南京邮电大学2018年硕士招生《半导体物理》考试大纲_南京邮电大学考研网

南京邮电大学2018年硕士招生《激光原理》考试大纲一、基本要求掌握激光器基本结构，掌握激光原理中的基本概念、原理、计算，了解相关激光技术和几种典型激光器特点。

二、考试范围1〉激光的基本原理1．光波模式的概念。

2．理解自发辐射、受激辐射、受激吸收三个过程；三个爱因斯坦系数、跃迁几率的含义。

3．理解集居数反转。

4．激光器三个必要条件。

5．激光的特性。

2〉开放式光腔与高斯光束1.横模与纵模的概念。

2.识别横模图样及表示方法。

3.纵模频率间隔的计算。

4.无源谐振腔的Q值的定义。

5.腔镜反射不完全引起的损耗如何计算。

6.腔的菲涅耳数的概念，它与腔的衍射损耗的关系。

7．共轴球面腔的稳定性条件。

8.一般稳定球面腔与对称共焦腔的等价关系。

9.稳定球面腔基模高斯光束主要参量的含义及计算:束腰光斑的大小，束腰光斑的位置，镜面上光斑的大小，任意位置激光光斑的大小，等相位面曲率半径，光束的远场发散角，共焦参量。

10.了解基模高斯光束振幅的分布规律，等相面在空间的分布规律。

11．模体积的基本概念。

12.高斯光束q参数的含义及表达式，q参数与光斑半径和等相面曲率半径的关系。

13.高斯光束q参数的变换所遵循的规律，利用ABCD法则分析高斯光束的传输和变换问题。

（仅要求在自由空间的变换和经过透镜的变换）14．会计算高斯光束经过透镜变换前后的束腰大小及位置及任意位置光斑的大小。

15．理解高斯光束的聚焦和准直的含义，理解单透镜焦距以及束腰到透镜距离对高斯光束的聚焦与准直效果的影响。

16．了解构成非稳定腔的条件及其特点。

（注：计算题仅限于双反射镜开腔，对环形腔不做要求）3〉谱线加宽和线型函数1．什么是谱线加宽？有哪些加宽的类型，它们各有什么特点？2．线宽和线型函数的概念。

3．了解均匀加宽和非均匀加宽的概念。

掌握洛仑兹线型公式。

4．理解自然加宽、碰撞加宽和多普勒加宽的形成机理。

掌握它们各自的线宽的计算。

5．会计算多普勒加宽的表观中心频率和表观中心波长。

《半导体物理》考试大纲一、考试内容(一)、晶格结构和结合性质§1.1晶体的结构晶格的周期性、金刚石结构、闪锌矿结构和钎锌矿结构§1.2半导体的结合性质共价结合和离子结合、共价四面体结构、混合键(二)、半导体中的电子状态§2.1 晶体中的能带原子能级和固体能带、晶体中的电子状态§2.2 晶体中电子的运动§2.3 导电电子和空穴§2.4 常见半导体的能带结构§2.5 杂质和缺陷能级施主能级和受主能级、n型半导体和p型半导体、类氢模型、深能级杂质、等电子杂质(三)、电子和空穴的平衡统计分布§3.1 费米分布函数§3.2 载流子浓度对费米能级的依赖关系态密度、载流子浓度§3.3 本征载流子浓度§3.4 非本征载流子浓度杂质能级的占用几率、单一杂质能级情形、补偿情形(四)、输运现象§4.1 电导和霍尔效应的分析§4.2 载流子的散射§4.3 电导的统计理论(五)、过剩载流子§5.1 过剩载流子及其产生和复合§5.2 过剩载流子的扩散一维稳定扩散、爱因斯坦关系§5.3 过剩载流子的漂移和扩散§5.7 直接复合§5.8 间接复合§5.9 陷阱效应(六)、pn结§6.1 pn结及其伏安特性§6.3 pn结的光生伏特效应§6.4 pn结中的隧道效应(七)、半导体表面层和MIS结构§7.1 表面感生电荷层§7.2 MIS电容理想MIS结构的C-V特性、实际MIS结构的C-V特性、Si-SiO2系统中电荷的实验研究(八)、金属半导体接触和异质结§8.1 金属－半导体接触§8.2 肖特基二极管的电流越过势垒的电流、两极管理论、扩散理论、隧穿电流和欧姆接触§8.4 异质结§8.6 半导体超晶格注：以上的考试大纲内容大约是参考书内容的一半，这是必须掌握的，也是考试的主要范围，其余部分可作进一步学习的参考。

