模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电

模拟电子技术基础试卷及答案 一、填空（18分） 1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。 2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V ，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V ，经过电容滤波后为 12 V ，二极管所承受的最大反向电

苏州大学模拟电路课程试卷（1 卷）共4页 一. 填空题：(20分) 1. PN 结伏安特性方程为I=_____________________。 2. 高频时二极管的单向导电性变差，原因是PN 结存在___________ (A. 结电容

功放的主要优点是 ，但出现交越失真，克服交越失真的方法 。乙类 A 、反向偏置击穿状态 、反向偏置未击穿状态 C 正向偏置导通状态 、正向偏置未导通状态 2、在本征半导体中掺入（ ）构成N 型半导体。 A 、积分运算电路 B 、微分运算电路

模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。 3．当输入信号频率为

一、填空题：（要求） 1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如和等。 半导体中中存在两种载流子：和。纯净的半导体称为，它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导

23.共模抑制比是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（ A ）能力。 A.放大差模抑制共模； B.输入电阻高； C.输出电阻低 24.差分放大电路R E 上的直流电流I EQ 近似等于单管集电极电流I CQ （B ）倍。 ； B

模拟试卷一 一、填空(16分) 1．半导体二极管的主要特性是___________ 。 2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。 3．当输入信号频率为

模拟综合试卷一 一.填充题 1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a , ｂ。 2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是ａ， b 。 3．在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大

电子基础 [ 模拟电路试卷及答案] [填空及选择题] 模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ， b 。 2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是 a , b 。 3．在晶体三极管参数相

模拟电子技术试卷（A） 编号：JWC-JL-047 版号：D/0 1．三极管有三种工作状态，它们分别是状态、状态和状态。 2．小功率直流稳压电源包括，，和四个部分组成。 3．并联稳压电路因负载与并联而得名，这种电路的结构简单，稳压性能较差；

安徽农业大学经济技术学院 2015-2016学年第一学期期末考试试题（A卷） 电气、电子、网络、通信专业14级模拟电子技术课程考试时间120 分钟 题号一二三四五六 总 分 统 分人 得 分 一．选择题（本大题共10 小题；每小题2 分，共

坑爹的模电 试卷编号01 ……………………………………………………………………………………………………………… 一、填空（本题共20分，每空1分）： 1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。 2．在P

模拟电子电路试题（B） 中山市技师学院2010-2011年度第二学期期末考试题 2(晶体管的电流放大作用，其实质就是用一个较小的电流控制一个较大的电流。( ) 模拟电子技术试卷(B) 3(整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。( ) 编号

模拟综合试卷一一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的

1、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。【】 A. 83 B. 91 C. 100 2、已知图所示电路中VCC＝12V，RC＝3kΩ，静态管压降 UCEQ＝6V；并在输出端加

34.如图2.5所示的功率放大电路处于乙类工作状态；其静态损耗为0 ；电路的最大输出功率为L CC R V 2 2 ；每个晶体管的管耗为最大输出功率的0.2倍。 35.差分电路的两个输入端电压分别为U i1=2.00V，U i2=1.98V

一、填空（30分，每空1分）1、半导体中存在两种载流子，分别为电子和空穴。杂质半导体分为两种，分别为N型半导体和P型半导体。2、三极管实现放大作用的内部结构条件是发射区掺杂浓度高；基区做得很薄，且掺杂浓度低。实现放大作用的外部条件是外加电源

模拟题一（答案）一、填空题（共30分，每空1分）1．电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为【1】电子技术。2．PN结反向偏置时，PN结的内电场【2】。PN具有【

模拟电子技术基础试卷及参考答案 试卷三（本科）及其参考答案 试卷三 一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分） 1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大