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半导体物理学概念总结
半导体物理学是研究半导体材料及其在电子学和光学中的性质和行为的学科。
以下是对半导体物理学概念的总结：
1. 半导体材料，半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料。
它的导电性介于导体和绝缘体之间，具有在一定条件下可控制的电导率。
2. 禁带宽度，半导体中的电子处于能带中，禁带宽度是指价带和导带之间的能量差。
当禁带宽度较小时，半导体易于导电。
3. 载流子，半导体中的载流子包括电子和空穴。
电子是带负电荷的载流子，而空穴是带正电荷的载流子。
4. 杂质，在半导体中加入少量的杂质可以改变其导电性能。
掺杂可以分为n型和p型，分别引入额外的自由电子或空穴。
5. PN结，PN结是半导体器件中常见的结构，由n型半导体和p型半导体组成。
在PN结中，会出现内建电场和整流特性。
6. 肖特基结，肖特基结是由金属和半导体组成的二极管。
它具有低反向漏电流和快速开关特性。
7. 光电子学，半导体在光照射下会产生光生载流子，这一特性被广泛应用于光电子学领域，如光电二极管和太阳能电池。
8. 晶体管，晶体管是半导体器件中的重要组成部分，可以放大和控制电流。
它的发明对电子技术产生了深远影响。
在半导体物理学中，以上概念都是非常重要的，它们构成了半导体器件和电子技术的基础。
研究半导体物理学不仅有助于深入理解现代电子器件的工作原理，也对半导体材料的开发和应用具有重要意义。
希望以上总结能够帮助你更好地理解半导体物理学的基本概念。
一、半导体物理知识大纲核心知识单元 A：半导体电子状态与能级（课程基础——掌握物理概念与物理过程、是后面知识的基础）半导体中的电子状态（第 1 章）半导体中的杂质和缺陷能级（第 2 章）核心知识单元 B：半导体载流子统计分布与输运（课程重点——掌握物理概念、掌握物理过程的分析方法、相关参数的计算方法）半导体中载流子的统计分布（第 3 章）半导体的导电性（第 4 章）非平衡载流子（第 5 章）核心知识单元 C：半导体的基本效应（物理效应与应用——掌握各种半导体物理效应、分析其产生的物理机理、掌握具体的应用）半导体光学性质（第10 章）半导体热电性质（第11 章）半导体磁和压阻效应（第12 章）二、半导体物理知识点和考点总结第一章半导体中的电子状态本章各节内容提要：本章主要讨论半导体中电子的运动状态。
主要介绍了半导体的几种常见晶体结构，半导体中能带的形成，半导体中电子的状态和能带特点，在讲解半导体中电子的运动时，引入了有效质量的概念。
阐述本征半导体的导电机构，引入了空穴散射的概念。
最后，介绍了Si、Ge 和 GaAs 的能带结构。
在 1.1 节，半导体的几种常见晶体结构及结合性质。
（重点掌握）在 1.2 节，为了深入理解能带的形成，介绍了电子的共有化运动。
介绍半导体中电子的状态和能带特点，并对导体、半导体和绝缘体的能带进行比较，在此基础上引入本征激发的概念。
（重点掌握）在 1.3 节，引入有效质量的概念。
讨论半导体中电子的平均速度和加速度。
（重点掌握）在1.4 节，阐述本征半导体的导电机构，由此引入了空穴散射的概念，得到空穴的特点。
（重点掌握）在 1.5 节，介绍回旋共振测试有效质量的原理和方法。
（理解即可）在 1.6 节，介绍 Si 、Ge 的能带结构。
（掌握能带结构特征）在 1.7 节，介绍Ⅲ -Ⅴ族化合物的能带结构，主要了解GaAs 的能带结构。
（掌握能带结构特征）本章重难点：重点：1、半导体硅、锗的晶体结构（金刚石型结构）及其特点；三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。
半导体物理归纳总结半导体物理是研究半导体材料及其在电子器件中的应用特性的学科领域。
在过去几十年里，半导体技术的飞速发展对我们的生活产生了巨大的影响。
本文将对半导体物理的一些重要概念和原理进行归纳总结，帮助读者更好地理解半导体器件的工作原理及其应用。
1. 半导体的基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质，具有中等电导率。
它的导电性质可以通过控制掺杂和温度来进行调节。
常见的半导体材料有硅和锗，它们的物理性质决定了半导体器件的性能。
2. 半导体材料的能带结构半导体材料的能带结构直接影响其导电性质。
能带是描述电子能量和电子分布的概念。
在半导体中，价带是最高的填满电子的能带，而导带是电子可以自由移动的能带。
半导体的导电性取决于导带和价带之间的能隙大小。
3. 掺杂与载流子掺杂是将某种杂质引入到半导体材料中，以改变半导体的导电特性。
掺杂可以分为施主掺杂和受主掺杂两种。
施主掺杂会引入额外的自由电子，增加半导体的导电性，而受主掺杂引入额外的空穴，减少导电性。
掺杂后产生的自由电子和空穴被称为载流子，它们在半导体中的运动导致了电流的流动。
4. pn结及其特性pn结是由p型半导体和n型半导体相接触形成的结构。
在pn结中，p区富含空穴，n区富含自由电子。
当p区和n区相接触时，会发生空穴和自由电子的复合过程，形成耗尽区。
耗尽区内形成了电场，阻止了进一步的复合。
这种特殊的结构使得pn结具有整流特性，即在正向偏置下电流可以流动，而在反向偏置下电流几乎不流动。
5. 半导体器件的应用半导体器件包括二极管、场效应晶体管、晶体管等，它们在各种电子设备中起着重要作用。
二极管是一种具有单向导电性的器件，广泛应用在电源供电和信号处理中。
场效应晶体管是一种高度可控的电流放大器，常用于放大和开关电路。
晶体管则是一种功率放大器，被广泛应用在音频和无线通讯领域。
总结：半导体物理是一门涉及半导体材料特性和器件应用的重要学科。
