电力电子技术14

1、什么是电力电子技术？它有几个组成部分？答：电力电子技术是依靠电力电子器件组成各种电力变换电路，实现电能的高效率转换与控制的一门学科，它包括电力电子器件、电力电子电路（变流电路）和控制技术三个组成部分。

2、电能变换电路有哪几种形式？各自的功能是什么？答：电能变换电路有四种形式：AC/DC变换电路、DC/AC变换电路、DC/DC变换电路、AC/AC变换电路。

①AC/DC变换电路：将交流电能转换为固定或可调的直流电能的电路。

②DC/AC变换电路：将直流电能转换为频率固定或可调的交流电能的电路。

③DC/DC变换电路：将一种直流电能转换为另一固定或可调电压的直流电能的电路。

④AC/AC变换电路：将固定大小和频率的交流电能转换为大小和频率均可调的交流电能的电路。

3、简述电力电子技术的主要应用领域。

答：电力电子技术广泛的应用于工业、交通、IT、通信、国防以及民用电器、新能源发电等领域。

如：电源、电气传动与控制、电力系统、新能源开发等领域。

四、简答题1、电力电子器件的特性表现在哪些方面？答：1）电力电子器件工作在开关状态，为的是减小本身的损耗。

2）电力电子器件因直接用在电力电路上，要承受高电压大电流。

3）电力电子器件需要弱电来控制，应有控制、驱动电路。

4）因耗散功率大，需有必要的散热措施。

2、怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：在实际电路中是采用阳极电压反向、减小阳极电压、或增大回路阻抗等方式，使阳极电流小于维持电流，晶闸管即关断。

3、在晶闸管的门极通入几十毫安的小电流可以控制阳极几十、几百安培的大流量的导通，它与晶体管用较小的基极电流控制较大的集电极电流有什么不同？晶闸管能不能像晶体管一样构成放大器？答：晶体管在共发射极接法时，基极电流I b可以控制较大的集电极电流Ic变化，起到了电流放大作用；而晶闸管在电路中只能由门极控制信号控制其通断，在电路中只起到一个开关作用，要关断还需要采取措施（如阳极加反向电压）。

电力电子技术练习题一、填空题1、电力电子技术是利用（电力电子器件）对电能进行（控制、转换和传输）的技术。

2、电力二极管的主要类型有（普通二极管），（快速回复二极管）和肖特基二极管。

3、晶闸管的正向特性又有（阻断状态）和（导通状态）之分。

4、双向晶闸管有两个（主）电极和一个（门）极。

5、IGBT的保护有（过电流保护），（电压保护）和过热保护。

6、负载换流式逆变电路分为（并联谐振式），（串联谐振式）。

7、GTO在门极（正脉冲电流触发下）导通，在门极（负脉冲电流触发下）关断。

8、单相半波带大电感负载加续流二极管的可控整流电路中，流过晶闸管的电流平均值为（Id=（π－α）Id/2π）,有效值为（IT=Id【（π－）/2π】1/2 ）。

9、三相全控桥整流电路带大电感负载时，输出电压平均值为（2.34U2cosα），晶闸管承受的最大电压为（61/2U2 ）。

10、根据换流方式，逆变电路分为负载换流型、（电压型）和（电流型）逆变电路。

11、电力电子技术是利用电力电子器件对电能进行（控制）、（转换）和传输的技术。

12、电力二极管的主要类型有普通二极管，（快速二极管）和（肖特基二极管）。

13、半控型电力电子器件控制极只能控制器件的（导通），而不能控制器件的（关断）。

14、双向晶闸管有( I+触发方式 )，（I-触发方式），III+触发和III-触发。

15、IGBT的保护有（过电流保护），过电压保护和（过热保护）。

16、按照稳压控制方式，直流变换电路可分为（脉冲宽度调制）和（脉冲频率调制）。

17、晶闸管交流测过电压分为（交流侧操作过电压）和（交流测浪涌过电压）。

18、单相半波带大电感负载加续流二极管的可控整流电路中，流过续流二极管的电流平均值为（Id=（π－α）Id/2π）,有效值为（IT=Id【（π－α）/2π】1/2）。

19、单结晶体管从截止区转变为负阻区的转折点为（峰点），该点的电压为（Up=ηUbb+UD）。

《电力电子技术》实验指导书自动化教研室二○一四年八月实验一单项桥式半控整流电路实验实验性质：验证性实验实验日期：一、实验目的1.加深对单相桥式半控整流电路带电阻性、电阻电感性负载时各工作情况的理解。