820--《半导体物理》考试大纲一、基本要求《半导体物理》硕士研究生入学考试内容主要包括半导体物理的基本概念、基础理论和基本计算；考试命题注重测试考生对相关的物理基本概念的理解、对基本问题的分析和应用，强调物理概念的清晰和对半导体物理问题的综合分析。

二、考试范围1、半导体中电子状态1.1 半导体的晶格结构和结合性质1.2 半导体中的电子状态和能带1.3 半导体中电子的运动有效质量1.4 本征半导体的导电机构空穴1.5 回旋共振1.6 硅，锗和砷化镓的能带结构2、半导体中杂质和缺陷能级2.1 硅、锗晶体中的杂质能级2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级2.3 缺陷、位错能级3、半导体中载流子的统计分布3.1 状态密度3.2 费米能级和载流子的统计分布3.3 本征半导体的载流子浓度3.4 杂质半导体的载流子浓度3.5 一般情况下的载流子统计分布3.6 简并半导体4、半导体的导电性4.1 载流子的漂移运动迁移率4.2 载流子的散射4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系4.5 玻耳兹曼方程电导率的统计理论4.6 强电场下的效应热载流子5、非平衡载流子5.1 非平衡载流子的注入和复合5.2 非平衡载流子的寿命5.3 准费米能级5.4 复合理论5.5 陷阱效应5.6 载流子的扩散运动5.7 载流子的漂移运动,爱因斯坦关系式5.8 连续性方程6、 p-n结6.1 p-n结及其能带图6.2 p-n结电流电压特性6.3 p-n结电容6.4 p-n结击穿。

【南邮考研辅导班】南邮光学考研科目参考书考研大纲考研分数线报录比考研经验一、南邮光学简介-启道1、《光电功能材料及应用》主要研究全新的光电子材料体系的高效制备，并实现其在高性能光电器件中的应用。

2、《微纳光电子学及应用》主要研究微纳米结构的光子学与电子学器件，并研究其在光通讯、光信息处理、微流控等光电子技术和集成光学等领域的广泛应用。

3、《光电转换与能量存储》主要研究电致发光器件、光伏器件等。

包括这些器件的结构设计、材料加工、性能仿真与器件制备与测试。

4、《激光材料与器件》主要研究基于有机-无机杂化的掺稀土氟化物纳米激光材料的制备、新型增益导引-折射率反导引大模场光纤的设计与制备、光通讯用红外与可见光的聚合物转换开关、高分贝聚合物光放大器等。

5、《光电信息存储》主要研究各种光存储器的设计、制备与应用。

包括波导多层体存储器的设计与研究、基于有机半导体等新材料的光学存储器件制备等。

6、《生物光子学与生物检测》主要研究对各种重要生物分子（如蛋白质、核酸等）具有特异性检测和识别能力的荧光探针分子，并实现在生物体内对目标靶向生物分子的标记。

二、南邮光学考研科目-启道三、南邮光学考研参考书-启道四、南邮光学考研大纲-启道601-《高等数学》考试大纲一、基本要求1、函数、极限、连续理解函数的概念，会建立应用问题的函数关系；了解函数的有界性、单调性、周期性和奇偶性；理解复合函数及分段函数的概念，了解反函数及隐函数的概念；掌握基本初等函数的性质，了解初等函数的概念；理解极限的概念，理解函数左极限与右极限的概念以及函数极限存在与左、右极限之间的关系；掌握极限的性质及四则运算法则；掌握极限存在的两个准则，并会利用它们求极限，掌握利用两个重要极限求极限的方法；理解无穷小量、无穷大量的概念，掌握无穷小量的比较方法，会用等价无穷小量求极限；理解函数连续性的概念，会判别函数间断点的类型；了解连续函数的性质和初等函数的连续性，理解闭区间上连续函数的性质，并会应用。