通过对半导体的能带结构、掺杂与载流子、pn结特性以及器件应用的介绍，我们对半导体器件的工作原理有了更深入的理解。
半导体物理中的名词解释引言半导体物理是研究半导体材料与器件特性及其应用的学科领域。
在这个领域中，涉及了许多专有名词和概念。
本文将对部分半导体物理中的名词进行解释，帮助读者更好地理解和掌握半导体物理的基础知识。
1. 半导体半导体是指在温度较低时具有介于导体和绝缘体之间电导率的物质。
其导电性能可以通过外加电场或温度的改变而变化。
在半导体中，电子的能带结构起着关键作用。
常见的半导体材料包括硅和锗。
2. 能带能带是描述电子能量状态的概念，常见的有价带和导带。
价带是较低能量的电子能级，而导带是较高能量的电子能级。
能带间的能隙是指两个能带之间的能量差异。
3. 底带和势垒底带是指位于能量较低的束缚态能级，例如价带。
势垒是指在能带之间建立的电势差。
在半导体中，势垒可以通过外加电场或杂质掺入来调节。
4. 载流子载流子是指在半导体中参与电荷输运的粒子，包括电子和空穴。
电子的运动带负电荷，而空穴则带正电荷。
在半导体中，载流子的浓度和运动性质对于电导率至关重要。
5. 禁带宽度和掺杂禁带宽度是指价带和导带之间的能隙。
掺杂是通过引入杂质来改变半导体的导电性能。
掺杂可以分为n型和p型掺杂，分别引入电子和空穴作为载流子。
6. PN结和二极管PN结是指将n型半导体和p型半导体相接触形成的结构。
PN结具有整流特性，发挥了二极管的作用。
当正向偏置时，电流可以流过结；而反向偏置时，电流则被阻塞。
7. MOS结和场效应晶体管MOS结是指金属氧化物半导体结。
它是指在绝缘体上形成金属-氧化物-半导体结构。
MOS结构被广泛应用于场效应晶体管中。
场效应晶体管是一种控制门电压来调节电流的半导体器件。
8. 肖特基结和肖特基二极管肖特基结是一种由金属和半导体形成的结。
肖特基结具有快速开关特性和低电压降，被用于高频和高速电子器件。
肖特基二极管是利用肖特基结制成的二极管。
9. 光电效应和光电二极管光电效应是指当光照射到半导体材料时，激发电子从价带跃迁到导带的现象。
基本概念题：第一章半导体电子状态1.1 半导体通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的小许多。
1.2能带晶体中，电子的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。
这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。
1.3导带与价带1.4有效质量有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。
它概括了周期性势场对载流子运动的影响，从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。
其大小由晶体自身的E-k关系决定。
1.5本征半导体既无杂质有无缺陷的理想半导体材料。
1.6空穴空穴是为处理价带电子导电问题而引进的概念。
设想价带中的每个空电子状态带有一个正的基本电荷，并赋予其与电子符号相反、大小相等的有效质量，这样就引进了一个假想的粒子，称其为空穴。
它引起的假想电流正好等于价带中的电子电流。
1.7空穴是如何引入的，其导电的实质是什么？答：空穴是为处理价带电子导电问题而引进的概念。
设想价带中的每个空电子状态带有一个正的基本电荷，并赋予其与电子符号相反、大小相等的有效质量，这样就引进了一个假想的粒子，称其为空穴。
这样引入的空穴，其产生的电流正好等于能带中其它电子的电流。
所以空穴导电的实质是能带中其它电子的导电作用，而事实上这种粒子是不存在的。
1.8 半导体的回旋共振现象是怎样发生的（以n型半导体为例）答案：首先将半导体置于匀强磁场中。
一般n型半导体中大多数导带电子位于导带底附近，对于特定的能谷而言，这些电子的有效质量相近，所以无论这些电子的热运动速度如何，它们在磁场作用下做回旋运动的频率近似相等。
当用电磁波辐照该半导体时，如若频率与电子的回旋运动频率相等，则半导体对电磁波的吸收非常显著，通过调节电磁波的频率可观测到共振吸收峰。
这就是回旋共振的机理。
1.9 简要说明回旋共振现象是如何发生的。
半导体样品置于均匀恒定磁场，晶体中电子在磁场作用下运动运动轨迹为螺旋线，圆周半径为r ，回旋频率为当晶体受到电磁波辐射时， 在频率为 时便观测到共振吸收现象。
半导体物理学重点概念个人总结Si：导带：硅的导带极小值位于k空间[100]方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85处；导带极小值附近的等能面是长轴沿[100]方向的旋转椭球面；在简约布里渊区共有6个这样的椭球。
价带：价带具有一个重空穴带，一个轻空穴带和由于自旋-轨道耦合分裂出来的第三个能带；价带极大值位于布里渊区的中心；重空穴有效质量为0.53m0，轻空穴有效质量为0.16m0；第三个能带的裂距为0.04eV。
Ge：导带：锗的导带极小值位于k空间的[111]方向的简约布里渊区边界；导带极小值附近的等能面是长轴沿[111]方向旋转的8个椭球面；每个椭球面有半个在简约布里渊区内，因此，在简约布里渊区内共有4个椭球。
价带：价带具有一个重空穴带，一个轻空穴带和由于自旋-轨道耦合分裂出来的第三个能带；价带极大值位于布里渊区的中心；重空穴有效质量为0.36m0，轻空穴有效质量为0.044m0；第三个能带的裂距为0.29eV。
主要特征：禁带宽度E g随温度增加而减小E g：Si0.7437eV Ge1.170ev 间接能隙结构。
本征激发：当温度一定时，价代电子受到激发而成为导带电子的过程称为本征激发。