2.了解单相桥式半控整流电路的工作原理，学会对实验中出现的问题加以分析和解决。

二、实验设备三、实验线路及原理本实验电路图如图1-1 所示，实验线路图如图1-2 所示。

两组锯齿波同步移相触发电路均在TK-12挂件上，触发信号加到两个晶闸管（锯齿波触发脉冲G1，K1加到VT1的控制极和阴极，G3，K3加到VT3控制极和阴极），图中的R电阻900Ω，电感L d用100mH，直流电压表、电流表从电源控制屏获得。

四、实验内容1.锯齿波同步触发电路的调试。

2.单相桥式半控整流电路带电阻性负载。

3.单相桥式半控整流电路带电阻电感性负载。

图1-1 电路图图1-2 接线路图五、预习要求1.阅读电力电子技术教材中有关单相桥式半控整流电路的有关内容。

2.了解单相桥式半控整流电路的工作原理。

六、思考题1.单相桥式半控整流电路在什么情况下会发生失控现象?七、实验方法1.用两根导线将220V将TKDD-2电源控制屏的交流电压接到TK-12的“外接220V”端，按下“启动”按钮，打开TK-12电源开关，用双踪示波器观察“锯齿波同步触发电路”各观察孔的波形。

2.锯齿波同步移相触发电路调试。

令U ct=0时（RP2电位器顺时针转到底），α＝170o。

3.单相桥式半控整流电路带电阻性负载：按原理图1-2接线，主电路接可调电阻R，将电阻器调到最大阻值位置，按下“启动”按钮，用示波器观察负载电压U d、晶闸管两端电压U VT，调节锯齿波同步移相触发电路上的移相控制电位器RP2，观察并记录在不同α角时U d的波形，测量相应电源电压U2、负载电压U d、电流I d计算公式: U d = 0.9U2(1+cosα)/24.单相桥式半控整流电路带电阻电感性负载①断开主电路后，将负载换成将平波电抗器L d(10OmH)与电阻R串联。

电力电子技术题库及答案整理版《电力电子技术》习题&答案一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。

2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是______智能功率集成电路_________。

3、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM__小于__UBO。

4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于_UFm为相电压有效值。

5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。

6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______下降______。

7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_____________静态均压________________措施。

8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___Y形和△形___二种方式。

9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。

10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。

11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_________________输出电压基波________的幅值。

12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。

13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。

14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用___快速恢复__型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。

15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：_____________________维持电流_______________________。

1、在PWM斩波方式的开关信号形成电路中，比较器反相输入端加三角波信号，同相端加（）。

1. E. 方波信号2.正弦信号3.锯齿波信号4.直流信号2、当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。

1.饱和状态2.不定3.关断状态4.导通状态3、三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。

1. F. 30度2. 90度3. 120度4. 60度4、可在第一和第四象限工作的变流电路是( )。

1.三相半波可控变流电路2.单相半控桥3.接有续流二极管的单相半波可控变流电路4.接有续流二极管的三相半控桥5、在大电感负载三相全控桥中，当α>60°时，在过了自然换相点之后和下一个晶闸管被触发之前，整流输出电感( )。

1.吸收能量2.释放储能3.既不释放能量也不储能4.以储能为主6、降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，导通比为3/4，则负载电压U0=( )。

1. 21V2. 12V3. 64V4. 4V7、电流型逆变器中间直流环节贮能元件是( )。

1.电动机2.电感3.电容4.蓄电池8、单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为( )。

1.2.3.4.9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）。

1.减小至5A以下2.减小至维持电流以下3.减小至门极触发电流以下4.减小至擎住电流以下10、对于电阻负载单相交流调压电路，下列说法错误的是（）。

1.以上说法均是错误的2.输出负载电压UO的最大值为U13.α的移项范围为04.输出负载电压与输出负载电流同相11、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( )。

1. A/D变换器2.有源逆变器3.无源逆变器4. D/A变换器12、直波斩波电路是一种( )变换电路。

1. DC/DC2. DC/AC3. AC/DC4. AC/AC13、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为( )。

电力电子技术大工14秋《电力电子技术》在线作业1一,单选题1. 全控型器件在较高频率下工作，当器件关断时，因正向电流的迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压称为（）。

