第一部分考试试题 第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类
第1章集成电路的基本制造工艺1.6一般TTL集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么?答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL集成电路的外延层电阻率高。第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应复习思考题2.2利用
=0.7V, =5V, ，忽略衬底偏置效应。(1)当 时，欲使 =0.3V，驱动管应取何尺寸?答：7.2有一E/D NMOS反相器，若 =2V, =-2V, =25, =5V。(1)求此反相器的逻辑电平是多少?答：第8章MOS基本逻辑单元复
第1章 集成电路的基本制造工艺1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习
第8章动态逻辑电路 填空题 对于一般的动态逻辑电路，逻辑部分由输出低电平的网组成，输出信号与电源之间插入了栅控制1、 极为时钟信号的 ,逻辑网与地之间插入了栅控制极为时钟信号的。 【答案：NMOS, PMOS, NOMS】 对于一个级联的多
引言随着半导体器件封装的小型化、片状化、薄型化和焊球阵列化，对半导体封装技术要求越来越高。由于封装材料复杂性的不断增加，半导体封装技术也越来越复杂，封装和工艺流程也越来越复杂。1. （半导体）大规模集成电路封装工艺简介所谓封装就是指安装半导
第一部分考试试题 第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4. 5. 6. 1. 2. 3. 4. 5. 6.
集成电路制造工艺流程 晶体的生长 晶体切片成wafer 晶圆制作 功能设计à模块设计à电路设计à版图设计à制作光罩 工艺流程 1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约 2um 的 Al2O3 和甘油混合液保护之 , 在制作前必须进行化学刻蚀和表
半导体集成电路常见封装缩写解释 1. DIP(dual in-line PACkage) 双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。 DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，
1、隐埋层杂质的选择原则；①杂质固溶度大，以使集电极串联电阻降低；②高温时在硅中的扩散系数要小，以减小外延时隐埋层杂质上推到外延层的距离；③与硅衬底晶格匹配好，以较小应力因此最理想的隐埋层杂质是砷（As）2、外延层厚度包括哪几个部分，公式里
WL [0] V DDWL [1]WL [2] WL [3] V biasPull-down loadsV DD143.MOS NOR ROMV DD Pull-up device
第一部分考试试题 第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类
➢ 两次掩膜对准容差△WMAT-2 ±5.5下面来推导最小面积晶体管尺寸1、WE孔 射极接触孔 取最小尺寸2、DE-E孔 射极孔到射区扩散窗口边缘间距 △WMAT-0.8xje+WdE-E+Gmin3、DE-B 射区窗口到基区窗口间距 △W
半导体集成电路的分类半导体集成电路的分类方法有很多种，其中一种是以集成度的高低作为分类标准。所谓集成度是指单片集成电路上所集成的元器件数目，巨大规模集成电路或称极大规模集成电路（GLSI）是这种分类方法下目前集成度最高的一类电路的总称，GL
1、隐埋层杂质的选择原则；①杂质固溶度大，以使集电极串联电阻降低；②高温时在硅中的扩散系数要小，以减小外延时隐埋层杂质上推到外延层的距离；③与硅衬底晶格匹配好，以较小应力因此最理想的隐埋层杂质是砷（As）2、外延层厚度包括哪几个部分，公式里
第1章 集成电路的基本制造工艺1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习
• 《数字集成电路-电路、系统与设计》周润德译， 电子工业出版社出版业务推广部31课程参考书目及要求a)器件原理部分： 书目：《半导体物理》 《晶体管原理》 要求：熟悉晶体管单结特
1、隐埋层杂质的选择原则；①杂质固溶度大，以使集电极串联电阻降低；②高温时在硅中的扩散系数要小，以减小外延时隐埋层杂质上推到外延层的距离；③与硅衬底晶格匹配好，以较小应力因此最理想的隐埋层杂质是砷（As）2、外延层厚度包括哪几个部分，公式里
