半导体物理基本概念-2014年
半导体物理基本概念-2014年

半导体物理基本概念: 离子晶体, 共价晶体, 晶胞, 肖脱基缺陷,费仑克尔缺陷,施(受)主杂质, 施(受)主电离能, 直(简)接复合, 复合率, 量子态密度, 状态密度, 有效状态密度, 绝缘体(半导体\导体)能带特点, 深(浅)杂质能级,

2020-06-19
半导体制造基本概念
半导体制造基本概念

半导体制造基本概念 晶圆(Wafer) 晶圆(Wafer)的生产由砂即(二氧化硅)开始,经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅,再经由盐酸氯化,产生三氯化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分解过程,制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂,将多晶硅融解

2021-03-08
第一章半导体基础知识(精)
第一章半导体基础知识(精)

第一章半导体基础知识 〖本章主要内容〗 本章重点讲述半导体器件的结构原理、外特性、主要参数及其物理意义,工作状态或工作区的分析。 首先介绍构成PN结的半导体材料、PN结的形成及其特点。其后介绍二极管、稳压管的伏安特性、电路模型和主要参数以及

2024-02-07
半导体物理学基本概念汇总
半导体物理学基本概念汇总

半导体物理学基本概念 有效质量-----载流子在晶体中的表观质量,它体现了周期场对电子运动的影响。其物理意义:1)有效质量的大小仍然是惯性大小的量度;2)有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递,因此可正可负。 空穴-----是一

2024-02-07
半导体物理学基本概念
半导体物理学基本概念

半导体物理学基本概念 1.离子晶体:由正负离子或正负离子集团按一定比例组成的晶体称作离子晶体。离子晶体中, 正负离子或离子集团在空间排列上具有交替相间的结构特征。离子间的相互作用以库仑静电作用为主导。 2.共价晶体:主要由共价键结合而成的晶

2024-02-07
半导体制造工艺
半导体制造工艺

选择合理恰当的器件和工艺去完成某种电路的功能或应用 !GMoore目的:了解硅片制造工 艺流程的基本概念5.5.2 MOS工艺演进It is a CMOS world!• 5.1 基本趋势: IC is a cost driven indu

2024-02-07
半导体物理学基本概念(版)
半导体物理学基本概念(版)

半导体物理学基本概念 1.离子晶体:由正负离子或正负离子集团按一定比例组成的晶体称作离子晶体。离子晶体 中,正负离子或离子集团在空间排列上具有交替相间的结构特征。离子间的相互作用以库仑静电作用为主导。 2.共价晶体:主要由共价键结合而成的晶

2024-02-07
半导体制造工艺简介
半导体制造工艺简介

3.1半导体基础知识 1、半导体能带 禁带带隙介于导体和绝缘体之间 2、半导体载流子 空穴和电子3.1半导体基础知识 3、半导体分类 N型半导体和P型半导体 掺杂半导体的特点:(1)导电性受掺杂浓度影响。被替代的硅原子 数越多,材料的

2024-02-07
半导体制造工艺基础
半导体制造工艺基础

LSI工艺用干法刻蚀的应用与挑战各种材料的刻蚀工艺 栅极 多晶硅Al布线绝缘膜 (SiO2)气体F系列(CF4/O2, SF6, NF3等)化学刻蚀/各向同性 Cl/Br系列(Cl2, HBr, HBr/Cl2 等)各向异性、 SiO2选择

2024-02-07
半导体制造工艺基础
半导体制造工艺基础

硅片表面均热性好产量高能实现急冷急热不容易受到硅片自重 便于控制加工环境应力的影响缺点容易受到硅片自重应 力的影响有大气混入 容易导致硅片面内热 分布不均室温不明确 设备贵 加工能力低 热应力大40圆片所受的应力划线硅片硅片自重产生应力 (

2024-02-07
半导体制造工艺流程
半导体制造工艺流程

半导体制造工艺流程.1半导体相关知识• 本征材料:纯硅 9-10个9250000Ω.cm• N型硅: 掺入V族元素--磷P、砷As、锑 Sb• P型硅: 掺入 III族元素—镓Ga

2024-02-07
半导体厂基本概念介绍
半导体厂基本概念介绍

ALLALLPresented by Market Dept. Norman PengPage 5半導體廠的製程與SCH產品應用之相對位置光罩製作晶圓製造清洗薄膜形成光阻塗佈微影蝕

2024-02-07
半导体物理学基本概念(最新版)
半导体物理学基本概念(最新版)

半导体物理学基本概念(最新版)

2024-02-07
半导体制造基本概念
半导体制造基本概念

半导体制造基本概念晶圆(Wafer)晶圆(Wafer)的生产由砂即(二氧化硅)开始,经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅,再经由盐酸氯化,产生三氯化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分解过程,制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂,将多晶硅融解后,

2024-02-07
半导体制造工艺期末考试重点复习资料
半导体制造工艺期末考试重点复习资料

1、三种重要的微波器件:转移型电子晶体管、碰撞电离雪崩渡越时间二极管、MESFET。 2、晶锭获得均匀的掺杂分布:较高拉晶速率和较低旋转速率、不断向熔融液中加高纯 度多晶硅,维持熔融液初始掺杂浓度不变。 3、砷化镓单晶:p型半导体掺杂材料镉

2024-02-07
半导体材料的基本特性
半导体材料的基本特性

价带:被价电子填充的能带 导带:被自由电子填充的能带 禁带:导带底与价带顶之间能带 带隙:导带底与价带顶之间的能量差能带的特点:能带的宽窄由晶体的性质决定,与所含的原子数无关。 能

2024-02-07
半导体制造技术基本概念
半导体制造技术基本概念

半导体制造技术基本概念晶圆(Wafer)晶圆(Wafer)的生产由砂即(二氧化硅)开始,经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅,再经由盐酸氯化,产生三氯化硅,经蒸馏纯化后,透过慢速分解过程,制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂,将多晶硅融解

2024-02-07
基础讲座-半导体、微电子、集成电路技术基础介绍
基础讲座-半导体、微电子、集成电路技术基础介绍

集成电路走向系统芯片IC的速度很高、功耗很小,但由于 PCB板中的连线延时、噪声、可靠 性以及重量等因素的限制,已无法 满足性能日益提高的整机系统的要求在需求牵引和技术 推动的双重

2024-02-07
半导体厂基本概念介绍
半导体厂基本概念介绍

半導體廠基本概念介紹Y2002/11/8 By SCH/Norman Peng 半導體廠的產品及與上下游業界的串聯關係 半導體廠內的主要部門及工作 銷售SCH產品需接洽的部門 台

2024-02-07
半导体厂基本概念介绍ppt课件
半导体厂基本概念介绍ppt课件

➢ 常見的 Wafer 尺寸有直徑 :3 英吋 (75mm) 4 英吋 (100mm) 5 英吋 (125mm) 6 英吋 (150mm) 8 英吋 (200mm) – 目前的主流

2024-02-07