第三章 MEMS制造技术-1(半导体工艺)

第七章 三五族化合物半导体资料讲解

电子技术基础第二第三章

第四章：化合物半导体材料《半导体材料》课件-PPT课件

半导体物理_第三章

化合物半导体产业简析

第三章 材料的输运性质

2. 掺杂原子的离化能（电离能） 施主原子的离化能：ΔED= EC – ED ， 受主原子的离化能： ΔEA= EA – EV ， 硅、锗等半导体材料中常见的几种施主杂质和受 主杂

用途：（1）制备超晶格结构； （2）生长具有多层结构的薄膜外延层---各种异质结。化学束外延CBE 用气态源代替固态源进行MBE生长，即所谓 的气态源MBE，称为化学束外延生长 （

可用作耐腐蚀导体和导电填料等。3.1.4 半导体材料本征半导体元素半导体无机半导体 半导体材料 （按化学成份） 有机半导体 化合物半导体杂质半导体半导体材料 （按结构形态）晶态半导

第三章答案3-2略。3-2试述位错的基本类型及其特点。解：位错主要有两种：刃型位错和螺型位错。刃型位错特点：滑移方向与位错线垂直，符号⊥，有多余半片原子面。螺型位错特点：滑移方向与位错线平行，与位错线垂直的面不是平面，呈螺施状，称螺型位错。

第三章习题解答3，7，10，11，253/113、非化学计量化合物有何特点？为什么非化学计量化合物都是n型或p型半导体材料？解答：非化学计量化合物的特点：非化学计量化合物产生及缺陷浓度与气氛性质、压力有关；可以看作是高价化合物与低价化合物的

液态源扩散硼B扩散源：硼酸三甲酯，硼酸三丙酯等 扩散原理：硼酸三甲酯500C分解后与硅反应，在硅片表面形成硼硅玻璃，硼原子继 续向内部扩散，形成扩散层。扩散系统：N2气源、纯化、扩

第3章半导体中的电子状态半导体的许多物理性质与其内部电子的运动状态密切相关。本章扼要介绍一些有关的基本概念。§3-1 电子的运动状态和能带为了便于理解半导体中的电子运动状态和能带的概念，先复习一下孤立原子中的电子态和自由空间中的电子态概念。

习题：第一章第二章第三章第四章第五章第六章第七章第八章第九章第十章第十一章答案：第一章第二章第三章第四章第五章第六章第七章第八章第九章第十章第十一章3-2 略。3-2试述位错的基本类型及其特点。解：位错主要有两种：刃型位错和螺型位错。刃型位

因此Ⅲ-V 族化合物每个原子的平均电子数与Ⅳ族半导体的相同( 称为电子原理 )。 Ⅲ-V 族化合物的晶体结构和电子性质在许多方面与Ⅳ族半导体所具有的相似，这九种化合物的结晶都是闪锌

上述只是对闪锌矿型晶体结构而言，此外，有 些 Ⅲ-V 族化合物如 GaN、InN 等为纤维锌矿结 构，还有的因其生长条件不同，有时具有闪锌矿 结构，有时具有纤维锌矿型结构（如BN

3.2.1半导体激光器的工作原理2. 与普通的二能级系统的区别： 导带和价带内很高的电子和空穴态密度使得半导体能带 中可以容纳很高浓度的电子和空穴，从而获得很大的自 发辐射和受激

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化合物半导体项目实施方案规划设计/投资分析/产业运营化合物半导体项目实施方案化合物半导体多指晶态无机化合物半导体，即是指由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。化合物半导体包括晶态无机化