第四章  晶体中的缺陷
第四章 晶体中的缺陷

••空位+表面原子肖特基缺陷的特点是晶体表面增加了新的原子层,晶 体内部只有空位缺陷,且晶体体积膨胀,密度下降。3)杂质缺陷 由外加杂质的引入所产生的缺陷,亦称为组成缺陷。 杂质缺陷的浓度与温度无关。 为了有目的地改善器件性能,人为地引入杂

2020-12-26
最新第四章  晶体结构缺陷
最新第四章 晶体结构缺陷

(二)按点缺陷产生的原因分类• 热缺陷 • 杂质缺陷 • 非化学计量结构缺陷___________________________ _______________________热缺陷• 也称为本征缺陷。 • 定义:当晶体的温度高于0K时,

2024-02-07
晶体缺陷1电子教案
晶体缺陷1电子教案

扩散的三种基本机制: Kittel 8版 p397两个原子换位通过间隙原子迁移 通过空位交换位置描述扩散现象的宏观规律:Fick 第一定律 :扩散物质浓度不大的情况下,单位时间内,通过单位面积的扩散物的量(简称扩散 流),决定于浓度n的梯度

2020-11-12
最新第四章晶体中的点缺陷与线缺陷第一讲
最新第四章晶体中的点缺陷与线缺陷第一讲

T E 热起伏(涨落) 原子脱离其平衡位置E原子 E平均 在原来位置上产生一个空位热缺陷浓度与温度的关系:温度升高时,热缺陷浓度增加(a)单质中弗仑克尔缺陷的形 成(空位与间隙质点成对出现)(b)单质中的肖特基缺陷的 形成热缺陷产生示意图

2024-02-07
第四章 晶体缺陷
第四章 晶体缺陷

第四章晶体缺陷(Defects in crystals) 推荐书:《金属物理》、《物理金属学》,冯端著 缺陷的魅力所在:钻石中的杂质产生五颜六色。 本征缺陷(Intrinsic defects)是满足物理规律要求所必须存在的缺陷,外来缺陷(

2024-02-07
《固体物理学》房晓勇主编教材-习题解答参考04第四章 晶体结构中的缺陷
《固体物理学》房晓勇主编教材-习题解答参考04第四章 晶体结构中的缺陷

第四章 晶格结构中的缺陷 4.1 试证明,由N 个原子组成的晶体,其肖托基缺陷数为 s B k T s n Ne μ−= 其中s μ是形成一个空位所需要的能量。 证明:设由N 个原子组成的晶体,其肖托基缺陷数为s n ,则其微观状态数为 !

2024-02-07
第四章 晶体结构缺陷习题与解答
第四章 晶体结构缺陷习题与解答

第四章晶体结构缺陷习题与解答 4.1 名词解释(a)弗伦克尔缺陷与肖特基缺陷;(b)刃型位错和螺型位错 解:(a)当晶体热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置而挤到晶格点的间隙中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为弗伦克尔

2024-02-07
晶体缺陷ppt课件
晶体缺陷ppt课件

8Schottky缺陷的产生上9晶体中的Schottky缺陷(空位) 晶体中的Frenkel缺陷(位错)102 . 杂质缺陷 概念——杂质原子进入晶体而产生的缺陷。原子进入晶体的数量一般小于0.1%。 种类——间隙杂质置换杂质 特点——杂质

2024-02-07
第四章 晶体中的点缺陷和面缺陷
第四章 晶体中的点缺陷和面缺陷

缺陷的类型根据缺陷产生的原因,可以把点缺陷分成三种类型。 (1)热缺陷(晶格位置缺陷)——如:空位和填隙原子。 填隙原子——原子进入晶体中正常结点之间的间隙位置; 空位——晶体中正常结点上没有原子或离子占据,成为空结点。热力学平衡态热缺陷:

