成绩评定表课程设计任务书目录1 绪论 (1)1.1设计背景 (1)1.2设计目标 (1)2 四输入与非门电路 (2)2.1电路原理图 (2)2.2四输入与非门电路仿真观察波形 (2)2.3四输入与非门电路的版图绘制 (3)2.4四输入与非门

VDD MP Vo MN(2) 根据负载CL情况和速度 要求(tr和tf) 确定等效的 PMOS管和NMOS管的最小 W/L 。o增大 Vi0V*VDD6.1.1 MOS管宽长比(W/L)的确定 2. CMOS逻辑门电路（续） (3) 根据

课程名称Course 集成电路设计技术项目名称Item二输入与非门、或非门版图设计与非门电路的版图：.spc文件（瞬时分析）：* Circuit Extracted by Tanner Research's L-Edit V7.12 / E

实验二模拟静态与非门逻辑电路的特性和瞬态特性一、实验目的1.学习中原理图设计与分析2.掌握静态逻辑电路设计原理3.分析静态逻辑电路（与非门）的特性和瞬态特性二、预习要求1、根据性能和指标要求，设计并计算电路的有关参数。2、掌握编辑环境，设计

目录1绪论 (2)1.1 设计背景 (2)1.2设计目标 (2)2与门电路设计 (3)2.1电路原理 (3)2.2电路结构 (3)2.3与门电路仿真波形 (4)2.4与门电路的版图绘制及DRC验证 (5)2.5与门电路版图仿真 (6)2.6

课程名称Course 集成电路设计技术项目名称Item二输入与非门、或非门版图设计与非门电路的版图：.spc文件（瞬时分析）：* Circuit Extracted by Tanner Research's L-Edit / Extract

作业报告作业题目：画一个4输入与非门的版图，w=5~20. L =2~10.作业要求：（1）画出版图并进行设计规则检查，提取T-spice 网表文件（2）根据从版图中提取的参数，用T-space软件进行仿真，观测器输出波形。（3）采用CMO

四输入与非门课程设计任务书学生姓名：专业班级：指导教师：工作单位：题目: CMOS四输入与非门电路设计初始条件：计算机、ORCAD软件、L-EDIT软件要求完成的主要任务:（包括课程设计工作量及其技术要求，以及说明书撰写等具体要求）1、课程

1绪论设计背景随着集成电路技术的日益进步，使得计算机辅助设计（CAD）技术已成为电路设计师不可缺少的有力工具[1]。国内外电子线路CAD软件的相继推出与版本更新，使CAD技术的应用渗透到电子线路与系统设计的各个领域，如芯片版图的绘制、电路的

4）主触发器采用钟控反相器，节省一根金属连线。精选ppt20(2) 带置位端的D触发器电路图版图 精选ppt特点：器件仍分 为4层，CP和CPb也 位于上下两边，并且 在CP多晶的

课程名称Course 集成电路设计技术项目名称Item二输入与非门、或非门版图设计与非门电路的版图：.spc文件（瞬时分析）：* Circuit Extracted by Tanner Research's L-Edit V7.12 / E

作业报告作业题目：画一个4输入与非门的版图，w=5~20. L =2~10.作业要求：（1）画出版图并进行设计规则检查，提取T-spice 网表文件（2）根据从版图中提取的参数，用T-space软件进行仿真，观测器输出波形。（3）采用CMO

(a) 电路图(b) N1版图 (c) N0版图 (d) N1和N0串联版图(2) 任意个MOS管串联。例如3个MOS管串联的版图。(a)电路图(b) 版图精选课件52.MOS管并

实验二模拟静态CMOS与非门逻辑电路的I/V特性和瞬态特性一、实验目的1.学习cadence中原理图设计与分析2.掌握静态CMOS逻辑电路设计原理3.分析静态CMOS逻辑电路（与非门）的I/V特性和瞬态特性二、预习要求1、根据性能和指标要求

1绪论1.1 设计背景随着集成电路技术的日益进步，使得计算机辅助设计（CAD）技术已成为电路设计师不可缺少的有力工具[1]。国内外电子线路CAD软件的相继推出与版本更新，使CAD技术的应用渗透到电子线路与系统设计的各个领域，如芯片版图的绘制

课程名称Course 集成电路设计技术项目名称Item二输入与非门、或非门版图设计与非门电路的版图：.spc文件（瞬时分析）：* Circuit Extracted by Tanner Research's L-Edit V7.12 / E

集成电路版图设计西南科技大学图形关系集成电路版图设计西南科技大学思考题1、试着画出m=1、m=3下的反相器的棍棒图集成电路版图设计西南科技大学集成电路版图设计西南科技大学2、画出传

315. 有源区的图形（与多晶硅交叠处除外）和N+注 入区交集处即形成N+有源区， N+注入区比所交 有源区要大些。6. 两层半布线 金属，多晶硅可做连线，

6.1.2 MOS管沟道长度(L)的确定 (1)要考虑MOS管的耐压能力， 一般MOS管的击穿电压由源 漏穿通电压决定： W LBVDSP=qNBL /2osi(2)要考虑工艺水平

各种集成电路14集成电路发展概况什么是集成电路？Integrated Circuit，缩写IC。通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定