半导体物理第八章课件

半导体物理与器件第八章pn结二极管

半导体物理学 第七版 刘恩科编著 第八章习题

第8章 半导体表面与MIS 结构许多半导体器件的特性都和半导体的表面性质有着密切关系，例如，晶体管和集成电路的工作参数及其稳定性在很大程度上受半导体表面状态的影响；而MOS 器件、电荷耦合器件和表面发光器件等，本就是利用半导体表面效应制成的

半导体物理习题课-第八章

半导体物理分章答案第八章

半导体物理_第八章

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Us>0时，能带向上弯曲，空穴浓度增加； Us<0时，能带向下弯曲，电子浓度增加。Ld：德拜屏蔽长度， E( x ) Ese x / LdLd是外电场渗透半导体内时，其

先考虑越过尖峰的发射电流．尖峰处由n区向p区 发射电流可写作jn pevr nn0exp[e(VDn Vn )] kT(8-5-1)式中vr为描述电子发射的等效速度，它具有电子 热

dnt 2 ＝I －r n dt(上升过程)dn t 2 ＝r n （下降过程） dt利用初始条件：上升时：t＝0 ， n＝0 ； 下降时：t＝0 ， n＝ns 。 上升

(b) Vgs>VT, Vds<Vgs-VT沟道不再伸展到漏极，处于夹断状态， 夹断处的电压降保持在Vds>Vgs-VT 。 (c) Vgs>VT, Vds

解：当 5 cm 时，由图 4-15 查得 N D 9 10 cm ；14 3室温下 kT 0.026eV ， r 0 3.84 （SiO2 的相对介电系数） 代入数据

少数载流子分布少数载流子分布假设：在中性区内电场近似为0（较小的电场即可产生 足够大的漂移电流，见例8.4 ）无其他非平衡产生过程 稳态pn结的少子分布Dn2nx2n Enxg&#

第八章 半导体表 面与MIS结构4 导出理想MIS 结构来自百度文库开启电压随温度变化的 关系式。

– 洁净理想表面实际上是不存在，表面上会形成一层单原子层(一 般主要由氧原子组成)，在表面上覆盖了一层二氧化硅层，使硅 表面的悬挂键大部分被二氧化硅层的氧原子所饱和，表面态密 度就

第一章习题1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k)分别为：E C （K ）=0220122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V

第8章 半导体表面与MIS 结构2.对于电阻率为8cm Ω⋅的n 型硅，求当表面势0.24s V V =-时耗尽层的宽度。解：当8cm ρ=Ω⋅时：由图4-15查得1435.810D N cm -=⨯∵22D d s rs qN x V ε

在响应时间内，要能够产生足够的少子补偿耗尽层电荷 的作用 则响应时间为： 该值的典型值为：0.1~10秒。因此，当交 变电压信号的频率高于100Hz时，反型层 电荷将跟不上栅压的变

1/ 28.1 表面电场效应 8.1.2 表面空间电荷层的电场、电势和电容分别称为德拜长度 ，F函数。 则2k0T qV n p 0 E F( , ) qLD k0T p p 0式