试题一 一、选择题：（每小题2分，共24分） （1）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）。 A.前者反偏、后者反偏 B .前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者正偏 （2）N 型半导体是在本征半导体中加入以下物质后
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体
昆明冶金高等专科学校试卷(A) 学院: 专业: 课程: 考试学期: 年季学期考试时间: 分钟试卷类别: 闭卷 行政班级: 学生姓名: 学号: 一、填空题(每空1分,共30分) 1. PN结正向 ,反向 ,具有性。 2.三极管按其结构可分为与
模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a,b。 2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a,b。 3．在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） 一.选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。A.二 B.三 C.四 D 五 2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于 3、本征半导体
图 七1. 分别写出其对数幅频特性和相频特 性的表达式，并画出相应的波特图。 = 1 100 时，判断放大电路闭环 2. 当 F时能否稳定工作？此时的中频闭环 是多少？ 增益 A uf = ？ 3. 临界自激时的 F四、设图四各电路中的运算
《模拟电子技术》测试题二 一、填空题(20分，每小题2分） 1。在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。 2。BJT用来时,应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置；而工作在区时，发射结处于正向偏置
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章） •选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。 2、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 3、本征半导体温度升高以后，__C_。 A.自由电子增多，空穴数基本不
一、 选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内）（每小题2分、共30分） 1． 在一个NPN 管组成的基本共发射极放大电路中，当输入幅度为5mV ，频率为1kHz 的正弦波时，输出电压波形出现了顶部削平失真 （1）这种失真是 ( ) A.
考试科目 《模拟电子技术》 专业 （A 类B 卷） 学号 姓名 考试日期： 年 月 日 一、选择题(8小题,每空2分，共20分) 1．电路如图所示，()V sin 05.0i t u ω=，当直流电源电压V 增大时，二极管V D 的动态电阻
一、VD1,VD2为理想二极管，其导通电压为0V，电路如图所示，画出u O的波形。（15分）二、判别题：（21分）1、若放大电路中三极管3个电极的电位分别为下列各组数值，试确定它们的电极和三极管的类型。（a）①5V ②1.2V ③0.5V（
模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100V ，u I 2=80V 则差模输入电压u Id =20V ；共模输入电压u Ic =90V 。4．在信号处理电路中
一、VD1,VD2为理想二极管，其导通电压为0V，电路如图所示，画出u O的波形。（15分）二、判别题：（21分）1、若放大电路中三极管3个电极的电位分别为下列各组数值，试确定它们的电极和三极管的类型。（a）①5V ②1.2V ③0.5V（
《模拟电子技术（Ⅱ）》课程试卷A卷B卷2010 ~2011学年第 1 学期开课学院：电气课程号：15012335考试日期： 2010-12-30考试方式：开卷闭卷 其他考试时间： 120 分钟题号一二三总分111213141516分值201
河北科技大学 学年 第 学期《 模拟电子技术基础 》期末考试试卷标准答案学院 班级 姓名 学号 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分得分一、选择填空题（每空1分，共10分）（ B ）1. 对于放大电路，所谓开环是指。A.无信号
1. 某个处于放大状态的电路，当输入电压为10mV ，输出电压为,输入电压为15mV 时，输出电压为7V （以上均为直流电压），它的电压增益为（ C ）a 、700b 、650c 、100d 、-1002. 当输入信号频率为f L 或f H
模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id =20μV ；共模输入电压u Ic =90μV 。4．在信号处
放大电路的输入电阻ri(3)写出电压放大倍数Au的表达式.解:(1)微变等效电路为ibicRB 120kU CC 12V+rbe ibuiRB+ RE RL uo－
. I模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id =20μV ；共模输入电压u Ic =90μV 。4．在信
模电试卷二学院（部）物信学院出卷教师周尚万系主任签名________制卷份数______课程编号________课程名称__________________专业_____________班级编号______江汉大学2000-2000学年第一