【南邮考研辅导班】南邮有机电子学考研科目参考书考研大纲考研分数线报录比考研经验一、南邮有机电子学简介-启道1、《有机半导体》主要研究有机半导体材料的设计、合成、性能及其光器件应用，重点在与设计开发新型的有机半导体材料体系，研究有机半导体光电性质，阐明材料结构与光电性能的内在关系，如光学性质、电学性质及光-电/电-光转换性质等，具体包括：有机电致发光材料、有机太阳能电池材料、有机激光材料、有机传感材料及一些配套材料的设计、性能优化和相关机理探索。

2、《光电子器件物理》主要研究有机光电子器件的制作表征、性能评价、工作机制及功能应用，具体包括器件结构设计、制膜工艺研究、薄膜形貌调控、器件物理机制研究、器件性能优化、器件寿命评价和光电功能拓展等；功能器件的应用包括有机电致发光器件、有机太阳能电池器件、有机激光器件、有机场效应晶体管器件等。

3、《有机光电显示》主要研究有机/高分子功能材料的设计、合成及其在电致发光器件或硅基液晶显示器件中的应用。

这些功能材料包括：有机半导体材料、有机导体材料、有机发光材料、甚至有机绝缘材料等；涉及的器件物理包括：载流子注入、输运、复合等机制，器件老化机制等。

4、《有机薄膜晶体管》主要研究有机材料及其在薄膜晶体管中的应用，包括p型、n型有机半导体材料和有机绝缘材料的设计合成，制备其作为半导体层或有机绝缘层的有机薄膜晶体管并优化其器件性能，具体包括提高晶体管载流子迁移率、优化有机薄膜晶体管器件制备工艺、研究开发大面积柔性有机薄膜晶体管以及有机薄膜晶体管在信息显示、信息存储、光探测和传感等领域的应用。

5、《有机电存储》主要研究有机存储材料及其在电存储器件中的应用，如发展有机/聚合物和金属配合物（聚合物）电存储材料，并研究其在有机二极管存储器和有机晶体管存储器中的器件性能。

重点提高器件的维持时间，存储密度和稳定性，降低器件的响应时间，揭示存储器件的存储机制，开发大面积柔性有机电存储器件。

南京邮电大学全国统考硕士生入学考试业务课程大纲课程编号:814 课程名称:通信原理一、考试的总体要求通信原理属于电子信息技术类专业的一门重要的基础理论课程。

因此要求考生必须较好地掌握通信系统的基本原理,基本性能和基本的分析方法;并应了解通信网的基本概念。

能够运用数学的方法分析通信系统中各种调制、解调原理,掌握有关编码和解码的原理和方法,能够对各系统进行抗噪声性能分析。

能够应用所学知识,对目前通信领域的一些实际问题进行分析研究,并能根据要求设计出性能指标较高的适用的通信系统,掌握对一般通信网的理论分析方法。

了解通信的发展动态。

主要考核考生对基本知识和基本技能的掌握程度,了解考生在通信领域中分析问题和解决问题的能力。

二、考试的内容及比例1. 通信的基本概念:定义,系统模型,信息的度量、性能分析。

(占5%)2.信道特性:恒参和变参信道,随机信号分析、信道中的加性噪声,信道容量公式。

(占10%)3.模拟通信系统:调制的概念和调制的分类、幅度调制和角度调制的时域和频域分析,产生和解调方法,带宽和功率的计算,噪声性能分析。

频分复用。

(占15%)4.信源编码:抽样定理;PCM和ΔM的编译码原理,噪声性能分析;PCM和ΔM的改进型;时分复用。

(占15%)5.数字信号的基带传输:常用码型,数字基带信号的功率谱、基带传输特性,无码间串扰,奈奎斯特准则,眼图和均衡,部分响应技术。

(占10%)6.数字信号的载波传输:二进制数字调制和解调方法,性能分析。

多进制数字调制的基本原理,产生和解调方法。

各种数字调制的带宽计算。

二进制和四进制数字调相的波形分析。

最佳接收基本概念、最大输出信噪比准则和匹配滤波器的概念。

(占10%)7,现代数字调制技术;MSK、QAM、π／4-QPSK、OQPSK,扩频通信等的基本原理,调制和解调方法。

码分多址的基本概念。

(占5%)8.同步原理:载波同步、位同步、帧同步及网同步的基本原理和实现方法。

(占10%)9.信道编码:有扰离散信道的编码定理,最小码距与检错、纠错的关系,差错控制技术,几种常用的检错码,掌握线性分组码、循环码的编译码原理,了解卷积码的基本概念。