（温度升高，载流子浓度增大，空穴密度增大，本征激发加剧）有效质量意义：它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用；特别是有效质量可以直接由实验测定，因而可以很方便地解决电子的运动规律。
性质：1.电子的有效质量概况了半导体内部的势场作用；2.在能带底部附近，电子的有效质量是正值；在能带顶部附近，电子的有效质量是负值；对于带顶和带底的电子，有效质量恒定；3.有效质量与能量函数对于k 的二次微商成反比，能带越窄，二次微商越小，有效质量越大。
内层电子的能带窄，有效质量大；外层电子的能带宽，有效质量小。
因此，外层电子在外力作用下可以获得较大的加速度。
特点：决定于材料；与电子的运动方向有关；与能带的宽窄有关。
半导体物理考点归纳一·1.金刚石1) 结构特点：a. 由同类原子组成的复式晶格。
其复式晶格是由两个面心立方的子晶格彼此沿其空间对角线位移1/4的长度形成b. 属面心晶系，具立方对称性，共价键结合四面体。
c. 配位数为4，较低，较稳定。
(配位数：最近邻原子数)d. 一个晶体学晶胞内有4+8*1/8+6*1/2=8个原子。
2) 代表性半导体：IV 族的C ，Si ，Ge 等元素半导体大多属于这种结构。
2.闪锌矿1) 结构特点：a. 共价性占优势，立方对称性；b. 晶胞结构类似于金刚石结构，但为双原子复式晶格；c. 属共价键晶体，但有不同的离子性。
2) 代表性半导体：GaAs 等三五族元素化合物均属于此种结构。
3.电子共有化运动：原子结合为晶体时，轨道交叠。
外层轨道交叠程度较大，电子可从一个原子运动到另一原子中，因而电子可在整个晶体中运动，称为电子的共有化运动。
4.布洛赫波： 晶体中电子运动的基本方程为： ，K 为波矢，uk(x)为一个与晶格同周期的周期性函数，5.布里渊区：禁带出现在k=n/2a 处，即在布里渊区边界上；允带出现在以下几个区： 第一布里渊区:－1/2a<k<1/2a (简约布里渊区）第二布里渊区：-1/a<k<-1/2a,1/2a<k<1/aE(k)也是k 的周期函数，周期为1/a,即E(k)=E(k+n/a),能带愈宽，共有化运动就更强烈。
6.施主杂质：V 族杂质在硅，锗中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们 为施主杂质或n 型杂质7.施主能级：将施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级，记为ED 。
施主能级离导带很近。
8.受主杂质：III 族杂质在硅，锗中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心，称它们为受主杂质或P 型杂质。
9.受主能级：把被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级，记为EA 。
受主能级离价带很近。
第一章固体晶体结构小结1.硅是最普遍的半导体材料2.半导体和其他材料的属性很大程度上由其单晶的晶格结构决定。
晶胞是晶体中的一小块体积，用它可以重构出整个晶体。
三种基本的晶胞是简立方、体心立方和面心立方。
3.硅具有金刚石晶体结构。
原子都被由4个紧邻原子构成的四面体包在中间。
二元半导体具有闪锌矿结构，它与金刚石晶格基本相同。
4.引用米勒系数来描述晶面。
这些晶面可以用于描述半导体材料的表面。
密勒系数也可以用来描述晶向。
5.半导体材料中存在缺陷，如空位、替位杂质和填隙杂质。
少量可控的替位杂质有益于改变半导体的特性。
6.给出了一些半导体生长技术的简单描述。
体生长生成了基础半导体材料，即衬底。
外延生长可以用来控制半导体的表面特性。
大多数半导体器件是在外延层上制作的。
重要术语解释1.二元半导体：两元素化合物半导体，如GaAs。
2.共价键：共享价电子的原子间键合。
3.金刚石晶格：硅的院子晶体结构，亦即每个原子有四个紧邻原子，形成一个四面体组态。
4.掺杂：为了有效地改变电学特性，往半导体中加入特定类型的原子的工艺。
5.元素半导体：单一元素构成的半导体，比如硅、锗。
6.外延层：在衬底表面形成的一薄层单晶材料。
7.离子注入：一种半导体掺杂工艺。
8.晶格：晶体中原子的周期性排列9.密勒系数：用以描述晶面的一组整数。
10.原胞：可复制以得到整个晶格的最小单元。
11.衬底：用于更多半导体工艺比如外延或扩散的基础材料，半导体硅片或其他原材料。
12.三元半导体：三元素化合物半导体，如AlGaAs。
13.晶胞：可以重构出整个晶体的一小部分晶体。
14.铅锌矿晶格：与金刚石晶格相同的一种晶格，但它有两种类型的原子而非一种。
第二章量子力学初步小结1.我们讨论了一些量子力学的概念，这些概念可以用于描述不同势场中的电子状态。
了解电子的运动状态对于研究半导体物理是非常重要的。
2.波粒二象性原理是量子力学的重要部分。
粒子可以有波动态，波也可以具有粒子态。
1、离子晶体：正负离子交替排列在晶格格点上，靠离子键结合成的晶体。
共价晶体：由共价键结合形成的晶体。
2、布拉菲点阵：实际晶体可以看作基元在空间的周期性重复排列。
把基元看作是一个几何点，按晶体相同的周期在空间进行排列得到的点阵称为这种晶体的布拉菲点阵。
3、原胞：构成布拉菲点阵的最小平行六面体，格点只能在顶点。
晶胞：布拉菲点阵中能反映其对称性前提下的体积最小的重复单元。
4、施主杂质：能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质。
受主杂质：能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心的杂质。
施主电离能：多余的一个价电子脱离施主杂质而成为自由电子所需要的能量。
受主电离能：使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需要的能量。
