一、选择题1.与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（ B ）。A. 比绝缘体的大B.比绝缘体的小C. 和绝缘体的相同2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A

---------------------------------------------------------------最新资料推荐---------------------------------------------------

一、填空题1．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂

电子科技大学二零零 七 至二零零 八 学年第 一 学期期 末 考试一、选择填空（22分）1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ）， 对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。A. 曲

一、填空题1．纯净半导体Si 中掺错误!未找到引用源。族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。 2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下

电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考试一、选择填空（22分）1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ），对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。A. 曲率大；B. 曲率小

半导体物理2010-2011学年(2011.1.5)一、简答题（8*6’=48’）1.请填写下表中的数据：解理面材料晶格结构布拉伐格子直接/间接带隙SiGaAs2.什么是本征半导体？什么是杂质半导体？示意画出掺杂浓度为Nd的N型半导体样品电

电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试半导体物理 课程考试题 A 卷 （ 120分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末 7

赣 南 师 范 学 院第1页 共2页2010–2011学年第一学期期末考试参考答案（A 卷）开课学院：物电学院 课程名称：半导体物理学 考试形式：闭卷，所需时间：120分钟注意事项：1、教师出题时请勿超出边界虚线；2、学生答题前将密封线外的

电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期末考试半导体物理课程考试题卷(1２0分钟) 考试形式：闭卷考试日期2007年1 月14日注:1、本试卷满分70分,平时成绩满分１5分,实验成绩满分1５分;2.、本课程总成绩＝试卷分数+平时成绩+实

2012半导体物理学期末试题一、选择填空（22分）1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ），对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。A. 曲率大；B. 曲率小；C. 大；D. 小；

电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试半导体物理 课程考试题 B 卷 （ 120分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末 7

一、半导体物理学期末复习试题及答案一1.与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（ B ）。A. 比绝缘体的大B.比绝缘体的小C. 和绝缘体的相同2.受主杂质电离后向半导体提供（ B ）,施主杂质电离后向半导体提供（ C ）,本

一、填空题1．纯净半导体Si 中掺V 族元素的杂质，当杂质电离时释放 电子 。这种杂质称 施主 杂质；相应的半导体称 N 型半导体。2．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做 扩散 运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做 漂移

一、选择题。1. 电离后向半导体提供空穴的杂质是（ A ），电离后向半导体提供电子的杂质是（ B ）。A. 受主杂质B. 施主杂质C. 中性杂质2. 在室温下，半导体Si 中掺入浓度为31410-cm 的磷杂质后，半导体中多数载流子是（ C

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……2012半导体物理学期末试题一、选择填空（22分）1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ），对应的有效质量（ C ），称

f ( E ) ，表达式为，f (E ) 称为电子的费米分布函数， 它是描写的量子态上如何分布的一个统计分布函数。当E EF在热平衡状态下， 电子在允许k0T 时，费米分布函数转化

2010–2011学年第一学期期末考试试卷(A 卷)开课学院:物电学院 课程名称:半导体物理学 考试形式:闭卷,所需时间:120分钟 注意事项:1､教师出题时请勿超出边界虚线; 2､学生答题前将密封线外的内容填写清楚,答题不得超出密封线;

2有4块Si半导体样品，除掺杂浓度不同外，其余条件均相同。根据下列所给数据判断哪块样品电阻率最大哪块样品的电阻率最小并说明理由。（1）NA=×1013/cm3, ND=8×1014

安徽大学20 09—20 10学年第 一 学期《 半导体物理学 》考试试卷（B 卷）（闭卷 时间120分钟）一、选择题（每小题2分，共20分） 1.本征半导体是指( )的半导体。 A. 不含杂质和缺陷 B. 电子浓度和空穴浓度相等 C. 电