半导体物理学第五章 习题答案 第五章习题 1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空 穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩 载流子，产生率为,空穴寿
第五章习题 1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空 穴寿命为。 （1）写出光照下过剩载流
第五章习题 1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为, 空穴寿命为τ。 （1）写出光照下过剩载
这一恢复过程称为载流子的复合5.2 非平衡载流子的寿命复合过程需要一定的时间dp p p0 或 dp pdtdt t p(t) p(0)e 5.2 非平衡载流子的寿命由于复合作用，每个非平衡载流子生存的时间不 同，其平均生存时间为：ttdp
n p0( 1.5 × 10 ) =1015−10 2= 2.3 × 10 5 cm −3非平衡少子在半导体内的分布（半导体无限厚），∆p ( x ) = (∆p )0 ex Lp从表面处向半导体内扩散的少子空穴扩散电流密度，d ∆p Jp
1. 净复合率(定义后述）：热平衡时：热产生率＝复合率电子浓度 光注入时：n0，空穴浓度p0。净产生过程①光照开始，(热产生率＋光产生率) ＞复合率，n 、 p ；②光照稳定，(热产生率＋光产生率) ＝复合率，n 、p不变；③光照停止，(热
第五篇 题解-非平衡载流子 刘诺 编 5-1、何谓非平衡载流子？非平衡状态与平衡状态的差异何在？ 解：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。通常所指的非平衡载流子是指非平
第五章习题 1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空 穴寿命为τ。 （1）写出光照下过剩载
第5章 非平衡载流子1. 一个n 型半导体样品的额外空穴密度为1013cm -3，已知空穴寿命为100μs ，计算空穴的复合率。解：复合率为单位时间单位体积内因复合而消失的电子-空穴对数，因此1317306101010010U cm s ρ
第5章 非平衡载流子1. 一个n 型半导体样品的额外空穴密度为1013cm -3，已知空穴寿命为100s ，计算空穴的复合率。解：复合率为单位时间单位体积内因复合而消失的电子-空穴对数，因此1317306101010010U cm s ρτ
料的电阻率n=0.38m2/( 121.8。V.S),Ge的单晶密度为5.32g/cm3,Sb原子量为解：该Ge单晶的体积为：;Sb掺杂的浓度为：查图3-7可知，室温下Ge的本征载流子浓度，属于过渡区5. 500g的Si单晶，掺有4.510
np n0 p0 exp(n p EF EFk 0T) ni2 exp(n p EF EFk 0T)显然，准费米能级之间的偏离可反映出系统的不平衡状态。5.4 复合理论非平
第五章习题 1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。 2. 用强光照射n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为, 空穴寿命为τ。 （1）写出光照下过剩载
第五章习题1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。2. 用强光照射n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为τ。 （1）写出光照下过剩载流子所
p 型：p0n01 d rd n0 1 d rd p0大注入：p n0 p01 d rd p小注入时，非子寿命决定于材料； 多子浓度大，小大注入时，非子寿命决定于注入； 注入浓度大，小寿命 τ的大小，首先取决于复合概率r 利用本征
麦拉福/view/757c39bff121dd36a32d825c.html半导体物理学第5章习题及答案1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。2. 用强光照射n 型样
第五章习题1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。2. 用强光照射n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为?。（1）写出光照下过剩载流子所满
第五章习题1. 在一个n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为1013cm -3, 空穴的寿命为100us 。计算空穴的复合率。2. 用强光照射n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为。（1）写出光照下过剩载流子所满足
半导体物理第五章习题答案第5章 非平衡载流子1. 一个n 型半导体样品的额外空穴密度为1013cm -3，已知空穴寿命为100μs ，计算空穴的复合率。解：复合率为单位时间单位体积内因复合而消失的电子-空穴对数，因此131730610101
半导体物理学简答题及答案(精) 第一章 1.原子中的电子和晶体中电子受势场作用情况以及运动情况有何不同, 原子中内层电子和外层电子参与共有化运动有何不同。 答：原子中的电子是在原子核与电子库伦相互作用势的束缚作用下以电子云的形式存在，没有一
