什麼是電子遷移現象?
電子遷移現象(electromigration)
指電子的流動所導致的金屬原子移動的現象。
在電流密度很高的導體上，最典型的就是IC(積體電路) 內部的金屬導線(metal line)，電子的流動會帶給上面的金屬原子一個動量(momentum)，而使得金屬原子脫離金屬表面四處流竄，結果就導致金屬導線表面上形成坑洞(void)或土丘(hillock)，造成永久的損害。
(請參考https://www.doczj.com/doc/e518118091.html,/mkg/e_mig.html)
散熱對於電腦的重要性
一部完整的桌上型個人電腦，大致上可以分為三大部份，分別是主機、顯示器以及操作電腦時所用的操控/ 輸入裝置﹝例如鍵盤以及滑鼠﹞等三大部份。在主機的部份是由許
多的零組件所組成的，當中包括了主機版、微處理器、記憶體、顯示卡…..等許多的零組
件，而再加上鍵盤、滑鼠以及顯示器，就是一部我們大家現在所使用的個人電腦。
在主機中是由許多不同用途的零組件所組成的，而每一樣零組件也都是由眾多不同用途的電子零件、IC零件以及晶片所組成的。由於IC零件以及晶片在運作的時候，因為其製程以及工作時脈的不同，所以會有不同的溫度產生，也因為如此，隨著電腦運作的速度越來越快，一部電腦在運作時所散發出來的熱量也就逐漸成為一股不容忽視的熱源。
◆主要產生熱源的零件
清楚了一部電腦的組成，就明白了為何一部電腦為何在運作時，會有熱量的產生後，接下來就要探討在各個零件中，究竟是那一些元件在運作時，會發出較高的溫度。
在主機中所有的零組件除了前述的主機板、微處理器、記憶體、顯示卡以外，另外還有軟碟機、硬碟機、光碟機、電源供應器以及音效卡，或是其他功能的介面卡。在這些眾多的零組件中，最主要的熱源產生，當然也就是目前運作時脈越來越快的微處理器了，而目前面臨轉速越來越快的硬碟機，也因為轉速越來越高，從IDE介面的5400轉邁向7200轉，或是SCSI介面的7200轉到現在的10000轉，甚至於已經有1萬5千轉的硬碟在市場上開始坢販賣了，所以從硬碟機所發出的熱，也是一個不容忽視的地方。
目前在主機板上的晶片組，是採以南橋、北橋晶片分離的設計，主要是藉由不同的晶片，來負責主機板上高速與低速裝置之間的運作，也因為如此，使得主要負責與微處理器、主記憶體、快取記憶體、以及AGP匯流排等高速傳輸的北橋晶片，在運作時的溫度往往會比負責PCI、IDE以及USB等傳輸匯流排的南橋晶片要高上許多。而近來進步相當快速的顯示晶片，也因為運作的時脈越來越快，使得顯示晶片所發出的溫度也相當的高。
◆機殼中的溫室效應
由於最主要會產生熱源的零組件大抵上就是微處理器、硬碟機、主機板上的北橋晶片以及顯示介面卡上的顯示晶片這四樣元件，然而這一些零組件又通通都是安裝在電腦機殼之中。雖然在溫度較高的裝置上，廠商往往都會在其熱源發散處加上散熱片來幫助其散熱，甚至於除了散熱片之外，也都還會在散熱片的上面，再加上一個與散熱片一樣大的小的風扇，利用風扇所引起的氣流，迅速的將留在散熱片上的熱量帶離散熱片，藉以達到降低晶片溫度的效果。不過，這樣的做法僅能夠將熱量帶離熱源的發散處，讓會發出熱量的晶片不至於在太高的溫度下工作罷了，不過這些零組件所發出的熱量卻還是都會留在機殼之中，並沒有真正的排出機殼之外。
雖然在機殼內的電源供應器裡，有一個8x8公分的風扇，可以將機殼中各個零組件所發出的熱量排出機殼之中，再加上機殼本身在設計時的散熱孔也可以幫助散熱，不過效果通常都是不會太好，畢竟只靠一個電源供應器上的風扇，再加上機殼本身的散熱孔，並沒有辦法達到「空氣對流」的效果，自然機殼中的溫度也就會隨著該部電腦使用的時間而漸漸的上升。各位不妨可以在使用電腦二、三十分鐘之後，伸手摸摸電腦機殼的溫度，或者伸手感受一下機殼後方電源供應器上的風扇處，所排出電腦機殼外的氣流溫度，想必大多數的電腦應該都是「溫溫的」或者是「熱熱的」。
然而這樣的溫度只不過是「熱」藉由空氣這一個導體，經由電源供應器上的風扇排出機殼中的溫度而已，實際上發出熱量的元件溫度肯定會更高。尤其是微處理器所發出的熱量，在不加上散熱片以及風扇的溫度，達到60、70度以上甚至於80度以上都是很正常的事情。
◆銳不可當的超頻風氣
由於近年來各種積體電路技術的進步，且為了要不斷的提高各種不同功能的晶片效能，不僅僅在晶片的製程上加以改良，從早些年的0.6微米製程進步到0.35微米製程、0.25微米製程、0.22微米製程，甚至目前新一代微處理器所使用的0.18微米製程。而製程的改良，除了可以將運作的時脈再提高以外，也因為僅需要較低的電壓就能夠使該晶片來進行正常的工作，所以自然地所消耗的功率也就比較小，而消耗的功率變小了，自然地也就將高熱的問題解決了。
不過，也因為製程的改進，相對的又帶來另一波的問題。由於製程的精進，所以生產出來的晶片，往往能夠在超出正常運作時脈相當多的時脈下工作。所以，令大多數的電腦玩家，盡其所能的不斷在壓榨相同硬體下的效能極限，換句大家耳熟能詳的話也就是「超頻」。而其真正吸引眾玩家的地方，不僅僅是因為壓榨出硬體效能極限的成就感而已，重要的還是在於以較為低廉的硬體購買價格，能夠藉由不正常的超頻動作，使得該部電腦能夠有相當大的效能增進。而在這當中，往往已經為購買的使用者省下大把白花花的銀子了。
然而，原本在正常時脈下工作的晶片，就已經發出了不小的熱量，而在超頻的運作下，所發出的熱量更是會讓人受不了，甚至於直接用手去觸碰，還有可能會被其所發出的高熱給「燙傷」。也因為如此，許多特別針對超頻時，能夠快速降低晶片表面散熱的散熱片、風扇，甚至於致冷器、水冷器等等產品，也都相當容易在市面上看到。
不過，超頻絕對不是一件簡單的事情，因為不僅僅是各個零組件散熱的問題，或是機殼中溫度過高的問題，往往還會牽涉到每一個零組件在不正常超頻下運作的匹配問
題，甚至於不幸燒毀之後廠商的保固問題，所以我們並不建議一般的使用者，在對於整個電腦零組件運作不是相當了解的情況下，就冒然的對電腦進行如此危險的動作。畢竟，小則因為溫度過高而造成系統的不穩定（或當機），大則有燒毀電腦零件的可能。
◆溫度升高所帶來的影響
由於前述的幾項零組件，在正常室溫下工作時，就已經會發出較高的溫度，再加上在機殼中所產生的溫室效應，往往會讓該部電腦在高於室溫許多的環境下工作。而當溫度增加到一定時，也會因為溫度過高的關係，導致所謂的「電子遷移現象」，使得該部電腦運作的不正常，甚至於產生當機連連的情況發生。而這一些異常的狀況，往往會引起使用該部電腦的使用者，產生排斥、厭惡的感覺。畢竟沒有人願意自己所使用的電腦，會有以下的情況：運作上的不穩定而時常當機、溫度過高而導致資料存取的錯誤、因為長時間的使硬體在較高的溫度下工作而導致硬體壽命的降低或電子零件的燒毀。
