集成电路原理第六章S知识分享

实验报告课程名称：集成电路原理实验名称： CMOS模拟集成电路设计与仿真小组成员：实验地点：科技实验大楼606 实验时间： 2017年6月12日2017年6月12日微电子与固体电子学院一、实验名称：CMOS模拟集成电路设计与仿真二、实验学时

集成电路原理及应用（第2版）谭博学苗汇静主编课后习题答案第二章 模拟集成电路的线性应用对 A 2 :由"虚断”和"虚短”得 i 3=i 4， v 2_=v 2 - =u i2，代入U o1得U。哙呱…），2.11 求图3所示电路的增益A f

半导体集成电路原理与设计—第三章答辩

集成电路原理与应用复习总结

集成电路原理课件-cmos

x GND a b c d (c) stick diagram for ordering {a b c d}EE141 © Digital IntegratedCircuits2n

实验报告课程名称：集成电路原理实验名称：集成电路版图识别与提取小组成员：实验地点：科技实验大楼606实验时间：2017年5月22日2017年5月22日微电子与固体电子学院一、实验名称：集成电路版图识别与提取二、实验学时：4三、实验原理本实验

电科《集成电路原理》期末考试试卷一、填空题1.（1分） 年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。 2．（2分）摩尔定律是指 。 3.集成电路按工作原理来分可分为 、 、 。 4.（4分）光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、 、 、 、 和

集成电路原理及应用(第3版) 谭博学 苗汇静 主编课后习题答案第二章 模拟集成电路的线性应用2.9 试分析图1所示电路是什么电路，有何特点？图中设3421R R R R =。（图1）解：第一级运放为同相放大器。对A 1：由“虚断”和“虚短”

二极管 NPN晶体管 NMOS PNP晶体管点沙沙沙 沙成成成 成金金金 金 点点点2. 基本工艺原理---集 成电电电 电路路路 路创创创 创造造造 造奇奇奇 奇迹迹迹 迹 集集

1、互连延迟 长互连情况下，寄生分布阻容网络可等效如图5-1所示。其中：r，c——单位长度的电阻、电容（/m、F/m） L——连线总长度图5-1 寄生分布阻容网络等效电路若令：d—

集成电路原理与设计重点容总结第一章 绪论摩尔定律：(P4)集成度大约是每18个月翻一番或者集成度每三年4倍的增长规律就是世界上公认的摩尔定律。集成度提高原因：倍；二是芯片面积不断增大，大约每三年增大1.5倍；三是器件和电路结构的不断改进。等

1.什么是差动放大电路？什么是差模信号？什么是共模信号？差动放大器对差模信号和共模信号分别起什么作用？差动放大电路是把两个输入信号分别输入到运算放大器的同相和反相输入端，然后在输出端取出两个信号的差模成分，而尽量抑制两个信号的共模成分的电路

②无需阻抗匹配。③方便制作截止频率或中心频率连续可调的滤波器。④受电磁干扰的影响小。⑤由于采用集成电路，可避免各滤波节之间的负载效应 而使滤波器的设计和计算大大简化，且易于进行电路

集成电路原理与设计重点内容总结第一章 绪论摩尔定律：(P4)集成度大约是每18个月翻一番或者集成度每三年4倍的增长规律就是世界上公认的摩尔定律。集成度提高原因：倍；二是芯片面积不断增大，大约每三年增大1.5倍；三是器件和电路结构的不断改进。

NMOS衬底费米势：F Pk0 q Tln N n iA 0 .02 ln 1 6 3 .5 1 1 1 1 0 5 0 0 0 .3(1 V )7n+ Poly-Si栅接

电科《集成电路原理》期末考试试卷一、填空题1.（1分） 年，第一次观测到了具有放大作用的晶体管。 2．（2分）摩尔定律是指 。 3.集成电路按工作原理来分可分为 、 、 。 4.（4分）光刻的工艺过程有底膜处理、涂胶、前烘、 、 、 、 和

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集成电路原理及应用(第2版) 谭博学 苗汇静 主编课后习题答案第二章 模拟集成电路的线性应用2.9 试分析图1所示电路是什么电路，有何特点？图中设3421R R R R =。（图1）解：第一级运放为同相放大器。对A 1：由“虚断”和“虚短”