G、S、D均加正电 位，衬底加VB0。半导体器件物理© Dr. B. Li写入原理G、S、D均加正电位，衬底加VB0，衬底n＋p结正偏压， 电子从n＋型衬底注入p型外延层SiO2浮栅存储。注：S、D加正电位，一方面有利于衬底n＋p型正偏压，
半导体物理与器件正偏pn结耗尽区边 界处少数载流子浓 度的变化情况反偏pn结耗尽区边 界处少数载流子浓 度的变化情况例8.1半导体物理与器件 少数载流子分布假设：中性区内电场为0 无产生 稳态pn结 0 长pn结例8.400Dn 2 n
第8章 半导体表面与MIS 结构 许多半导体器件的特性都和半导体的表面性质有着密切关系，例如，晶体管和集成电路的工作参数及其稳定性在很大程度上受半导体表面状态的影响；而MOS 器件、电荷耦合器件和表面发光器件等，本就是利用半导体表面效应制成
半导体电子势垒（半到金） eV0 EFS EFM 0.38eV 电子势垒（金到半） WMS WM 0.53eV 接触电势差： 0.38V8.3在金属和N型半导体接触中，半导体的施主浓度 Nd=1016cm-3。电子亲和势
1rs 0k0TNAlnNA ni讨论（1）用电荷面密度与Vs的定性关系解释C-V特性 （2） C-V特性与频率有关，可利用高频特性判断半导体的导电类型 （3）MIS结构的半导体材料及绝缘体材料一定时，利用C-V特性测试d0及掺杂浓度（2）
正偏PN结的扩散电容通常要远远大于PN结的 耗尽(势垒)电容。3.小信号导纳: PN结二极管的小信号导纳为：上式中Ip0和In0分别是二极管中空穴电流和 电子电流直流分量， IDQ为二极管的直流偏置电 流。τp0和τn0分别是过剩少子空穴和
Us>0时，能带向上弯曲，空穴浓度增加； Us<0时，能带向下弯曲，电子浓度增加。Ld：德拜屏蔽长度， E( x ) Ese x / LdLd是外电场渗透半导体内时，其
先考虑越过尖峰的发射电流．尖峰处由n区向p区 发射电流可写作jn pevr nn0exp[e(VDn Vn )] kT(8-5-1)式中vr为描述电子发射的等效速度，它具有电子 热
dnt 2 ＝I －r n dt(上升过程)dn t 2 ＝r n （下降过程） dt利用初始条件：上升时：t＝0 ， n＝0 ； 下降时：t＝0 ， n＝ns 。 上升
解：当 5 cm 时，由图 4-15 查得 N D 9 10 cm ；14 3室温下 kT 0.026eV ， r 0 3.84 （SiO2 的相对介电系数） 代入数据
少数载流子分布少数载流子分布假设：在中性区内电场近似为0（较小的电场即可产生 足够大的漂移电流，见例8.4 ）无其他非平衡产生过程 稳态pn结的少子分布Dn2nx2n Enxg&#
– 洁净理想表面实际上是不存在，表面上会形成一层单原子层(一 般主要由氧原子组成)，在表面上覆盖了一层二氧化硅层，使硅 表面的悬挂键大部分被二氧化硅层的氧原子所饱和，表面态密 度就
第一章习题 1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近 能量E V (k)分别为： E C （K ）=0 2 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m
第8章 半导体表面与MIS 结构2.对于电阻率为8cm Ω⋅的n 型硅，求当表面势0.24s V V =-时耗尽层的宽度。解：当8cm ρ=Ω⋅时：由图4-15查得1435.810D N cm -=⨯∵22D d s rs qN x V ε
在响应时间内，要能够产生足够的少子补偿耗尽层电荷 的作用 则响应时间为： 该值的典型值为：0.1~10秒。因此，当交 变电压信号的频率高于100Hz时，反型层 电荷将跟不上栅压的变
1/ 28.1 表面电场效应 8.1.2 表面空间电荷层的电场、电势和电容分别称为德拜长度 ，F函数。 则2k0T qV n p 0 E F( , ) qLD k0T p p 0式