其實，根據電子學上的理論來說，雖然將電子元件的工作頻率提高，在一個穩定的狀況下，對於元件本身的壽命並不會有所影響，不過由於頻率便高之後，所產生較正常工作頻率時還要高的熱量，而半導體（電子元件）對於溫度卻又是一個正回授的感應，雖然目前的晶片都是使用相當穩定的矽來作為封裝的材料，但是晶片在高溫的環境下工作，還是免不了會有電子遷移的現象發生。
◆穩定遠比快速來的重要
雖然研發的廠商不斷的有效能更高、功能更齊全的產品推出，而整個資訊業界也都是朝著這一個方向在努力。但是，在要求效能的前提之下，系統運作的穩定性肯定是比效能要來的重要。
當然，這不僅僅是對需要供給眾多使用者的伺服器來說，對於一般使用者所使用的個人電腦來說也是如此。畢竟能夠擁有一部運作相當穩定的電腦來當工具，為使用者來完成許多重要的工作，遠比擁有一部效能優越，但確不甚穩定的電腦，使得重要的工作都無法順利地完成要來的重要太多了。
《电迁移原理》 的思考总结与扩展 ：旭瑞 专业：华东师大学微电子 电迁移原理：
集成电路芯片部采用金属薄膜引线来传导工作电流，这种传导电流的金属薄膜称作互连引线。随着芯片集成度的提高，互连引线变得更细、更窄、更薄，因此其中的电流密度越来越大。在较高的电流密度作用下，互连引线中的金属原子将会沿着电子运动方向进行迁移，，其结果会使导体的某些部位产生空洞或晶须，这种现象就是电迁移。它是引起集成电路失效的一种重要机制。 电迁移失效机理 产生电迁移失效的 因：薄膜导体结构的非均匀性 外因：电流密度 从缺陷产生和积累得角度，我们可以这样解释电迁移的失效机理，即在电迁移过程中，在子风和应力的作用下，互连线中的某些薄弱部位产生了缺陷;缺陷的产生，重新改变了互连线中电流的分布，进而也会影响热分布;这两个过程相互作用，决定了缺陷在哪些薄弱部位产生;随着时间的增加，缺陷不断积累，相邻较近的缺陷融合成一个大缺陷;当产生的缺陷足够大，在垂直电流的方向上占有足够的面积，互连线的电阻就会显著增加;最后当形成的缺陷横跨整个互连线横截面，互连线断路在图2.4中，我们考虑金属原子A，它的周围有十二个相邻的晶格位置，其中之一被空位V占据，其余被其他金属原子占据。在无电流应力条件下，由于热运动，原子A向其附近任何一个方向移动的概率是相等的;若在“电子风”吹动的情况下，很明显原子A向电子风方向移动概率大大增加。假设A要与人原子发生交换，其过程也只能是通过原子与空位的交换，即人移到空位位置，A移到人位置，空位移到原的位置，可见，空位移动一步之前移动了两个原子。同理，若A往几方向移动，空位移动一步须移动三个原子。所以，同等电子风力条件下，金属原子移动方向不同，难易程度也不同。 从电流密度角度，我们可以这样解释电迁移的失效机理 在金属里作用了两种对立的力。这些力被称为“直接力”和“电子风”力。直接力是一种在
发挥汉语拼音的正迁移作用，培养学生的单词认读能力 发布者：黄卡雅发布时间：2012-11-13 16:32:21 在还不能学系统学习字母和音标的时候，如果能以某种方式让儿童对这些单词的形状和发音有一定的认识,将比单纯地教听说更有利于提高儿童的学习能力和学习效率。所以如果能利用我们熟悉的汉语拼音来帮助学生拼读和认读单词，不宜是一种很好的方法。三年级学生已在一年级就完成了汉语拼音的学习和巩固,经过了两年的训练已经过了对声音与符号之间联系的敏感时期，达到了熟练运用汉语拼音的时期。利用汉语拼音对英语认读的正迁移效应,引导三年级学生直接拼读单词, 其教学效果大大优于单纯的听说教学。 一、小学英语认读能力培养的重要性 小学英语教学的一个重要目的是让学生受到一定的英语熏陶，激发和保持学生学习英语的兴趣，培养学生良好的英语语言学习习惯，即良好的听、说、读、写的习惯，培养为交际初步运用英语的能力，为进一步学习打好基础。而“读”是增加英语有声语言输入的最基本，也是最有效的方法之一。通过多读，把无声的表达变为有声语言，入于眼，出于口，闻于耳，记于心，只有读到了、读懂了才能综合运用语言。小学生认读能力的培养应从英语学习的起始阶段开始，并与听说能力以的培养有机结合。长期的小学英语教学存在着“重听说，轻认读”、英语认读能力较弱的问题，忽视了语言学习的输入输出平衡原则，英语学习中的盲读现象频频出现。小学三年级是英语学习的起始阶段，在此阶段侧重培养学生的听说能力既符合学生的心理特点，也符合小学生学习语言的规律。但这并不表示小学英语教学只包括听说两方面，小学生认读能力的培养也不容忽视，而是应将读写与听说有机结合，使其相互促进。所以在英语教学的起始阶段，对小学生认读能力的培养也要有所侧重。 二、英语课程标准对小学英语“读”的技能要求 《英语课程标准》对小学英语“读”的技能要求： 一级：◇能看图识字； ◇能在指认物体的前提下认读所学词语； ◇能在图片的帮助下读懂简单的小故事。 二级：◇能认读所学词语；
附件一
《商业银行风险监管核心指标》口径说明 一、风险水平 （一）流动性风险 1、流动性比例 本指标分别计算本币及外币口径数据。 ●计算公式： 流动性比例＝流动性资产／流动性负债×100% ●指标释义：
流动性资产包括：现金、黄金、超额准备金存款、一个月内到期的同业往来款项轧差后资产方净额、一个月内到期的应收利息及其他应收款、一个月内到期的合格贷款、一个月内到期的债券投资、在国内外二级市场上可随时变现的债券投资、其他一个月内到期可变现的资产（剔除其中的不良资产）。 流动性负债包括：活期存款（不含财政性存款）、一个月内到期的定期存款（不含财政性存款）、一个月内到期的同业往来款项轧差后负债方净额、一个月内到期的已发行的债券、一个月内到期的应付利息及各项应付款、一个月内到期的中央银行借款、其他一个月内到期的负债。 2、核心负债依存度 本指标分别计算本币和外币口径数据。 ●计算公式： 核心负债依存度＝核心负债／总负债×100% ●指标释义： 核心负债包括距到期日三个月以上（含）定期存款和发行债券以及活期存款的50%。 总负债是指按照金融企业会计制度编制的资产负债表中负债总计的余额。 3、流动性缺口率 本指标计算本外币口径数据。 ●计算公式： 流动性缺口率=流动性缺口/90天内到期表内外资产×100% ●指标释义： 流动性缺口为90天内到期的表内外资产减去90天内到期的表内外负债的差额。
