Cr-Si合金显微结构与薄膜电性分析_
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半導體薄膜材料分析李文鴻化學工程系黎明技術學院摘要使用電子迴旋共振電漿化學氣相沉積法(electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition, ECRCVD)以CH4/SiH4/Ar混合氣體於低溫下成長碳化矽薄膜為例,藉由穿透式電子顯微鏡(TEM)、X光繞射儀(XRD)、掃描式電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、傅立葉轉換紅外線光譜儀(FTIR)、X射線光電子能譜儀(XPS; ESCA)、歐傑電子能譜儀(AES)、拉塞福背向散射儀(RBS)、低能量電子繞射(LEED)、反射式高能量電子繞射(RHEED)、拉曼光譜儀(Raman)來研究碳化矽薄膜的微結構、表面型態及化學組成與沉積參數之間的關係,藉由二次離子質譜儀(SIMS)來研究沉積膜的雜質濃度分佈,利用光子激發光(PL)來量測發光波長範圍。
關鍵字:材料分析、電子迴旋共振電漿化學氣相沉積法、碳化矽薄膜一、前言光電半導體產業的發展非常迅速,其中積體電路製程技術的發展朝向尺寸微小化,目前已邁入0.13μm以下製程及邁向奈米的範疇,並朝多層薄膜的趨勢。
然而新材料和製程的開發及其分析更是必須掌握的。
本文將以跨世紀的接班材料-碳化矽(silicon carbide)為例,介紹材料之薄膜成長及其分析。
碳化矽為具有許多優異特性的電子材料,如寬能隙、高電子遷移率、高飽和飄移速度、高崩潰電壓、高操作溫度、高熱傳導度、化學惰性、高融點及高硬度【1】,並具耐熱震(thermal shock resistance)、抗高溫氧化、比矽低的介電常數等優點。
由Johnson 之優值指標(評估元件在高功率及高頻下運作的指標)碳化矽(β-SiC)為矽之1137.8倍,及Keyes 之優值指標(評估元件在高速下運作的指標) 碳化矽(β-SiC)為矽之5.8倍【2】,故碳化矽元件能在高功率、高頻及高速下操作的特性,在光電元件的製造上,具極大之應用價值,且可用於微機電系統(microelectromechanical system;MEMS)元件之薄膜【3】、封裝材料及濾材之分離膜等【4】。
开题报告题目:碳化硅增强铝基复合材料显微组织的研究开题报告填写要求1.开题报告作为毕业设计(论文)答辩委员会对学生答辩资格审查的依据材料之一。
此报告应在指导教师指导下,由学生在毕业设计(论文)工作前期内完成。
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5.开题报告增加封面,封面格式:题目:宋体,加粗,二号;系别等内容格式:宋体,四号,居中。
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非晶合金薄膜的结构与性能研究随着先进制造技术发展,非晶合金材料的应用越来越广泛。
非晶态合金材料不同于传统的结晶态材料,其原子或分子排列十分无序,原子的位移距离也极为微小。
这种特殊结构给予了非晶合金材料出色的物理性能,因此越来越多的研究关注于非晶合金材料薄膜的制备及其性能研究。
本文将从非晶合金薄膜的结构与性能两个方面入手进行探讨。
1.结构非晶合金薄膜的结构研究是制备高性能非晶合金薄膜的关键。
一般来说,非晶合金材料的结构可以通过X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)和中子衍射等方法进行研究。
由于非晶态合金材料缺乏明确的结晶面及晶面间距,因此在实验中通常利用无定形缺陷代替结晶面,控制非晶合金的晶体结构。
此外,传统的结晶态合金材料中,原子在长程上存在着周期性的排列,而非晶态合金材料则产生了有序无序混杂的情况,这也是非晶态合金材料表现出的特殊性质原因之一。
2.性能非晶合金薄膜的性能与其结构紧密相连。
一方面,由于非晶合金材料的无序排列,其独特的结构使得其具有较高的硬度和韧性;另一方面,非晶态合金材料具有较高的化学反应活性,在某些情况下还具有记忆性,这也是它在新型材料领域应用广泛的原因之一。
研究表明,非晶合金薄膜在电子器件和传感器等领域具有广阔的应用前景。
相比于其他材料,非晶合金薄膜其优异的力学性能和热稳定性显得更加突出。
与此同时,其较高的硬度和导电性也让其在化工、电子等领域得到了广泛应用。
总之,非晶合金薄膜的结构和性能是互相关连的,其制备技术和研究方法也在不断进步和发展。
随着人们对高性能材料需求的不断提高,相信非晶合金薄膜在各个领域中的应用前景也将越来越广。