5、量子态密度：单位K空间中的量子态数目称为量子态密度。
状态密度：单位能量间隔内的量子态数目称为状态密度。
有效状态密度：所有有可能被电子占据的量子态数。
6、深杂质能级：能在半导体中形成深能级的杂质元素。
将其引入半导体中，形成一个或多个能级。
该能级距离导带底、价带顶较远，且多位于禁带的中央区域。
浅杂质能级：能在半导体中形成浅能级的杂质元素。
在半导体禁带中靠近导带边缘的杂质。
7、空穴：在电子挣脱价键的束缚成为自由电子，其价键中所留下来的空位。
8、有效质量：粒子在晶体中运动时具有的等效质量，它概括了半导体内部势场的作用。
有效质量表达式为：9、理想半导体：晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，纯净不含杂质的，晶格结构是完整的。
实际半导体：原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动，含有若干杂质，存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。
10、直接复合：导带中的电子越过禁带直接跃迁到价带，与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为直接复合。
间接复合：导带中的电子通过禁带的复合中心能级与价带中的空穴复合，这样的复合过程称为间接复合。
11、复合率：单位时间单位体积内复合掉的电子-空穴对数。
非平衡载流子的复合率（净复合率）：产生率：单位时间单位体积内所产生的电子-空穴对数。
半导体物理名词解释
嘿，朋友！你知道啥是半导体物理不？半导体物理啊，就好比是一个神秘又奇妙的世界！
咱就说半导体，它就像是个“墙头草”，既能导电又不完全导电，这特性可太有意思啦！比如说硅，那就是半导体里的大明星啊！在半导体物理里，有好多有趣的名词呢！
像能带，这就像是给电子们划分的“地盘”，不同的能带有着不同的规矩。
电子们在自己的地盘里活动，是不是很神奇？就好像我们每个人都有自己的生活圈子一样。
还有禁带，这就像是一道“屏障”，把不同的能带隔开了。
电子要想跨越它，可得费点劲呢！这就好像你要翻过一座高山，不容易啊！
再说说载流子，这可是半导体物理里的重要角色。
电子和空穴就是两种载流子，它们就像两个小伙伴，一起在半导体里跑来跑去，传递着电流。
好比我们在操场上奔跑嬉戏，为了某个目标而努力。
你想想看，如果没有这些半导体物理名词，我们怎么能理解半导体的奇妙之处呢？它们就像是打开半导体世界大门的钥匙！
半导体物理真的太重要啦！它让我们的生活变得丰富多彩。
没有半导体物理，哪来的电脑、手机这些高科技玩意儿呢？所以啊，我们可
得好好了解半导体物理名词，才能更好地探索这个神奇的领域呀！这就是我的观点，半导体物理名词真的超有趣且至关重要！。
1.迁移率 参考答案： 单位电场作用下，载流子获得的平均定向运动速度，反映了载流子在电场作用下的输运能力，是半导体物理中重要的概念和参数之一。
迁移率的表达式为：*q mτμ=可见，有效质量和弛豫时间（散射）是影响迁移率的因素。
影响迁移率的主要因素有能带结构（载流子有效质量）、温度和各种散射机构。
n pneu peu σ=+2.过剩载流子 参考答案：在非平衡状态下，载流子的分布函数和浓度将与热平衡时的情形不同。
非平衡状态下的载流子称为非平衡载流子。
将非平衡载流子浓度超过热平衡时浓度的部分，称为过剩载流子。
非平衡过剩载流子浓度：00,n n n p p p ∆=-∆=-，且满足电中性条件：n p ∆=∆。
可以产生过剩载流子的外界影响包括光照（光注入）、外加电压（电注入）等。
对于注入情形，通过光照或外加电压（如碰撞电离）产生过剩载流子：2i np n >，对于抽取情形，通过外加电压使得载流子浓度减小：2i np n <。
3. n 型半导体、p 型半导体N 型半导体：也称为电子型半导体.N 型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体.在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷）,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N 型半导体.在N 型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电.自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成.掺入的杂质越多,多子（自由电子）的浓度就越高,导电性能就越强.P 型半导体：也称为空穴型半导体.P 型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体.在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）,使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P 型半导体.在P 型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电.空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成.掺入的杂质越多,多子（空穴）的浓度就越高,导电性能就越强. 4. 能带当N 个原子处于孤立状态时，相距较远时，它们的能级是简并的，当N 个原子相接近形成晶体时发生原子轨道的交叠并产生能级分裂现象。
直接带隙半导体：导带边和价带边处于k空间相同点的半导体通常被称为直接带隙半导体。
电子要跃迁的导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。
