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离子束光刻简介

光刻工艺步骤介绍 PPT

光刻工艺介绍

软光刻介绍

光刻工艺介绍1

光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。光刻机是生产线上最贵的机台，5～

半导体光刻工艺介绍

➢光刻胶（Photo Resist）光刻简介光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形 复制到以后要进行刻蚀的晶圆上。其原 理与照相相似，不同的是半导体晶圆与 光刻胶代替了照相底片与感光涂

光刻工艺介绍1General Photolithography前工序Process涂胶(Coating)HMDSResist coatingSoft bakeSoft bakeTA

A13谢谢光看！A14用的多电极静电系统.A2光刻技术原理A3离子束光刻优点• 高的分辨率和焦深性能（离子的质量远远大于电 子，在相同的加速电压下，离子具有更短的波长， 因此离子束

15002000250030003500400045005000spin speed (rpm)•责任、诚信、努力、创新武汉华灿光电有限公司匀胶缺陷(PR Coating Defe

2、热烘板（Hot plate） （1）工作原理：电流通过热板，电热板将电流转化 成热量，由热板的阻值的大小来控制功率的高低， 由温控器控制开关来实现温度控制，这就是电热板 的基本

光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成本约为整个硅片制造工艺的1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的40～60%。光刻机是生产线上最贵的机台，5～

光刻胶显影液渗透粘附力好表面Attractive interaction衬底是否要使用黏附剂要根据图形大小、衬底及光刻胶的种类 来决定，HMDS 可以用浸泡、喷雾和气相方法来涂覆。

光刻工艺介绍一、定义与简介光刻是所有四个基本工艺中最关键的，也就是被称为大家熟知的photo，lithography，photomasking, masking, 或microlithography。在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、

Wafer Cleaning - 1• Typical contaminants that must be removed prior to photoresist coating

光刻胶的对比度光刻胶区分掩模上亮区和暗区的能力。（光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡度）焦深（DOF）Chemical Clean RinseDrySpindlePR dispenser nozzleTo vacuum pumpSpindl

小论文任选一种先进制造技术，查阅相关参考文献，写一篇关于这种先进制造技术的论文，说明该技术的研究现状、工作原理、特点及发展趋势。1.自由组合：4-6人一组；2.参考文献最少要有2-3篇以上的英文文献；3.论文可用中文或者英文撰写；4.制作P

光刻工艺介绍一、定义与简介光刻是所有四个基本工艺中最关键的，也就是被称为大家熟知的photo，lithography，photomasking, masking, 或microlithography。在晶圆的制造过程中，晶体三极管、二极管、