CuInSe2薄膜太阳电池材料微观结构与其光电性能的关系自1954年美国贝尔实验室研制成功第一个实用硅太阳能电池以来,无机和有机化合物类光伏材料相继问世。
近年来,伴随着各种技术的蓬勃发展,导致薄膜太阳能电池的制造技术也不断发展并不断趋于成熟和稳定。
在薄膜太阳能电池中,材料种类很多。
现在用于太阳能电池作为吸收光能并转换成电能的吸收层半导体材料以非晶硅(a-Si)、锑化镉(CdTe)、铜铟硒(CulnSe2)以及衍化物铜铟稼硒(CIGS)为主。
早期研究最多的是非晶硅(a-si)与锑化镉(CdTe)相关的太阳能电池的研制和开发,但是在费用和器件的转换效率方面还存在着一定的不足,费用太高且效率太低。
随着时代和科技的进步研究者发现并开发出一种新的太阳能电池,那就是以CulnSe2(CIS)以及其衍生物Cu(In,Ga)Se2(CIGS)为主的太阳能电池,以其高稳定性、高效率和低费用而受到各国研究者的青睐。
主要因为CulnSe2是直接带隙半导体材料,且其能隙值能包括大部分的太阳光谱,具有相当高的光吸收系数,同时可调整其本身的化学组分而得到热稳定好,在长时间的工作状态下依然能维持良好的光电转换性能等特性。
综上所述,铜铟硒及其衍化物是一种很有前景的太阳能吸收材料,同时与此半导体材料相关的太阳能电池元件也相应成为很有吸引力的一种光电转换装置。
本文主要探讨CuInSe2薄膜太阳电池材料微观结构与其光电性能间的关系。
1974年,Wagner利用单晶CulnSe2研制出高效太阳能电池,其效率可以达到6%,标志着CIS光伏材料的崛起。
但是单晶CulnSe2制备困难,价格昂贵,限制了其发展。
1976年,第一个CIS多晶薄膜太阳能电池的诞生,真正激励了各国研究者。
1982年,波音公司制备的CdS/CulnSe2薄膜太阳能电池,其效率超过10%。
研究中,人们通过合金化Cu(Ga,In)Se2和Culn(S,Se)2成功将材料的禁带宽度增大,使其能更接近光伏转换最佳值约为1.4eV,在提高转换效率的同时获得了更高的开路电压。
Fe: SmCo(Cr)薄膜的结构、磁性能与磁光克尔效应汪文文,方庆清,王丹丹,杨景景(安徽大学物理与材料科学学院,安徽省信息材料与器件重点实验室,安徽合肥 230039)摘 要:利用脉冲激光沉积工艺,分别在单晶Si(100)衬底和玻璃(SiO2)衬底上制备Fe:SmCo/Cu(Cr)薄膜,研究了Fe掺杂对SmCo薄膜结构、磁性能与磁光效应的影响。
实验发现,衬底对Fe掺杂SmCo薄膜性能有很大影响,Si衬底薄膜的矫顽力和饱和磁化强度均优于玻璃衬底样品;同时退火温度也会影响Fe掺杂SmCo薄膜形貌及磁性能,高温退火后,SmCo衍射峰得到了增强,尤其是SmCo5的(001)、(002)和(003)衍射峰最为明显,这是由于高温退火后Cu(111)衍射峰增强的缘故。
同时发现,退火后的SiO2衬底与Si衬底样品的磁性和磁光效应均得到增强,但SiO2衬底的矫顽力H c变化更明显,这是因为较高的表面应力会导致样品的矫顽力增强。
因此可以通过调节Fe含量来控制样品的磁光性能,这就为优化SmCo薄膜作为磁光存储介质的性能指出了一个研究方向。
关键词:SmCo薄膜;Fe掺杂;结构;磁性能;磁光效应中图分类号:TM273; O484.4+3 文献标识码:A 文章编号:1001-3830(2015)06-0016-05 Microstructure, magnetic and magneto-opticalproperties of Fe-doped SmCo filmsWANG Wen-wen, FANG Qing-qing, WANG Dan-dan, YANG Jing-jingSchool of Physics and Material Science, Anhu Key Laboratory of InformationMaterials and Devices, Anhui University, Hefei 230039, ChinaAbstract:SmCo/Cu, SmCo/Cu/Cr and Fe-doped SmCo films were prepared on glass and Si(100) substrates by pulsed laser deposition, and the microstructure, magnetic and magnetooptical properties of Fe doped SmCo films were researched. The experiments show that the substrates can greatly affect the magnetic properties of film samples, and the corcivity and saturation magnetization of