半导体集成电路制造工艺 一、集成电路的定义：集成电路是指半导体集成电路，即以半导体晶片材料为主，经热氧化工艺：干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化加工制造，将无源元件、有源元件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上，执行十八、根据器件要求确定氧化方

GNDViTVoR VDD23二）、MOS集成电路芯片制 造工艺（N阱硅栅CMOS工艺）241、CMOS工艺中的元器件结构电阻NSD和PSD电阻结构剖面图25多晶硅电阻结构剖面图26N阱电阻结构剖面图27电容CMOS工艺中PMOS晶体管电容

6.画出四管和六管单元与非门传输特性曲线。并说明为什么有源泄放回路改善了传输特性的矩形性。7.四管与非门中，如果高电平过低，低电平过高，分析其原因，如与改善方法，请说出你的想法。8.为什么TTL与非门不能直接并联？9. OC门在结构上作了什

芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication ----A Practical Guide to Semicondutor Processing 目录: 第一章:半导体工业[1][2][3] 第二章:半导体材料和工艺化

• 利用EDA工具，电子设计师可以从概念、算法、协议 等开始设计电子系统，并将电子产品从电路设计、性 能分析到设计出IC版图或PCB版图的整个过程的计算 机上自动处理完成。全球3万人从业人 员，缔造50亿美元 年产值----知识密集 型行业

第1章集成电路的基本制造工艺1.6一般TTL集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么?答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL集成电路的外延层电阻率高。第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应复习思考题2.2利用

以硅平面工艺方法，注意到集成电路工艺特点，经 6 次光 刻，4 次扩散，4 次氧化，蒸Al，外延等工序可以制成集成晶 体管，同时也可分别制成二极管、电阻、电容等元件，并实现 电路之间的互连。注意下图中的 P 型基区制备得相当薄，且集电结 n

• 11。长PSG（磷硅玻璃）。PSG N+ PN-SiN+P+P+CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例• 12。光刻Ⅷ---引线孔光刻。PSG N+ PN-SiN+P+P+CMOS集成电路工艺 --以P阱硅栅CMOS为例• 1

第1章 集成电路的基本制造工艺1.6 一般TTL 集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么? 答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL 集成电路的外延层电阻率高。第2章 集成电路中的晶体管及其寄生效应 复 习

第六章 MOS管数字集成电路子系统设计 6.1 引言 6.2 加法器 6.3 乘法器 6.4 存储器6.5 PLA 第七章 MOS管模拟集成电路设计基础7.1 引言 7.2 MOS

•4• 1971年11月15日，世界上第一个微处理器 4004诞生了，它包括一个四位的平行加法器、 十六个四位的缓存器、一个储存器 (accumulator) 与一个下推堆栈 (p

第一次作业：1，集成时代以什么来划分？列出每个时代的时间段及大致的集成规模。答：类别时间数字集成电路模拟集成电路 MOS IC 双极ICSSI 1960s前期MSI 1960s~1970s 100～500 30～100LSI 1970s 5

SiO2 P+ N-epi P+ N-epiN+-BL N+-BLP+P-SUB涂胶—烘烤---掩膜（曝光）---显影---坚膜—蚀刻—清洗

集成电路制造工艺原理课程总体介绍：1．课程性质及开课时间：本课程为电子科学与技术专业（微电子技术方向和光电子技术方向）的专业选修课。本课程是半导体集成电路、晶体管原理与设计和光集成电路等课程的前修课程。本课程开课时间暂定在第五学期。2．参考

引言随着半导体器件封装的小型化、片状化、薄型化和焊球阵列化，对半导体封装技术要求越来越高。由于封装材料复杂性的不断增加，半导体封装技术也越来越复杂，封装和工艺流程也越来越复杂。1. （半导体）大规模集成电路封装工艺简介所谓封装就是指安装半导

集成电路制造工艺流程 晶体的生长 晶体切片成wafer 晶圆制作 功能设计à模块设计à电路设计à版图设计à制作光罩 工艺流程 1) 表面清洗 晶圆表面附着一层大约 2um 的 Al2O3 和甘油混合液保护之 , 在制作前必须进行化学刻蚀和表

第一部分考试试题 第0章绪论 1.什么叫半导体集成电路？ 2.按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写？ 3.按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？ 4.按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类

Ep+N PNPNPNPNPN晶体管刨面图SiO2BN+ EAL CPP+P+N-epiN+-BLP-SUB1.衬底选择P型Si ρ 10Ω.cm 111晶向,偏离2O~5O晶圆（晶片） 晶圆（晶片）的生产由砂即（二氧化硅）开始， 经由电弧

• 《数字集成电路-电路、系统与设计》周润德译， 电子工业出版社出版业务推广部31课程参考书目及要求a)器件原理部分： 书目：《半导体物理》 《晶体管原理》 要求：熟悉晶体管单结特

1、隐埋层杂质的选择原则；①杂质固溶度大，以使集电极串联电阻降低；②高温时在硅中的扩散系数要小，以减小外延时隐埋层杂质上推到外延层的距离；③与硅衬底晶格匹配好，以较小应力因此最理想的隐埋层杂质是砷（As）2、外延层厚度包括哪几个部分，公式里