（二）信用风险 4、不良资产率 本指标计算本外币口径数据。 ●计算公式： 不良资产率＝不良信用风险资产／信用风险资产×100% ●指标释义： 信用风险资产是指银行资产负债表表内及表外承担信用风险的资产。主要包括：各项贷款、存放同业、拆放同业及买入返售资产、银行账户的债券投资、应收利息、其他应收款、承诺及或有负债等。 不良信用风险资产是指信用风险资产中分类为不良资产类别的部分。不良贷款为不良信用风险资产的一部分，定义与“不良贷款率”指标定义一致；贷款以外的信用风险资产的分类标准将由中国银行业监督管理委员会(简称银监会，下同)另行制定。 4.1 不良贷款率 本指标计算本外币口径数据。 ●计算公式： 不良贷款率＝（次级类贷款＋可疑类贷款＋损失类贷款）／各项贷款×100% ●指标释义： 贷款五级分类标准按照《贷款风险分类指导原则》(银发[2001]416号)及《关于推进和完善贷款风险分类工作的通知》(银监发[2003]22号)文件)及相关法规要求执行。 正常类贷款定义为借款人能够履行合同，没有足够理由怀疑贷款本息不能按时足额偿还。关注类贷款定义为尽管借款人目前有能力偿还贷款本息，但存在一些可能对偿还产生不利影响的因素。次级类贷款定义为借款人的还款能力出现明显问题，完全依靠其正常营业收入无法足额偿还贷款本息，即使执行担保，也可能会造成一定损失。可疑类贷款的定义为借款
“气体内的迁移现象”专题报告 一般我们所讨论的都是平衡态的系统，实际上系统常常处于非平衡状态，也就是说，系统各部分的宏观物理性质如温度、密度或流速不均匀。在不受外界干预时，系统总要从非平衡状态自发地向平衡态过渡，这种过度称为迁移现象。下面我将讨论三种迁移现象：粘滞现象、热传导现象和扩散现象。 一、粘滞现象 气体在流动过程中，由于各部分的流速不同，而产生的内摩擦力，叫粘滞力，这种现象就成为粘滞现象。人们把流体地内摩擦也称作粘滞性。 流动气体的粘滞性来源于分子走向运动动量的输运. 物理学上用粘滞系数h（单位为泊）来表示流体粘滞性的大小，又称“内摩擦系数”。不同流体的粘滞系数的差异很大，气体的粘滞系数随温度升高而增大。粘滞系数是当相邻两流层产生相对运动时所显示出来的内部摩擦。根据牛顿定律,欲维持一层流体对另一层流体作相对运动所需的力,与速度梯度及接触面的大小成正比,即τ=μAdu/dn。式中τ=维持流体流动所需的力，A=接触面。 二、热传导现象 热传导是物体各部分无相对位移，仅依靠物质分子、原子及自由电子等微观粒子热运动而使热量从高温部分向低温部分传递的现象。热传导是介质内无宏观运动时的传热现象，其在固体、液体和气体中均可发生。 热传导在流动情况下往往与对流同时发生。热传导实质是由大量物质的分子热运动互相撞击，而使能量从物体的高温部分传至低温部分，或由高温物体传给低温物体的过程。 依靠物质的分子、原子或电子的运动（包括移动和振动），使热量从物体的高温部位向低温部位传递的过程，是热量传递的三种基本方式之一。一切物体，不论其内部有无质点间的相对运动，只要存在温度差，就有热传导。 当物体内的温度分布只依赖于一个空间坐标，而且温度分布不随时间而变时，热量只沿温度降低的一个方向传递，这称为一维定态热传导。在最一般的热传导中，温度随时间和三个空间坐标而变化，且伴有热量产生（如反应热）。这时的热传导称为三维非定态热传导。 三、扩散现象 扩散现象是指物质分子从高浓度区域向低浓度区域转移，直到均匀分布的现象，速率与物质的浓度梯度成正比。扩散是由于分子热运动而产生的质量迁移现象，主要是由于密度差引起的。分子热运动目前认为在绝对零度以下不会发生。 气体分子热运动的速率很大，分子间极为频繁地互相碰撞，每个分子的运动轨迹都是无规则的杂乱折线。温度越高，分子运动就越激烈。在0℃时空气分子的平均速率约为400米/秒，但是，由于极为频繁的碰撞，分子速度的大小和方向时刻都在改变，气体分子沿一定方向迁移的速度就相当慢，所以气体扩散的速度比气体分子运动的速度要慢得多。在扩散过程中，气体分子从密度较大的区域移向密度较小的区域，经过一段时间的掺和，密度分布趋向均匀。在扩散过程中，迁移的分子不是单一方向的，只是密度大的区域向密度小的区城迁移的分子数，多于密度小的区域向密度大的区域迁移的
初中数学教学中如何加强正迁移的引导 发表时间：2018-10-31T10:09:24.927Z 来源：《教育学》2018年10月总第155期作者：张喜蓉 [导读] 在教学中利用好知识的迁移对提高学生的学习效率有着不可低估的作用。 陕西省榆林市定边县白泥井郑国洲中学718603 摘要：在教学中利用好知识的迁移对提高学生的学习效率有着不可低估的作用。所谓知识的迁移指的是先前的学习对后继学习的影响，或一种知识、技能的学习对另一种知识、技能学习的影响。 关键词：初中数学正迁移负迁移 在初中数学学习中，负迁移往往会影响和左右着学生，这种现象指的是先前学习的知识妨碍了新知识、新技能的学习，同时也存在新知识的学习干扰了先前知识的掌握的现象。负迁移的产生表现出学生对知识的分析概括能力不足，对所学的概念、定义、法则、公式、定理等没有经过自己积极主动的思维去了解它的本质和规律。那么，在初中数学教学中如何防止负迁移的产生，发挥正迁移的作用？在此，笔者举例作了分析。 一、正迁移在初中数学学习中的重要意义 现代心理学关于迁移现象的研究表明，如果学生在学习时，对学过的知识、技能和要领掌握得牢固，且又善于分析思辩，那么所学的知识、技能和概念会对另一种知识、技能、概念产生有益的影响和推动，这就是学习的正迁移；反之，如果对已学的知识、技能和概念掌握得不牢固，又不注意分析思辩，那么已学的知识、技能和概念则会对学习新知识、技能和概念产生妨碍和不利影响，这就是学习的负迁移。在数学教学中，迁移不是自动的，所学的知识、技能和概念本身并不能保证它们在任何时候、任何地方都能得到正向迁移。因此，教师在教学过程中讲究正确的方法，科学运用学习的迁移规律，才会使学习的迁移朝着正确的方向延伸。 比如，代数式的学习有助于学生由数到式的过渡，为初中以后的学习打好基础。方程的学习有助于不等式的学习；一元一次方程应用学习有助于以后各类应用题的学习；因式分解的学习有助于代数式的化简，也有助于一元二次方程等知识的学习；分式方程换元法学习有助于无理方程换元法的学习；绝对值的学习有助于算术平方根的学习；平行四边形学习有助于矩形、菱形、正方形的学习；全等三角形的学习有助于以后各类证明题的学习。总之，这许多数学知识的学习都是从定义、性质、判定等几方面展开的，都体现了学习方法的正迁移。 二、数学学习中正迁移的应用分析 1.重视概念教学，能促使学生养成良好的认知结构的形成，深刻理解概念，对定义、公式、法则等条件、结论及应用范围辩证清楚，提高学生的分析概括能力，促使正迁移的实现。只有掌握了基本知识、基本概念，然后在此基础上加深、扩大知识，才能形成大量的普遍的迁移。 如讲（ab）2=a2b2，它的知识结构括号内是积的形式，括号外面是平方。内涵是积的平方才能用公式得到各因式的平方的积，具有这种本质属性的个体或外延包括（2x）2、（m2n）2、[4（x+y）]2、[（a+b）（a-b）]2等形式。