和比重应小于焊料 C、绝缘差、无腐蚀性、残留物无副作用，焊接后的残留物难清洗 D、不产生有刺激性的气味和有害气体，熔化时不产生飞溅或飞沫 2．松香酒精溶液的松香和酒精的比例为（B ） A、1：3 B、3：1 C、任何比例均可 3．烙铁头按照材料分为合金头和纯铜头，使用寿命长的烙铁头是（ A ） A、合金头 B、纯铜头 4．焊接一般电容器时，应选用的电烙铁是（ A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、60W外热式 D、100W外热式5．150W外热式电烙铁采用的握法是（ B ） A、正握法 B、反握法 C、握笔法 6．印刷电路板的装焊顺序正确的是（C ） A、二极管、三极管、电阻器、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 B、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。 C、电阻器、电容器、二极管、三极管、集成电路、大功率管，其它元器件是先小后大。 D、电阻器、二极管、三极管、电容器、集成电路、大功率管，其它元器件是先大后小。7．在更换元器件时就需要拆焊，属于拆焊用的工具的是（A ） A、电烙铁、铜纺织线、镊子 B、电烙铁、铜纺织线、螺丝刀 C、电烙铁、镊子、螺丝刀 D、铜纺织线、镊子、螺丝刀 二、多项选择题 1．焊点出现弯曲的尖角是由于（AB ） A、焊接时间过长，烙铁撤离方向不当 B、焊剂太多，烙铁撤离方向不当 C、电烙铁功率太大造成的 D、电烙铁功率太小造成的 2．焊接一只低频小功率三极管应选用的电烙铁是（A ） A、20W内热式 B、35W内热式 C、50W外热式 D、75W外热式 ３．75W外热式电烙铁（B ） A、一般做成直头，使用时采用握笔法 B、一般做成弯头，使用时采用正握法 C、一般做成弯头，使用时采用反握法 D、一般做成直头，使用时采用正握法４．下列电烙铁适合用反握法的是（ D ） A、20W B、35W C、60W D、150W ５．20W内热式电烙铁主要用于焊接（ D ） A、8W以上电阻 B、大电解电容器 C、集成电路 D、以上答案都不对６．焊点表面粗糙不光滑（ B ） A、电烙铁功率太大或焊接时间过长 B、电烙铁功率太小或焊丝撤离过早 C、焊剂太多造成的 D、焊剂太少造成的 ７．电烙铁“烧死”是指（ C ） A、烙铁头不再发热 B、烙铁头粘锡量很多，温度很高 C、烙铁头氧化发黑，烙铁不再粘锡 D、烙铁头内电热丝烧断，不再发热
第一篇 第4章习题 题1.4.1 在图题1.4.1所示电路中，设BJT 的100=β，Ω=k r be 1，0=s R 。 （1）求电路的下限频率L f ； （2）当信号源频率下降到下限频率L f 时，电压放大倍数为多少？输出电压与信号源电压的相位差为多少？ 图题1.4.1 图题1.4.2 答：（1）考虚了耦合电容和输入回路电阻后，可求得时间，然后计算Hz f L 159=；（2）141=vL A ，相位差-225o ； 题1.4.2 电路如图题1.4.2所示，设BJT 的50=β，Ω=k r be 1。 （1）求电路的下限频率L f ； （2）当信号源频率下降到下限频率L f 时，电压放大倍数为多少？ 答：（1）它的下限频率由输出回路决定，考虚了耦合电容和回路电阻后，可求得时间，然后计算Hz f L 8.39=；（2）36.1=vL A ； 题1.4.5 某放大电路电压放大倍数的频率特性表达式为 ()() kHz 50/1Hz 10/1)Hz 10/(100jf jf jf A v ++-= 画出波特图，求其下限截止频率L f 和上限截止频率H f 。 答：波特图如下。f L =10Hz ， f H =50kHz 。
题1.4.6 某放大电路电压放大倍数高频段的频率特性表达式为 ()() MHz 1/1kHz 100/1100jf jf A v ++-= 画出波特图，求其上限截止频率H f 的近似值。 答：波特图为： 图3.1.20 上限截止频率 f H ≈100kHz 。 题1.4.7 已知某反相放大电路电压放大倍数的对数幅频特性曲线如图题1.4.7所示： (1) 写出该放大电路电压放大倍数的频率特性表达式； (2) 写出该放大电路电压放大倍数的相频特性表达式，画出对数相频特性曲线。 图题1.4.7 答：（1）频率特性表达式为： （2）对数相频特性表达式为： )100/arctan()10arctan()1.0/arctan(180z f z f z f o MH -MH -MH --=? )100/1)(10/1)(1.0/1(104 . z jf z jf z jf A V MH +MH +MH +-=