例子有GaAs，InP,InSb。
间接带隙半导体：导带边和价带边处于k空间不同点的半导体通常被称为间接带隙半导体。
形成半满能带不只需要吸收能量，还要该变动量。
例子有Ge，Si。
准费米能级：非平衡态的电子与空穴各自处于热平衡态--准平衡态,可以定义EFn、EFp分别为电子和空穴的准费米能级。
有效质量：在讨论半导体的载流子在外场力的作用下的运动规律时，由于载流子既受到外场的作用，又受到晶体内部周期性势场的作用，只要将内部势场的复杂作用包含在引入的有效质量中，并用它来代替惯性质量，就可以方便地采用经典力学定律来描写。
由于晶体的各向异性，有效质量和惯性质量不一样，它是各向异性的。
有效质量是半导体内部势场的概括。
纵向有效质量和横向有效质量：由于半导体材料的k空间等能面是椭球面，有效质量是各向异性的。
在回旋共振实验中，当磁感应强度相对晶轴有不同取向时，可以得到为数不等的吸收峰，在分析时引入纵向有效高质量和横向有效质量表示旋转椭球等能面在长轴方向和短轴方向上的有效质量的差别。
是晶体各向异性的反映。
扩散长度: 指的是非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离,它由扩散系数和材料的非平衡载流子的寿命决定,即L=√Dt。
牵引长度：是指非平衡载流子在电场E作用下，在寿命t时间内所漂移的的距离, 即L(E)=Eut,有电场,迁移率和寿命决定。
费米能级：表示系统处于热平衡状态时，在不对外做功的情况下，增加一个电子所引起系统能量的变化。
它标志了电子填充能级水平，与温度，材料的导电类型以及掺杂浓度等因素有关。
电子亲和势：表示要使得半导体导带底的电子逃逸出体外（相对于真空能级）所需的最小能量，对半导体材料而言，它与导电类型，掺杂浓度无关。
复合中心：半导体中的杂质和缺陷可以在禁带中形成一定的能级，对非平衡载流子的寿命有很大的影响。
半导体物理名词解释金刚石型结构：金刚石结构是一种由相同原子构成的复式晶体，它是由两个面心立方晶胞沿立方体的空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。
每个原子周围都有4个最近邻的原子，组成一个正四面体结构。
闪锌矿型结构：闪锌矿型结构的晶胞，它是由两类原子各自组成的面心立方晶格，沿空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。
有效质量：粒子在晶体中运动时具有的等效质量，它概括了半导体内部势场的作用。
有效质量表达式为：费米能级: 费米能级是T=0 K 时电子系统中电子占据态和 未占据态的分界线，是T=0 K 时系统中电子所能具有的最高能量。
准费米能级:统一的费米能级是热平衡状态的标志。
当外界的影响破坏了热平衡，使半导体处于非平衡状态时，就不再存在统一的费米能级。
但是可以认为，分别就导带和价带中的电子讲，他们各自基本上处于平衡状态，导带与价带之间处于不平衡状态。
因为费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍是适用的，可以引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部的费米能级。
称为“准费米能级”费米面：将自由电子的能量E 等于费米能级Ef 的等能面称为费米面。
费米分布：大量电子在不同能量量子态上的统计分布。
费米分布函数为：施主能级：通过施主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级，被子施主杂质束缚的电子能量状态称为施主能级。
受主能级：通过受主掺杂在半导体的禁带中形成缺陷能级，被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级。
禁带：能带结构中能态密度为零的能量区间。
价带：半导体或绝缘体中，在绝对零度下能被电子沾满的最高能带。
导带：导带是自由电子形成的能量空间，即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。
222*dk E d h m n=Tk E E Fe Ef 011)(-+=N型半导体: 在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。
P型半导体: 在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P 型半导体。
半导体物理知识点总结
1. 能带和价带：半导体中电子带有能量，能量随轨道高低而不同，能带包含在价带和导带中。
2. 能隙：能量带的差值，该值越小，材料越容易被激发。
3. 电子结构：材料中的电子布局，包括离子能、波函数、能态等。
4. 掺杂：向半导体中添加不同类型的掺杂，可改变材料的电学性质，如导电性能和半导体的唯一性。
5. pn结：半导体材料中，p型和n型结合，形成一个有峰值的pn结，可以用于制作二极管、场效应管或光电转换器等电子器件。
6. 入射光：当入射光击中半导体上，产生光伏效应，电子被激发并向两侧移动，形成电流。
7. 电子迁移率：电子在半导体中移动速度的度量，影响材料的导电性质。
8. 本征载流子：半导体中由温度效应造成的材料中存在的自由电子和空穴，这些载流子决定着材料的导电性质。
9. 孪晶：半导体材料结构中的孪晶对材料电学性质造成影响，不同方向的孪晶对应不同的导电性和多晶性。
10. 激发态：半导体中的电子在受到激发后，进入能带中的激发态，相应的能级决定着电子能量的状态。
固态电子论半导体物理电子科学与技术专业课半导体物理部分名词解释1.有效质量：定义：222*dk Ed m n为电子的有效质量。
在能带顶有效质量为正值，在能带底有效质量为负值。
他概括了半导体内部的势场作用。