films deposited on Si substrates are better than that on glass subatrates. It is also found that the surface morphology and magnetic properties of Fe:SmCo films were influenced by the temperature annealing and experiments show that the X-ray diffraction peaks of SmCo are enhanced, especially for (001), (002) and (003) peaks, due to the enhancement of Cu(111) peaks after annealing. Moreover, the MOE of the both samples on glass and Si substrates is enhanced after annealing, respectively, even the coercivity of films on glass substrates is better than that on Si substrate, due to the higher surface stress resulting from a stronger coercivity. The Fe content can be adjusted to control the magneto-optical performance of the sample, indicating a research odirection for optimizing the property of SmCo film as the magneto optical storages.Key words: SmCo film; Fe-doping; microstructure; magnetism; magnetooptical Kerr effect1 引言自从1960年代末被发现以来,SmCo合金得收稿日期:2015-05-12 修回日期:2015-06-21基金项目:高等学校博士学科点专项科研基金资助项目( 20093401110004);安徽省教育厅重点科学基金资助项目(20120168)通讯作者:方庆清 E-mail: ******************到了广泛深入的研究。
非晶合金材料的微观结构与性能分析非晶合金材料是一种具有特殊微观结构的材料,其具备优异的力学、磁学、导电等性质,在能源、电子、航空等领域具有广泛应用。
本文将对非晶合金材料的微观结构以及与性能之间的关系进行分析。
一、非晶合金的制备方法非晶合金通常通过快速凝固或靶材溅射等方法得到。
其中,快速凝固是常用的一种制备非晶合金的方法。
通过快速冷却,可以使材料在凝固过程中快速转变为非晶态,从而实现非晶合金的制备。
二、非晶合金的微观结构非晶合金的微观结构与晶体材料有很大的不同。
晶体材料具有有序的晶格结构,而非晶合金则没有明确的晶格结构,呈现出无规则的非晶态结构。
1. 原子排列的无序性非晶合金的微观结构主要表现为原子排列的无序性。
在非晶合金中,原子呈现出一种随机分布的状态,没有特定的晶格结构。
这种无序性导致了非晶合金具有均匀的化学成分和相对较高的密度。
2. 原子团簇的存在在非晶合金中,原子并不是孤立存在的,而是以原子团簇的形式出现。
原子团簇是由若干个原子组成的,其形状和大小可以不规则。
这些原子团簇之间存在着相互作用,决定了材料的一些性质。
三、非晶合金的性能特点非晶合金由于其特殊的微观结构,具备许多独特的性能特点。
1. 优异的力学性能非晶合金具有高硬度、高强度和较好的韧性。
这是由于非晶结构中的原子无序性和原子团簇的存在使得材料具有强大的阻碍位错移动的能力。
这使得非晶合金在航空、汽车等领域得到广泛应用。
2. 良好的导电性能非晶合金具有优异的导电性能。
由于原子的无序排列,电子在材料中可以自由移动,从而使得非晶合金具备较高的电导率。
这使得非晶合金在电子器件制造中具有重要应用。
3. 高饱和磁感应强度非晶合金具有高饱和磁感应强度和低磁滞损耗特点。
这是由于非晶结构中的无序性和原子团簇的存在使得磁畴的形成和磁滞现象受到了抑制。
因此,非晶合金在磁性材料领域具有广泛应用。
四、结构与性能之间的关系非晶合金的微观结构与其性能之间存在着紧密的联系。
V-4Cr-4Ti合金的显微结构在塑性变形、热处理和离子辐照过程中的演化V-4Cr-4Ti合金是作为核聚变反应堆结构材料开发的一种重要合金,具有良好的高温力学性能和辐照稳定性,因此值得进行深入研究。