第1章检测题（共100分，120分钟） 一、填空题：（每空0.5分，共25分） 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。 3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。 4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N 区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。 6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。 8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） 1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。（对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。（错） 4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对） 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。（错） 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时，该管必被击穿。（错） 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错） 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错） 三、选择题：（每小题2分，共20分） 1、单极型半导体器件是（C）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 1
西南交《数字电子技术基础A》离线作业 1. 已知输入信号A、B、C的波形，试画出图2所示各电路输出（L1、L2、L3）的波形。设触发器的初态为0。（10分） 图2 2. 如图3所示，为检测水箱的液位，在A、B、C、三个地方安置了三个水位检测元件，当水面低于检测元件时，检测元件输出低电平，水面高于检测元件时，检测元件输出高电平。试用与非门设计一个水位状态显示电路，要求：当水面在A、B之间的正常状态时，仅绿灯G亮；水面在B、C 间或A以上的异常状态时，仅黄Y灯亮；水面在C以下的危险状态时，仅红灯R亮。（10分）
3. 逻辑电路如图4所示，试画出Q0、Q1、Q2的波形。设各触发器初态为0。（10分） 4. 已知某同步时序逻辑电路的时序图如图5所示。（10分） 1．列出电路的状态转换真值表，写出每个触发器的驱动方程和状态方程 2．试用D触发器和与非门实现该时序逻辑电路，要求电路最简。画出逻辑电路图。
电路具自启动能力 5. 用移位寄存器74194和逻辑门组成的电路如图6所示。设74194的初始状态Q3Q2Q1Q0 =0001，试画出各输出端Q3、Q2、Q1、Q0和L的波形。（10分） 解：
6. 电路如图7所示，图中74HC153为4选1数据选择器。试问当MN为各种不同输入时，电路分别是那几种不同进制的计数器。（10分） 7. 由555定时器组成的脉冲电路及参数如图8 a所示。已知vI的电压波形如图b所示。试对应vI画出图中vO1、vO2的波形；（10分） 解： 8.逻辑电路如图2 a、b、c所示。试对应图d所示输入波形，分别画出输出端
L1、、L2 和L3的波形。(设触发器的初态为0) （10分） 图 2 9.发由全加器FA、2-4线译码器和门电路组成的逻辑电路如图3 a所示。试在图b中填写输出逻辑函数L的卡诺图（不用化简）。（10分）
电工电子技术基础-在线作业_C最终成绩：100.0 一单项选择题 1. 字符“A”的ASCII码为（）。 1000100 1000001 0001100 1001000 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答： 1000001 知识点： 2. 逻辑变量的取值，1比0大。（）。 错 对 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：对 知识点： 3. 异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。（） 对 错 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：对 知识点： 4. 的逻辑表达式为（）。
本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答： 知识点： 5. 上图电路的逻辑表达式为（）。 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答： 知识点： 6. 若两个函数具有相同的真值表，则两个逻辑函数必然相等。（） 错 对 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：对 知识点： 7. 若两个函数具有不同的逻辑函数式，则两个逻辑函数必然不相等。（） 错
本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：错 知识点： 8. 上图是一位（）电路符号。 全加器 译码器 半加器 编码器 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：全加器 知识点： 9. “竞争-冒险”现象是由于门电路出现互补输入信号的缘故。（） 错 对 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：对 知识点： 10. 时序逻辑电路的输出（）。 与电路的上一个状态无关 只与输入信号有关 与电路的上一个状态有关 与输入信号无关 本题分值： 5.0 用户得分： 5.0 用户解答：与电路的上一个状态有关