A. 操作过电压B. 雷击过电压C. 换相过电压D. 关断过电压?正确答案：D2. 电力电子器件采用的主要材料是（）。

A. 铁B. 钢C. 银D. 硅?正确答案：D3. 使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取（）V。

A. （-5）-（-15）B. 10-15C. 15-20D. 20-25?正确答案：C4. （）是将电力MOSFET与晶闸管SCR组合而成的复合型器件。

A. MCTB. SITC. SITHD. IGCT?正确答案：A5. 电力二极管的最高工作结温通常在（）℃之间。

A. 0-100B. 50-125C. 100-175D. 125-175?正确答案：D6. 电力场效应晶体管的英文表示为（）。

A. GTOB. GTRC. 电力MOSFETD. IGBT?正确答案：C二,多选题1. GTR的主要特性是（）。

A. 耐压低B. 耐压高C. 电流大D. 电流小?正确答案：BC2. 下列哪些是对触发脉冲和脉冲触发电路的要求？（）A. 触发脉冲有足够的幅值B. 触发脉冲波形有一定的宽度C. 触发脉冲功率足够D. 触发电路有良好的抗干扰性能?正确答案：ABCD3. 下列属于晶闸管的派生器件的是（）。

A. 快速晶闸管B. 双向晶闸管C. 逆导晶闸管D. 光控晶闸管?正确答案：ABCD4. 晶闸管门极说法正确的是（）。

A. 可以控制其导通B. 可以控制其关断C. 不能控制其导通D. 不能控制其关断?正确答案：AD5. 下列是常用的过电流保护措施的是（）。

A. 快速熔断器B. 直流快速断路器C. 过电流继电器D. 以上都不正确?正确答案：ABC6. 下列不是电力电子器件并联均流措施的是（）。

A. 尽量采用特性一致的元器件进行并联B. 尽量采用特性不一致的元器件进行并联C. 安装时尽量使各并联器件具有对称的位置D. 安装时不能使各并联器件具有对称的位置?正确答案：BD三,判断题1. 电力MOSFET不具备静态特性A. 错误B. 正确?正确答案：A2. GTO是PNPN四层结构。

智慧树知到《电力电子技术》章节测试答案第一章单元测试1、电力电子技术中，电力变换电路包含（）变换。

A:AC/DCB:DC/DCC:DC/ACD:AC/AC正确答案：AC/DC,DC/DC,DC/AC,AC/AC2、（）年，电子管出现，从而开创了电子技术之先河。

A:1904B:1914C:1905D:1915正确答案：19043、1957年，美国通用电气公司研制出第一个( )，因电气性能和控制性能优越，其应用范围迅速扩大。

A:晶闸管B:GTOC:GTRD:IGBT正确答案：晶闸管4、一般认为，电力电子学的诞生是以( )的发明为标志。

A:IGBTB:晶闸管C:GTRD:GTO正确答案：晶闸管5、电力电子技术的发展趋势( )A:向容量更大和更小的两个方向发展B:向集成化方向发展C:向智能化方向发展正确答案：向容量更大和更小的两个方向发展,向集成化方向发展,向智能化方向发展6、电力电子器件按照驱动信号分类，可分为（）A:电流驱动型B:电压驱动型C:混合型正确答案：电流驱动型,电压驱动型7、电力电子器件按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为( )。

A:单极型器件B:双极型器件C:复合型器件正确答案：单极型器件,双极型器件,复合型器件8、电力电子器件按照其控制器通断的能力分为（）器件。

A:半控型B:全控型C:不控型正确答案：半控型,全控型,不控型9、电力电子器件组成的系统，一般由（）组成。

A:控制电路B:驱动电路C:电力电子器件D:保护电路正确答案：控制电路,驱动电路,电力电子器件,保护电路第二章单元测试1、晶闸管稳定导通的条件（）A:晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B:晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C:晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D:晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流正确答案：晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流2、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（）A:减小至维持电流以下B:减小至擎住电流以下C:减小至门极触发电流以下D:减小至5A以下正确答案：减小至维持电流以下3、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）A:du/dt抑制电路B:抗饱和电路C:di/dt抑制电路D:吸收电路正确答案：抗饱和电路4、IGBT是一个复合型的器件，它是（）A:GTR驱动的MOSFETB:MOSFET驱动的GTRC:MOSFET驱动的晶闸管D:MOSFET驱动的GTO正确答案：MOSFET驱动的GTR5、晶闸管触发电路中，若改变（）的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。

简答题1. 使晶闸管导通的条件是什么?答：使晶闸管导通的条件是:晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲).或：u AK>0且u GK>0.2. 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流.要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。

3.多相多重斩波电路有何优点？答：多相多重斩波电路因在电源与负载间接入了多个结构相同的基本斩波电路,使得输入电源电流和输出负载电流的脉动次数增加、脉动幅度减小，对输入和输出电流滤波更容易，滤波电感减小。

