模拟电子技术基础(第四版)清华习题全解

模电总结复习资料-免费-模拟电子技术基础(总22页)本页仅作为文档页封面，使用时可以删除This document is for reference only-rar21year.March第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体-

模拟电路基础入门教程

模拟电路基础知识大全一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。3、所谓理想二极管,

半导体器件的基础知识电路如图所示，已知u i ＝5sin ωt (V)，二极管导通电压U D ＝。试画出u i 与u O 的波形，并标出幅值。图 解图解：波形如解图所示。电路如图（a ）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b ）所

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子-

一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电

(2)试求出表示uO与iI关系的传输特性。图P8.16解：(1)Al工作在线性区（电路引入了负反馈）;A2工作在非线性区（电路仅引入了正反馈）。(2)uO1与iI关系式为：uO与u

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教师教案（2011—2012学年第一学期)课程名称：模拟电路基础授课学时：64学时授课班级：20XX级光电2-4专业任课教师：钟建教师职称：副教授教师所在学院：光电信息学院电子科技大学教务处第1章半导体材料及二极管(讲授8学时+综合训练2学

模拟电路入门级基础知识编著：李庭张慧江内蒙正安恒泰电子有限公司表厂技术组版本V1.02012/2/26书非借不能读前言及目的：任何一项技术都要学习，在表厂是一个技术含量少的地方，唯一能接触到的就是维修，通过维修才能窥到电表的一点本质。在吾学

模拟电路基础测试题一：填空题(每题1分，共15分)1.PN特性。2.双极型晶体管(BJT)下降为1时的频率。3. 某放大器的电压增益A V =倍。该增益换算成分贝应为4.当N沟道结型场效应管(JFET)内的沟道预夹断时，V GS 和V DS

由于杂质原子提供自由电子---称 施主原子N型杂质半导体中电子浓度比同一温度下 本征半导体的电子浓度大得多所以 加深了导电能力多子――电子 少子――空穴精品课件第一章 半导体器件半

P区空穴→ N区与电子复合 在N区留下带正电荷的离子空间电荷区形 成一个由N指向 P的电场 —— 内电场所以 在交面附近形成了 不能移动的带 电离子组成的 空间电荷区平衡后的PN结

第一章晶体管低频放大器晶体管低频放大器主要是用来放大低频小信号电压的放大器，频率从几十赫到一百千赫左右一、晶体管的偏置电路为了使放大器获得线性的放大作用，晶体管不仅须有一个合适的静态工作点，而且必须使工作点稳定。由于温度对管子参数β、Icb

北京邮电大学出版社1.1 半导体及其特性N型半导体 ： 在本征半导体中掺入少量的五价元素，如磷、 砷和钨，使每一个五价 元素取代一个四价元素 在晶体中的位置，形成N 型半导体。 由

华成英 hchya@tsinghua.edu.cn四、模拟电子技术基础课的特点1、工程性➢ 实际工程需要证明其可行性。强调定性分析。➢ 实际工程在满足基本性能指标的前提下总是容许存

第3.场效应管的分类、工作原理和特性曲线。三版童诗白本章讨论的问题：1.为什么采用半导体材料制作电子器件？2.空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？3.什么是N型半导体？什么是

可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为 电子空穴对。 游离的部分自由பைடு நூலகம்子也 可能回到空穴中去，称为复合，如图01.02所示。 本征激发和复合在

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。4. 两种载流子