《数字电路与逻辑设计》作业 教材：《数字电子技术基础》 （高等教育出版社，第2版，2012年第7次印刷）第一章： 自测题： 一、 1、小规模集成电路，中规模集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路 5、各位权系数之和，179 9、01100101，01100101，01100110； 11100101，10011010，10011011 二、 1、× 8、√ 10、× 三、 1、A 4、B 练习题： 1.3、解： (1) 十六进制转二进制： 4 5 C 0100 0101 1100 二进制转八进制：010 001 011 100 2 1 3 4 十六进制转十进制：(45C)16=4*162+5*161+12*160=(1116)10 所以：(45C)16=(10001011100)2=(2134)8=(1116)10 (2) 十六进制转二进制： 6 D E . C 8 0110 1101 1110 . 1100 1000 二进制转八进制：011 011 011 110 . 110 010 000 3 3 3 6 . 6 2 十六进制转十进制：(6DE.C8)16=6*162+13*161+14*160+13*16-1+8*16-2=(1758.78125)10 所以：(6DE.C8)16=(011011011110. 11001000)2=(3336.62)8=(1758.78125)10
(3) 十六进制转二进制：8 F E . F D 1000 1111 1110. 1111 1101二进制转八进制：100 011 111 110 . 111 111 010 4 3 7 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (8FE.FD)16=8*162+15*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(2302.98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(100011111110.11111101)2=(437 6.772)8=(2302.98828125)10 (4) 十六进制转二进制：7 9 E . F D 0111 1001 1110 . 1111 1101二进制转八进制：011 110 011 110 . 111 111 010 3 6 3 6 . 7 7 2 十六进制转十进制： (79E.FD)16=7*162+9*161+14*160+15*16-1+13*16-2=(1950. 98828125)10 所以：(8FE.FD)16=(011110011110.11111101)2=(3636.772)8=(1950.98828125)10 1.5、解： (74)10 =(0111 0100)8421BCD=(1010 0111)余3BCD (45.36)10 =(0100 0101.0011 0110)8421BCD=(0111 1000.0110 1001 )余3BCD (136.45)10 =(0001 0011 0110.0100 0101)8421BCD=(0100 0110 1001.0111 1000 )余3BCD (374.51)10 =(0011 0111 0100.0101 0001)8421BCD=(0110 1010 0111.1000 0100)余3BCD 1.8、解 （1）(+35)=(0 100011)原= (0 100011)补 （2）(+56 )=(0 111000)原= (0 111000)补 （3）(-26)=(1 11010)原= (1 11101)补 （4）(-67)=(1 1000011)原= (1 1000110)补
1. 若规定一个电路元件的电压与电流参考方向相关联，并计算得出其功率大于0，则该电路元件是吸收功率。（） 对 错 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点： 2. 对于电路中的一个线性电阻元件，若规定其电压u和电流i的参考方向一致，则。（） 对 错 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点： 3. 对于电路中的一个线性电感元件，若规定其电压u和电流i的参考方向一致，则。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点：
4. 对于电路中的一个线性电容元件，若规定其电压u和电流i的参考方向一致，则。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点： 5. 恒压源和恒流源可以等效互换。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：错 知识点： 6. 恒压源的端口电压不会随负载的变化而变化，但恒压源的端口电流却会随负载的变化而变化。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点：