像（a-b）2、（2x2-y）2等括号内不是积的形式，就不具备它的特征，也不属于它的外延。通过分析个体，把具有符合它的本质特征的全体概括起来去对（ab）2进行理解，再运用（ab）2 =a2b2去具体化。在讲例题或学生练习时要反复追问学生公式的本质特征是什么？为什么不符合这种特征的题就不能运用公式？让学生知其然，又知其所以然，有效地从正面封堵了负迁移产生的渠道。通过分析、抽象、概括、具体化去完成对知识的理解和掌握。 2.加强新旧知识之间的对比，分清它们的联系与区别，防止死套公式，出现张冠李戴现象。把容易混淆的知识，将其某些本质属性加以对比，并确定它们之间的异同。对比知识的相同点和不同点，更加鲜明地突出各知识本质的东西，为进一步认识本质属性提供可能。 比如讲二元二次方程组时，要与一元二次方程和二元一次方程组的知识结构联系起来，并加以对比，切实掌握消元降次的思想，促使正迁移的实现。 3.在教学中根据学生的具体错误，运用举反例、错例的方法分析问题，利用它的直观特点引起学生的注意，学生也也易于接受，及时纠正负迁移的出现。 如学完解分式方程后，对前面学过的代数式的化简，也出现去分母再化简的逆向负迁移，可举+ =3+2的错例去解决，同时进一步分清分式方程为什么可以去分母，而代数式为什么不能去分母，因为它们的本质属性不同。 4.利用垂直迁移安排好教学过程中的层次，使学生在轻松自然的氛围中学习。所谓的垂直迁移是指知识向纵向延深的迁移，这种迁移有上行、下行两种作用。由具体到一般，由个体到整体的迁移属于由下而上的上行迁移，反之称为下行迁移。 运用上行迁移安排好教学的复习引入，直观地、形象地影响到数学概念的形成，将具有共同属性的群体概括出它的普遍规律，对于知识的前后连贯和新知识的学习也便于理解，有利于提高学习成绩；运用下行迁移安排好知识的运用层次，如因式分解a2-b2公式的练习，由x2-y2的因式分解到9m4- n2的因式分解，再提高到16（a+b）2-25（a-b）2的因式分解。 5.利用水平迁移做好同一知识水平上的扩展，如勾股定理c=a+b，可以扩展到a=c-b或b=c-a，并做到举一反三、触类旁通。 综上所述，迁移在初中数学教学中发挥着重要作用。所以，教师应该把知识的迁移、学习方法的迁移、学习态度的迁移、思想道德水平的迁移等，都要放在教育教学中加以重视，培养学生良好的思维能力，以达到提高教学质量的目的，促进学生学习成绩的共同提高。
光的干涉及其与应用 （作者：赵迪） 摘要我们通过对光的干涉本质、种类及其各种应用做了一定的查阅与思考，汇总成为该文章。中文中重点介绍的是，光的干涉在日常生活中、普通物理实验中的应用以及在天文学方面的发展和应用，由于文章内容和字数的限制，我们不能对所有提到的应用做出详细的表述，仅取其中的几个例子进行具体的介绍。 关键词光的干涉等倾干涉等厚干涉照相技术天文学 1 绪论 我们知道在光学的发展史上，“光的本质”这个问题进行了将近4个世纪的争论，直到爱因斯坦提出“波粒二象性”才将这个问题的争论暂时告一段落，本文所提到的的光的干涉现象就是这段精彩历史上不可磨灭的一部分。 1801年的英国由托马斯·杨设计的杨氏双缝干涉实验使得“微粒说”近乎土崩瓦解，并强有力的支持了“波动说”。1811年，阿拉格首先研究了偏振光的干涉现象。现代生活中，光的干涉已经广泛的用于精密计量、天文观测、光弹性应力分析、光学精密加工中的自控等许多领域。 虽然“波粒二象性”已经作为主流说法，终结了这个问题的争论，但是对于现代生活来说，光的干涉及其理论所带来的影响却是不可或缺的。我们将在本文中简单介绍一下光的干涉在日常生活中、普通物理实验中的应用以及在天文学方面的发展和应用。 2 光的干涉现象与产生 2.1 现象简介 干涉，指满足一定条件的两列相干波相遇叠加，在叠加区域某些点的振动始终加强，某些点的震动始终减弱，即在干涉区域内振动强度有着稳定的空间分布，而忽略时间的影响。
图2-1 复色光的干涉图样 由于光也具有波动性，因此，光也可以产生干涉现象，称为光的干涉。光的干涉通常表现为光场强度在空间作相当稳定的明暗相间的条纹或圆环的分布；有时则表现为，当干涉装置的某一参量随空间改变时，某一固定点处接收到的光强按一定规律作强弱交替变化。 2.2 产生条件 2.2.1 主要条件 两列波的产生干涉的条件是：两列光波频率一致、相位差恒定、振动方向一致的相干光源才能产生光的干涉。 由于两个普通独立的光源发出的光不可能具有相同的频率，更不可能存在更不可能存在固定的相位差，因此，不可能产生干涉现象。 图2-2 单色光的干涉图样 2.2.2 补充条件 由于干涉图样的效果会受到称比度的影响，因此，两列相干波还须满足三个补充条件：①参与叠加的两束光光强不能相差太大；②参与叠加的两束光振动的夹角越小越好，虽然理论上小于2 即可产生叠加，但是对比度效果不好，即最好接近平行；③光程差不能相差太大。
商业银行风险监管核心指标（试行）第一章总则第一条为加强对商业银行风险的识别、评价和预警，有效防范金融风险，根据《中华人民共和国银行业监督管理法》、《中华人民共和国商业银行法》和《中华人民共和国外资金融机构管理条例》等法律法规，制定商业银行风险监管核心指标。第二条商业银行风险监管核心指标适用于在中华人民共和国境内设立的中资商业银行。第三条商业银行风险监管核心指标是对商业银行实施风险监管的基准，是评价、监测和预警商业银行风险的参照体系。第四条商业银行应按照规定口径同时计算并表的和未并表的风险监管核心指标。第五条银监会对商业银行的各项风险监管核心指标进行水平分析、同组比较分析及检查监督，并根据具体情况有选择地采取监管措施。第二章核心指标第六条商业银行风险监管核心指标分为三个层次，即风险水平、风险迁徙和风险抵补。第七条风险水平类指标包括流动性风险指标、信用风险指标、市场风险指标和操作风险指标，以时点数据为基础，属于静态指标。第八条流动性风险指标衡量商业银行流动性状况及其波动性，包括流动性比例、核心负债比例和流动性缺口率，按照本币和外币分别计算。（一）流动性比例为流动性资产余额与流动性负债余额之比，衡量商业银行流动性的总体水平，不应低于25%。（二）核心负债比例为核心负债与负债总额之比，不应低于60%。（三）流动性缺口率为90天内表内外流动性缺口与90天内到期表内外流动性资产之比，不应低于-10%。第九条信用风险指标包括不良资产率、单一集团客户授信集中度、全部关联度三类指标。（一）不良资产率为不良资产与资产总额之比，不应高于4%。该项指标为一级指标，包括不良贷款率一个二级指标；不良贷款率为不良贷款与贷款总额之比，不应高于5%。（二）单一集团客户授信集中度为最大一家集团客户授信总额与资本净额之比，不应高于15%。该项指标为一级指标，包括单一客户贷款集中度一个二级指标；单一客户贷款集中度为最大一家客户贷款总额与资本净额之比，不应高于10%。（三）全部关联度为全部关联授信与资本净额之比，不应高于50%。第十条市场风险指标衡量商业银行因汇率和利率变化而面临的风险，包括累计外汇敞口头寸比例