此外，多相多重斩波电路还具有备用功能，各斩波单元之间互为备用，总体可靠性提高.4．交交变频电路的最高输出频率是多少？制约输出频率提高的因素是什么？答：一般来讲，构成交交变频电路的两组变流电路的脉波数越多，最高输出频率就越高。

当交交变频电路中采用常用的6脉波三相桥式整流电路时，最高输出频率不应高于电网频率的1/3～1/2错误!未找到引用源。

当电网频率为50Hz时，交交变频电路输出的上限频率为20Hz左右。

当输出频率增高时,输出电压一周期所包含的电网电压段数减少，波形畸变严重，电压波形畸变和由此引起的电流波形畸变以及电动机的转矩脉动是限制输出频率提高的主要因素。

5．试说明PWM控制的基本原理。

答：PWM控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术.即通过对一系列脉冲的宽度进行调制，来等效地获得所需要波形（含形状和幅值）。

在采样控制理论中有一条重要的结论：冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同，冲量即窄脉冲的面积。

效果基本相同是指环节的输出响应波形基本相同。

上述原理称为面积等效原理6.1什么是异步调制？主要特点答：载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制.在异步调制方式中，通常保持载波频率f c 固定不变，因而当信号波频率f r变化时，载波比N是变化的.异步调制的主要特点是：在信号波的半个周期内，PWM波的脉冲个数不固定，相位也不固定，正负半周期的脉冲不对称，半周期内前后1/4周期的脉冲也不对称。

德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1.5分，共60分） 1、晶闸管内部有（ ）个PN 结。

A 、1B 、2C 、3D 、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。

A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。

A 、有效值B 、最大值C 、平均值D 、瞬时值 4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。

A 、一个B 、两个C 、三个D 、四个、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路）、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ） 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700V B、750V C、800V D、850V 16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V 才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。

《电力电子技术》试卷3份答案(总14页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--《电力电子技术》试卷1答案一、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是 MOSFET和GTR的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为方波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。

6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ- 四种。

二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。

（√）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。

（×）3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。

1。

晶闸管导通和关断的条件是什么?。

晶闸管可否作线性放大器使用？为什么？要使晶闸管由导通变为关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下,即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。

晶闸管不能作线性放大器使用。

因为它只有两种状态（导通和截至），没有晶体管、场效应管那样的线性工作区（放大状态）2。

在有源逆变的整流系统中，逆变颠覆的原因是什么?答:逆变运行时，一旦发生换流失败,外接的直流电源就会通过晶闸管电路形成短路，或者使变流器的输出平均电压和直流电动势变为顺向串联,由于逆变电路内阻很小,形成很大的短路电流，称为逆变失败或逆变颠覆。

防止逆变夫败的方法有：采用精确可靠的触发电路，使用性能良好的晶闸管,保证交流电源的质量，留出充足的换向裕量角 等.逆变失败的原因：触发电路工作不可靠,不能适时、准确地给各晶闸管分配脉冲,如脉冲丢失、脉冲延时等,致使晶闸管不能正常换相.晶闸管发生故障，该断时不断，或该通时不通。

交流电源缺相或突然消失。

换相的裕量角不足,引起换相失败。

3。

谐振开关逆变技术的主要思想是什么？主要解决电路中的开关损耗和开关噪声问题,使开关频率可以大幅度提高。

通过在开关过程前引入谐振，使开关开通前电压先降到零,关断前电流先降到零，就可以消除开关过程中电压、电流的重叠，降低他们的变化率，从而大大减小甚至消除开关损耗。

同时，谐振过程限制了开关过程中的电压和电流的变化率，这使得开关噪声也明显减小。

4。

简述现代电力电子技术主要研究的内容及其应用领域.现代电力电子技术，是弱电和强电的接口,是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。

因此，其主要研究内容为：利用大功率电子器件对电能进行变换和控制，分为电力电子器件构成各种电力变换电路和对这些电路进行控制的技术，以及由这些电路构成电力电子装置和电力电子系统的技术即交流技术还有电力电子制造技术.应用领域：电力电子技术的应用范围十分广泛，它不仅用于一般工业,也广泛应于于交通运输、电力系统、通信系统、计算机系统、新能源系统等,在照明、空调等家用电器及其他领域也有着广泛的应用。