7. 恒流源的端口电压不会随负载的变化而变化，但恒流源的端口电流却会随负载的变化而变化。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：错 知识点： 8. 当电路发生换路时，对电容元件来说，应有。（） 对 错 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：对 知识点： 9. 当电路发生换路时，对电感元件来说，应有。（） 错 对 本题分值： 用户得分： 教师评语： 用户解答：错 知识点： 10. 若购得一个耐压为300V的电器，则可以用在220V的交流电源上。（） 对
2、分析电路中，各二极管是导通还是截止？并求出 管)。 3、二极管接成所示的电路，分析在下述条件下各二极管的通断情况。 (1) V C CI =6V, V CC =6V, R=2kQ, R 2=3k Q (2) V CCI =6V, V C C 2=6V, R I = F 2=3kQ (3) V C CI =6V, V CC =6V, F=3kQ , F 2=2k Q 设二极管D 的导通压降 V D =0.7V ，求出D 导通时电流I D 的大小。 4、图所示电路中，设晶体管的 3 =50, V BE =0.7V 。 (1) 试估算开关S 分别接通A 、B C 时的I B 、I C 、V CE 并说明管子处于什么工作状态。 (2) 当开关S 置于B 时，若用内阻为10k Q 的直流电 压表分 别测量 V BE 和V CE ,能否测得实际的数值？试 画出测量时的等效电路，并通过图解分析说明所 测得的电压与理论值相比，是偏大还是偏小？ (3) 在开关置于A 时，为使管子工作在饱和状态 (设 临界饱和时的 V CE =0.7V ), F C 值不应小于多 少？ (1) V =12V, R=4KQ , Fb=8k (2) V =12V, R=4KQ , R z =4k Q ; (3) V =24V, R=4KQ , R z =2k Q ; (4) V =24V, R=4KQ , R z =1k Q 。 试确定输出电压V O 的值。 5、图所示均为基本放大电路，设各三极管的 r bb =200Q , 3 =50, V BE =0.7V 。 计算各电路的静态工作点; 何 2) A 、O 两端的电压 V A 。(设D 为理想二极 0.5 V (+15 V)
电工电子技术基础练习题（1） 1、固定偏置放大电路如图所示，已知U CC V =20，U BE .V =07，晶体管的电流放 大系数β=100，欲满足I C mA =2，U CE V =4的要求，试求电阻R B ，R C 的阻值。 T ++ R B R C u o u i +U CC C 1 C 2 +-+- 2、电 路 如 图 所 示， 已 知 晶 体 管 的β=60，r be k =1Ω，U BE =0.7 V ， 试 求:(1) 静 态 工 作 点 IB ，IC ，UCE 。 +3kΩ270kΩ + C 1 C 2 u i u o R B1R C +12V 3DG6 + － + － 3、电 路 如 图 所 示， 已 知 晶 体 管β=100，计 算 电 路 的 静 态 值 I B ， I C ，U CE 。 4、如图：若U CC =6V ，R C =2k Ω,R B =200 k Ω, β=50,用估算法计算其静态工作点。 5、晶体管放大电路如下图所示： 已知β ＝100，r b e =1k Ω，Vcc=24V ，Rc
＝3k Ω，R b ＝600k Ω，RL ＝1.5k Ω，试近似计算：放大电路的输入电阻R i ；输出电阻Ro ；电压放大倍数A u 。 6、放大电路如图所示，晶体管的电流放大系数β=50， U BE .V =06 ，R B1=110 k Ω，R B2=10 k Ω，RC=6k Ω，RE =400Ω，RL ＝6 k Ω，求：(1) 计算静态工作点；(2)画出微变等效电路； +R B1 R B2 R C R E R L u o u i + C 2 C 1+12V C B E + － +－ 7、电 路 如 图所示，已知β=50，r be k =1 Ω，要求：(1) 画出两个电 路 的 微 变 等 效 电 路 ；(2) 计算输入电阻，输出电 阻。 8、单相半波整流电路中，U1为变压器原边电压，U2为变压器副边电压，U O 为负载电阻R L 上的电压，若U1是400V ，U1和U2线圈扎数比是20：1，计算U O 9、单相桥式整流电路中，U1为变压器原边电压，U2为变压器副边电压，
第二篇 第5章习题 题2.5.1 一双电源互补对称电路如图题2.5.1所示，设已知V CC =12V ，R L =16Ω，v I 为正弦波。求： （1）在三极管的饱和压降V CES 可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率P om =？ （2）每个管子允许的管耗P CM 至少应为多少？ （3）每个管子的耐压｜V (BR)CEO ｜应大于多少？ 图题2.5.1 解：(1) 负载上可能得到的最大输出电压幅度V om =12V (W 5.41621222 2=?== L om om R V P ) (2) (W)9.02.0(max)==om CM p P ∴CM P ≥0.9W (3) CEO BR V )(≥24V 题2.5.2 在图题2.5.2 所示的OTL 功放电路中，设R L =8Ω，管子的饱和压降｜ＶCES ｜可以忽略不计。若要求最大不失真输出功率（不考虑交越失真）为9W ，则电源电压V CC 至少应为多大？（已知v i 为正弦电压。） 图题2.5.2
