半导体工艺流程简介

半导体制程简介

《晶圆处理制程介绍》基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，送到热炉管（Furnace）内，在含氧的环境中，以加热氧化（Oxidation）的方式在晶圆的表面形成一层厚约数百个的二氧化硅层，紧接着厚约1000到2

半导体制程简介

BubblerWet Thermal OxidationTechniquesFilm DepositionDeposition is the process of depositing films onto a substrate. The

一、半導體製程氣體介紹:A.Bulk gas:---GN2 General Nitrogen : 只經過Filter -80℃---PN2 Purifier Nitrogen---PH2 Purifier Hydrgen (以紅色標示)--

• Oxide CMP 的前一站是长Oxide的CVD区，后一站是Photo区。CMP 前CMP 后SMICW（钨） CMP流程-1Ti/TiNP+P+N-Well

5.0um NA NA NA 7半 导体元件制造过程前段（Front End）制程---前工序 晶圆处理制程（Wafer Fabrication； 简称 Wafer Fab）典型的

《晶圆处理制程介绍》基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，送到热炉管（Furnace）内，在含氧的环境中，以加热氧化（Oxidation）的方式在晶圆的表面形成一层厚约数百个的二氧化硅层，紧接着厚约1000到2

半导体全制程介绍《晶圆处理制程介绍》基本晶圆处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗（Cleaning）之后，送到热炉管（Furnace）内，在含氧的环境中，以加热氧化（Oxidation）的方式在晶圆的表面形成一层厚约数百个的二氧化硅层，紧接着

5 常用工艺之二：光刻❖ 目的：按照集成电路的设计要求，在SiO2或 金属层上面刻蚀出与光刻掩膜版完全相对应 的几何图形，以实现选择性扩散或金属布线 的目的。5 常用工艺之二：光刻

• 研磨垫（pad）– 研磨时垫在晶片下面的片状物。它的使用寿命会影响研磨速率等。• 研磨垫整理器（condition disk）– 钻石盘状物，整理研磨垫。SMICCMP耗材的影

(基本觀念) IC製程說明介紹半導體的產品很多，應用的場合非常廣泛，圖一是常見的幾種半導體元件外型。半導體元件一般是以接腳形式或外型來劃分類別，圖一中不同類別的英文縮寫名稱原文為PDID：Plastic Dual Inline Packag

FOL– Wire Bonding 引线焊接Wire Bond的质量控制：Wire Pull、Stitch Pull（金线颈部和尾部拉力） Ball Shear（金球推力）Wire

EOL– Molding（注塑）Molding Cycle-L/F置于模具中，每 个Die位于Cavity中 ，模具合模。 -块状EMC放入模具 孔中-高温下，EMC开始 熔化，顺

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SubstrateSolder paste pringtingChip shootingReflow OvenDI water cleaningAutomatic optical

銲線（wire bond） 銲線站乃是將晶粒上銲點透過極細的金線（18~50 um）連接到 導線架之內引腳，進而將IC晶粒的電路訊號傳輸至外界IC標準封裝基本製程簡介—銲線頭髮金線

半導體製程簡介整整理理：：張張奇奇龍龍 博博士士 資資料料來來源源：：台台灣灣應應用用材材料料((股股))公公司司資料來源：台灣應用材料(股)公司晶圓（Wafer）整理：張奇龍晶圓

晶圓清潔(Cleaning)(二)◆ SPM(PiranhaClean)化學品:H2SO4,H2O2 目的:清除有機物質◆ DHF(DiluteHF Clean)化學品:HF,H2