集成电路中的电迁移现象 电迁移现象简介随着芯片特征尺寸越来越小，集成度越来越高，对芯片可靠性的研究也变得越来越重要，而其中电迁移现象是影响互连引线的主要可靠性问题。在微电子器件中，金属互连线大多采用铝膜，这是因为铝膜具有电阻率低、价格低廉、与硅制造工艺相兼容、与SiO2 层等介质膜具有良好的粘附性、便于加工等一系列优点。但使用中也存在着如性软、机械强度低、容易划伤；化性活泼、易受腐蚀；抗电迁移能力差等一系列问题。 集成电路芯片内部采用金属薄膜互连线来传导工作电流，这种传导电流的金属在较高的电流密度作用下，沿电场反方向运动的电子将会与金属离子进行动量交换，结果使金属离子与电子流一样朝正极方向移动，相应所产生的金属离子空位向负极方向移动，这样就造成了互连线内金属净的质量传输，这种现象就是电迁移。 电迁移失效机理电迁移现象是指集成电路工作时金属线内部有电流通过，在电流的作用下金属离子产生物质运输的现象。进而导致金属线的某些部位出现空洞从而发生断路，而另外一些部位由于有晶须生长或出现小丘造成电路短路。当芯片集的成度越来越高后，其中金属互连线变的更细、更窄、更薄，电迁移现象也就越来越严重。图为典型的电迁移失效结果。 (a)电迁移引发短路(b)电迁移引发断路 在块状金属中，电流密度较低(<104A/cm2)，其电迁移现象只在接近材料熔点的高温时才发生。薄膜的材料则不然，淀积在硅衬底上的铝条，截面积很小和很好的散热条件，电流密度可高达107A/cm2，所以在较低的温度下就能发生电迁移。在一定温度下，金属薄膜中存在一定的空位浓度，金属离子通过空位而运动，但自扩散只是随机的引起原子的重新排列，只有在受到外力时才可产生定向运动。通电导体中作用在金属离子上的力有两种：一种是电场力F q，另一种是导电载流子和金属离子间相互碰撞发生动量交换而使离子产生运动的力，这种力叫摩擦力F e,对于铝膜，载流子为电子，这时电场力F q很小，摩擦力起主要作用，粒子流与载流子运动方向相同。这一摩擦力又称为电子风。经过理论分析有： F=F q+F e=Z*qE
二语习得中语言迁移现象探究 摘要：语言迁移现象指在二语习得过程中学习者已掌握的语言知识或技能对目标语言知识或技能所产生的自动的潜意识的影响。目前国内学者大多强调母语对外语学习中的负迁移而忽视了母语的正迁移。本文试图在语言迁移理论研究的基础上，力求从语音，词汇，句法以及文化方面描述外语学习中母语和目标语间存在的多层次的正、负迁移，并建设性地提出在外语教学中要更多的关注母语与目标语之间的共性,从而促进母语在二语习得中的正迁移。 关键词：语言迁移；普遍语法理论；刺激反应论；对比分析论；语言标记理论；二语习得 一、前言 多年来，语言迁移一直是二语习得及外语教学领域的热点问题。从心理语言学和应用语言学角度来看，语言迁移不仅是一种简单的语言现象，也是一个复杂的认知过程，因此不同时期不同研究领域的语言学家给出的定义也不尽相同。Odlin将其定义为母语对目标语影响和母语向目标语的借用，也就是目标语和其它任何已习得的（或者没有完全习得的）语言之间的共性和差异所造成的影响。Schachter则从认知心理学和生成语法角度，把语言迁移看做是语言学习过程中的一种制约，即学习者先前所获得的知识都有可能对之后的二语习得产生某种制约，这种制约既是迁移。Faerch和Kasper则重视语言迁移的心理层面，他们认为语言迁移是一种心理过程，在这个过程中通过中介语的被激活而最终掌握目的语。 尽管语言迁移的研究是跨语言间的相互影响，但多数研究还是母语对外语学习或第二语言习得的影响，因此语言迁移常被语言学界解释为“母语迁移”。母语迁移分为正迁移和负迁移两种，正迁移即为母语和目标语之间有利于目标语言学习的迁移；反之，由于母语和目标语之间的某种形式和规则上的差异而形成的“干扰”被称为负迁移。任何学习外语的人都易于把母语中的表达运用到目标语学习中来，因此母语负迁移的现象在外语教学中极为常见。 二、语言迁移的理论依据 语言迁移理论的研究始于20世纪50年代，以Chomsky的普遍语法理论、行为主义刺激反应论、对比分析假说理论以及近期的语言标记性理论为依据，先后经历了早期的行为主义母语习惯迁移论、中期的心灵主义最低影响度立场论以及近期的认知学迁移制约论。其具体研究理论依据如下： 1、普遍语法理论 普遍语法理论由Chomsky为代表的转换生成语法学派所提出，该理论使语言学研究的重点由对语言的描写转向对语言本质的探究。普遍语法理论强调先天的语言机制及语言共同的规律性对语言习得的作用。Chomsky认为，人类最基本的智能要素的语言能力的认知结构是天赋的，人类天生就继承了一套通用的语言参数和原理，控制着人类语言的形成，这就是人类所共享的基本的语言规则（即核心语法）。20世纪90年代关于母语迁移研究的三个理论----最小树理论、弱迁移理论和全迁移理论均都承认了普遍语法对二语习得所产生影响。最小树理论认为从第一语言到二语习得的语言迁移局限在词汇范畴和词汇的线性扩展，初始状态的迁移只包括词汇迁移，不包括任何功能范畴的迁移。弱迁移假设认为词汇和功能范畴及两者的线性扩展都会迁移到二语习得，但与功能范畴相关的，包括屈折变化在内的一些功能作用不能迁移。全迁移假设认为第一语言的全部语法（不包括语音，词汇和词性）是二语习得的初始状态。近年来，很多研究者就普遍语法理论与母语迁移现象的关系进行了广泛的研
贷款迁徙率的计算公式： 正常贷款迁徙率 计算公式： 正常贷款迁徙率＝(期初正常类贷款中转为不良贷款的金额＋期初关注类贷款中转为不良贷款的金额)／(期初正常类贷款余额-期初正常类贷款期间减少金额＋期初关注类贷款余额-期初关注类贷款期间减少金额)×100% 指标释义： 期初正常类贷款中转为不良贷款的金额，是指期初正常类贷款中，在报告期末分类为次级类/可疑类/损失类的贷款余额之和。 期初关注类贷款中转为不良贷款的金额，是指期初关注类贷款中，在报告期末分类为次级类/可疑类/损失类的贷款余额之和。 期初正常类贷款期间减少金额，是指期初正常类贷款中，在报告期内，由于贷款正常收回、不良贷款处置或贷款核销等原因而减少的贷款。 期初关注类贷款期间减少金额，是指期初关注类贷款中，在报告期内，由于贷款正常收回、不良贷款处置或贷款核销等原因而减少的贷款。 正常类贷款迁徙率：本指标计算本外币口径数据。 计算公式： 正常类贷款迁徙率＝期初正常类贷款向下迁徙金额／(期初正常类贷款余额－期初正常类贷款期间减少金额)×100% 指标释义： 期初正常类贷款向下迁徙金额，是指期初正常类贷款中，在报告期末分类为关注类/次级类/可疑类/损失类的贷款余额之和。 