解：W 982)21 (2)21(2 2(max)=?==CC L CC om V R V P V CC =24(V) ∴电源电压V CC 至少24V 题2.5.3 OTL 放大电路如图题2.5.3所示，设T 1、T 2特性完全对称，v i 为正弦电压，V CC =10V ，R L =16Ω。试回答下列问题： （1）静态时，电容C 2两端的电压应是多少？调整哪个电阻能满足这一要求？ （2）动态时，若输出电压波形出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调整？ （3）若R 1=R 3=1.2k Ω，T 1、T 2管的β=50，｜V BE ｜=0.7V ，P CM =200mW ，假设D 1、D 2、R 2中任意一个开路，将会产生什么后果？ 图题2.5.3 解：(1) 静态时，电容C 2两端的电压应为5V 。调整R 1、R 3，可调整上、下两部分电路的对称性，从而使C 2两端电压为5V 。 (2) 若出现交越失真，应调大R 2，使b １b 2间电压增大，提供较大的静态电流。 (3) 若D 1、D 2、R 2中任意一个开路，则(m A)58.3221 21=-==R V V I I BE CC B B I C1=I C2=βI B1=179(mA) P C =I C1·V CE =I Ｃ１·5V=895(mW)＞Pcm,∴功率管会烧坏。 题2.5.4 在图题2.5.3电路中，已知V CC =35V ，R L =35Ω，流过负载的电流i L =0.45cos ωt （A ）。求： （1）负载R L 所能得到的信号功率P o ； （2）电源供给的功率P E ； （3）两个管子的总管耗P T 。 解：(1) (W)54.3)2 ( 2≈=L Lm o R i P
浙江大学远程教育学院 《电子技术基础》课程作业 姓名：学号: 年级：学习中心： 模拟电子技术基础部分 题1在图1电路中，设v I2sin t V，试分析二极管的导电情况（假定D均为理想二极管） 图1 解：题中的电路是二极限幅电路，对电路（a），当输入电压幅度v i6V时，二极管导电，输出电压为+6V,当输入电压V i 6时D截止，输出电压等于输入电压V。V i ；对电路（b）,当输入电压幅度v i 6 V时二极管导电，输出电压为V。 v i，输入电压v i 6 V 时，二极管截止，输出电压为+6V；对电路（c）,是一个双向限幅电路，当输入电压v i 6 V 时，D1导电、D2截止，输出为一6V，当输入电压v i 8V时，D2导电、D1截止，输出电 压为+8V。 -0 V
5 题 2 电路如图2所示，分析在下述条件下各二极管的通断情况。设二极管 D 的导通压 解：（1）求出二极管两端的开路电压，如开路电压使二极管正偏，则二极管导电，然后再求 出流过二极管的电流。二极管开路后流过 R1和R2的电流： IR 2 V Q V cci IR i 1.2V ，由于二极管两端开路电压大于 降V D =0.7 V ，并求出 D 导通时电流I D 的大小。 (1)V C CI = 6 V , V cc = 6 V , R i = 2 k Q, R ?= 3 k Q; V cci V cC2 R i R 2 12 2.4mA ，则二极管两端的开路电压 0.7V ，所以二 ■l E) J 1Z 06 %宁 !■ I II f. (2) V Cci = 6 V , V cc = 6 V , R i =Ra= 3 k Q; 图2
第1章 电路的基本知识 1.1 电路的概念 （1）略 （2）电路通常由电源、负载和中间环节（导线和开关）等部分组成。 A ．电源的作用：将其他形式的能转换成电能。 B ．负载的作用：将电能转换成其他形式的能。 C ．中间环节的作用：传递、分配和控制电能。 1.2 电路中的主要物理量 （1）零、负电位、正电位 （2）3、1.5、3、1.5、0、3 （3）-7，-5 1.3 电阻 （1）3∶4 （2）查表1.3，知锰铜合金的电阻率?Ω?=-7 10 4.4ρm 根据S l R ρ=，得43.1104.41021.0376=???==--ρRS l m 1.4 欧姆定律 （1）电动势、内压降 （2）当R =∞ 时，电路处于开路状态，其特点是电路中电流为零，电源端电压等于电源电动势；当R =0时，电路处于短路状态，其特点是短路电流极大，电源端电压等于0。 （3）22.01000 220 === R U I A 由于22.0=I A=220mA 50>mA ，故此人有生命危险。 1.5 电功与电功率 （1）2540 1000 ===P W t h （2）略 （3）31680072002.0220=??==UIt W J 思考与练习 一、判断题 1.√ 2. × 3. √ 4. × 5. √ 6. × 7. × 8. √ 9. × 二、选择题 1. C 2. C 3. B 4. B 5. B 6. B 7. C 8. B 三、填空题
1．正、相反； 2．参考点； 3．负极、正极； 4．高、低、低、高； 5．材料、长度、横截面积、 S l R ρ =； 6．1800、±5％； 7．220 四、计算题 1．5510=-=-=b a ab V V U V 10)5(5=--=-=c b bc V V U V 15)5(10=--=-=c a ac V V U V 15-=-=ac ca U U V 2．2.012024===t Q I A Ω=== 202 .04I U R 3．（1）210 100220 =+=+= r R E I A （2）2001002=?==IR U V （3）20102=?==Ir U r V 4．（1）8804220=?==UI P W （2）15840001800880=?==Pt W J （3）1440018005.042 2 =??==Rt I Q J （4）1569600144001584000=-=-=Q W E J 第2章 直流电路的分析与计算 2.1 电阻的连接 （1）5.04 2 11=== R U I A 10205.022=?==IR U V 1210221=+=+=U U U V （2）由于1 2 2 212 21R R R U R U P P = = 故142820 101212=?== P R R P W