使得在解决半导体内部电子受外力作用下的运动规律时，可以不用考虑半导体内部势场的作用。
有效质量与能量对于k 的二次微商成反比，内层电子能带窄，有效质量大，外层电子能带宽，有效质量小。
2.空穴：是价带顶部附近的电子激发到导带后留下的价带空状态带正电荷当温度不为零时，共价键上一个电子挣脱共价键的束缚进入晶格间隙形成导电电子，在原共价键处形成空状态，为了满足电中性，该空状态带一个正电荷。
当另一个共价电子填这个空位…相当于空位在移动，把这个带一个单位正电荷的空位称为空穴用空穴的概念，可以把价带大量电子对电流的贡献用少量的空穴表达了。
3.施主杂质：V 族元素在硅、锗中电离时能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称此类杂质为施主杂质或n 型杂质。
相关的：施主杂质向导带释放电子的过程为施主电离施主杂质未电离之前是电中性的称为中性态或束缚态；电离后成为正电中心称为离化态或电离态使多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的最小能量称为施主电离能，施主电离能为ΔED被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级，记为ED ，。
4.施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为主要依靠导带电子导电的n 型半导体（也称电子型半导体）。
5.受主杂质：III 族元素在硅、锗中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称此类杂质为受主杂质或p 型杂质。
相关的：受主杂质释放空穴的过程称为受主电离使空穴挣脱束缚成为导电空穴所需要的最小能量称为受主电离能，记为ΔEA空穴被受主杂质束缚时的能量状态称为受主能级，记为EA受主杂质电离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴，使半导体成为主要依靠空穴导电的p 型半导体（也称空穴型半导体）。
半导体物理名词解释概述及解释说明1. 引言1.1 概述半导体物理是一门研究半导体材料和器件性质的学科，涉及到许多重要的名词和概念。
对于初学者来说，这些专业术语可能会令人困惑。
因此，本文旨在提供对半导体物理中常见名词的解释和概述，以帮助读者更好地理解半导体物理相关知识。
1.2 文章结构本文分为五个主要部分。
首先是引言部分，介绍了整篇文章的背景和目的。
接下来是半导体物理名词解释部分，其中详细解释了与半导体物理密切相关的一些重要术语和概念。
第三部分是对这些名词进行概述和解释说明，进一步展开了每个主题。
紧接着是其他重要名词解释部分，扩展了一些与半导体物理相关但不属于基础名词的专业术语。
最后，在结论部分对文章进行总结并提供进一步阅读建议。
1.3 目的本文旨在向读者介绍半导体物理领域中常见名词的含义，并帮助读者建立对这些名词的基本理解。
通过阐述这些概念的定义和相关性，我们希望提供给读者一种全面而清晰的半导体物理知识框架。
这将有助于读者更深入地研究半导体物理，并在实际应用中应用所学知识。
以上是“1. 引言”部分的详细内容，以普通文本格式呈现。
2. 半导体物理名词解释半导体物理是研究半导体材料及其物性的科学领域。
在这一部分，我将对一些普遍使用的半导体物理名词进行解释。
1. 半导体：半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料。
它具有介电常数较大、能带隙适中的特点，在一定条件下可以表现出良好的电子和空穴导电性。
2. 杂质：在纯净的半导体晶格中掺入少量其他元素所形成的材料。
杂质通常称为掺杂剂，可用来改变半导体的电子与空穴浓度，从而控制其电子学性质。
3. 载流子：载流子是指携带正或负电荷并在半导体中自由移动的粒子。
主要有两种载流子：电子（带负电荷）和空穴（带正电荷）。
它们决定了半导体的传导特性。
4. 禁带宽度：也称能带隙，在固态物理中指价带（valence band）与传导带（conduction band）之间没有能级存在的能量差。
半导体物理名词解释1.单电子近似：假设每个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。
该势场是具有与晶格同周期的周期性势场。
2.电子的共有化运动：原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再完全局限在某一个原子上，可以由一个原于转移到相邻的原子上去，因而，电子将可以在整个晶体中运动。
这种运动称为电子的共有化运动。
3.允带、禁带： N个原子相互靠近组成晶体，每个电子都要受到周围原子势场作用，结果是每一个N度简并的能级都分裂成距离很近能级，N个能级组成一个能带。
分裂的每一个能带都称为允带。
允带之间没有能级称为禁带。
4.准自由电子：内壳层的电子原来处于低能级，共有化运动很弱，其能级分裂得很小，能带很窄，外壳层电子原来处于高能级，特别是价电子，共有化运动很显著，如同自由运动的电子，常称为“准自由电子”，其能级分裂得很厉害，能带很宽。
6.导带、价带：对于被电子部分占满的能带，在外电场的作用下，电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去，形成了电流，起导电作用，常称这种能带为导带。
下面是已被价电子占满的满带，也称价带。
8.（本证激发）本征半导体导电机构：对本征半导体，导带中出现多少电子，价带中相应地就出现多少空穴，导带上电子参与导电，价带上空穴也参与导电，这就是本征半导体的导电机构。
9.回旋共振实验意义：这通常是指利用电子的回旋共振作用来进行测试的一种技术。