电力电子技术大工14秋《电力电子技术》在线作业2一,单选题1. 串联二极管式晶闸管逆变电路主要用于（）功率交流电动机调速系统。

A. 中小B. 中等C. 中大D. 大?正确答案：D2. 采用IGBT的电路的换流方式为（）。

A. 器件换流B. 电网换流C. 负载换流D. 强迫换流?正确答案：A3. 三相电压型桥式逆变电路各相开始导电的角度依次相差（）度。

A. 60B. 90C. 120D. 150?正确答案：C4. 单相半波可控整流电路带电阻负载情况下，晶闸管VT的触发角的移相范围为（）度。

A. 0-60B. 0-90C. 0-120D. 0-180?正确答案：D5. 下列哪项是最基本的三相可控整流电路？（）A. 三相半波可控整流电路B. 三相桥式全控整流电路C. 双反星形可控整流电路D. 12脉波可控整流电路?正确答案：A6. 电压型逆变电路输出电压为（）。

A. 正弦波B. 矩形波C. 锯齿波D. 三角波?正确答案：B二,多选题1. PWM波形可分为（）。

A. 等幅PWM波B. 不等幅PWM波C. 等频PWM波D. 不等频PWM波?正确答案：AB2. 三相桥式全控整流电路对触发脉冲的要求为（）。

A. 六个晶闸管脉冲相位依次差60度B. 共阴极组脉冲相位依次差120度C. 共阳极组脉冲相位依次差120度D. 同一相的上下两个桥臂上的晶闸管脉冲相位相差60度?正确答案：ABC3. 单相电压型半桥逆变电路具有哪些优点？（）A. 电路简单B. 使用器件少C. 幅值较小D. 直流侧需要两个电容器串联?正确答案：AB4. 下列三相有源逆变电路的电量中，哪些可以按照整流电路的计算原则进行计算？（）A. 晶闸管电流的平均值B. 晶闸管电流的有效值C. 变压器的容量D. 输出直流电压平均值?正确答案：ABCD5. 规则采样法与自然采样法相比较，（）。