电工电子技术基础_在线作业_2 交卷时间：2016-10-30 12:37:53 一、单选题 1. (5分)要使JK触发器的输出Q处于反转的状态，它的输入信号JK应为（）。 A. 0 0 B. 1 0 C. 0 1 D. 1 1 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 D 解析 2. (5分)由555集成定时器组成单稳态触发器时，需要外加的元件是（）。 A. 两个电阻、一个电容 B. 两个电容
C. 一个电阻、一个电容 D. 两个电阻 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 C 解析 3. (5分)要使JK触发器的输出Q=0的状态，它的输入信号JK应为（）。 A. 不变 B. 0 1 C. 1 0 D. 翻转 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析
4. (5分)上图是（）电路符号。 A. 逻辑与 B. 逻辑非 C. 逻辑或 D. 逻辑加 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析 5. (5分)计数器电路由触发器组成。（） A. 对 B. 错 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础
收起解析 答案 A 解析 6. (5分)在交流电路中，电动势、电压及电流的有效值分别表示为（）。 A. B. C. D. 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 C 解析 7. (5分)字符“A”的ASCII码为（）。 A. 0001100 B. 1001000 C. 1000100
D. 1000001 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 D 解析 8. (5分)在交流电路中，容抗随频率的增大而增大。（） A. 对 B. 错 纠错 得分： 5 知识点：电工电子技术基础 收起解析 答案 B 解析 9. (5分)逻辑变量的取值，1比0大。（）。
电工电子基础综合练习 填空 *基本的数字逻辑门电路是：与门电路、_________或____和____非_______。 * 正逻辑体制中，高电平用_____1_______表示。低电平用______0______表示。 * 常用的单相整流电路有_____单相桥式全波整流___________、__________半波整流______等两种。 * 在单相桥式整流电路中，如果负载电流是2A，则流过每只二极管的电流是____1____A。如果负载电阻等于10Ω，则输出电压等于____20_____V。 *滤波电路中，滤波电感和负载___串____联，滤波电容和负载___并___联。 *硅稳压管在电路中，它的正极必须接电源的___负____极，它的负极接电源的____正___极。 *电流流通的___路径___叫电路，通常是由_____电源___、__负载_____、____导线__和____中间控制环节_____组成。 * 电路有三种工作状态，即___开路___状态、___短路____状态、通路状态。 *电源是将_____机械能____、______化学能_______、_______热能_______转换成______电能____的设备。 * 电路中两点间的电位之差称为两点间的______电压____。 * 电源的外特性是指_____端电压U___________随_____负载电流I____________的变化关系。 *基尔霍夫电流定律是指流入电路中任一节点的电流___之和______等于—_____流出____该节点的电流____之和_____。 * 正弦交流电的三要素是指____幅值_______、_____频率_____、____初相位______。 * 正弦交流量表达式中最大值与有效值的关系为_____Im=根号二Io________。* 两个频率相同的正弦交流量的_____初相位_______之差称为相位差。 *由两个电阻组成的串联电路，两端的总电压是100V，其中一个电阻为80Ω，两端电压为40V，则另一电阻为__120___Ω。 *放大电路静态工作点设置不合适，容易产生输出电压非线性失真，工作点过高容易产生饱和失真，工作点过低容易产生截止失真。 *PN结具有单相导通性性能，即加正向电压时PN结导通，加反向电压时PN结截止。 *电路中如果流过二极管的正向电流过大，二极管将会过热而损坏；若加在二极管两端的反向电压过高，二极管会击穿。 *某晶体三极管的U CE不变，基极电流I B=40uA时，I C=1mA，则发射极电流I E= mA，如果基极电流I B增大到60uA时，I C增加到2mA，则发射极电流I E=
