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3. 电路元件的电功率（注意电源和负载的判断方法）判断方法： 法1：根据功率的正负判断 法2：根据电压和电流的实际方向判断①若一致，则为负载 ②若相反，则为电源作业 P24 1-1，1-2 练习 1-3结束语谢谢大家聆听！！！17正电荷从元

电流反馈使输出电阻增大（稳定了输出电流）四、深度负反馈的特点串联 负反馈：ui uf uid 0虚短并联 ii if 负反馈： iid 0虚断第4章 小结8 8五. 深度负反馈放

交流: 动态电阻 rd ≈U T / ID＝10Ω故：动态电流有效值 Id ＝Ui / rd ≈ 1mA四、二极管的主要参数器件的参数是其特性的定量描述，是合理选择器件的依据。❖ 最大整流电流 IF：最大平均值 ❖ 最大反向工作电压 UR：

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本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常 称为“九个9”。本征半导体的共价键结构+4 +4 

二、 RC 低通电路的波特图R1A ujCR 111 jRCjC++U iCU O__图 3.1.5 RC 波特图令：fH12 H1 2RC则： A u1 1 jH

第1章 半导体二极管及其应用电路讨论：电路如图所示，已知发光二极管的导通电压UD=1.6V，正向电流为5 ~ 20mA时才能发光。试问： （1）开关处于何种位置时发光二极管可能发光

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U二极管方程： I I S (eU /UT 1)三、主要参数 1. 最大整流电流 IF二极管长期使用时，允许流过二极管的最 大正向平均电流。2. 反向击穿电压UBR二极管反向击穿时

3. V-I 特性曲线及大信号特性方程第5章 场效应管放大电路(2) 转移特性(直接由作图法获得)iD f(vGS) vDScon s t.a. 讨论输入特性无意义 b. 当 VT vGS 时，iD和vGS的关系是：iD IDO(vVGTS

共 基 极（CB），共基组态 共发射极（CE），共射组态 共集电极（CC），共集组态区分依据一极连接输入端； 一极连接输出端； 第三极作为输入、输出的公共端；“公共的极”即为组态形

uI R uOuC1 CuI dt R uO1 RCuIdt uOt1 RC t2t1uIdtUOt1当输入信号是直流电压UI时，有 1uO (t2 ) uO (t1) R

PV为直流电源消耗的功率。除以上几个主要技术指标,针对不同场合， 还可能提出其他一些指标， 如电源容量，抗干扰能力等。上页 首页13第一节 概述符号规定UA 大写字母、大写下标，表

10两个晶体管的电流放大倍数为β1和β2 ，将它们接成复合管后，则其等效管的β约为()CA β1+β2 B β1-β2 C β1×β2 D β1÷β211随着输出功率Po的提高，互补推挽功放输出级的电源供给功 率( B )A 减小B增大C不