A. 二者效果相差很大B. 二者效果相近C. 前者计算量小于后者D. 后者计算量小于前者?正确答案：BC6. 跟踪控制法中常用的有（）。

电力电子技巧习题集习题一1.试解释什么是电导调制效应及其感化.2.晶闸管正常导通的前提是什么,导通后流过的电流由什么决议？晶闸管由导通变成关断的前提是什么,若何实现？3.有时晶闸管触发导通后,触发脉冲停止后它又关断了,是何原因？4.图1-30中的暗影部分暗示流过晶闸管的电流波形,其最大值均为I m,试盘算各波形的电流平均值.有用值.如不斟酌安然裕量,额定电流100A的晶闸管,流过上述电流波形时,许可流过的电流平均值I d列位若干？图1-30 习题1-4附图5.在图1-31所示电路中,若应用一次脉冲触发,试问为包管晶闸管充分导通,触发脉冲宽度至少要多宽？图中,E=50V;L=0.5H;RΩ; I L=50mA（擎住电流）.图1-31习题1-5附图图1-32习题1-9附图6.为什么晶闸管不克不及用门极负脉冲旌旗灯号关断阳极电流,而GTO却可以？7.GTO与GTR同为电流掌握器件,前者的触发旌旗灯号与后者的驱动旌旗灯号有哪些异同？8.试比较GTR.GTO.MOSFET.IGBT之间的差别和各自的优缺陷及重要应用范畴.9.请将VDMOS（或IGBT）管栅极电流波形画于图1-32中,并解释电流峰值和栅极电阻有何干系以及栅极电阻的感化.10.全控型器件的缓冲接收电路的重要感化是什么？试剖析RCD缓冲电路中各元件的感化.11.限制功率MOSFET应用的重要原因是什么？实际应用时若何进步MOSFET的功率容量？习题二1．具有续流二极管的单相半波可控整流电路,带阻感性负载,电阻为5Ω,电感为0.2H,电源电压的有用值为220V,直流平均电流为10A,试盘算晶闸管和续流二极管的电流有用值,并指出晶闸管的电压定额（斟酌电压2-3倍裕度）.2．单相桥式全控整流电路接电阻性负载,请求输出电压在0～100V 持续可调,输出电压平均值为30 V时,负载电流平均值达到20A.体系采取220V的交换电压经由过程降压变压器供电,且晶闸管的最小掌握角αmin＝30°,（设降压变压器为幻想变压器）.试求：（1）变压器二次侧电流有用值I2;（2）斟酌安然裕量,选择晶闸管电压.电流定额;（3）作出α＝60°时,u d.i d和变压器二次侧i2的波形.3．试作出图2-8所示的单相桥式半控整流电路带大电感负载,在α＝30°时的u d.i d.i VT1.i VD4的波形.并盘算此时输出电压和电流的平均值.4．单相桥式全控整流电路,U2＝100V,负载中R＝2 Ω,L值极大,反电动势E＝60V,当α＝30°时,试求：（1）作出u d.i d和i2的波形;（2）求整流输出电压平均值U d.电流I d,以及变压器二次侧电流有用值I2.5. 某一大电感负载采取单相半控桥式整流接有续流二极管的电路,负载电阻R=4Ω,电源电压U2=220V,α=π/3,求：(1) 输出直流平均电压和输出直流平均电流;(2) 流过晶闸管（整流二极管）的电流有用值;(3) 流过续流二极管的电流有用值.6．三相半波可控整流电路的共阴极接法和共阳极接法,a.b两相的天然换相点是统一点吗？假如不是,它们在相位上差若干度？试作出共阳极接法的三相半波可控的整流电路在α＝30°时的u d.i VT1.u VT1的波形.7. 三相半波可控整流电路带大电感性负载,α＝π/3,R=2Ω,U2=220V,试盘算负载电流I d,并按裕量系数2肯定晶闸管的额定电流和电压.8．三相桥式全控整流电路,U2＝100V,带阻感性负载,R＝5 Ω,L值极大,当α＝60°,试求：（1）作出u d.i d和i VT1的波形;（2）盘算整流输出电压平均值U d.电流I d,以及流过晶闸管电流的平均值I dVT和有用值I VT;（3）求电源侧的功率因数;（4）估算晶闸管的电压电流定额.9．三相桥式不控整流电路带阻感性负载,R＝5 Ω,L＝∞,U2＝220V,X B=0.3 Ω,求U d.I d.I VD.I2和γ的值,并作出u d.i VD1和i2的波形.10．请解释整流电路工作在有源逆变时所必须具备的前提. 11．什么是逆变掉败？若何防止逆变掉败？12. 三相全控桥变流器,已知L足够大.R=1.2Ω.U2=200V.E M= -300V,电念头负载处于发电制动状况,制动进程中的负载电流66A,此变流器可否实现有源逆变？求此时的逆变角β. 13．三相全控桥变流器,带反电动势阻感负载, R＝1 Ω,L＝∞,U2＝220V,L B=1mH,当E M＝－400V,β＝60°时求U d.I d和γ的值,此时送回电网的有功功率是若干？14．三相桥式全控整流电路,其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？个中最大的是哪一次？变压器二次电流中含有哪些次数的谐波？个中重要的是哪几回？15．试盘算第4题中i2的3.5.7次谐波分量的有用值I23.I25.I27,并盘算此时该电路的输入功率因数.16．试盘算第6题中的i2的5.7次谐波分量的有用值I25.I27.17. kV交换体系.已知10kV母线的短路容量为150MVA,整流器直流侧电流I d＝400A,触发延迟角α＝15°,不计重叠角 ,试求：(1) 相移功率因数cosφ1.整流器的功率因数λ;(2) 整流测直流电压U d;(3) 有功功率.无功功率和交换侧基波电流有用值;(4) 截止到23次的各谐波电流的大小.总谐波畸变率.18．晶闸管整流电路的功率因数是怎么界说的？它与那些身分有关？19. 综述克制相控整流电路网侧电流谐波的措施.20. 综述改良相控整流电路网侧功率因数的措施.习题三1. 一升压换流器由幻想元件组成,输入U d在8~16V之间变更,经由过程调剂占空比使输出U0=24V固定不变,最大输出功率为5W,开关频率20kHz,输出端电容足够大,求使换流器工作在持续电流方法的最小电感.2. 一台运行在20kHz开关频率下的起落压换流器由幻想元件组成,个中L=0.05mH,输入电压U d=15V,输出电压U0=10V,可供给10W的输出功率,并且输出端电容足够大,试求其占空比D.3．在图3-1所示的降压斩波电路中,已知E=100V,R=0.5Ω,L=1mH,采取脉宽调制掌握方法,T=20μs,当t on＝5μs时,试求：（1）输出电压平均值U O.输出电流的平均值I O;（2）输出电流的最大和最小瞬时价并断定负载电流是否断续;（3）当t on＝3μs时,从新进行上述盘算.4．