表面复合对少子寿命测量影响的定量分析我们测量硅单晶、铸造多晶以及单晶硅片、多晶硅片的少子寿命，都希望得到与真实体寿命b τ相接近的测量值（表观寿命），而不是一个受表面影响很大的表面复合寿命s τ。因为在寿命测量中只有b τ才能真正反映半导体

第三章：少数载流子寿命测试少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数，它在半导体发展之初就已经存在了。早在20世纪50年代，Shockley 和Hall等人就已经报道过有关少数载流子的复合理论[1-4]，之后虽然陆续有人研究半导体中少数载流子

在硅的各种加工过程中，硅表面上通常都有离子吸附，它们引起半导体内的表面势垒产生耗尽层或反型层。光照在半导体表面时，能量稍大于半导体禁带宽度的光子，将会把价带中的电子激发到导带，从而形成电子空穴对，并向低密度区扩散。由于表面上存在着耗尽区，其

第三章：少数载流子寿命测试少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数，它在半导体发展之初就已经存在了。早在20世纪50年代，Shockley 和Hall等人就已经报道过有关少数载流子的复合理论[1-4]，之后虽然陆续有人研究半导体中少数载流子

少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。它相对于多子而言。半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中

实验一光电导衰退测量少数载流子的寿命一、实验目的1.理解非平衡载流子的注入和复合过程；2.了解非平衡载流子寿命的测量方法；3.学会光电导衰退测量少子寿命的实验方法。二、实验原理半导体中少数载流子的寿命对双极型器件的电流增益、正向压降和开关速

第一章：1、电子器件微型化和大规模集成的含义是什么？其具有怎样的实际意义。答：电子器件微型化主要是指器件的最小尺寸，也就是特征尺寸变小了。大规模集成是指在单个芯片上所继承的电子器件数量越来越多。电子器件微型化和大规模集成的意义：1）提高速度

实验2 高频光电导衰退法测量硅单晶少子寿命1． 实验目的掌握一种测量硅单晶少子寿命的方法。2． 实验内容用高频光电导衰退法测量硅单晶棒或单晶片的少子寿命。3． 实验原理3.1 直流光电导衰退法直流光电导衰退法是根据恒定电流作用下半导体样品的

实验二光电导衰退测量少数载流子的寿命实验项目性质：综合实验所涉及课程：半导体物理、半导体材料计划学时：2学时一、实验目的1．理解非平衡载流子的注入与复合过程；2．了解非平衡载流子寿命的测量方法；2．学会光电导衰退测量少子寿命的实验方法。二、

45 40 35Life time(us)A B C D E30 25 20 15 10 5 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 AcidAcid etching time(mi

硅锭的少子寿命分布•图1显示了晶锭的 原生少子寿命沿高 度方向的分布。 从图中可以看出， 硅锭底部和顶部都 存在低少子寿命区 域，硅锭中间部分 少子寿命值较高且 分布均匀。在底部

多晶硅与少子寿命分布（河南科技大学材料科学与工程系，洛阳 471000）摘要：铸造多晶硅目前已经成功取代直拉单晶硅而成为最主要的太阳能电池材料。铸造多晶硅材料中高密度的杂质和结晶学缺陷(如晶界，位错，微缺陷等)是影响其太阳能电池转换效率的重

一般而言,硅片的厚度会影响到少子寿命的测量.由于样品表面存在复合中心,这些复合中心会使有效寿命降低.硅片如果太薄,少子就会扩散到表面进行复合,从而导致寿命降低(对于高质量的硅片尤其重要).,为了避免这种现象发生,通常采用碘酒钝化表面,.但碘

少子寿命检测设备结构原理及维护要点少子寿命设备的应用对于太阳能工业而言，少子寿命是一个非常重要的指标，它表征了硅料内部缺陷的多少，当然也就直接指出了太阳能电池品质的好坏。由于电池制造过程又是不可逆的，那么在电池工艺之前就了解其品质是极其重要

实验二光电导衰退测量少数载流子的寿命实验项目性质：综合实验所涉及课程：半导体物理、半导体材料计划学时：2学时一、实验目的1．理解非平衡载流子的注入与复合过程；2．了解非平衡载流子寿命的测量方法；2．学会光电导衰退测量少子寿命的实验方法。二、

光电导衰退测量少数载流子的寿命一、 目的本实验的目的是学会用高频光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子的寿命。半导体中少数载流子的寿命对双极型器件的电流增益、正向压降和开关速度等起着决定性作用。半导体太阳能电池的换能效率、半导体探测器的探测率和

LT-100C数字式硅晶体少子寿命测试仪使用说明书广州市昆德科技有限公司目录1.概述 (1)2.设备的组成及技术指标 (2)3.仪器的使用 (3)4.寿命值的测试读数方法 (6)5.数字示波器的使用 (9)6.寿命测量准确度的校核方法 (1

河北工业大学 硕士学位论文 单晶硅生长过程中工艺参数对少子寿命的影响 姓名：罗晓英 申请学位级别：硕士 专业：材料物理与化学 指导教师：任丙彦2011-03河北工业大学硕士论文单晶

少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数,对于半导体器件制造具有重要意义。少子，即少数载流子，是半导体物理的概念。它相对于多子而言。半导体材料中有电子和空穴两种载流子。如果在半导体材料中

晶体硅少数载流子寿命测定光电导衰减法本方法仅限于浙江协成硅业有限公司使用一、方法原理在两端面为研磨表面并具有欧姆接触的单一导电性号的半导体单晶试样上通一直电流，用示波器观察试样上的电压降。对试样施一脉冲光，在试样中产生非平衡少数载流子，同时