812--《自动控制原理》考试大纲一、基本要求掌握控制系统分析和综合基本方法，主要内容有传递函数和信号流图等数学模型的建立；系统稳定性、动态性能、稳态性能的时域分析；频域法和根轨迹法；系统串联校正的设计方法；线性离散系统的分析；系统状态空间建模及其求解；系统可控性和可观测性；线性定常系统状态反馈及观测器设计；李雅普诺夫稳定性理论。

二、考试范围1．自动控制的一般概念（1）自动控制系统的定义、构成；（2）自动控制系统的基本控制方式；自动控制系统的分类；（3）对控制系统的基本要求；2．控制系统的数学模型（2）传递函数的定义、性质及典型环节的传递函数；（3）信号流图的组成、建立及梅森增益公式；（4）闭环系统的传递函数：输入量及扰动量作用下的传递函数、误差传递函数。

3．线性系统的时域分析法（1）一阶系统动态性能；（2）二阶系统的动态性能：典型二阶系统的数学模型、欠阻尼阶跃响应、二阶系统的动态性能指标、二阶系统性能的改善；（3）控制系统的稳定性分析及代数稳定判据；（4）控制系统的稳态性能分析：稳态误差的定义、系统类型、稳态误差分析与静态误差系数。

4．线性系统的根轨迹法（1）根轨迹方程：幅值条件和相角条件；（2）180度根轨迹作图的一般规则、典型的零、极点分布及其相应的根轨迹；（4）系统性能分析：稳定性分析、增加零、极点对根轨迹的影响、利用主导极点估计系统的性能指标；5．线性系统的频域分析法（1）频率特性；（2）典型环节与开环系统的频率特性；（3）奈奎斯特稳定判据及应用；（4）稳定裕度；6．线性系统的校正法（1）校正装置：超前、滞后网络的特性；（2）系统校正的频率响应法：超前、滞后校正设计；（3）PID控制器：控制法则及对系统性能的影响。

7. 线性离散系统的分析(1) 信号采样和保持；(2) 离散系统数学模型：差分方程和脉冲传递函数；(3) 离散系统稳定性及稳定性判据；(4) 离散系统稳态误差及动态性能分析；8. 线性系统的状态空间分析与综合(1) 线性系统的状态空间描述：建立、转换、标准型；线性系统的运动分析---状态方程的解；(2) 线性系统的可控性和可观测性；(3) 线性定常系统的线性变换；(4) 线性定常系统的状态反馈极点配置和全维状态观测器设计；(5) 李雅普诺夫稳定性分析。

南京邮电大学2018年硕士招生《数学分析》考试大纲一、基本要求掌握数学分析中极限论、一元微积分学、级数论、多元微积分和含参变量积分等基本内容，透彻理解基本概念、基本理论和基本方法，了解概念和理论的背景和几何或物理意义，具有较强的逻辑思维能力、推理论证能力以及熟练的演算技能技巧，具备应用数学分析解决实际问题的能力。