第二篇第5章习题 题2.5.1 一双电源互补对称电路如图题2.5.1所示，设已知V=12V，R=16Ω，v为正弦波。求：ILCC （1）在三极管的饱和压降V可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率CES P=？om （2）每个管子允许的管耗P至少应为多少？CM（3）每个管子的耐压｜V｜应大于多少？(BR)CEO 图题2.5.1 解：(1) 负载上可能得到的最大输出电压幅度V=12V om22V12om??4.5(WP?) om2R2?16L P?0.2p?0.9(W) (2) ∴≥0.9W P om(max)CMCM(3) ≥24V V CEO(BR)Ｖ｜可以忽略Ω，管子的饱和压降｜OTL功放电路中，设R=82.5.2 题2.5.2 在图题 所示的CESL不计。若要求最大不失真输出功率（不考虑交越失真）为9W，则电源电压V至少应 为多大？CC（已知v为正弦电压。）i 图题2.5.2 335 1122)((V)V CCCC22 解：W9P???(max)om8?R22L=24(V) V CC24V 至少∴电源电压V CC ，V=10V2.5.3所示，设T、T特性完全对称，v为正弦电压，题2.5.3 OTL放大电路如图题CC2i1Ω。试回答下列问题：R=16L C两端的电压应是多少？调整哪个电阻能满足这一要求？（1）静 态时，电容2）动态时，若输出电压波形出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调整？（2、=200mW，P，假设D、D，R=1.2kΩT、T管的β=50，｜V｜=0.7V）若（3R=23BE2CM111 R中任意一个开路，
将会产生什么后果？2 2.5.3 图题，可调整上、下两部分电路的对称5V。调整R、R解：(1) 静态时，电容C两端的电压应为321性，从而使。C两端电压为5V2间电压增大，提供较大的静态电流。，使bb (2) 若出现交越失真，应调大R22１V2V?CCBE中任意一个开路，则R (3) 若D、D、??I.58(mA)I?321221BB R21 II=I=β=179(mA) B1C2C1·5V=895(mW)＞∴功率管会烧坏。Pcm,·P=IV=I CEC1C （流过负载的电流i=0.45cosωtA）。Ω，已知2.5.4 题在图题2.5.3电路中，V=35VR=35，Ｃ１求： LLCC）负载（1R所能得到的信号功率P；oL；2）电源供给的功率P（E P。3（）两个管子的总管耗T i2Lm解：(1) (W)??P()R543.Lo2336 ??22 (2) t?cos?tdVV?d?i?t?0P?.45CCELCC???2?2??221 ??11 =(W)?545?0.?2?V CC?2 (3) (W).46P?P?1P?oTE题2.5.6 图题2.5.6功放电路中，设运放A 的最大输出电压幅度为±10 V，最大输出电流为±10mA，晶体管T、T的｜V｜=0.7V。问：BE12（1）该电路的电压放大倍数A=？vf（2）为了得到尽可能大的不失真输出功率，T、T管的β值至少应取多少？21（3）该电路的最大不失真输出功率P=？om（4）当达到上述功率时，输出级的效率是多少？每个管子的管耗多大？
精品文档 一、填空题： 1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为，少数载流子为，不能移动的杂质离子带电。 2、三极管的内部结构是由区、区、区及结和结组成的。三极管对外引出的电极分别是极、极和极。 二、判断正误：（每小题1分，共10分） （）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。 （）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。 （）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 三、选择题 1、单极型半导体器件是（）。 A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。 2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（）元素构成的。 A、三价； B、四价； C、五价； D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（）。 A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。 4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（）。 A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断。 5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（）而成。 A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。 四、简述题 1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？ 2、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？ 精品文档