期初正常类贷款期间减少金额定义与正常贷款迁徙率指标中定义一致。 关注类贷款迁徙率 计算公式： 关注类贷款迁徙率＝期初关注类贷款向下迁徙金额／(期初关注类贷款余额－期初关注类贷款期间减少金额)×100% 指标释义： 期初关注类贷款向下迁徙金额，是指期初关注类贷款中，在报告期末分类为次级类/可疑类/损失类的贷款余额之和。 期初关注类贷款期间减少金额定义与正常贷款迁徙率指标中定义一致。 次级类贷款迁徙率本指标计算本外币口径数据。 计算公式： 次级类贷款迁徙率＝期初次级类贷款向下迁徙金额／(期初次级类贷款余额－期初次级类贷款期间减少金额)×100% 指标释义： 期初次级类贷款向下迁徙金额，是指期初次级类贷款中，在报告期末分类为可疑类/损失类的贷款余额之和。 期初次级类贷款期间减少金额，是指期初次级类贷款中，在报告期内，由于贷款正常收回、不良贷款处置或贷款核销等原因而减少的贷款。 可疑类贷款迁徙率 计算公式： 可疑类贷款迁徙率＝期初可疑类贷款向下迁徙金额／(期初可疑类贷款余额－期初可疑类贷款期间减少金额)×100%
第二章 光的干涉 知识点总结 2.1.1光的干涉现象 两束(或多束)光在相遇的区域内产生相干叠加,各点的光强不同于各光波单独作用所产生的光强之和,形成稳定的明暗交替或彩色条纹的现象,称为光的干涉现象。 2.1.2干涉原理 注：波的叠加原理和独立性原理成立于线性介质中,本书主要讨论的就是线性介质中的情况. (1)光波的独立传播原理 当两列波或多列波在同一波场中传播时，每一列波的传播方式都不因其他波的存在而受到影响，每列波仍然保持原有的特性（频率、波长、振动方向、传播方向等） (2)光波的叠加原理 在两列或多列波的交叠区域，波场中某点的振动等于各个波单独存在时在该点所产生振动之和。 波叠加例子用到的数学技巧： （1） （2） 注: 叠加结果为光波复振幅的矢量和，而非强度和。 分为相干叠加(叠加场的光强不等于参与叠加的波的强度和)和非相干叠加(叠加场的光强等于参与叠加的波的强度和). 2.1.3波叠加的相干条件 干涉项： 相干条件： （干涉项不为零） （为了获得稳定的叠加分布） （为了使干涉场强不随时间变化） 2.1.4 干涉场的衬比度 1.两束平行光的干涉场（学会推导） （1）两束平行光的干涉场 干涉场强分布： 21ωω=10200 ?≠r r E E 2010??-=常数()() 21212 1212()()()2=+?+=++?r r r r r r r r r I r E E E E I r I r E E 12102012201021212010212{cos()()()cos()()()} ?=?+?++-++-?+---r r r r v v v v v E E E E k k r t k k r t ??ωω??ωω() ()() * 12121212,(,)(,)(,)(,)2 cos =++=++?%%%%I x y U x y U x y U x y U x y I I I I ?
测量方法 (1)渡越时间(TOP)法 适用于具有较好的光生载流子功能的材料的载流子迁移率的测量，可以测量有机材料的低迁移率。 在样品上加适当直流电压，选侧适当脉冲宽度的脉冲光，通过透明电极激励样品产生薄层的电子一空穴对。空穴被拉到负电极方向，作薄层运动。设薄层状况不变，则运动速度为μE。如假定样品中只有有限的陷阱，且陷阱密度均匀，则电量损失与载流子寿命τ有关，此时下电极上将因载流子运动形成感应电流，且随时间增加。在t 时刻有：若式中L 为样品厚度电场足够强，t≤τ，且渡越时间t0<τ。则在t0 时刻，电压将产生明显变化，由实验可测得，又有式中L、V 和t0 皆为实验可测量的物理量，因此μ值可求。 (2)霍尔效应法 主要适用于较大的无机半导体载流子迁移率的测量。将一块通有电流I 的半导体薄片置于磁感应强度为B 的磁场中，则在垂直于电流和磁场的薄片两端产生一个正比于电流和磁感应强度的电势U，这称为霍尔效应。由于空穴、电子电荷符号相反，霍尔效应可直接区分载流子的导电类型，测量到的电场可以表示为式中R 为霍尔系数，由霍尔效应可以计算得出电流密度、电场垂直漂移速度分量等，以求的R，进而确定μ。 3)电压衰减法 通过监控电晕充电试样的表面电压衰减来测量载流子的迁移率。 充电试样存积的电荷从顶面向接地的底电极泄漏，最初向下流动的电荷具有良好的前沿，可以确定通过厚度为L 的样品的时间，进而可确定材料的μ值。 (4)辐射诱发导电率(SIC)法 导电机理为空间电荷限制导电性材料。 在此方法中，研究样品上面一半经受连续的电子束激发辐照，产生稳态SIC，下面一半材料起着注入接触作用。然后再把此空间电荷限制电流(SCLC)流向下方电极。根据理论分析SCLC 电导电流与迁移率的关系为J=pμε1ε0V2/εDd3 (7) 测量电子束电流、辐照能量和施加电压函数的信号电流，即可推算出μ值。 (5)表面波传输法 被测量的半导体薄膜放在有压电晶体产生的场表面波场范围内，则与场表面波相联系的电场耦合到半导体薄膜中并且驱动载流子沿着声表面波传输方向移动，设置在样品上两个分开的电极检测到声一电流或电压，表达式为Iae=μP／Lv．(8) 式中P 为声功率，L 为待测样品两极间距离，v 为表面声波速。有此式便可推出μ值。(6)外加电场极性反转法(6)外加电场极性反转法 在极性完全封闭时加外电场，离子将在电极附近聚集呈薄板状，引起空间电荷效应。当将外电场极性反转时，载流子将以板状向另一电极迁移。由于加在载流子薄层前、后沿的电场影响，因而在极性反转后t 时间时，电流达到最大值。t 相当于载流子薄层在样品中行走的时间，结合样品的厚度、电场等情况，即可确定μ值。 (7)电流一电压特性法本方法主要适用于工作于常温下的MOSFET 反型层载流子迁移率的测量。对于一般的MOSFET 工作于高温时，漏源电流Ids 等于沟道电流Ich 与泄漏电流Ir 两者之和，但当其工作于常温时，泄漏电流Ir 急剧减小，近似为零，使得漏源电流Ids 即为沟道电流Ich。因此，对于一般的MOSFET 反型层载流子迁移率，可以根据测量线性区I—V 特性求的。总结综上所述，本文共指出了七中载流子迁移率的测量方法，除此之外，还可采用漂移实验、分析离子扩散、分析热释电流极化电荷瞬态响应等方法进行载流子迁移率的测量
电迁移现象及其失效机 理 标准化管理部编码-[99968T-6889628-J68568-1689N]