2024-02-07
第四章晶体缺陷
第四章晶体缺陷

非均匀形核功与均匀形核功对比的示意图均匀形核率和非均匀形核率随过冷度变化的对比二、晶体的生长1、晶体生长概述一旦核心形成后,晶核就继续长大形成晶粒。系统总自由能随晶体体积的增加而下

2024-02-07
固体物理第四章 晶体的缺陷与缺陷运动
固体物理第四章 晶体的缺陷与缺陷运动

若晶体中的空位与填隙原子的数目相等,这样的热缺 陷称为弗仑克尔(Frenkel)缺陷。(P148图4-7) 弗仑克尔缺陷——空位和填隙原子可以成对地产生的点缺陷。 特点:1)空位和填隙原子数目相等。 2)一定温度下,缺陷的产生和复合过程达到

2024-02-07
无机材料科学基础 第四章 晶体结构缺陷
无机材料科学基础 第四章 晶体结构缺陷

肖特基缺陷 (Schottky Defect):(c)离子对空位弗兰克尔缺陷(Frenkel Defect):(e)等量的正离子空位和正离子间隙4.1.1 点缺陷• 空位:dist

2024-02-07
第4章-晶体缺陷
第4章-晶体缺陷

内部正常格点上留下空位,称之为肖特基缺陷。特点: ① 为介稳态; ② 在晶体中只形成空位而没有间隙质点; ③ 在离子晶体中,正、负离子空位成对产生; ④ 晶体体积增大,晶格常数改变

2024-02-07
材料物理化学-第四章 晶体的点缺陷与线缺陷
材料物理化学-第四章 晶体的点缺陷与线缺陷

CaCl2 KCl Ca K Cli ClCl(1 1) (1 2) (1 3) 2ClCl CaCl2 KCl Cai 2VKCaCl2杂质溶入KCl晶体,可以

2024-02-07
第四章 晶体的缺陷
第四章 晶体的缺陷

第四章晶体的缺陷习题解答1.设晶体只有弗仑克尔缺陷, 填隙原子的振动频率、空位附近原子的振动频率与无缺陷时原子的振动频率有什么差异?[解答]正常格点的原子脱离晶格位置变成填隙原子, 同时原格点成为空位, 这种产生一个填隙原子将伴随产生一个空

2024-02-07
固体物理4章晶体缺陷2019
固体物理4章晶体缺陷2019

原子所需的能量比形成空位的高。 (c)一般共价半径大的原子具有较大的空位形成能。上一内容 下一内容 回主目录返回(三)点缺陷的表示• Kroger-Vink(1960年前后)提出了

2024-02-07
第四章  晶体结构缺陷
第四章 晶体结构缺陷

5. 正负离子半径相差不大时,Schottky缺陷 为主;杂质缺陷亦称为组成缺陷或非本征缺陷定义:是由外来杂质的引入所产生缺陷。 特征:如果杂质的含量在固溶体的溶解度范围 内,则杂

2024-02-07
第四章 晶体的缺陷
第四章 晶体的缺陷

第四章 晶体的缺陷习 题1.求证在立方密积结构中,最大的间隙原子半径r 与母体原子半径R 之比为414.0Rr[解答]对于面心立方结构,如图4.1所示,1原子中心与8原子中心的距离,等于1原子中心与2原子中心的距离,对于立方密积模型,图 4

2024-02-07
第四章 晶体缺陷
第四章 晶体缺陷

42讨论2 、刃位错的攀移●刃位错的攀移 — 刃位错线在垂直于其滑移面内 的运动,实际上是半原子面的扩大或缩小。使 半原子面缩小的攀移称为正攀移 ; 使半原子面扩 大的攀移称为负攀

2024-02-07
《固体物理学答案》第四章 晶体的缺陷
《固体物理学答案》第四章 晶体的缺陷

第四章 晶体的缺陷习 题1.求证在立方密积结构中,最大的间隙原子半径r 与母体原子半径R 之比为414.0Rr[解答]对于面心立方结构,如图4.1所示,1原子中心与8原子中心的距离,等于1原子中心与2原子中心的距离,对于立方密积模型,图 4

2024-02-07