石英基板 光刻工艺：借助光刻胶将印在掩膜上的图形结构转移到硅片表面 光刻胶：批光照后能具有抗蚀能力的高分子化合物，用于在半导 体基件表面产生电路的形状。 正光刻胶：受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解。留下 的非曝光部分的图形与掩模版一
半导体清洗设备制程技术与设备市场分析 （台湾）自•動•化•產•業•技•術•與•市•場•資•訊•專•輯 关键词 •多槽全自动清洗设备Wet station •单槽清洗设备Single bath •单晶圆清洗设备Single wafer •微粒
Na、K、Fe、Cu、Au 等元素 扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级杂质横向扩散示意图固态源扩散：如B2O3、P2O5、BN等利用液态源进行扩散的装置示意图离子注入离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半 导体衬底中的掺杂技术，掺杂深
半导体工艺要点 1、什么是集成电路 通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能 2、集成电路设计与制
– 去除基板表面上所附著的微塵顆粒 – 提升整個製程品質及最終產品良率TFT Array 製程關鍵性技術— 洗淨製程技術(2)• 去除微塵顆粒的洗淨方法有– 毛刷旋轉清洗基板表面的刮除洗淨(Scrub)• 去除微小顆粒最有效的洗淨方式 •
•Migration of Electronics ManufacturingFrom inception, electronic manufacturing has migrated geographically from the Wes
半导体制造工艺分类• 三 Bi-CMOS工艺： A 以CMOS工艺为基础 P阱 N阱 B 以双极型工艺为基础双极型集成电路和MOS集成电 路优缺点双极型集成电路 中等速度、驱动能力强、模拟精度高、功耗比 较大 CMOS集成电路低的静态功耗、
半导体制程 一、洁净室 一般的机械加工是不需要洁净室(clean room)的，因为加工分辨率在数十微米以上，远比日常环境的微尘颗粒为大。但进入半导体组件或微细加工的世界，空间单位都是以微米计算，因此微尘颗粒沾附在制作半导体组件的晶圆上，便
C O B半导体制程技术 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN# cob半导体制程技术 微机电制作技术，尤其是最大宗以硅半导体为基础的微细加工技术(silic
图解半导体制程概论（1）第一章半导体导论█半导体的物理特性及电气特性【半导体】具有处于如铜或铁等容易导电的【导体】、与如橡胶或玻璃等不导电的【绝缘体】中间的电阻系数、该电阻比会受到下列的因素而变化。如：杂质的添加·温度光的照射·原子结合的缺
半导体制造技术基本概念晶圆（Wafer）晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解
– 低頻(10~100kHz)、高頻(1MHz)超音波振盪 洗淨• 超音波振盪洗淨是一種非接觸式，屬低損傷之微 小顆粒去除的洗淨方法 • 高頻超音波會產生空穴效應(Cavitati
Ep+N PNPNPNPNPN晶体管刨面图SiO2BN+ EAL CPP+P+N-epiN+-BLP-SUB1.衬底选择P型Si ρ 10Ω.cm 111晶向,偏离2O~5O晶圆（晶片） 晶圆（晶片）的生产由砂即（二氧化硅）开始， 经由电弧
曝 光刻 蚀测试和封装沟道长度为0.15微米的晶体管栅长为90纳米的栅图形照片30m100 m 头发丝粗细50m30~50m (皮肤细胞的大小)1m 1m (晶体管的大小)90年
SiO2的制备方法热氧化法 干氧氧化 水蒸汽氧化 湿氧氧化 干氧－湿氧－干氧(简称干湿干)氧化法 氢氧合成氧化化学气相淀积法 热分解淀积法 溅射法进行干氧和湿氧氧化的氧化炉
• 化學方式的電漿化學氣相沉積法(Plasma Chemical Vapor deposition,PCVD)– α–Si膜 – 絕緣膜等• 物理方式的濺鍍法(Sputteห้อง
半導體製程技術導論 Chapter 1 導論Hong Xiao, Ph. D. hxiao89@Hong Xiao, Ph. D. /HongXiao/Boo k.htm 1目標讀完本章之後，你應該能夠：• • • •熟悉半導體相關術語的使
半导体制程概要 PIE 03 DIFF 10 IMP 15 VACUUM 17 WET 19 CVD 21 PVD 24 CMP 27 PHOTO 30 ETCH 41 MFG 49 FAC 69 Accounting 73 FA 75 P
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– 一种相移振荡器 （1.3 MHz)– Ge 衬底，晶体管及电阻、电容全部由Ge制成 (面积约11.1x1.6mm2)– 扩散工艺形成晶体管 – 黑蜡掩蔽腐蚀形成Tr台面结构Ki