在图3-35所示降压斩波电路中,已知E=600V,R=0.1Ω,L=∞,E M=350V,采取脉宽调制掌握方法,T=1800μs,若输出电流I O=100A, 试求：（1）输出电压平均值U O和所需的t on值;（2）作出u.0i以及i G.i D的波形.图3-35 电流型降压斩波电路5．升压斩波电路为什么能使输出电压高于电源电压？6．在图3-4所示的升压斩波电路中,已知E=50V,L值和C值极大,R=20Ω,采取脉宽调制掌握方法,当T=40μs,t on＝25μs时,盘算输出电压平均值U O和输出电流的平均值I O.7．解释降压斩波电路.升压斩波电路.起落压斩波电路的输出电压规模.8．在图3-7所示起落压斩波电路中,已知E=100V,R=0.5Ω,L和C 极大,试求：输出电压和输出电流的平均值;（2）输出电压和输出电流的平均值,并盘算此时的输入功率. 7．试解释起落压斩波电路（Boost－Cuck Chooper）和Cuk斩波电路的异同点.8．在单订交换调压器中,电源电压U1=120V,电阻负载R=10Ω,触发角α=900,试盘算：负载电压有用值U O.负载电流有用值I O.负载功率P O和输入功率因数λ .9．一电阻性负载加热炉有单订交换调压电路供电,如α＝00时位输出功率最大值,试求功率为80％,50％时的触发角α. 10．一晶闸管单订交换调压器带阻感性负载,电源电压为220V的交换电源,负载R=10Ω,L=1mH,试求：（1）触发角α的移相规模;（2）负载电流的最大有用值;（3）最大输出功率及此时电源侧的功率因数;（4）当α＝900时,晶闸管电流的有用值.晶闸管导通角和电源侧功率因数;11．某单相反并联调功电路,采取过零触发.电源电压U1=220V,电阻负载R=1Ω,掌握的设定周期T C内,使晶闸管导通0.3s,断开0.2s,使盘算送到电阻负载上的功率与假定晶闸管一向导通时所送出的功率.12．交换调压电路和交换调功电路有什么差别？二者各应用于什么样的负载？为什么？13．用一对反并联的晶闸管和应用一只双向晶闸管进行交换调压时,他们的重要不同是什么？14．反并联的晶闸管和负载接成内三角形的三订交换调压电路,问该电路有何长处？15．什么是TCR？什么是TSC？它们的基起源基础理是什么？各有何特色？16．交交变频电路的重要特色和缺少之处是什么？其重要用处是什么？17．三订交交变频电路有哪两种接线方法？它们有什么差别？习题四1.无源逆变电路和有源逆变电路有什么差别？2.在逆变电路中器件的换流方法有哪些？各有什么特色？试举例解释.3.为什么负载换向逆变器的负载阻抗必须呈容性而谐振式逆变器无次请求？4.什么是电压型逆变电路和电流型逆变电路？二者各有什么特色？5.电压型逆变电路中二极管的感化是什么？假如没有将消失什么现象？为什么电流型逆变电路中没有如许的二极管？6.请解释整流电路.逆变电路.变流（变频）电路三个概念的差别.7.并联谐振式逆变器应用负载电压进行换相,为包管换响应知足什么前提？8.对于图4-16所示电路,测得u DS波形如图右边,请剖析波形消失电压尖峰的原因,并解释消弱电压尖峰的办法.图4-16习题8 图4-17习题99. 若电路及其输出波形如题图4-17所示,请画出开关管上的电压波形.10. 三相桥式电压型逆变电路,180º导电方法,U d =100V.试求输出相电压的基波幅值U UN1m 和有用值U UN1,输出线电压的基波幅值U UV1m 和有用值U UV1.输出5次谐波的有用值U UV5.习题五1.试解释PWM 掌握的基起源基础理. 2.PWM 逆变器有哪些长处？其开关频率的高下有什么利弊？ 3. 单极性和双极性PWM 掌握有什么差别？在三相桥式PWM 逆变电路中,输出相电压（输出端相对于中性点的电压）和线电压SPWM 波形各有几种电平？4. 脉宽调制（PWM ）技巧的制约前提重要表示在哪些方面？5. 在SPWM 调制中,何谓同步伐制？何谓异步伐制？为什么常采取分段同步伐制的办法？6.脉宽调制逆变器的根本掌握办法有哪些？ 7. 在图5-31中,半周期的脉冲数为7,脉冲幅值为响应正弦波幅值的2倍,试按照面积等效道理盘算各脉冲的宽度.a)b)8.什么是SPWM波形的规矩采样法？和天然采样法比拟,规矩采样法有和优缺陷？9.单相和三相SPWM波形中,所含重要谐波的频率是若干？图5-31习题710.扼要解释空间矢量PWM掌握的基起源基础理及特色.11.多电平逆变器的优缺陷有哪些？12.今朝多电平逆变器的拓扑构造重要有哪几种？各有什么优缺陷？习题六1.什么是高压直流输电？和交换输电体系比拟有何优缺陷？2.直流输电工程按照直流联络线可分为几类？各有什么优缺陷？3.简略介绍一下直流输电体系的重要构造,各个元件都有什么功效.4.为什么今朝在绝大多半直流输电工程广泛采取晶闸管阀？5.对于今朝广泛应用的12脉波换流桥,其交换侧电流和直流母线重要有那些次数的谐波？假如是采取18脉波换流桥呢？6.高压直流输电的交换滤波器重要有哪几种？各有什么优缺陷？7.在高压直流输电体系中,调节输送的直流电流和直流功率的重要手腕是什么？8.剖析一下在高压直流输电体系中,假如采取全控型器件（如IGBT）并应用PWM掌握技巧的技巧可行性.习题七1.什么叫灵巧交换输电体系（柔性交换输电体系）？今朝的重要应用有那些？2.为什么要对交换电网进行无功功率抵偿？3.什么叫SVC？SVC重要包含哪几种组合构造？4.为什么TCR常和TSC并联应用？试画出其单线电路图.5.在TSC中,电容的最优投切时刻若何选择？6.什么叫静止同步抵偿器（STATCOM）？和传统的SVC比拟有何优缺陷？7.画出不斟酌损耗时STATCOM的等效电路图和其感性.容性向量图,并剖析其工作道理.习题八1.对电网的谐波抵偿有何重要意义？2.与传统的无源滤波器比拟,有源电力滤波器有何优缺陷？3.试剖析图8-27所示的APF的电路构造和工作道理.4.依据有源电力滤波器接入电网的方法,有源电力滤波器重要分为哪三大类？各有什么优缺陷？5.并联型.串联型有源滤波器各实用于什么应用处合？6.为什么今朝平日将无源LC滤波器和有源滤波器混杂应用？如许作有何实际意义？7.简略论述一下瞬时无功理论,其和传统的无功理论有何不合？图8-27 习题28. 试剖析图8-28所示谐波检测电路的工作道理.假如该电路既要检测谐波电流又要检测无功电流,那么该检测电路应若何修改？图8-28习题8习题九1.同步机励磁体系有何重要感化？2.同步发电机全静态励磁体系有何长处？3.同步电念头励磁用整流器有何特色？4.什么是自控式无换向器电念头？有何优缺陷？5.自控式无换向器电念头的转速调剂是若何实现的？6.为什么自控式无换向器电念头在低速时会消失显著的转矩脉动？。

