变温霍尔效应摘要：本实验采用范德堡测试方法，通过控温的方式测量了碲镉汞单晶样品的霍耳系数随温度的变化，得到并分析了实验与理论对比的1ln H R T ⎛⎫-⎪⎝⎭曲线，还对电子迁移率与空穴迁移率的比值作了估算。关键词：霍耳效应，霍耳系数，半

范德堡测试方法与变温霍尔效应摘要：本实验采用范德堡测试方法，测量样品霍耳系数及电导率随温度的变化，可以确定一些主要特性参数——禁带宽度，杂质电离能，电导率，载流子浓度，材料的纯度及迁移率，从而进一步探讨导电类型，导电机理及散射机制。关键词：

变温霍尔效应实验霍尔效应的测量是研究半导体性质的重要实验方法。利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来确定半导体的导电类型和 载流子浓度。通过测量霍尔系数与电导率随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度系数等基本参数

变温霍尔效应摘要：本实验利用范德堡法测量变温霍尔效应，在80K-300K的温度范围内测量了碲镉汞单晶霍尔电压随温度变化，而后对数据进行了分析，做出图，找出了不同温度范围的图像变化特点，分析结果从而研究了碲镉汞的结构特点和导电机制。关键词：霍

实验8—1变温霍尔效应引言1879年，霍尔(E.H.Hall)在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”。在半导体材料中，霍尔效应比在金属中大几个数量级，引起人们对它的

变温霍尔效应摘要：本实验采用范德堡测试方法，利用由控温仪、恒温器、电磁铁、恒流电源、电输运性质测试仪和装在恒温器内指上的锑化铟，碲镉汞单晶样品等组成的VTHM —1型变温霍尔效应仪首先测量室温条件下的电流和磁场不同方向的霍尔电压，又通过控温

学号：PB07203143 姓名：王一飞院（系）：物理系变温霍尔效应【实验目的】1、通过该实验，学习利用变温霍尔效应测量半导体薄膜的多种电学性质的方法。2、掌握霍尔系数、霍尔迁移率和电导率的测量方法，了解它们随温度的变化规律。3、测定样品的

霍尔效应Hall Effect

变温霍尔效应

变温霍尔效应摘要：本实验利用范德堡法测量变温霍尔效应，在80K-300K的温度范围内测量了碲镉汞单晶霍尔电压随温度变化，而后对数据进行了分析，做出ln|R H|−1/T图，找出了不同温度范围的图像变化特点，分析结果从而研究了碲镉汞的结构特点

变温霍尔效应如果在电流的垂直方向加以磁场，则在同电流和磁场都垂直的方向上，将建立起一个电场，这种现象称为霍耳效应。霍尔效应是1879年霍耳在研究导体在磁场中受力的性质时发现的，对分析和研究半导体材料的电输运性质具有十分重要的意义。目前，霍耳

变温霍尔效应测试系统使用说明书一、概述本仪器系统由可换向永磁磁铁、SV－12变温恒温器、控温仪、CVM－200电输运性质测试仪、连接电缆和装在恒温器内冷指上的霍尔探头、标准样品组成。本仪器用于霍尔效应、载流子类型、载流子类型转变的演示和学生

变温霍耳效应实验日期：2013.11.11 指导老师：王亚非【摘要】：本实验我们研究了样品（锑化铟）的霍尔系数随温度的变化情况。利用液氮控制样品的温度，通过测量不同温度下的霍尔电压来计算出变温情况下的霍尔系数，画出温度80-300k 范围内

变温霍尔效应【摘要】本实验采用范德堡测试方法，利用液氮对样品（锑化铟）的温度进行控制，测量了不同温度下样品的霍尔电压，画出了在80-300K温度范围内样品的ln|R H|−1T⁄和R H−T曲线，分析并得出了变温下样品霍尔系数的变化规律，估

学号：PB07203143姓名：王一飞院（系）：物理系变温霍尔效应调研报告1、霍尔测量控温系统的构成可换向永磁磁铁、变温恒温器、控温仪、电输运性质测试仪、连接电缆和装在恒温器内冷指上的霍尔探头、样品组成。变温恒温器可换向永磁铁控温仪CVM-

变温霍尔效应

变温霍尔效应测量半导体电学特性霍尔效应的测量是研究半导体性质的重要实验方法。利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来确定半导体的导电类型和载流子浓度。通过测量霍尔系数与电导率随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度系

实验8.2 变温霍尔效应前言美国物理学家霍尔(Edwin Herbert Hall ，1855～1938) 1879年在研究载流导体在磁场中的受力情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这种现象称为“霍尔效应”.根据霍尔效应，人

IS （mA） 0.300 0.600 0.900 1.200 1.500 1.800 V1（mV） +B，+ IS V2（mV） -B，+ IS V3（m

变温霍尔效应对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，这个现象于1879年为物理学家霍尔所发现，故称为霍尔效应。在20世纪的前半个世纪，霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展，