半导体集成电路制造工艺一、集成电路的定义：集成电路是指半导体集成电路，即以半导体晶片材料为主，经热氧化工艺：干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化加工制造，将无源元件、有源元件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上，执行十八、根据器件要求确定氧化方法

半导体工艺原理-集成电路制造工艺介绍

《半导体集成电路》考试题目及参考答案

芯片制造-半导体工艺教程Microchip Fabrication----A Practical Guide to Semicondutor Processing目录:第一章:半导体工业[1][2][3]第二章:半导体材料和工艺化学品[1]

第一次作业：1，集成时代以什么来划分？列出每个时代的时间段及大致的集成规模。答：类别时间数字集成电路模拟集成电路MOS IC 双极ICSSI 1960s前期MSI 1960s~1970s 100～500 30～100LSI 1970s 50

第1章集成电路的基本制造工艺(1)教学提纲

半导体集成电路习题及答案

装置 （见右图）原理SiH 410000 C 11000 CSiH2SiCl4H211500 C 12500 CSiHCl[ 注意 ] 淀积的Si 可在Si 片表面迁移，再它们到达

一般清洗技术工艺 剥离光刻胶 去聚合物 清洁源 氧等离子体 容器 平板反应器 清洁效果 刻蚀胶 除去有机物 产生无氧表面 无任何残留物 除去表面颗粒 除去重金属粒 子 除去清洗溶剂

第1章 集成电路的基本制造工艺1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习

第六章 MOS管数字集成电路子系统设计 6.1 引言 6.2 加法器 6.3 乘法器 6.4 存储器6.5 PLA 第七章 MOS管模拟集成电路设计基础7.1 引言 7.2 MOS

•4• 1971年11月15日，世界上第一个微处理器 4004诞生了，它包括一个四位的平行加法器、 十六个四位的缓存器、一个储存器 (accumulator) 与一个下推堆栈 (p

第一次作业：1，集成时代以什么来划分？列出每个时代的时间段及大致的集成规模。答：类别时间数字集成电路模拟集成电路 MOS IC 双极ICSSI 1960s前期MSI 1960s~1970s 100～500 30～100LSI 1970s 5

SiO2 P+ N-epi P+ N-epiN+-BL N+-BLP+P-SUB涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗

集成电路制造工艺原理课程总体介绍：1．课程性质及开课时间：本课程为电子科学与技术专业（微电子技术方向和光电子技术方向）的专业选修课。本课程是半导体集成电路、晶体管原理与设计和光集成电路等课程的前修课程。本课程开课时间暂定在第五学期。2．参考

引言随着半导体器件封装的小型化、片状化、薄型化和焊球阵列化，对半导体封装技术要求越来越高。由于封装材料复杂性的不断增加，半导体封装技术也越来越复杂，封装和工艺流程也越来越复杂。1. （半导体）大规模集成电路封装工艺简介所谓封装就是指安装半导

集成电路制造工艺流程晶体的生长晶体切片成wafer晶圆制作功能设计à模块设计à电路设计à版图设计à制作光罩工艺流程1) 表面清洗晶圆表面附着一层大约 2um 的 Al2O3 和甘油混合液保护之 , 在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。2)

第一部分考试试题第0章绪论1.什么叫半导体集成电路？2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？5.什么

第一次光刻—N+埋层扩散孔• 1。减小集电极串联电阻 • 2。减小寄生PNP管的影响要求： 1。 杂质固浓度大SiO22。高温时在Si中的扩散系数小，以减小上推N+

• 《数字集成电路-电路、系统与设计》周润德译， 电子工业出版社出版业务推广部31课程参考书目及要求a)器件原理部分： 书目：《半导体物理》 《晶体管原理》 要求：熟悉晶体管单结特