离子注入

光刻机、刻蚀机、离子注入机解读

离子注入技术(Implant)

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目录第一章离子注入原理第二章离子注入机简介第三章 GSD 200 E2离子注入机的组成及工作原理第一节 GSD 200 E2离子注入机的技术指标第二节 GSD 200 E2离子注入机的机械结构1.离子源部分 source component

常州信息职业技术学院常州信息职业技术学院（4）偏束器学习情景二原因： 由于系统中还有还有未排除的空气原子，离子在管道中高速运动时，就有可能和空 气原子发生碰撞，从而发生电荷交换，离

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离子源产生的离子在吸极电压的作用下形成 束流，以一定的速度进入分析器磁场后受到洛仑 磁力发生偏转，选出我们所需的离子，通过加速 高压的作用获得一定的能量，离子通过透镜的聚 焦后，以

３第二章 离子注入机简介根据不同的工艺,对离子注入有不同的要求,比如结深,剂量,均匀性,重 复性等等,但是其中最基本的要求是结深和剂量.为了满足这两个要求,人们 就设计了各种不同的

BF2＋ ( mA ) 3.5 8 8 8.5 9 975AS ( mA ) 2 7 12 20 20 2031P ( mA ) 2 6 10 20 20 20注:此束流从靶盘法拉

M/C离子注入机§1. 概述在半导体行业中，离子注入的机台主要分为高能量（H/E），大束流（H/C），中束流（M/C）三种。这里主要介绍的是中束流的离子注入机台。中束流机台（Medium Current）一般是单个晶片进行注入，注入的剂量一

5★ 离子源的工作原理当离子源的灯丝通过足够大的直流电流时， 当离子源的灯丝通过足够大的直流电流时， 灯丝受热后发射的热电子在ARC 电压、源磁场的 电压、 灯丝受热后发射的热电子

第三部分原理瓦利安半导体设备有限公司VIISta HCS目录章节章节编号原理介绍…………………………………………………………………E控制原理………………………………………………---………………E离子注入操作原理……………………………………

中束流离子源（CF-3000）Eaton注入机 离子源大束流离子源（8-10mA） 中束流离子源（NV-6200）蒸发离子源的结构磁分析器原理ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ设吸出电压为V

7500mm 7400mmiG5Weight： 100ton<Next Generation>ComponentCompare iG5 with iG4Ion Sour

Varian 离子注入机 EHP220设备规格1.概要本E220中束流离子注入机使用离子源，通过磁分析器、平行束透镜、加速系统等系统来完成注入。B+束流达0.9mA，P+束流达1.6mA，As+束流达1.2mA。2. 系统组成E220中束流

离子注入技术摘要离子注入技术是当今半导体行业对半导体进行掺杂的最主要方法。本文从对该技术的基本原理、基本仪器结构以及一些具体工艺等角度做了较为详细的介绍，同时介绍了该技术的一些新的应用领域。关键字离子注入技术半导体掺杂1绪论离子注入技术提出