本文通过对V-4Cr-4Ti合金在塑性变形、热处理和离子辐照过程中显微结构的变化进行分析,探讨了该合金的宏观机械性能和微观结构之间的关系。
首先,研究发现在室温下的塑性压缩变形过程中,镁铝尖晶石相(MgAl2O4)的颗粒会在高应变率下发生强化效应,使得材料的塑性变形能力降低,并且变形后出现了明显的细化和拉伸。
而在高温下的拉伸变形过程中,材料的应力-应变曲线呈现出典型的应力平台现象,这是由于晶间滑移和晶内滑移之间的竞争效应造成的。
此外,研究还发现,经过高温热处理后,合金的颗粒尺寸和分布变得更加均匀,高温拉伸性能也得到了显著的提高。
其次,对V-4Cr-4Ti合金在不同辐照剂量下的微观结构演化进行了研究。
通过透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)观察发现,在低剂量下,材料中的颗粒和位错密度增加,但整体上仍然保持着良好的结构完整性;在高剂量下,颗粒和薄膜的成分发生变化,合金中出现了较多的空位和缺陷,导致了高温拉伸强度和韧性的显著下降。
此外,研究还发现,在离子辐照后的退火过程中,材料的高温拉伸性能可以得到一定程度的恢复。
最后,针对以上研究结果,本文提出了一些进一步的展望和应用前景,包括利用先进的材料制备和加工技术来改善材料的力学和微观结构性能,以及研究新型核反应堆结构材料的开发和应用。
总之,本文的研究结果有助于深入了解V-4Cr-4Ti合金的力学和微观结构特性,为其实际应用提供了有价值的参考。
关键词:V-4Cr-4Ti合金;塑性变形;热处理;离子辐照;显微结构V-4Cr-4Ti合金是一种重要的结构材料,具有良好的力学性能和耐辐照性能,对于核反应堆等高能环境下的应用具有重要意义。
本文通过实验和理论模拟研究了V-4Cr-4Ti合金的塑性变形、热处理和离子辐照等方面的性能和微观结构演化。
Si含量对CrAlSiN薄膜结构及摩擦性能的影响研究
的开题报告
一、研究背景:
CrAlSiN薄膜具有高硬度、高熔点、高化学稳定性等优点,并且是一种广泛应用于机械和切削工具等领域的涂层材料。
近年来,研究者发现,通过控制CrAlSiN薄膜中Si元素的含量,可以改变其晶体结构、力学性
能以及摩擦性能等性质。
二、研究目的:
本研究旨在探究CrAlSiN薄膜中Si含量对其结构、力学性能和摩擦
性能的影响,并分析其中的机理。
三、研究方法:
1.制备不同Si含量的CrAlSiN薄膜,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)等手段对样品的表面形貌和晶体结构进行分析。
2.利用磨损实验和摩擦系数测试仪对不同Si含量的CrAlSiN薄膜进
行评价,研究其摩擦性能的变化规律,并探究Si元素在其中的作用机制。
3.利用纳米压痕仪对不同Si含量的CrAlSiN薄膜进行硬度、弹性模
量等力学性能测试。
四、研究意义:
结果对于探究晶体结构、力学性能和摩擦性能的变化规律具有重要
的参考价值,也为优化CrAlSiN薄膜的材料性能提供了有效途径。
硒化铁超导薄片表面微结构的制备与性能表征赵培河1,2,闫 巍1,杨继勇1,韩银龙1,聂家财1(1.北京师范大学物理系,北京 100875;2.中国石油大学理学院,山东青岛 266580)摘 要:近年来发现的铁基超导体激发了新一轮的超导研究热潮。
以铁片和硒块为原料,采用真空封装直接加热淬火的简单可重复的方法合成了硒化铁超导体薄片。
扫描电子显微镜观察表明,其表面微结构为一些互相连接在一起的小岛;X射线衍射测试结果表明,样品主相为四方晶系的α-FeSe,伴有少量的六角晶系的β相以及铁杂质存在;磁性和电输运测试均表明,样品具有大约14 K的起始转变温度和8 K的零电阻转变温度;磁性测量还表明样品中超导电性与磁性共存。
关键词:铁基超导体;硒化铁;零电阻超导转变温度中图分类号:O451文献标志码:A 文章编号:2095-2783(2012)03-0206-4Preparation and characterization of surface microstructure of FeSesuperconducting flakesZhao Peihe1,2,Yan Wei1,Yang Jiyong1,Han Yinlong1,Nie Jiacai1(1. Department of Physics, Beijing Normal University, Beijing 100875, China;2. College of Science, China University of Petroleum, Qingdao, Shandong 266580, China) Abstract: The iron-based superconductors discovered in recent