半导体硅及硅基材料研究中的几个问题

薄膜混合集成电路的制作工艺中心议题：多晶硅薄膜的制备摘要：本文主要介绍了多晶硅薄膜制备工艺，阐述了具体的工艺流程，从低压化学气相沉积(LPCVD)，准分子激光晶化(ELA)，固相晶化（SPC）快速热退火(RTA)，等离子体增强化学反应气相沉

硅工艺 第一章-硅的晶体结构、环境与衬底制备

•12• SiHCl3性质 又称硅氯仿，结构与SiCl4相似，为四面体 型。SiHCl3稳定性稍差，易水解• SiHCl3十2H2O==SiO2十3HCl十H2 • 注意要点• (

太阳级硅SOG-Si～6N太阳能电池等半导体级硅 （电子级）SEG-Si （EG-Si）＞9N半导体芯片等随着纯度上升，成本呈指数上升3、按结构分： 单晶硅：所有的硅原子按一定规律

17多晶硅的制备 单晶硅制备单晶硅性能测试单晶硅加工，形成晶圆18多晶硅的制备方法 四氯化硅还原法 三氯氢硅氢还原法 硅烷热分解法19四氯化硅还原法 （从砂到硅） 石英砂的

2、模具：八面体wenku.baidu.com石墨3、带硅：八面体管状4、带硅与模具关系：后者的润湿状态和几何形状决定前者的厚度、形状5、优点：（1）可以连续生产、制备长的带硅材料

硅片的制备磨片倒角 晶体生长 清洗整型刻蚀检查切片抛光包装去掉两端整型处理：1.去掉两端； 2.径向研磨； 3.硅片定位边或定位 径向研磨 槽定位边研磨切片（内圆切割机/线锯）内圆

15 2010年 4月3日等径收尾16程示意图固 过液基本原理拉制大直径单晶硅的注意事项 拉制大直径单晶硅的注意事项1. 晶体旋转方向的选择： 晶体旋转方向的选择：在拉制单晶时，熔

L l1 x l2 y l3 z其中 1l l 2 l3 为任意整数。而任意一个晶列的方向可由连接晶列中相邻格点的矢量标记， 其中m1、m2、m3是互质的整数。记做[m1，m

用来做芯片的高纯硅被称为半导体级硅（semiconductor-grade silicon），或者SGS，有时也被称做电子级硅。.2晶体结构不仅半导体级硅的超高纯度对制造半导体器件

•3、大概是没有了当初那种毫无顾虑的勇气，才变成现在所谓成熟稳重的样子。•4、世界上只有想不通的人，没有走不通的路。将帅的坚强意志，就像城市主要街道汇集点上的方尖碑一样，在军事艺术

硅基锗材料的外延生长及其应用摘要:硅是最重要的半导体材料,在信息产业中起着不可替代的作用。但是硅材料也有一些物理局限性,比如它是间接带隙半导体材料,它的载流子迁移率低,所以硅材料的发光效率很低,器件速度比较慢。在硅衬底上外延生长其它半导体材

第一章1.原子密度：2.硅在300K时的晶格常数a为5.43Å。请计算出每立方厘米体积中的硅原子数及常温下的硅原子密度。解：每个晶胞中有8个原子，晶胞体积为a3，每个原子所占的空间体积为a3/8，因此每立方厘米体积中的硅原子数为：8/a3=

<111> Orientation Plane<111> Wafer Etch Pits<110>从沙子到晶圆（抛光片）原料SiO2蒸馏与还原多

缺陷很多，效率只能达到13%左右，没有实现工 业应用。8.2带硅材料生长的基本问题不论何种技术生长，对于带硅材料而言，在晶体生 长时都有三个基本问题：边缘稳定性，压力控制和 产率，