该方法可直接测量出半导体中载流子的有效质量，并从而可求得能带极值附近的能带结构。
当交变电磁场角频率W等于回旋频率Wc时，就可以发生共振吸收，Wc=qB/有效质量10.波粒二象性，动量，能量P=m0v E=12P2m0P=hk1.间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称为间隙式杂质。
窄效应。
1.欧姆定律的微分形式：把通过导体中某一点的电流密度和该处的电导率及电场强度直接联系起来的式子称为欧姆定律的微分形式。
J=σε2.漂移运动和漂移速度：有外加电压时，导体内部的自由电子受到电场力的作用，沿着电场的反方向作定向运动构成电流。
半导体物理名词解释1.有效质量：a 它概括了半导体内部势场的作用，使得在解决导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及半导体内部势场的作用 b 可以由实验测定，因而可以很方便的解决电子的运动规律2.空穴：定义价带中空着的状态看成是带正电荷的粒子，称为空穴1.意义a 把价带中大量电子对电流的贡献仅用少量的空穴表达出来b金属中仅有电子一种载流子，而半导体中有电子和空穴两种载流子，正是这两种载流子的相互作用，使得半导体表现出许多奇异的特性，可用来制造形形色色的器件3.理想半导体（理想与非理想的区别）：a 原子并不是静止在具有严格周期性的晶格的格点位置上，而是在其平衡位置附近振动 b 半导体材料并不是纯净的，而是含有各种杂质即在晶格格点位置上存在着与组成半导体材料的元素不同其他化学元素的原子c 实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而存在着各种形式的缺陷4.杂质补偿：在半导体中，施主和受主杂质之间有相互抵消的作用通常称为杂质的补偿作用5.深能级杂质：非Ⅲ、Ⅴ族杂质在硅、锗的禁带中产生的施主能级距离导带较远，他们产生的受主能级距离价带也较远，通常称这种能级为深能级，相应的杂质为深能级杂质6.简并半导体：当E-E F》k o T不满足时，即f（E）《1，[1-f（E）]《1的条件不成立时，就必须考虑泡利不相容原理的作用，这时不能再应用玻耳兹曼分布函数，而必须用费米分布函数来分析导带中的电子及价带中的空穴的统计分布问题。
这种情况称为载流子的简并化，发生载流子简并化的半导体被称为简并半导体（当杂质浓度超过一定数量后，载流子开始简并化的现象称为重掺杂，这种半导体即称为简并半导体7.热载流子：在强电场情况下，载流子从电场中获得的能量很多，载流子的平均能量比热平衡状态时的大，因而载流子与晶格系统不再处于热平衡状态。
温度是平均动能的量度，既然载流子的能量大于晶格系统的能量，人们便引入载流子的有效温度T e来描写这种与晶格系统不处于热平衡状态时的载流子，并称这种状态载流子为热载流子8.砷化镓负阻效应：当电场达到一定値时，能谷1中的电子可从电场中获得足够的能量而开始转移到能谷2，发生能谷间的散射，电子的动量有较大的改变，伴随吸收或发射一个声子。
但是，这两个能谷不是完全相同的，进入能谷2的电子，有效质量大为增加，迁移率大大降低，平均漂移速度减小，电导率下降，产生负阻效应9.准费米能级：统一的费米能级是热平衡状态的标志。
当外界的影响破坏了热平衡，使半导体处于非平衡状态时，就不再存在统一的费米能级。
但是可以认为，分别就导带和价带中的电子讲，他们各自基本上处于平衡状态，导带与价带之间处于不平衡状态。
因为费米能级和统计分布函数对导带和价带各自仍是适用的，可以引入导带费米能级和价带费米能级，它们都是局部的费米能级。
称为“准费米能级”10.陷阱中心：半导体处于热平衡状态时，无论是施主、受主、复合中心或是任何其他的杂质能级上，都具有一定数目的电子，它们由平衡时的费米能级及分布函数所决定。
实际上，能级中的电子是通过载流子的俘获和产生过程与载流子之间保持着平衡的。
当半导体处于非平衡状态，出现非平衡载流子时，这种平衡遭到破坏，必然引起杂质能级上电子数目的改变。
如果电子增加，说明能级具有收容部分非平衡电子的作用，若是电子减少，则可以看成能级具有收容空穴的作用。
杂质能级的这种积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应，把有显著陷阱效应的杂质能级称为陷阱，相应的杂质和缺陷为陷阱中心11.理想pn结模型：a 小注入条件——注入的少数载流子浓度比平衡多数载流子浓度小的多b 突变耗尽条件——外加电压和接触电势差都降落在耗尽层上，耗尽层中的电荷由电离施主和电离受主的电荷组成。
耗尽层外的半导体是电中性的。
因此，注入的少数载流子在p区和n区是纯扩散运动c 通过耗尽层的电子和空穴电流是常量，不考虑耗尽层中载流子的产生及复合作用d 玻耳兹曼边界条件——在耗尽层两端。
载流子分布满足玻耳兹曼统计分布12.势垒电容：在外加正向偏压增加时，将有一部分电子和空穴“存入”势垒区，反之，当正向偏压减小时，势垒区的电场增强，势垒区宽度增加，空间电荷数量增多，这就是有一部分电子和空穴从势垒区“取出”。
对于加反向偏压的情况类似。
总之，pn结上外加电压的变化，引起了电子和空穴在势垒区的“存入”和“取出”作用，导致势垒区的空间电荷数量随外加电压而变化，这和一个电容器的充放电作用相似，这种pn结的电容效应称为势垒电容13.扩散电容：正向偏压时，有空穴从p区注入n区，于是在势垒区与n区边界n区一侧一个扩散长度内，便形成了非平衡空穴和电子的积累，同样在p区也有非平衡电子和空穴的积累。
当正向偏压增加时，由p区注入到n区的空穴增加，注入的空穴一部分扩散走了。
所以外加电压变化时，n区扩散区内积累的非平衡空穴也增加，与它保持电中性的电子也相应增加。
同样，p区扩散区内积累的非平衡电子和与它保持电中性的空穴也要增加。