years motivate a new climax in superconductivityresearch work. We prepared FeSe superconducting flakes through a simple and repeatable method, in which iron pieces and selenium shots were used as raw materials and were heated and quenched the raw materials in vacuum. Surface microstructure was observed by scanning electron microscope and some interlocked islands were found X-ray diffraction measurement showed that the major phase of the obtained sample was tetragonal α-FeSe, with a trace amount of hexagonal β-FeSe phase and Fe impurity. Magnetism and electrical transport measurements indicated that our sample was superconducting with a zero resistance superconducting transition temperature of ~8 K and an onset critical temperature of ~14 K, and the coexistence of magnetism and superconductivity was also verified by the magnetism measurement.Key words: iron-based superconductor;FeSe;zero resistance superconducting transition temperature自从1911年Onnes[1]发现单质汞在4.2 K附近电阻变为零,也就是超导现象以来,超导物理这个凝聚态物理中最活跃的领域经历了低谷与高潮,不断探索着超导现象的物理本质并制备新型超导材料。
Cr-Si合金顯微結構與薄膜電性分析*
Cr-Si Alloy Microstructures and Thin Film Electrical Properties*
1 1
2 2
H.H. Huang1 J.K. Chen1I.T. Hong2H.C. Tung2
Cr-Si Cr-(80 65 50 wt%) Si Cr/Si Si CrSi2 CrSi2 Si Cr Cr-Si 5.93x10-3 ·cm XRD 2um Si
關鍵字: CrSi2
This study investigates micro- structures of hot pressed Cr-Si alloys and their sputtered thin film properties. The apparent densities of Cr-(80, 65, 50 wt%) Si alloys are affected by the degree of Cr/Si interdiffusion. The porosity of hot pressed Cr-Si alloys increases with an increase in Si concentration. This has to do with the formation of CrSi2 phase formed by Si diffusion into Cr. The much higher atomic packing factor of CrSi2 structure over that of Si diamond structure leads to densification. The electrical resistivity of sputtered Cr-Si thin film is as high as 5.93x10-3 •cm. XRD results show that the Cr-Si film of 2um thickness is still amorphous. High Si concentration and low crystallinity in these films contribute to the high electrical resistivity.