德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1.5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。

A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。

A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。

A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。

A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO 7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。

电力电子技术习题与参考答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）度。

A、0～120B、0～90C、0～180D、0～150正确答案：A2.电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）。

A、0°～150°B、0°～120°C、15°～125°D、30°～150°正确答案：A3.电力电子器件一般工作在（）状态A、开关B、放大C、开关和放大D、其他正确答案：A4.目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。

A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案：D5.在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差（）度。

A、180度B、60度C、120度D、360度正确答案：A6.为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（），单位为度。

A、40～45B、20～25C、10～15D、30～35正确答案：D7.三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是()A、α=л/4B、α＜л/2C、α＞л/2D、α=л/3正确答案：C8.可实现有源逆变的电路为（）。

A、单相半控桥整流电路B、三相半控桥整流桥电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、三相半波可控整流电路正确答案：D9.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、交流相电压的过零点D、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°正确答案：B10.α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。

A、120度，B、60度C、0度D、30度正确答案：D11.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A、不控型器件B、半控型器件C、全控型器件D、触发型器件正确答案：C12.电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）A、15°～125°B、30°～150C、0°～150°D、0°～120°正确答案：C13.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（）A、触发电压信号B、触发电流信号C、干扰信号和触发信号D、干扰信号正确答案：D14.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。

德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题分，共60分） 1、晶闸管内部有（ ）个PN 结。

A 、1B 、2C 、3D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。

A 、越大B 、越小C 、不变D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。

A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。

A 、一个B 、两个C 、三个D 、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ）、GTR D 、A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ）A 、IPMB 、MOSFETC 、IGBTD 、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V 16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过才导通D、超过才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区 B、负阻区 C、饱和区 D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。