二、考试范围1、极限与连续(1)透彻理解和掌握数列极限、函数极限的概念，熟练掌握ε-N，ε-X，ε-δ语言解决极限问题。

(2)熟练掌握收敛数列的性质和数列极限的存在条件(Stolz定理，单调有界准则，夹逼定理，柯西收敛准则)。

熟练掌握函数极限的性质和利用两个重要极限处理极限计算。

(3)理解无穷小量和无穷大量的定义、性质和关系，掌握无穷小量阶的比较和方法。

(4)理解掌握一元函数连续性、间断点及其分类，掌握连续函数的局部性质和单侧连续。

(5)掌握闭区间上连续函数的性质（最大最小值性、有界性、介值性、一致连续性）和初等函数的连续性；理解复合函数的连续性、反函数的连续性。

(6)掌握实数连续性定理(闭区间套定理、单调有界定理、柯西收敛准则、确界存在定理、Bolzano-Weierstrass定理)。

(7)理解二元函数的极限、累次极限和连续性；掌握欧氏空间上的基本定理和多元连续函数的性质；理解二重极限与特殊路径极限的关系。

(8)掌握数列的上、下极限。

2、微分学(1)理解和掌握导数与微分概念及其几何意义，熟练运用导数的运算性质和求导法则。

(2)理解单侧导数、可导性与连续性的关系，掌握高阶导数的求法、导数的几何应用和微分在近似计算中的应用。

(3)熟练掌握中值定理的内容、证明及其应用，掌握函数泰勒展开及其在近似计算中的应用。

(4)能熟掌握洛必达法则和函数基本特性(单调性、极值与最值、凹凸性、拐点及渐近线)判定方法。

(5)熟练掌握多元函数偏导数、全微分、方向导数、高阶偏导数、极值等概念，理解全微分、偏导数、连续之间的关系，理解多元函数泰勒公式，掌握多元函数极值的求法。

2013年江南大学硕士研究生入学考试《半导体物理（含半导体器件）》考试大纲一、考试的总体要求考察学生对半导体物理的重要概念、基本理论、基本知识的掌握程度，也包含传统半导体材料、工艺和基本器件的相关基础知识。

考生应熟练掌握的内容包括：固体物理中一些最基本的概念和基础知识（如能带的基本概念和常见半导体材料及其晶体结构的基础知识）；本征半导体和杂质半导体载流子浓度、迁移率的分析计算，非平衡载流子注入与复合，简并半导体，准费米能级，连续性方程式；PN结的形成、能带图和I-V特性；金属－半导体接触、功函数；表面态，金属－氧化物－半导体结构的形成、能带图和C-V特性；半导体异质结的基本概念；常见的半导体重要工艺原理的定性理解；重要半导体参数和性质的实验验证手段、仪器和测试方法等。

要求反映学生能融会贯通、熟练运用所学半导体物理知识，对具体问题进行分析和解答。

二、考试的内容及比例考试内容涉及面较广，具体比例如下：1、固体物理和半导体材料方面的基础知识；重要半导体材料，如Si，Ge，GaAs等的晶体结构、电子状态、能带结构；常见半导体工艺，如清洗、淀积、外延、氧化、扩散、掺杂、光刻、腐蚀等的基本原理：10－20%2、半导体杂质和缺陷的分析方法；半导体中载流子的统计分布；半导体导电性，如本征半导体和杂质半导体，包括简并半导体中载流子浓度、迁移率的分析计算，电场、温度及外界因素的影响：50－60%3、非平衡载流子注入与复合，准费米能级，非平衡载流子寿命，非平衡载流子扩散与漂移运动，泊松方程和连续性方程：10－20%4、半导体基础器件和结构知识，如PN结的形成、能带图和I-V特性；光电导效应、太阳能电池；金属－半导体接触、功函数，整流接触和欧姆接触；表面态，金属－氧化物－半导体结构的形成、能带图和C-V特性；半导体异质结构等：20－30%三、试题类型及比例1、填空题：20－30%2、论述题、简答题：10－20%3、计算题、证明题：60－70%四、考试形式及时间考试形式为笔试。

《半导体物理学》博士研究生入学考试大纲一、将固体物理的晶体结构和能带论的知识应用到半导体中，以深入了解半导体中的电子状态；明确回旋共振实验的目的、意义和原理，进而了解主要半导体材料的能带结构。

包括晶体，金刚石结构，布洛赫函数，单电子近似，有效质量，空穴，回旋共振等。

二、根据不同杂质在半导体禁带中引入能级的情况，了解其性质和作用，由其分清浅杂质能级（施主和受主）和深能级杂质的性质和作用。

包括杂质、缺陷的分类，施主杂质，受主杂质，深能级杂质，浅能级杂质等。

三、应熟练掌握课本中所阐明的基本概念和各种关系，能顺利导出有关重要基本公式，准确计算在各种不同杂质浓度和温度下的费米能级位置和载流子浓度，从而对半导体性质有更深入的理解。

