SiC晶体生长工艺装备一、SiC晶体生长工艺装备发展现状由于SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度、化学性能稳定、高硬度、抗磨损等特点，使得它在军用和航天领域的高温、高频、大功率光电器件方面具有优越的应用价值。具体来看，其导热性能是Si材料的3倍以上；在相同反压下，SiC材料的击穿电场强度比Si高10倍，而内阻仅是Si片的百分之一。Si

SiC单晶简介

SiC晶体生长工艺装备一、SiC晶体生长工艺装备发展现状由于SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度、化学性能稳定、高硬度、抗磨损等特点，使得它在军用和航天领域的高温、高频、大功率光电器件方面具有优越的应用价值。具体来看，其导热性能是Si材料的3倍以上；在相同反压下，SiC材料的击穿电场强度比Si高10倍，而内阻仅是Si片的百分之一。Si

单晶硅生长过程中SiC的危害及解决方法摘要：通过对SiC的的介绍，以及对单晶炉内热场结构的分析，阐明SiC在单晶硅生长过程中的危害，并提出解决方案，提高单晶硅生产的成品率，增加石墨加热器的使用寿命，进而降低生产成本。关键词SiC、单晶炉热场、石墨加热器寿命1.引言：单晶硅生长需要单晶炉内具有良好的热场分布条件，在生长过程中，由于炉内附加的化学反应，生成SiC

2.3.气相组份输运；过饱和状态下，组份重结晶：PVT 生长 SiC 晶体过程示意图SiC掺杂特性 电阻率达到半绝缘半绝缘：1. 掺杂半绝缘：掺杂两性杂质。7 电阻率导电：1. n

第21卷 第2期Vol 21 No 2材 料 科 学 与 工 程 学 报Journal of Materials Science &Engineering总第82期Apr.2003文章编号:1004-793X (2003)02-0274-05收稿日期:2002-08-10;修订日期:2002-10-29基金项目:国家杰出青年科学基金资助项目(60025409

　第32卷第3期硅酸盐学报Vol.32,No.3　2004年3月J OURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY M a r c h,20046H SiC单晶的生长与缺陷胡小波,徐现刚,王继扬,韩荣江,董　捷,李现祥,蒋民华(山东大学,晶体材料国家重点实验室,济南　250100)摘　要:采用升华法,在一定的温度、气体压力和流量的