二极管基本应用电路及其分析方法

二极管基本电路及其分析方法

在利用小信号模型分析二极管电路时，要特别注意微 变电阻rd与静态工作点Q有关。 一般首先分析电路的静态工作情况，求得静态工作点 Q； 其次，根据Q点算出微变电阻rd； 再次，根据小

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二极管7种应用电路详解之一许多初学者对二极管很“熟悉”，提起二极管的特性可以脱口而出它的单向导电特性，说到它在电路中的应用第一反应是整流，对二极管的其他特性和应用了解不多，认识上也认为掌握了二极管的单向导电特性，就能分析二极管参与的各种电路

原子核电子 +14价电子硅的原子结构模拟电子技术晶体结构晶体与非晶体—原子结构排列是否有序《 电子电路CAD》单晶与多晶—整块晶体的晶格取向是否一致半导体材料的原子形成有序

§1-4 二极管基本电路及其分析方法1.4.1 二极管的等效模型1、二极管的直流模型1）理想开关模型2）恒压降模型3）折线模型2、二极管的交流小信号模型当在二极管的工作点上叠加有低频交流小信号电压ud时，只要工作点选择合适，且ud足够小，可

1.1 半导体基础知识1.2 PN结1.3 半导体二极管1.4 二极管基本电路及其分析方法1.5 特殊二极管h11.1 半导体基础知识一、半导体定义 特点:导电能力可控（受控于光、

eRo（4）负载开路时电压增益' i b ( RC // RL ) RL Av vo / vi 90 i b rbe rbeAv vo / vi ib R

2教学要求： 本章需要重点掌握二极管模型及其电路分析，特别要注意器件模型的使用范围 和条件。对于半导体器件，主要着眼于在 电路中的使用，关于器件内部的物理过程 只要求有一定的了解。

符号：2. 恒压降模型iDOuD UD(on)等效电路正偏电压 UD(on) 时导通，二极管等效为恒压源 UD(on) 否则截止，二极管等效为开路。二、模型的选用例1.3.1 硅二

模拟电子技术基础北华航天工业学院电子系 2008.3编辑课件ppt1第二章 半导体二极管及其 基本电路2.1 半导体的基本知识2.2 PN结的形成及特性2.3 半导体二极管2.4

(3) 导通后（即uD大于死区电压后）iD 正向特性即 uD略有升高， iD急剧增大。死区硅管0.6~0 .8 V电压管压降uD 约为O锗管0.2~0.3 V 击穿电压 U(BR)

的迁移相当于正电荷的 移动，因此可以认为空+4+4穴是载流子。12 / 1053.1 半导体基本知识3.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用2. 本征半导体的导电机

半导体二极管及基本电路1.1 半导体的基本知识一、本征半导体1、半导体导体：金属导电物质可分为： 绝缘体：惰性气体、橡皮、瓷等半导体：介于以上两者之间，如硅、锗等 半导体的导电特性

论题3. 二极管电路分析3.1 电路如图4所示，二极管的导通电压V D =0.7V ，常温下V T ≈26mV ，电容C 对交流信号可视为短路，v i 为正弦波，有效值为5mV ，求：(1) 二极管中流过的直流电流；(2) 交流电流的有效值

IQ = (VDDV UQ) / R = 3.3 mA2. 动态分析 rd = 26 / IQ = 26 / 3.3 8 ( )uiV1V2uOui < 0.7 V V1、V

第1章半导体二极管1.3二极管电路的分析方法1.3.1 理想二极管及二极管特性的折线近似 1.3.2 图解法和微变等效电路法第1章半导体二极管1.3.1 理想二极管及二极管特性的折

1.3 二极管基本应用电路 及其分析方法1.3.1 二极管的理想模型和恒压降模型1.3.2 图解分析法和小信号模型分析法1.3.1 二极管的理想模型和恒压降模型一、理想模型和恒压降

I E = (1 + β ) I BIC ≈ I E放大电路的分析方法1、画直流通路 、直流分析 放大 电路 分析 交流分析2、计算静态工作点 、 1、画交流通路 、 2、