包括热平衡，状态密度，费米分布，玻尔兹曼分布，简并化条件，低温载流子冻析效应，禁带变窄效应等。

四、了解几种主要散射机构的机理、散射几率与杂质浓度及温度的关系，从而明确迁移率、电导率、电阻率与杂质浓度及温度的关系。

包括欧姆定律的微分形式，漂移运动，迁移率，主要散射机制等。

五、在了解本章各种基本要领的基础上，应牢固掌握非平衡载流子的产生、复合、扩散等运动规律，并对总结出来的电流密度方程和连续性方程有一定的理解。

包括直接复合，间接复合，准费米能级，扩散运动，爱因斯坦关系等。

六、了解pn结的物理特性以及能带图，掌握pn结接触电势差、势垒的计算，理解pn结的电流电压pn结电容的意义和计算，了解pn结的击穿机制和隧道效应。

包括势垒高度、宽度，势垒电容，扩散电容，三种击穿机制，电流电压关系等。

七、应对理想和实际的金—半接触能带图应深入理解，在此基础上，对其电流传输理论的几种模型建立，应用和推导要有所了解，并掌握实现良好欧姆接触和整流接触的原理和方法。

包括整流效应，欧姆接触，肖特基势垒，阻挡层，反阻挡层等。

八、通过学习，在认识表面状态的基础上，对理想MIS结构的表面电场效应、电容电压特性有深刻理解，对实际MIS结构中出现的各种情况进行分析，并与理想C-V特性相比较，从而明确如何用C-V法来了解半导体的表面状况，进而对使用最多的Si-SiO2系统的性质有详细的了解。

《半导体物理》课程考试大纲一、适用专业：集成电路工程二、参考书目：1．刘恩科朱秉升编，半导体物理学，国防工业出版社三、考试内容与基本要求：第一章绪论[考试要求]本章要求学生掌握本课程研究的对象和内容，了解半导体材料及器件的应用，了解本课程的基本要求；了解与半导体晶体相关的概念，重点掌握倒格子、布里渊区的概念，重点了结晶体中的缺陷、晶格振动和晶体中的电子运动。

[考试内容]①晶格、格点、基矢、布里渊区、倒格子等概念②晶体中的缺陷、晶格振动③晶体中的电子运动第二章半导体中的电子状态[考试要求]本章要求学生掌握电子、空穴和有效质量的概念，重点了解和掌握半导体的能带结构，了解半导体中的杂质和缺陷能级。

[考试内容]①电子、空穴和有效质量的概念②能带论，并用能带理论解释半导体物理学中的一些现象③常用半导体的能带结构④半导体中的杂质和缺陷第三章热平衡状态下载流子的统计分布[考试要求]本章要求学生掌握状态密度及费米能级的概念，掌握热平衡状态下本征半导体及杂质半导体的载流子浓度，了解非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化。

[考试内容]①状态密度及费米能级的概念以及它们的表达式②热平衡状态下本征及杂质半导体的载流子浓度③非简并情况下费米能级和载流子浓度随温度的变化④简并半导体第四章载流子的漂移和扩散[考试要求]本章要求学生掌握半导体中载流子的各种散射机制，了解电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系，掌握载流子的扩散和漂移运动、爱因斯坦关系。

[考试内容]①半导体中载流子的各种散射机制②电导率和迁移率③电阻率和迁移率与杂质浓度和温度的关系④载流子的扩散和漂移运动，爱因斯坦关系⑤强电场效应，热载流子第五章非平衡载流子[考试要求]本章要求学生掌握非平衡载流子的注入与复合，了解各种复合理论，连续性方程。

[考试内容]①非平衡载流子的注入与复合②各种复合理论③连续性方程第六章p-n结[考试要求]本章要求学生掌握p-n结概念及其能带图，掌握理想p-n结的电流电压关系，了解p-n 结电容，了解实际p-n结的电流电压关系、p-n结击穿、p-n结隧道效应等。

单位代码：10293密级：专业学位硕士论文论文题目：复合周期红外空芯Bragg光纤的设计及损耗分析D esign and C haracteristic A nalysis of t he I nfrared H ollow-core Bragg F iber with Compound P eriodThesis Submitted to Nanjing University of Posts andTelecommunications for the Degree ofMaster of EngineeringByShen ShanshanSupervisor:Prof.Chen HemingFebruary2013南京邮电大学学位论文原创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。

尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得南京邮电大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。

与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。

本人学位论文及涉及相关资料若有不实，愿意承担一切相关的法律责任。

研究生签名：_____________日期：____________南京邮电大学学位论文使用授权声明本人授权南京邮电大学可以保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子文档；允许论文被查阅和借阅；可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索；可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编本学位论文。