Key words: p owder metallurgy, CrSi2, resistance
thin film, amorphous
一、前 言
Cr-Si (1-3)
Cr-Si Cr Si Si
Cr-Si Cr-Si XRD SEM
*
Paper presented at 2008 CIMME Annual Convention, October 23th, 2008, Taipei
1 2
二、實驗方法
2.1 Cr-Si合金製備
Cr Si HP Cr-(80 65 50)wt%Si 1200 54.8Mpa 2 Archimedes method Cr Si
Cu K X XRD Hitachi S-4700 EDS
2.2 Cr-80Si薄膜電阻特性分析
5 10-
6 torr
500W 20 sccm
21.8(Å)/s 2cm 2cm
-1
1000~20000 Å
X-ray
0 1000 / 三、結果與討論
3.1 合金塊材分析
3.1.1. 體密度和孔隙率分析
-1 Cr-50Si Cr-65Si -2 1305˚C
-1 (* Cr-50Si CrSi 2 )
Wt%
g/cm 3 g/cm 3 %Cr - 80Si
1.91
2.6914%Cr - 65Si
3.40 3.056%Cr - 50Si
4.95 3.52/
5.5*0.28%*
3.1.2. SEM觀察
(a) -3 Cr-80Si -1 -2 Cr-Si CrSi 2 Si Si Si Si CrSi 2 Si Cr (6) Cr -4 EDS Si -4 -1
Cr Si Si Cr Cr Si Si (7)
14% -1
(b) Cr-65 -5 Cr-80Si
Si
-6
Si
-2 Cr-Si Cr-65Si
1305˚C
100˚C
-2 Cr-Si
(4,5)
-3 Cr-80Si SEM
-4 Cr-80Si
-5 Cr-65Si SEM
Si
(7) Cr-
80Si -1
(c) Cr-50Si CrSi 2
Si CrSi 2
-2 CrSi2
(8,9)
-7
Cr Si
-1
3.1.3. 相成分分析
-8 XRD
Cr
-2 Cr-Si
Cr-Si
Cr-80Si XRD
Si Cr3Si
-2 Cr-80Si Si CrSi 2 Cr-Si Cr3Si Cr-65Si CrSi 2 Si -6 Si Cr CrSi 2 Si
-6 Cr-65Si SEM
-7 Cr-50Si SEM
-8 Cr-Si XRD
Cr-50Si XRD Si CrSi2 Cr-50Si CrSi2
3.2 Cr-80Si薄膜分析
3.2.1. 電性分析
500W (Rs) ( ) -2 -2 500nm Cr-80Si ( ) (10) 500W 5.93 10-3
-2 500W Cr-80Si
Å Rs
1000623.82 6.238 10-3
2000344.59 6.892 10-3
3000224.71 6.741 10-3
4000157.26 6.291 10-3
5000118.57 5.929 10-3
700075.66 5.415 10-3
1000049.05 4.905 10-3
3.2.2. 薄膜結構分析
-9 2um Cr-Si XRD Cr Si Cr-80Si 20000Å(=2um) (11,12) 44˚ Cr Cr Cr Si sputtering yield Cr Si
-9 Cr-80Si XRD ( 2um)
(13,14) Cr Si Cr
24° 3.71Å d Si(111) 3.14 Å nearest neighbor Si
Si Si Cr-Si
四、結論
Cr-Si SEM XRD Cr-80Si
(1) XRD Cr Cr Si Cr Si CrSi2
(2) Si CrSi2 Si Cr-80Si 14%
(3) Cr-80Si 2 Si Cr-Si
五、誌謝
RE96010
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