图形转移工艺淀积薄膜匀胶、前烘紫外光 掩模版曝光显影、坚膜 腐衬底蚀 胶去紫外光掩膜版正胶正胶和负胶负胶↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓↓SiSi匀胶 正胶感光区域 溶于显影液曝光显影 负胶未感光区 域溶于显影液光学曝光的三种曝光方式
（一）氧化物瓷： （1）氧化铝瓷 （a）75瓷。Al2O3含量为75%，烧成温度1400℃~1450℃。 瓷内含玻璃相较多，因此介质损耗较大 （3~8） ×10-4 。 用途：75瓷主要用作无线电元件而很少 用在电真空器件内。‥3.2电真空
集成电路中双极性和CMOS工艺流程 摘要：本文首先介绍了集成电路的发展，对集成电路制作过程中的主要操作进行了简要 讲述。双极性电路和MOS电路时集成电路发展的基础，双极型集成电路器件具有速度高、驱动能力强、模拟精度高的特点，但是随着集成电路
29扩 Nhomakorabea散替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位： Ⅲ、Ⅴ族元素 一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行， 横向扩散严重。但对设备的要求相对较低。 磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远 小于在硅中的扩散
电真空及电子材料技术 1．新型霓虹灯制造专用设备2．车用多功能灯箱 3．行波管产品与技术 4．大功率速调管技术 5．光转换剂技术 6．新型电子粉系列产品技术 新型霓虹灯制造专用设备技术 针对国霓虹灯行业急需进行现代化技术改造的需要，我们自行
3.2电真空常用陶瓷（二）衰减瓷： （3） 渗碳多孔衰减瓷 在多孔陶瓷（多孔Al2O3瓷、BeO瓷或其 它陶瓷）中渗入碳，烧氢而制成的陶瓷亦 可以作衰减瓷 ‥ 缺点：性能不稳定，衰减量受配方、原料处 理、成型方法、烧结温度等影响较大。3.3
20氧化工艺氧化工艺就是制备二氧化硅（SiO2）层。二氧化硅是一种十分 理想的电绝缘材料，它的化学性质非常稳定，室温下它只与氢氟 酸发生化学反应。它在集成电路加工工艺中有许多作用，
百Å 的SiO2薄膜一般采用干氧的方式。 SiO2薄膜厚度需要几千Å以上时，一般采 用干氧—湿氧—干氧的方式，既保证了所 需的厚度，缩短了氧化时间，又改善了表面的完整性和解决了光刻
P Leabharlann Baidu+ N-epi N+-BLP+P-SUB1.衬底选择P型Si ρ 10Ω.cm 111晶向,偏离2O~5O晶圆（晶片）
２００４年全国电子电镀学术研讨会论文集 电真空无氧铜零件无污染电镀工艺 何家康 （中国振华（集团）科技股份有限公司宇光分公司５５００１８） ［摘要］介绍一种电真空器件无氧铜零件无荇染电镀镍、电镀银工艺。本工艺的实施是一种清洁电镀生产。 Ｃ关
OLED器件制作的主要步骤 OLED器件制作包括： ITO/Cr 玻璃清洗——→光刻——→再清洗——→前处理——→真空蒸发多层有机层(4-5 层)——→真空蒸发背电极——→真空蒸发保护层——→封装——→切割——→测试——→模块组装——→产品
分 类材 料导 体半导体 绝缘体铝、金、钨、铜等硅、锗、砷化镓、 磷化铟等 SiO2、SiON、 Si3N4等表2.1 集成电路制造所应用到的材料分类2.硅（Si） 可以制作： 二
作为集成电路的隔离介质材料 作为电容器的绝缘介质材料 作为多层金属互连层之间的介质材料 作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料SiO2的制备方法 热氧化法 干氧氧化 水蒸汽氧化 湿氧氧化 干氧－湿氧－干氧(简称干湿干)氧化法
真空电子器件化学零件制造工一、职业名称：真空电子器件化学零件制造工二、职业编码：6-08-01-01三、职业分类：生产、运输设备操作人员及有关人员 >> 电子元器件与设备制造、装配调试及维修人员 >> 电子器件制造人员四、标准发文：劳社厅发
电真空器件用陶瓷金属化和釉化工艺的改进吴春荣,李明兴(江西景德镇景光特种陶瓷有限公司,江西 景德镇 333405) 中图分类号:T B756 文献标识码:B 文章编号:100228935(2003)0420033202收稿日期:200320
目录1基本信息2真空电子器件制造▪零件处理▪清洗▪退火▪表面涂敷▪部件的制造与测试▪装架▪玻璃封接工艺▪铟封工艺▪陶瓷－金属封接工艺▪钎焊及氩弧焊▪测试▪总装▪排气▪烘烤▪电极去气▪阴极分解和激活▪封离▪老炼▪测试▪充气工艺▪镀膜工艺▪离子
