光电探测器物理基础

第四章光电信号处理4.1光辐射探测过程的噪声4.2光电探测器的偏置电路4.3光电探测器的放大电路4.4微弱信号检测4.5锁定放大器4.6取样积分器4.7光子计数器14.3 光电探测器的放大电路4.3.1 耦合网络的低噪声设计原则从光电探测器获取信号，除了要有必要的偏置电路外，还必须有耦合网络才能将探测器输出的信号送到后续的低噪声前放进行放大。这一节我们讲述耦

光电探测器的放大电路

光电探测器原理及应用光电探测器种类繁多，原则上讲，只要受到光照后其物理性质发生变化的任何材料都可以用来制作光电探测器。现在广泛使用的光电探测器是利用光电效应工作的，是变光信号为电信号的元件。光电效应分两类，内光电效应和外光电效应。他们的区别在于，内光电效应的入射光子并不直接将光电子从光电材料内部轰击出来，而只是将光电材料内部的光电子从低能态激发到高能态。于是

PIN光电探测器低噪声前置放大电路设计

光电探测器偏置电路共57页

光电探测器的放大电路优秀课件

9图6-1 电阻热噪声图6-2 电阻热噪声的等效电路102. 散弹噪声（Shot noise）又称散粒噪声。元器件中有直流电流通过时，直流电流值只表 征其平均值，而微观的随机起伏形

探测器的伏安特性分三种类型：可变电阻型恒流型IΦ1IΦ2Φ1Φ3Φ2 Φ3VVPC器件PV器件，PMT电阻型热探测器 （加反向偏置）（加偏置，不分正负）光生电势型I Φ1 Φ2 Φ

碰撞原子产生新的二次碰撞电离的电子空穴对噪声问题内部增益 附加噪声当只有一种载流子引起碰撞 电离，那么雪崩光电二极管的噪 声就比较低离化率达通型硅雪崩光电二极管将耗尽层分为 吸收漂

i ph e Ad N 其中：交变光电流 e 动态电导 gd I 0 exp(eVD / kT ) kTiDiphgdGshvD连接前放的交流等效电路iphgdGshGLgiv

实验2. 光电探测器：灵敏度、偏置和带宽摘要:本实验将用到实验1测量的中同样为1550 nm激光器，将利用信号发生器调制激光器，并在不同的偏置条件下测量不同光电探测器的灵敏度和带宽；将对商用光电接收器进行同样的测试，比较测量结果。本实验的目的是了解半导体光电探测器基本使用及其偏置电路最优化设计，之后在本实验和下面的实验中将利用你自己搭建的光电接收器测量激光器

4.2光电探测器的偏置电路 偏置：在探测器上加一定的偏流和偏压使探测器能在电状态正常工作，输出光电信号。目的：取出光电信号。偏置电路的设计依据：器件的伏安特性 同晶体管加电源和偏置电路选取适当工作点的情况类似。主要内容4.2.1光电导探测器（PC）的偏置电路4.2.2光伏探测器（PV）的偏置电路c) 最佳偏置条件的确定4.2.2 光伏探测器的偏置一、PV器件

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光电探测与信号处理第四章 光电信号处理1整体概况概况一点击此处输入 相关文本内容01概况二点击此处输入 相关文本内容02概况三点击此处输入 相关文本内容03第四章 光电信号处理教学

VS maxVBRs 4Rl这时叫功率匹配, 信号电压最大。c) 最佳偏置条件的确定VsVB Rl dRs (Rl Rs )2在偏置电流Il一定条件下,由上式可知： Rl↑→Vs↑

VB Rl Rs (Rl Rs )2(Vs )RlVB Rs(Rl (RlRs ) 2VB Rs )3RlRsVBRs (Rl Rs 2Rl ) VBRs (Rs Rl )(Rl

• 对于一个确定的放大器，我们只能通过改变源电阻来减 小它的噪声系数。Rs增大时第二项减小而第三项增大， Rs减小时第二项增大第三项减小。因此，F是有极值的。19求偏导 ：R Fs

光电探测器设计报告设计人:摘要：本报告主要叙述本小组设计的基于光电效应的、可用于探测入射光频率的光电探测器的设计原理、设计过程和所期望实现的功能, 以及对此设计产品性能的估计。一、设计原理比电效应是我们从中学就开始接触并且学习的知识，原理十分简单，但却有巨人的用处。因此，我们选择这个我们熟知的知识作为基本原理，在它的基础上完成我们所设想的功能。1.光电效应及

8En 2iEn 2En 2sIn 2Rs2可以看出，放大器的输入阻抗不出现在等效输入噪声的表达 式中。因为采用En—In模型后，放大器便视为是无噪声的了， 这样一个无噪声的网络并