半导体制程技术导论Chapter_1导论

半导体清洗设备制程技术与设备市场分析（台湾）自•動•化•產•業•技•術•與•市•場•資•訊•專•輯关键词•多槽全自动清洗设备Wet station•单槽清洗设备Single bath•单晶圆清洗设备Single wafer•微粒partic

半导体工艺技术.pptx

半导体工艺要点1、什么是集成电路通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能2、集成电路设计与制造的主

• 利用濺鍍法將閘電極用或掃描配線材料 靶材濺鍍形成金屬薄膜Step 2• 將光阻劑剝離後，在閘電極的表面上形 成第一層陽極氧化膜作為閘極絕緣體• 再利用(PCVD)連續地成長第二

*Wuhan XinxinIC Industry Business UnitIDM Product design & sales,(Integrated Device M

5.0um NA NA NA 7半 导体元件制造过程前段（Front End）制程---前工序 晶圆处理制程（Wafer Fabrication； 简称 Wafer Fab）典型的

半导体制程一、洁净室一般的机械加工是不需要洁净室(clean room)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便有可

C O B半导体制程技术 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#cob半导体制程技术微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silicon

图解半导体制程概论（1）第一章半导体导论█半导体的物理特性及电气特性【半导体】具有处于如铜或铁等容易导电的【导体】、与如橡胶或玻璃等不导电的【绝缘体】中间的电阻系数、该电阻比会受到下列的因素而变化。如：杂质的添加·温度光的照射·原子结合的缺

半导体制造技术基本概念晶圆（Wafer）晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解

– 低頻(10~100kHz)、高頻(1MHz)超音波振盪 洗淨• 超音波振盪洗淨是一種非接觸式，屬低損傷之微 小顆粒去除的洗淨方法 • 高頻超音波會產生空穴效應(Cavitati

第一次光刻—N+埋层扩散孔• 1。减小集电极串联电阻 • 2。减小寄生PNP管的影响要求： 1。 杂质固浓度大SiO22。高温时在Si中的扩散系数小，以减小上推N+

曝 光刻 蚀测试和封装沟道长度为0.15微米的晶体管栅长为90纳米的栅图形照片30m100 m 头发丝粗细50m30~50m (皮肤细胞的大小)1m 1m (晶体管的大小)90年

SiO2的制备方法热氧化法 干氧氧化 水蒸汽氧化 湿氧氧化 干氧－湿氧－干氧(简称干湿干)氧化法 氢氧合成氧化化学气相淀积法 热分解淀积法 溅射法进行干氧和湿氧氧化的氧化炉

• 化學方式的電漿化學氣相沉積法(Plasma Chemical Vapor deposition,PCVD)– α–Si膜 – 絕緣膜等• 物理方式的濺鍍法(Sputteห้อง

(a)PMOS VoutVss淺溝絕緣槽(STI) N-通道元件區 N-通道 Vt N-通道LDD N-通道S/D P-通道元件區 P-通道 Vt P-通道LDD P-

半导体制程概要PIE 03DIFF 10IMP 15VACUUM 17WET 19CVD 21PVD 24CMP 27PHOTO 30ETCH 41MFG 49FAC 69Accounting 73FA 75PIE1, 300mm wafe

半导体清洗设备制程技术与设备市场分析（台湾）自•動•化•產•業•技•術•與•市•場•資•訊•專•輯关键词•多槽全自动清洗设备Wet station•单槽清洗设备Single bath•单晶圆清洗设备Single wafer•微粒partic

– 一种相移振荡器 （1.3 MHz)– Ge 衬底，晶体管及电阻、电容全部由Ge制成 (面积约11.1x1.6mm2)– 扩散工艺形成晶体管 – 黑蜡掩蔽腐蚀形成Tr台面结构Ki