1半导体二极管及其应用模拟电子技术电子技术：研究电子器件、电子电路及其应用的科学技术。第一代电子器件电真空器件：电子管和离子管电子管的结构和工作原理A ：有密封的管壳，内部抽到高真空。B ：在热阴极电子管中，有个阴极。C：阴极由灯丝加热，使

第1章半导体二极管及其基本电路自测题判断下列说法是否正确，用“√”和“?”表示判断结果填入空内1. 半导体中的空穴是带正电的离子。（?）2. 温度升高后，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。（√）3. 因为P型半导体的多子是空

第1章半导体二极管及其应用本章要点●半导体基础知识●PN结单向导电性●半导体二极管结构、符号、伏安特性及应用●特殊二极管本章难点●半导体二极管伏安特性●半导体二极管应用半导体器件是近代电子学的重要组成部分。只有掌握了半导体器件的结构、性能、

半导体二极管及其应用习题解答Document number：NOCG-YUNOO-BUYTT-UU986-1986UT第1章半导体二极管及其基本电路教学内容与要求本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与

第1章半导体二极管及其基本电路教学内容与要求本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二

媒 体 课代表器件的类型 代表器件的材料件2代表二极管，3代表三极管。台州 学1.2 半导体二极管院物电 学二、二极管的伏安特性院i电工 电1、正向特性子锗 反向饱和电流击穿电压U

在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由 杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因自由电子脱离而 带正电荷成为正离子，因此，五价杂质原子也被

击 穿 特 性0. 8硅管上页 下页 返回模拟电子技术基础1．正向特性(1) 近似呈现为指数曲线，即iD 正向特性(2) 有死区（iD≈0的区域)死区电压约为硅管0.5 V 锗管0

六、最高工作频率 f M2018年12月28日星期五 模拟电子技术 71.3.3 半导体二极管模型一、理想模型 二、恒压降模型 三、折线模型四、小信号模型1.3.4 二极管基本应用

第1章半导体二极管及其基本电路1.1 教学内容与要求本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表1.1所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主

第1章半导体二极管及其基本电路教学内容与要求本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二

图1-5 二极管的外形 及电路符号系列等。14半导体二极管及其应用面接触型二极管PN结面积较大，并做成平面状，它可以 通过较大了电流，适用于对电网的交流电进行整流。如国产 的2CP

5.1.3 杂质半导体为了尽量保持半导体的原有晶体结构，掺入的杂质 主要是微量的价电子数较为接近的三价或五价元素。N型半导体——掺入五价杂质元素（如磷）的 半导体。P型半导体——掺

半导体二极管及其应用习题解答自测题 ( 一)判断下列说法是否正确，用“√”和“?”表示判断结果填入空内1.半导体中的空穴是带正电的离子。（）2.温度升高后，本征半导体内自由电子和空穴数目都增多，且增量相等。（）3.因为 P 型半导体的多子是

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第1章半导体二极管及其基本电路1.1 教学内容与要求本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表1.1所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主

习题一、半导体二极管及其应用1．本征半导体中的自由电子浓度______空穴浓度a大于 b 小于 c 等于答案：C2.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于______a温度 b 材料 c掺杂工艺 d掺杂浓度答案：B3.在掺杂半导体中，少子的浓