这种由于扩散区的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应，称为pn结的扩散电容14.pn结隧道效应：在简并化的重掺杂半导体中，n型半导体的费米能级进入了导带，p型半导体的费米能级进入了价带。
在重掺杂情况下，杂质浓度大，势垒区很薄，由于量子力学的隧道效应，n区导带的电子可能穿过禁带到p区价带，p区价带电子也可能穿过禁带到n区导带，从而有可能产生隧道电流。
15.耗尽层近似：当势垒高度远大于k o T时，势垒区可近似为一个耗尽层。
在耗尽层中，载流子极为稀少，他们对空间电荷的贡献可以忽略；杂质全部电离，空间电荷完全由电离杂质的电荷形成。
16.肖特基势垒二极管：利用金属-半导体整流接触效应特性制成的二极管称为肖特基势垒二极管，它和pn结二极管具有类似的电流-电压关系，即它们都有单向导电性，但前者又又区别于后者的以下显著特点 a 就载流子的运动形式而言，pn结正向导通时，由p区注入n区的空穴或由n区注入p区的电子，都是少数载流子，他们先形成一定的积累，然后靠扩散运动形成电流。
这种注入的非平衡载流子的积累称为电荷贮存效应，它严重地影响了pn结的高频性能。
而肖特基势垒二极管的正向电流，主要是由半导体的多数载流子进入金属形成的。
它是多数载流子器件。
因此，肖特基势垒二极管比pn 结二极管有更好的高频特性 b 对于相同的高度，肖特基势垒二极管的J sd或J st要比pn结的反向饱和电流J s大得多。
17.欧姆接触：金属与半导体接触时还可以形成非整流接触，即欧姆接触，它不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变（半导体重掺杂时，它与金属的接触可以形成接近理想的欧姆接触18.理想MIS结构：a 金属与半导体间功函数差为零b 在绝缘层中没有任何电荷且绝缘层完全不导电c绝缘层与半导体界面处不存在任何界面态19.深耗尽状态：在金属和半导体之间加一脉冲阶跃或高频正弦波形成的正电压时，由于空间电荷层内的少数载流子的产生速率跟不上电压的变化，反型层来不及建立，只有靠耗尽层延伸向半导体深处而产生大量受主负电荷以满足电中性条件。
因此，这种情况时，耗尽层的宽度很大，可远大于强反型的最大耗尽层宽度，且其宽度随电压幅度的增大而增大，这种状态称为深耗尽状态20.Si-SiO2系统各种电荷：a 二氧化硅层中的可动离子。
主要是带正电的钠离子，还有钾、氢等正离子b二氧化硅层中的固定电荷 c 二氧化硅层中的电离陷阱电荷。
是由于各种辐射如X射线、γ射线、电子射线等引起21.异质结：有两种不同的半导体单晶材料可超过组成的结，则称为异质结22.异质结的特点：a 能带发生了弯曲，出现“尖峰”和“凹口”b 能带在交界面处不连续，有一个突变23.异质pn结的超注入现象：指在异质pn结中有宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度宽带半导体中多数载流子浓度24.间接带隙半导体：导带极小值和价带极大值没有对应于相同的波矢，例如像锗、硅一类半导体，价带顶位于K空间原点，而导带低则不在k空间原点，这种半导体称为间接带隙半导体25.非竖直（直接）跃迁：在非竖直（直接）跃迁中，电子不仅吸收光子，同时还和晶格交换一定的振动能量，即吸收或放出一个声子26.光电探测器件工作原理及用途：有光照引起半导体电导率增加的现象称为光电导。
大量实验证明，半导体光电导的强弱与照射波长有密切的关系，所谓光电导的光谱分析，就是指对应于不同的波长，光电导响应灵敏度的变化关系。
因此，可以通过测量光电导的光谱分布来确定半导体材料光电导特性，根据这一原理可制成光电探测器。
用途：PbS、PbSe和PbTe是重要的红外探测器材料，CdS除了对可见光有响应外，还可有效地用于短波方面，知道x光短波27.半导体太阳电池的基本原理：当用适当波长的光照射非均匀半导体（pn结等）时，由于内建电场的作用（不加外电场），半导体内部产生电动势（光生电压），如将pn结短路，则出现电流。
这种由内建电场引起的光电效应，称为光生伏特效应。
根据这一原理可制成太阳能电池，将太阳辐射能直接转变为电能28.光电池（光电二极管）的基本原理：当用适当波长的光照射pn结时，由于pn结势垒区内存在较强的内建电场，结两边的光生少数载流子受该场的作用，各自向相反的方向运动，pn结两端产生光生电动势，如将pn结与外电路接通，只要光照不停止，就会有渊源不断的电流过电路，pn结起到了电源的作用29.半导体发光器件的基本原理：半导体的电子可以吸收一定能量的光子而被激发。
同样，处于激发态的电子也可以向较低的能级跃迁，以光辐射的形式释放出能量，也就是电子从高能级向低能级跃迁，伴随着发射光子，这就是半导体的发光现象。
（产生光子发射的主要条件是系统必须处于非平衡状态，即在半导体内需要有某种激发过程存在，通过与非平衡载流子的复合，才能形成发光30.半导体激光器件的基本原理：处在激发态E2的原子数大于处在激发态E1的原子数，则在光子流hν12照射下，受激辐射将超过吸收过程。
这样由系统发射的能量为hν12将大于进入系统的同样能量的光子数，这钟现象称为光量子放大。
通常把处于激发态E2（高能级）的原子数大于处在激发态E1（低能级）的原子数的这种反常情况，称为“分布反转”或“粒子数反转”。
激光的发射，必须满足 a 形成分布反转，使受激辐射占优势 b 具有共振腔，以实现光量子放大 c 至少达到阈值电流密度，使增益至少等于损耗31.半导体霍尔器件的基本原理：把通有电流的半导体放在均匀磁场中，设电场沿X方向，磁场方向和电场垂直，沿z方向，则在垂直于电场和磁场的+y或-y方向将产生一个横向电场，这个现象称为霍尔效应。
利用霍尔效应制成的电子器件称为霍尔器件32.二维电子气：MOS反型层中的电子被局限在很窄的势阱中运动，所以反型层中的电子沿垂直于界面的z方向的运动是量子化的，形成一系列分立能级E0，E1，…，E j…。