本文电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。

论文的公布（包括刊登）授权南京邮电大学研究生院办理。

涉密学位论文在解密后适用本授权书。

研究生签名：____________导师签名：____________日期：_____________摘要随着光纤技术的发展，人们在光纤领域展开了大量的理论研究和应用研究工作。

博士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲本《半导体物理》考试大纲适用于化学工程及技术一级学科新型光电材料制备方向的博士研究生入学考试。

半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态；杂质和缺陷能级；载流子的统计分布；载流子的散射及电导问题；非平衡载流子的产生、复合及其运动规律；半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS 结构、异质结；半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。

要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。

一、考试方式与时间博士研究生入学《半导体物理》考试为笔试，闭卷考试，考试时间为180分钟。

二、考试主要内容和要求（一）半导体中的电子状态1、考试内容（1）半导体的晶格结构和结合性质；（2）半导体中的电子状态和能带；（3）半导体中的电子运动和有效质量；（4）本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振；（5）硅和锗的能带结构；（6）III－V族化合物半导体的能带结构；（7）II－VI族化合物半导体的能带结构。

2、考试要求了解半导体的晶格结构和结合性质的基本概念。

理解半导体中的电子状态和能带的基本概念。

3．掌握半导体中的电子运动规律，理解有效质量的意义。

理解本征半导体的导电机构，理解空穴的概念。

熟练掌握空间等能面和回旋共振的相关公式推导、并能灵活运用。

理解硅和锗的能带结构，掌握有效质量的计算方法。

了解III －V族化合物半导体的能带结构。

了解II－VI族化合物半导体的能带结构（二）半导体中杂质和缺陷能级1、考试内容（1）硅、锗晶体中的杂质能级；（2）III－V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级1 / 12、考试要求理解替位式杂质、间隙式杂质、施主杂质、施主能级、受主杂质、受主能级的概念。

简单计算浅能级杂质电离能。

了解杂质的补偿作用、深能级杂质的概念。

《半导体物理》(科目代码879)考试大纲特别提醒：本考试大纲仅适合2019年硕士研究生入学考试。

1．考研建议参考书目《半导体物理学》(第7版)，刘恩科编著，电子工业出版社。

2．基本要求（1）知晓Si、GaAs、InP、GaN、SiC等半导体材料的晶格结构、能带特点。

（2）掌握晶体材料能带产生的原因，明确导体、半导体、绝缘体的能带特点，掌握半导体中电子的状态和能带；掌握布里渊区、有效质量、空穴等概念及其意义。

（3）掌握半导体中杂质所引入的能级，掌握施主杂质、受主杂质、杂质的补偿、等电子陷阱、深能级杂质等概念，熟悉点缺陷、位错等概念。

（4）掌握半导体中载流子的统计分布，明确费米能级的意义，明确玻耳兹曼近似的条件与简并化条件，掌握电子浓度和空穴浓度的计算公式，明确载流子浓度乘积的特性；了解低温载流子冻析效应、禁带变窄效应等概念。

（5）掌握本征半导体与非本征半导体的载流子分布的特点、基本关系式、温度特性等，明确多子与少子的概念与特性。

（6）掌握载流子迁移率的概念和意义，熟悉载流子散射及其对迁移率的影响；掌握电导率与迁移率和载流子浓度的关系，掌握温度在其中的作用规律；明确强电场下载流子的运动特点，熟悉多能谷散射与耿氏效应。

（7）掌握载流子的复合与产生、非平衡载流子的寿命、准平衡与准费米能级；熟悉复合理论，明确复合中心与陷阱的特点。

（8）掌握爱因斯坦关系、连续性方程，掌握非平衡载流子在电场作用下的运动特点。

（9）掌握pn结形成机制、能带图、结电容，掌握空间电荷区、接触电势差等基本概念；熟悉pn结电流电压特性，了解pn结电流电压特性偏离理想方程的因素；熟悉pn结击穿特点、pn结隧道效应等概念。

（10）掌握金属与半导体接触下的能级图、接触电势差，掌握表面态对接触势垒的影响，熟悉肖特基二极管概念，熟悉其与pn二极管的不同。

（11）熟悉MIS结构的基本特点，熟悉半导体异质结构的产生。

（12）掌握霍耳效应，了解半导体发光的基本原理。