《宽禁带半导体发光材料》2.1氮化物材料的性质1

第三代宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)在半导体行业的发展进程中，人们通常把Si和Ge元素半导体称为第一代电子材料，把GaAs、InP、InAs等化合物半导体称为第二代半导体材料，而把Ⅲ族氮化物（主要包括GaN、相关化合物I

半导体材料种类繁多，分类方法各不相同，一般将以硅(Si)、锗(Ge)等为代表的元素半导体材料称为第一代半导体材料；以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)等为代表的化合物半导体材料称为第二代半导体材料；以碳化硅(SiC)、氮

宽禁带半导体材料特性及生长技术何耀洪, 谢重木(信息产业部电子第46所,天津,300220)摘要:叙述了宽带半导体材料SiC、G aN的主要特性和生产长方法,并对其发展动态和存在问题进行了简要评述。关键词:宽禁带半导体材料;碳化硅;氮化硅中

山东建筑大学毕业论文开题报告表班级： 姓名：论文题目宽禁带半导体ZnO的调研一、选题背景和意义Zn0是一种新型的II-VI族宽禁带半导体材料，具有优异的晶格、光电、压电和介电特性，和III-V族氮化物及II-VI族硒化物比具有很多潜在的优点

宽禁带半导体光电材料的研究及其应用宽禁带半导体材料(Eg大于或等于3.2ev)被称为第三代半导体材料。主要包括金刚石、SiC、GaN等。和第一代、第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有禁带宽度大,电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能

照明市场白炽灯白 炽 灯 ——热光 源 ， 钨 丝发光 色 温 为 2850K缺点： 能源浪费（绝大多数是红外辐射） 发光效率<15 lm/W（<5%功率） 安全问题

LOGO一、引言❖ 由于SiC、GaN等宽禁带半导体材料在军事领域具有巨大的应用潜力， 很多国家都开展了相关材料与器件的研究：◆ 美国军方十分重视SiC、GaN器件，美国国防部高级

氮化物宽禁带半导体一第三代半导体技术张国义１，李树明２北掌大学韵曩最，卜蘑■一目毫重点宴■宣‘２北大董光科技酣青曩公司北囊１∞耵１ｉ盲謦。莳耍曰曩了量化精半导体曲主要持征和应用■量．巨督圈辱上和重内的主曩研兜理状．市场分析与攮测．由此－ｕ蚪

２．０￣６．０ｅｖ，则称为宽禁带半导体，如碳化硅（ＳｉＣ）、氮化 ＰＡＥ 高达 ５４％ ，其 １５０Ｗ 输出功率（２．１ＧＨｚ）的线性增镓（ＧａＮ）、４Ｈ 碳化硅（４Ｈ－ＳｉＣ）、

文献[6]Phosphorous passivation of the SiO2/4H–SiC interfaceAlGaN/GaN凹栅槽结构MISHEMT器件文献[7] 采用Al

宽禁带半导体材料与工艺1.1 宽禁带半导体的概念和发展宽禁带半导体（WBS）是自第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。这类材料主要包括SiC（碳化硅）、C-BN（立

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宽禁带半导体技术李耐和概述根据半导体材料禁带宽度的不同，可分为宽禁带半导体材料与窄禁带半导体材料。若禁带宽度Eg＜2ev （电子伏特），则称为窄禁带半导体，如锗（Ge）、硅（Si）、砷化镓（GaAs）以及磷化铟（InP）；若禁带宽度Eg＞2

新一代宽禁带半导体材料回顾半导体的发展历程，随着不同时期新材料的出现，半导体的应用先后出现了几次飞跃。首先，硅材料的发现使半导体在微电子领域的应用获得突破性进展，日用家电和计算机的广泛应用都应该归功于硅材料的应用。而后，砷化镓材料的研究则使

照 明 市 场白炽灯白 炽 灯 —— 热光 源 ， 钨 丝发光 色 温 为 2850K 缺点： 荧光灯荧光灯——冷光源，是由汞蒸汽放电产生的 紫外线(266nm)激发磷光物（荧

很多国家都开展了相关材料与器件的研究：◆ 美国军方十分重视 SiC、GaN器件，美国国防部高级研究计划局 (DARPA) 、ONR、 空军研究实验室(AFRL)、美国弹道导弹防御组

宽禁带材料的发展宽禁带半导体材料及其器件应用新发展摘要：近几年以SiC为代表的宽禁带半导体材料以其宽的禁带宽度、高的击穿场强、高饱和漂移速度和高热导率，小介电常数和高的电子迁移率，以及抗辐射能力强等特性而成为国内外研究的热点，更成为制作高频

电子工业专用设备Equipment for Electronic Products ManufacturingEPE（总第187期）Aug ．2010宽禁带半导体材料技术李宝珠(中国电子科技集团公司第四十六研究所，天津300220)摘要：宽

✓ 等电子杂质的电负性>（<）晶格原子的电负性，形成 电子(空穴)的束缚态，该等电子陷阱称为等电子的电 子（空穴）陷阱，该杂质称为等电子受主（施主）。✓ 例如：N原子取