集成电路中的电迁移现象 电迁移现象简介 随着芯片特征尺寸越来越小，集成度越来越高，对芯片可靠性的研究也变得越来越 重要，而其中电迁移现象是影响互连引线的主要可靠性问题。在微电子器件中，金属互连线大多采用铝膜，这是因为铝膜具有电阻率低、价格低廉、与硅制造工艺相兼容、与SiO 2 层等介质膜具有良好的粘附性、便于加工等一系列优点。但使用中也存在着如性软、机械强度低、容易划伤；化性活泼、易受腐蚀；抗电迁移能力差等一系列问题。 集成电路芯片内部采用金属薄膜互连线来传导工作电流，这种传导电流的 金属在较高的电流密度作用下，沿电场反方向运动的电子将会与金属离子进行 动量交换，结果使金属离子与电子流一样朝正极方向移动，相应所产生的金属离子空位向负极方向移动，这样就造成了互连线内金属净的质量传输，这种现象就是电迁移。电迁移失效机理 电迁移现象是指集成电路工作时金属线内部有电流通过，在电流的作用下金 属离子产生物质运输的现象。进而导致金属线的某些部位出现空洞从而发生断路，而另外一些部位由于有晶须生长或出现小丘造成电路短路。当芯片集的成度 越来越高后，其中金属互连线变的更细、更窄、更薄，电迁移现象也就越来越严重。图2.1为典型的电迁移失效结果。 （a）电迁移引发短路（b）电迁移引发断路 在块状金属中，电流密度较低（<104A/cm2），其电迁移现象只在接近材料熔点的高温时才发生。薄膜的材料则不然，淀积在硅衬底上的铝条，截面积很小和很好的散热条件，电流密度可高达107A/cm2，所以在较低的温度下就能发生电迁移。在一定温度下，金属薄膜中存在一定的空位浓度，金属离子通过空位而运动，但自扩散只是随机的引起原子的重新排列，只有在受到外力时才可产生定向运动。通电导体中作用在金属离子上 的力有两种：一种是电场力F q ，另一种是导电载流子和金属离子间相互碰撞发生动量交 换而使离子产生运动的力，这种力叫摩擦力F e ，对于铝膜，载流子为电子，这时电场力 F q 很小，摩擦力起主要作用，粒子流与载流子运动方向相同。这一摩擦力又称为电子风。经过理论分析有： F=F q +F e =Z*qE
试论二语习得中母语正迁移与负迁移现象摘要：语言迁移广泛地存在于二语习得中，对迁移的认识是个不断深入的过程。本文综合了近年来迁移在二语习得中的主流研究与理论。分别列举分析了语音、词汇、句法、写作、语用等方面的正负迁移的外在现象及其产生的内部原因，并指出迁移对外语教学的启示。在此基础上，探讨迁移理论在二语习得中的发展空白。 关键词：母语；二语习；得正迁移；负迁移 一．引言 第二语言习得过程是指在已经掌握了一定母语系统的前提下，在脱离目的语的社会环境中进行学习第二语言的过程。二语学习者在学习过程中是否会受到第一语言的影响？对此，目前人们普遍认为第一语言影响第二语言习得。二十多年来二语习得的研究很大一部分围绕着学习者的第一语言在第二语言习得中所起的作用这一问题上。 二．迁移的理论基础 学者们研究第一语言第二语习得的影响是积极的还是消极的。一般认为，这种影响是消极的。即第一语言会妨碍或干扰第二语言的习得。六十年代行为主义心理学为基础的研究认为，第一语言在第二语言习得中起着巨大的作用。这种干扰（interference）又称为负向迁移（negative transfer）。由于负向迁移，人们常把第二语言学习的过程看成是逐渐用第二语言的特征来取代第一语言的特征，使自己的第二语言能为接近于以该语言为本族语的学习者的语言水平过程。行为主义语言学习观点派生出干扰说的理论，其核心是“习惯”和“错误”两大问题。
语言是习惯形成的过程，一个人在学习母语时，他已经养成了一种习惯。桂诗春教授说得好，二语习得不是零起步，而是以母语为起点。因为有了母语为起点，学习者在习得二语的过程中，不可能关闭他已拥有的母语知识系统，因此第一语言影响着第二语言的习得，学习者由于第一语言的干扰会产生错误。干扰的来源是“先行抑制”（proactive inhibition）。在第二语言学习中，如果学习者的第一语言（母语）和第二语言（目的语）都含有某种意义，但是该意义在两种语言中的表达手段不同，那么学习者在第二语言使用中就可能出现错误，他可能把第一语言的实现手段转移到第二语言中去。 行为主义者的学习理论认为存在着第一语言向第二语言的“转移”（transfer）。在存在“先行抑制”的情况下，“转移”是消极的，会引起学习错误；而当第一语言和第二语言的学习习惯相同时，转移就是积极的，会有助于新习惯的形成。语言学家，William Littlewood，曾经说过：“那些和学习者的母语类似的知识掌握起来就简单，而那些不同的就困难。”所以说第一语言（母语）对第二语言习得的作用要考虑两个方面：积极的（正迁移）和消极的（负迁移）。 三．母语正迁移与负迁移现象的主要表现 (一)正迁移 由Charles Fries提出的对比分析模式把主要的重心放在学习者的母语和目标语之间存在的差异上。从行为主义理论出发，当时二语习得研究者把第二语言学习中所遇到的困难都归结为母语和目标语之间的习惯差异。有的甚至认为难度和差异成正比，差异越大，难度越大，甚至得出了语际距离等于难度的公式。然而，母语在二语习得中正迁移不可否认。拿汉语为母语的英语学习者来说，作为母语的汉语对作为目标语的英语学习中，在许多语言层面上都会发生正迁移。
学习的迁移 在教学中我们会发现这样的现象：善于学习的学生总是能够比较好的运用已有知识来解决新的问题，同时也会有一些学生虽然能看懂教材，能听懂课，但不会做题，虽然会做简单的题目，但稍微变一下问题情境就又不会做了。其中一个原因就是学生迁移能力不同，前者的迁移能力高，后者的迁移能力低。培养学生迁移能力可以提高学生学习的效果。实际上我们在教学过程中已经不自觉的注意到了培养学生的迁移能力，比如我们经常告诫学生要学会举一反三，要善于总结题目的类型等等。这一章主要介绍学习心理学研究中的迁移能力理论，希望能对我们培养学生的迁移能力有所帮助。 一、迁移的定义、意义和分类 （一）迁移的定义 我们知道学习是一个连续的过程。在这一过程中，任何学习都是在学习者已经具有的知识经验和认知结构，已经获得的动作技能，习得的态度等基础上进行的，而新的学习过程及其结果又会对学习者的原有知识经验、技能和态度甚至学习策略等产生影响，这种新旧学习之间的相互影响就是学习的迁移。简单的说，迁移就是一种学习对另一种学习的影响。另外，利用所学的技能、知识等去解决问题的过程也是一种迁移的过程。 迁移现象在我们日常生活中是普遍存在的。例如，会拉二胡的人，学拉小提琴也比较容易；学好乘法运算，反过来有有助于更加熟练的掌握加法运算。关于迁移现象，古代人们就已注意到。如我国古代思想家、教育家孔子曰：“举一隅不以三隅反，则不复也。”他还要求学生“由此以知彼”。“举一反三”、“由此知彼”就是学习中的迁移现象。 （二）迁移的理论 1、相同元素说 这种理论是建立在桑代克与伍德沃思在1901年从事的一项实验研究基础上的。 