少子寿命测试原理

太阳电池少子复合原理以及与转换效率的关系

WT-2000少子寿命测试仪的原理及性能

高频光电导衰减法测量Si 中少子寿命预习报告：一，什么是少子寿命？少子，即少数载流子。少子寿命指少子的平均生存时间，寿命标志少子浓度减少到原值的1/e 所经历的时间。少数载流子寿命是与半导体中重金属含量、晶体结构完整性直接有关的物理量。它对

在硅的各种加工过程中，硅表面上通常都有离子吸附，它们引起半导体内的表面势垒产生耗尽层或反型层。光照在半导体表面时，能量稍大于半导体禁带宽度的光子，将会把价带中的电子激发到导带，从而形成电子空穴对，并向低密度区扩散。由于表面上存在着耗尽区，其

样品的有效寿命的表达式［１］：１ － １ ＝ １ ＋ Ｓｆｒｏｎｔ ＋Ｓｂａｃｋτ τ τ ｅｆｆｉｎｔｒｉｎｓｉｃＳＲＨＷ（ １）式 中 ， τｅｆｆ 为 有 效 寿 命 ， τ

第三章：少数载流子寿命测试少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数，它在半导体发展之初就已经存在了。早在20世纪50年代，Shockley 和Hall等人就已经报道过有关少数载流子的复合理论[1-4]，之后虽然陆续有人研究半导体中少数载流子

少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。它相对于多子而言。半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中

少子寿命测量

硅锭的少子寿命分布•图1显示了晶锭的 原生少子寿命沿高 度方向的分布。 从图中可以看出， 硅锭底部和顶部都 存在低少子寿命区 域，硅锭中间部分 少子寿命值较高且 分布均匀。在底部

EC产生复合EVA10受外界因素(光照、载流子注入等)影响比 平衡状态下多出来的载流子。非平衡载流子浓EChν度为Δn、Δp。Δn = ΔpEVA11在光激发下，一开始载流子产生率

.8P型硅的载流子绝大部分为空穴。空穴为多 数载流子(majority carrier)，简称多子；电 子为少数载流子(minority carrier)，简称少 子。N型硅的载流

多晶硅与少子寿命分布（河南科技大学材料科学与工程系，洛阳 471000）摘要：铸造多晶硅目前已经成功取代直拉单晶硅而成为最主要的太阳能电池材料。铸造多晶硅材料中高密度的杂质和结晶学缺陷(如晶界，位错，微缺陷等)是影响其太阳能电池转换效率的重

一般而言,硅片的厚度会影响到少子寿命的测量.由于样品表面存在复合中心,这些复合中心会使有效寿命降低.硅片如果太薄,少子就会扩散到表面进行复合,从而导致寿命降低(对于高质量的硅片尤其重要).,为了避免这种现象发生,通常采用碘酒钝化表面,.但碘

少子寿命检测设备结构原理及维护要点少子寿命设备的应用对于太阳能工业而言，少子寿命是一个非常重要的指标，它表征了硅料内部缺陷的多少，当然也就直接指出了太阳能电池品质的好坏。由于电池制造过程又是不可逆的，那么在电池工艺之前就了解其品质是极其重要

少子寿命原理及应用黎晓丰 1. 2. 3. 4. 5.半导体简介 非平衡载流子及少子寿命 少子寿命影响因素 少子寿命的测试方法简介 WT-2000的运用1. 半导体 (Sem

SRH(Shockley-Read-Hall)模型SRH少子寿命公式τn0和τp0分别是电子和空穴的俘获时间常数。 n1和p1分别为费米能级处于复合中心能级Et 时电子和空穴的浓度

• N型硅的载流子绝大部分为电子。电子为多 子，空穴为少子。3. 非平衡载流子• 平衡状态下，电子空穴对的产生和复合 率相等。电子和空穴浓度n、p不变。EC产生 复合EV• 受外界

14若定义非平衡载流子单位时间的复合概 率为1/τ，则 U nUdnndt tn(n)0e 15非平衡载流子呈指数衰减t为载流子的复合寿命 n(n)0e 16的物理意义：非平衡载流

(3) 脉冲时间要足够长（频率一般小于100kHz），否则正 向注入或者反向抽取都不能达到饱和。(4)在实验过程中，取样电阻必须保持不变，否则会引起 很大的偏差，这是由连续性方程决