9实际晶体讲义中位错的行为

晶体缺陷7 实际晶体中的位错

实际晶体和面心立方晶体中的位错

晶体缺陷7实际晶体中的位错汇总.

第4章 实际晶体结构中的位错

材料科学基础 第三章 晶体缺陷(六)

FCC中全位错滑移时原子的滑动路径 B层原子的滑动分两步：B→C→BFCC 晶体的全位错的柏氏矢量应为 b=a/2<110> ， 简写成b=1/2<110>

形成层错时几乎不产生点阵畸变，但它破坏 了晶体的完整性和正常的周期性，使电子发生反 常的衍射效应，故使晶体的能量有所增加，这部 分增加的能量称为堆垛层错能，用 表示。从能 量的观

6.2 位错衬度分析6.2.1 位错双像g∙b=n x为观察点相对于位错 核心且垂直于位错线 的坐标值β=2πsx从图11-3可知，（1）位错线强度总是偏向位错线一侧。 （2）对刃

d(-) A(+) DDWf4G b(弯12折d )对的ln交d互－作(1用力)为：FGb 2 d 2 1Winf d (Winf)8GLb 2d 211L dL8L2 1

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4.4 面心立方晶体(Face-centered Cubic Crystal)中的位错4.4.1 堆垛层错(Stacking Fault)在面心立方晶胞中，表 示了A、B、C三个相

钉扎作用显著，割阶以外的位错相 距极远，其间的应力场交互作用甚 小，各自在S1、S2上滑动。10 位错的增殖与萌生10.1 位错的形成在晶体形成过程中会产生大量，有如下三种途径：（

号相吸。fGb1b2 2r两平行螺型位错的交互作用力4 西安石油大学材料科学与工程学院材料科学基础2）单位长度两个平行且共滑移面的刃型位错间的相互作用力为：f Gb1b2 2（

2223a a a 全位错分解 [110] [121] [211] 2 6 6 a a a [101] [211] [112] 2 6 6 领先位错反应a a

• 位错并不是几何意义上的 线，而是在位错线附近有 应变区，使晶体发生微区 畸变，在一定方位下体现 衍射衬度。 • 位错线像的特点：位错线 总是出现在它实际位置的 一侧或另一侧，说

(c) 可以是刃型、螺型或混合型。(d) 只能通过局部滑移形成。即使是刃型Shockley不 全位错也不能通过插入半原子面得到，因为插入半 原子面不可能导致形成大片层错区。(e)

密排面的堆垛顺序 a）面心立方结构；b）密排六方结构ATOMIC PACKINGABCAABAPacking mode 1 (ABCABC…)堆垛层错：晶体中某一区域堆垛顺序差错而

不同晶面的表面能大小不同。这是由于表面能的本质是表面 原子的不饱和键，而不同晶面上的原子密度不同。密排面的原 子密度最大，则该面上任一原子与相邻晶面原子的作用键数最 少，故以密排面

2 在室温下，金属的晶粒越细，则其强度愈高和塑性愈低。( ) 3 实际金属中存在着点、线和面缺陷，从而使得金属的强度和硬度 均下降。( )选择题1．晶体中的位错属于A．体缺陷 2．