心理学家从不同的角度解释了迁移的原因和机制，这就构成了不同的迁移理论。主要介绍下面的几种：在实验中，桑代克训练大学生判断大小和形状不同的纸张的面积。首先，让被试估计127张长方形、三角形、圆形和不规则图形的面积。这一事先测验旨在了解被试判断面积的一般能力。然后，给每个被试估计90个面积从10平方厘米到100平方厘米不等的平行四边形的面积。接着，把被试分成两组：要第一组被试判断13个类似于前面训练过的平行四边形的长方形的面积；要第二组被试判断27个三角形、圆形和不规则图形的面积。结果表明：受过平行四边形面积的训练，有助于学生更好地判断长方形的面积，而对估计三角形、圆形和不规则图形的面积没什么帮助。桑代克的结论是：如果在两种学习情境之间要有任何正迁移的话，那么这两种情境必须是非常相似的。 这是桑代克提出的一种学习迁移说。桑代克从联结主义的观点出发，认为只有在原先的学习情境与新的学习情境有相同要素时，原先的学习才有可能迁移到新的学习中去。而且，迁移的程度取决于这两种情境相同要素的多寡。也就是说，相同要素越多，迁移的程度越高；相同要素越少，迁移的程度越低。 桑代克的相同元素说也揭示了迁移现象中的一些事实，对迁移理论的研究作出了重大贡献。在当时的教育界曾起过积极的作用，学校在课程方面开始注意重视应用学科，教学内容的安排也尽量与将来的实际应用相结合。但桑代克指出相同元素也就是相同的联结，学习上的迁移只不过是相同联结的转移而已。他还设想这种共同的刺激-反应的联结是“凭借同一脑细胞的作用”而形成的。他把迁移现象都归结于联结的形成，把迁移局限于有相同的刺激--反应的联结，而未能充分考虑学习者的内在训练过程，未免失之偏颇。
我国商业银行贷款分类制度较世界发达国家银行相比起步较晚，中国人民银行于1998年下发了《贷款风险分类指导原则（试行）》（银发〔1998〕151号），要求国有商业对贷款实施分类。2001年12月，中国人民银行银行发布了《贷款风险分类指导原则》，要求国内金融机构于2002年1月1日起全面正式实施贷款分类。2007年8月，中国银行业监督管理委员会印发了《贷款风险分类指引》，对贷款分类进一步进行了规范。 由于贷款分类结果是对某一时点银行信贷资产质量情况的反映，为加强对商业银行贷款分类结果个类别之间动态变化情况的监督，中国银行业监督管理委员会出台了“风险迁徙”指标，衡量风险变化（详见《商业银行风险监管核心指标(试行)》，2005年12月印发）。根据 正常贷款迁徙率 ●计算公式： 正常贷款迁徙率=(期初正常类贷款中转为不良贷款的金额+期初关注类贷款中转为不良贷款的金额)/(期初正常类贷款余额-期初正常类贷款期间减少金额+期初关注类贷款余额-期初关注类贷款期间减少金额)×100% ●指标释义： 期初正常类贷款中转为不良贷款的金额，是指期初正常类贷款中，在报告期末分类为次级类/可疑类/损失类的贷款余额之和。 期初关注类贷款中转为不良贷款的金额，是指期初关注类贷款中，在报告期末分类为次级类/可疑类/损失类的贷款余额之和。 期初正常类贷款期间减少金额，是指期初正常类贷款中，在报告期内，由于贷款正常收回、不良贷款处置或贷款核销等原因而减少的贷款。 期初关注类贷款期间减少金额，是指期初关注类贷款中，在报告期内，由于贷款正常收回、不良贷款处置或贷款核销等原因而减少的贷款。 正常类贷款迁徙率 本指标计算本外币口径数据。 ●计算公式：
集成电路中的电迁移现象 电迁移现象简介 随着芯片特征尺寸越来越小，集成度越来越高，对芯片可靠性的研究也变得越来越重要，而其中电迁移现象是影响互连引线的主要可靠性问题。在微电子器件中，金属互连线大多采用铝膜，这是因为铝膜具有电阻率低、价格低廉、与硅制造工艺相兼容、与SiO2层等介质膜具有良好的粘附性、便于加工等一系列优点。但使用中也存在着如性软、机械强度低、容易划伤；化性活泼、易受腐蚀；抗电迁移能力差等一系列问题。 集成电路芯片内部采用金属薄膜互连线来传导工作电流，这种传导电流的金属在较高的电流密度作用下，沿电场反方向运动的电子将会与金属离子进行动量交换，结果使金属离子与电子流一样朝正极方向移动，相应所产生的金属离子空位向负极方向移动，这样就造成了互连线内金属净的质量传输，这种现象就是电迁移。 电迁移失效机理 电迁移现象是指集成电路工作时金属线内部有电流通过，在电流的作用下金属离子产生物质运输的现象。进而导致金属线的某些部位出现空洞从而发生断路，而另外一些部位由于有晶须生长或出现小丘造成电路短路。当芯片集的成度越来越高后，其中金属互连线变的更细、更窄、更薄，电迁移现象也就越来越严重。图2.1为典型的电迁移失效结果。 （a）电迁移引发短路（b）电迁移引发断路在块状金属中，电流密度较低（<104A/cm2），其电迁移现象只在接近材料熔点的高温时才发生。薄膜的材料则不然，淀积在硅衬底上的铝条，截面积很小和很好的散热条件，电流密度可高达107A/cm2，所以在较低的温度下就能发生电迁移。在一定温度下，金属薄膜中存在一定的空位浓度，金属离子通过空位而运动，
但自扩散只是随机的引起原子的重新排列，只有在受到外力时才可产生定向运动。通电导体中作用在金属离子上的力有两种：一种是电场力F q ，另一种是导电载流子和金属离子间相互碰撞发生动量交换而使离子产生运动的力，这种力叫摩 擦力F e ，对于铝膜，载流子为电子，这时电场力F q 很小，摩擦力起主要作用， 粒子流与载流子运动方向相同。这一摩擦力又称为电子风。经过理论分析有： F=F q +F e =Z*qE 式中Z*成为有效原子价数，E为电场强度，q为电子电荷。Z*的绝对值越小，抗电迁移能力就越大。 电迁移引起的失效模式 1 短路 （1）电迁移使晶体管发射极末端积累铝离子,使EB结短路，这对套刻间距小的微波功率管容易发生； （2）电迁移产生的晶须使相邻的两个铝条间短路, 这对相邻铝条间距小的超高频器件、大规模集成电路容易发生； （3）集成电路中铝条经电迁移后与有源区短接, 多层布线上下层铝条经电迁移后形成晶须而短接； （4）晶须与器件内引线短接"触的数目。 2 断路 （1）正常工作温度下, 铝条承受电流过大, 特别是铝条划伤后, 电流密度更大,使铝条断开"尤其是大功率管, 在正常结温(150℃)时, 往往工作几百小时后因电迁移而失效； （2）压焊点处, 因接触面积小, 电流密度过大而失效； （3）氧化层台阶处, 因电迁移而断条"通过氧化层阶梯的铝条在薄氧化层上散热好, 温度低, 而在厚氧化层上散热差, 温度高"所以当电子流沿着铝条温度增加的方向流动时, 就会出现铝原子的亏空, 而形成宏观的空隙。 3 参数退化 电迁移将影响器件的性能稳定，如引起晶体管EB结击穿特性退化，电流放大倍数h FE变化等。